技术特征：
技术总结
一种方法，包括：形成多个第一层，每个层包括位于衬底上方的第一伪层和第二伪层，其中，在每个层内，第二伪层设置在第一伪层之上；在多个第一层中形成多个第二凹进区域，其中，多个第二凹进区域中的至少一个子组分别延伸穿过不同数量的第二伪层；和穿过多个第二凹进区域的至少一个子组执行蚀刻操作以同时形成分别具有不同深度的多个第三沟槽。本发明实施例涉及形成光子器件的方法。
技术研发人员：刘陶承;洪蔡豪;郭仕奇
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.07.04
技术公布日：2019.10.22