防反射涂层的制备方法和具有该防反射涂层的背光模组与流程

本发明涉及显示领域，尤其涉及防反射涂层的制备方法和具有该防反射涂层的背光模组。

背景技术：

生活中，液晶显示器已经成为最常用的显示装置了，其数字化、高清晰度、色彩逼真等特点给人们生活带来了很多便利。其中，液晶面板的质量高低决定着液晶显示器最终的显示效果，液晶面板由液晶板和背光模组组成。现有技术中，背光模组包括了led灯条、反射片、导光板和光学膜片，其工作原理如下：led灯条发出的线光源入射到导光板，经过导光板的作用转换为面光源，其中大部分光折射到上方，再经过光学膜片调制形成均匀的面光源，还有小部分光线通过反射片的作用反射后在此被利用。但是每一次在导光板靠近灯条的侧面都会存在光的反射、散射等现象，从而降低了光的利用率。

现有技术中背光模组中存在着光在导光板靠近灯条的侧面由于反射、散射等原因而造成光的利用率低下的问题，因此，上述技术有改进的空间。

技术实现要素：

本发明提供了防反射涂层的制备方法和背光模组，用于解决在背光模组中led灯条发出的线光源在经过导光板、反射片和光学膜片时由于反射、散射等原因而造成光的利用率低下的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种背光模组，至少包括：胶框、以及位于所述胶框内部的光源和导光板；所述光源位于所述导光板的入光侧；

其中，所述导光板的入光侧表面设有防反射涂层，用于减少所述光源的出射光进入所述导光板之后又反射出所述导光板的光量。

其中，所述防反射涂层覆盖所述导光板的整个入光侧表面。

相应地，对于上述背光模组，本发明提供一种防反射涂层的制备方法，包括如下步骤：

步骤一、提供二氧化硅和氮化硅的粉末，将所述二氧化硅和氮化硅的粉末加入到易挥发的溶剂中；

步骤二、用磁力棒将所述混有二氧化硅粉末和氮化硅粉末的溶液均匀地搅拌，形成防反射溶液；

步骤三、将所述防反射溶液均匀地涂在基片表面；

步骤四、将涂有所述防反射溶液的基片置于低于100℃的低压环境下，使得所述防反射溶液在所述基片表面固化形成防反射膜。

其中，所述防反射溶液的固化温度为70℃～90℃。

其中，所述最终形成的防反射涂层厚度为1～5um。

本发明还提供一种防反射涂层的制备方法，包括如下步骤：

步骤一、提供五氧化二铌的粉末，将所述五氧化二铌的粉末加入到易挥发的溶剂中；

步骤二、用磁力棒将所述混有五氧化二铌粉末的溶液均匀地搅拌，形成防反射溶液；

步骤三、将所述防反射溶液均匀地涂在基片表面；

步骤四、将涂有所述防反射溶液的基片置于低于100℃的低压环境下，使得所述防反射溶液在所述基片表面固化形成防反射膜。

其中，所述防反射溶液的固化温度为70℃～90℃。

其中，所述最终形成的防反射涂层厚度为1～5um。

本发明还提供另一种防反射涂层的制备方法，包括如下步骤：

步骤一、提供蒸镀设备，将基片置于蒸镀设备内加热；

步骤二、提供pfa有机溶液，将所述pfa有机溶液置于所述蒸镀设备的蒸发腔室内进行加热处理；

步骤三、所述pfa有机溶液蒸发形成pfa分子沉积在所述基片表面，待所述pfa分子冷却后在所述基片表面形成防反射膜。

其中，所述最终形成的防反射涂层厚度为1～5um。

本发明的技术方案可以产生如下效果：

本发明提供的一种背光模组，其中导光板靠近背光源的入光侧设有防反射涂层，当led灯条的光线经过此侧面时，透过率会增加，反射率会减小，进入导光板的光强更大，从而提高了光线的最终的利用率。

本发明提供的三种防反射涂层的制备方法，其中两种方法利用了二氧化硅和氮化硅或者只用了五氧化二铌，上述三种材料的耐高温、稳定等性质可以实现防反射薄膜坚固的特点，同时采用溶液凝胶法，将二氧化硅和氮化硅的粉末或者只有五氧化二铌的粉末用磁力棒均匀搅拌得到的溶液均匀的抹在固体表面，再通过高温来固化，最终在物体表面形成很薄的、均一的防反射膜，厚度仅为1～5um；另一种方法使用pfa有机溶液制备，pfa具有耐腐蚀的作用，阻燃性能高。通过上述方法制备的防反射涂层纯度高、硬度高、厚度薄、均匀，利于增加光线的透过率，减少光线的反射，以至于减少眩光，在液晶显示中画面更加清晰。

附图说明

下面通过附图来对本发明进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的背光模组的截面结构示意图。

图2为本发明实施例提供的防反射涂层的制备方法的流程图。

图3为本发明实施例提供的防反射涂层的另一种制备方法的流程图。

图4为本发明实施例提供的防反射涂层的另一种制备方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“横”、“竖”、“表面”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“厚度”、“宽度”、“距离”都是中性词，不表示偏向厚或薄、宽或窄、长或短，只是客观表示器件的某一属性，而术语“薄”则明确表示扁平物体上下两面之间的距离小。

另外，还需要说明的是，附图提供的仅仅是和本发明关系比较密切的结构和/或步骤，省略了一些与发明关系不大的细节，目的在于简化附图，使发明点一目了然，而不是表明实际中装置和/或方法就是和附图一模一样，不作为实际中装置和/或方法的限制。

如图1，表示了本发明实施例提供的背光模组的截面结构示意图，在该实施例中，背光模组由背板207和胶框201搭建了整体的框架。其中，led灯条202横向置于胶框四个内侧的任一侧；反射片204、导光板205、光学膜片206依次水平贴合在背板的上表面。其中，在导光板205靠近入光侧的那一侧设有防反射涂层203，需要注意的是，所述防反射涂层203均匀地覆盖了整个所述导光板的侧面。其中，所述防反射涂层203的本质可以是二氧化硅和氮化硅混合溶液或者只有五氧化二铌溶液利用溶液凝胶法制成的一层薄膜，这层薄膜的厚度为1～5um；同理，所述防反射涂层203的本质也可以是pfa通过蒸镀法形成的一层薄膜，这层薄膜的厚度为1～5um。

由于二氧化硅和氮化硅、五氧化二铌、pfa具有耐高温、稳定等性质，所以最终制成的防反射涂层具有硬度高、厚度薄等特点。因此，在导光板205靠近led灯条202的那一侧表面上设有防反射涂层203，可以直接提高光线的透过率，减少折射率，进一步来提高光源光线的利用率，同时也减少眩光，在液晶显示中画面更加清晰。

如图2，表示了本发明实施例提供的防反射涂层的制备方法的流程图，在该实施例中，所述防反射涂层的制备方法，采用溶液凝胶法，包括如下步骤：

s101、提供二氧化硅和氮化硅的粉末，将所述二氧化硅和氮化硅的粉末加入到易挥发的溶剂中；

需要注意的是，此处二氧化硅和氮化硅粉末所占溶液比例不宜过低，以免后期溶液过于稀薄，无法实现良好的防反射功能，比例也不宜过高，以免造成后期难以搅拌均匀，因此需要根据实际情况合理的控制粉末的比例。

所述易挥发的溶剂可以是水或者是一些挥发速率比较快的有机溶剂，比如甲醇、乙醇。

s102、用磁力棒将所述混有二氧化硅粉末和氮化硅粉末的溶液均匀地搅拌，形成防反射溶液；

其中，磁力棒在搅拌过程中起到两个作用：分别是使粉末与溶剂充分且均匀混合和清除所述混合物中的铁磁性杂质，所以务必在搅拌期间定期清洗吸附在磁力棒上的杂质，这样不仅可以提高搅拌的均匀度，而且溶液的纯度也得以提高。

s103、将所述防反射溶液均匀地涂在基片表面；

其中，涂抹应顺着同一个方向，以免造成涂抹不均匀，涂抹的厚度最后要保证在1～5um，不宜过薄或者过厚。

步骤s104、将涂有所述防反射溶液的基片置于低于100℃的低压环境下，使得所述防反射溶液在所述基片表面固化形成防反射膜。

可以理解的是，固化环境为低于100℃的低压环境可以提高溶剂挥发的均一性，其中，温度可以定为70℃～90℃，固化时间在30分钟左右。

如图3，将上述二氧化硅粉末和氮化硅粉末替换为五氧化二铌，也可以利用同样的流程制备防反射涂层。

如图4，表示了本发明实施例提供的防反射涂层的另一种制备方法的流程图，在该实施例中，所述防反射涂层的制备方法，采用蒸镀法，包括如下步骤：

s101、提供蒸镀设备，将基片置于蒸镀设备内加热；

其中，基片、基片架和真空室内壁应该提前进行清洗，以免影响后期膜层的纯度和结合力。

s102、提供pfa有机溶液，将所述pfa有机溶液置于所述蒸镀设备的蒸发腔室内进行加热处理；

需要注意的是，在pfa有机溶液达到蒸发效果之前必须用挡板盖住pfa有机溶液及其它会对基片造成污染的设备，在此期间要避免有液浆飞溅到基片上。

s103、所述pfa有机溶液蒸发形成pfa分子沉积在所述基片表面，待所述pfa分子冷却后在所述基片表面形成防反射膜。

可以理解的是，当pfa有机溶液开始汽化以后可以拿开挡板让蒸汽沉积在基片表面，在此期间，基片温度、镀料蒸发温度、沉积气压都影响着蒸镀的效果，所以要针对蒸镀材料选择适合的参数。应当注意，当膜层厚度达到要求以后，此处防反射膜厚度为1～5um，用挡板盖住蒸发源并停止加热，但不要马上导入空气。

以上对本发明实施例所提供的防反射涂层的制备方法和背光模组进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。