一种显示面板及显示装置的制作方法

文档序号:16745744发布日期:2019-01-28 13:33阅读:167来源:国知局
一种显示面板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。



背景技术:

液晶显示面板具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,被广泛的应用于电视、电脑、手机等电子产品中。液晶显示面板通常包括阵列基板(tft基板)、与该阵列基板相对的彩膜基板(cf基板)以及夹设于该阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,其中,阵列基板上设置有呈矩阵式排列的薄膜晶体管(thinfilmtransistor,tft),彩膜基板上通常设置有用于滤光的彩色色阻层、用于遮光及防止不同颜色光混色的黑色矩阵(blackmatrix,bm)、以及用于支撑阵列基板和彩膜基板之间的液晶层盒厚(cellgap)的光阻间隔物(photospacer,ps)。

目前,现有液晶显示技术中,出于生产成本的考虑,常利用色层堆叠技术形成色层堆叠光阻间隔物,以减少光阻间隔物的制作过程以及光阻间隔物掩膜的需求,达到降低成本的效果,具体的,如图1所示,显示面板包括阵列基板(tft基板)以及与阵列基板对盒设置的彩膜基板(cf基板),该cf基板上设有色层堆叠光阻间隔物,该光阻间隔物包括依次层叠设置于cf基板衬底上的红色光阻、绿色光阻和蓝色光阻,cf基板侧的透明导电电极覆盖于该光阻间隔物上,在tft基板的衬底上与cf基板相对的一层上设有像素电极,cf基板与tft基板进行组立时,光阻间隔物会直接抵接在像素电极上,为避免cf基板的透明导电电极与tft基板的像素电极的导通,须使像素电极在与光阻间隔物相对的位置处断开以避开光阻间隔物。

然而,在cf基板与tft基板组立时,须使像素电极与光阻间隔物相对的位置处断开以避开光阻间隔物上的电极与像素电极接触,但是这样会大幅的降低像素电极的实际使用面积,从而导致像素电极的开口率的降低,影响显示效果。



技术实现要素:

本发明提供一种显示面板及显示装置,以解决现有液晶显示技术中由于阵列基板的像素电极在光阻间隔物对应的位置发生断开以使像素电极的有效使用面积降低而导致像素电极的开口率降低的问题。

本发明的一方面提供一种显示面板,包括阵列基板、与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板以及设于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的光阻间隔物;

所述阵列基板包括依次层叠设置在衬底上的储存电容电极和像素电极,所述光阻间隔物的一端与所述彩膜基板相连,所述光阻间隔物的另一端朝向所述阵列基板延伸且所述光阻间隔物与所述储存电容电极相对应。

在本发明的具体实施方式中,所述彩膜基板包括设在基板上的多个色阻单元以及将所述色阻单元隔开的黑矩阵,所述光阻间隔物设在所述黑矩阵上,所述黑矩阵、所述光阻间隔物和所述基板上覆盖公共电极,覆盖在所述光阻间隔物上的部分所述公共电极抵在所述阵列基板上且与所述像素电极断开。

在本发明的具体实施方式中,所述像素电极上与所述储存电容电极对应的位置开设开口,所述光阻间隔物的另一端上的部分所述公共电极抵接在所述开口处,且所述公共电极与所述开口的侧壁存在间隙,以使所述公共电极与所述像素电极断开。

在本发明的具体实施方式中,所述开口处开设可将所述光阻间隔物上的所述公共电极与所述储存电容电极的导电部电性相连的过孔。

在本发明的具体实施方式中,所述阵列基板上开设可将所述储存电容电极的导电部露出的凹槽,所述光阻间隔物的另一端伸入所述凹槽且所述光阻间隔物上的所述公共电极与所述储存电容电极的导电部接触。

在本发明的具体实施方式中,所述储存电容电极的导电部为栅极金属层,所述光阻间隔物上的所述公共电极与所述栅极金属层电性连接。

在本发明的具体实施方式中,所述储存电容电极的导电部为源极金属层,所述光阻间隔物上的所述公共电极与所述源极金属层电性连接。

在本发明的具体实施方式中,所述储存电容电极的导电部为透明电极层,所述光阻间隔物上的所述公共电极与所述透明电极层电性连接。

在本发明的具体实施方式中,所述光阻间隔物包括层叠设置的红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻,且所述光阻间隔物朝向所述阵列基板的一端小于所述光阻间隔物朝向所述彩膜基板的一端。

本发明的另一方面提供一种显示装置,包括上述任一所述的显示面板。

本发明提供一种显示面板及显示装置,通过改变显示面板中彩膜基板和阵列基板间光阻间隔物的设置位置,使光阻间隔物的一端与彩膜基板相连,光阻间隔物的另一端朝向阵列基板延伸且光阻间隔物与储存电容电极相对应,即光阻间隔物设置于储存电容电极相对应的位置处,而由于储存电容电极是由本身不透光的金属层构成,所以该储存电容电极对应的像素电极处不进行显示的,这样当将光阻间隔物设置在储存电容电极相对的位置处,虽然阵列基板上的像素电极为了避开光阻间隔物会造成该位置处的像素电极的减少,但是减少的像素电极面积由于与不透光的储存电容电极相对应,所以并不会造成像素电极有效使用面积的降低,从而不会对开口率造成影响,使显示面板具有较高的开口率,有助于提升显示效果,解决了现有液晶显示技术中由于阵列基板的像素电极在光阻间隔物对应的位置发生断开以使像素电极的有效使用面积降低而导致像素电极的开口率降低的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有的一种显示面板的结构示意图;

图2是本发明实施例一提供的一种显示面板的结构示意图;

图3是本发明实施例二提供的一种显示面板的结构示意图;

图4是本发明实施例三提供的一种显示面板的结构示意图。

附图标记说明:

阵列基板-10;

储存电容电极-11;

栅极金属层-111;

源极金属层-112;

像素电极-12;

彩膜基板-20;

光阻间隔物-30;

黑矩阵-40;

公共电极-50;

开口-60;

过孔-61;

凹槽-70。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

本发明的一方面提供一种显示面板,可以应用于液晶显示技术领域,在tft基板与cf基板组立时,能够使减少的像素电极不影响到开口率,具有较优的显示效果,该显示面板可以为电子纸、平板电脑、液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机等任何具有显示功能的部件。

实施例1

图2是本发明实施例一提供的一种显示面板的结构示意图。

本发明提供了一种显示面板,该显示面板包括阵列基板10、与阵列基板10对盒设置的彩膜基板20以及设于阵列基板10和彩膜基板20之间的光阻间隔物30,阵列基板10包括依次层叠设置在衬底上的储存电容电极11和像素电极12,具体的,如图2所示,显示面板包括阵列基板10、彩膜基板20以及光阻间隔物30,阵列基板10与彩膜基板20对盒设置,光阻间隔物30设置在阵列基板10和彩膜基板20之间,用于维系阵列基板10和彩膜基板20之间的间距,避免显示出现异常,其中,在该阵列基板10的衬底上设置有储存电容电极11,该储存电容电极11包括两层金属层,在该储存电容电极11上设置有像素电极12。

在本实施例中,对阵列基板10和彩膜基板20的材料、结构及厚度大小并无其它要求,能够实现其功能即可,对显示面板中可包括的其它部件可参见现有液晶显示技术中的显示面板,在本实施例中不再赘述。

其中,为在阵列基板10和彩膜基板20组立时,使减少的像素电极12不影响到显示面板的开口率,在本实施例中,光阻间隔物30的一端与彩膜基板20相连,光阻间隔物30的另一端朝向阵列基板10延伸且所述光阻间隔物30与储存电容电极11相对应。将光阻间隔物30的一端设置在彩膜基板20上,而光阻间隔物30的另一端朝向阵列基板10延伸且光阻间隔物30与储存电容电极11相对应,即光阻间隔物30与储存电容电极11的设置位置相对应,将光阻间隔物30设置于储存电容电极11相对应的位置处,由于储存电容电极11是由金属层构成的电容,因此其本身即不透光,所以该储存电容电极对应的像素电极处不进行显示,这样当将光阻间隔物30设置在储存电容电极11相对的位置处,虽然阵列基板10上的像素电极12为了避开光阻间隔物30会造成该位置处的像素电极12的减少,但是减少的像素电极面积由于与不透光的储存电容电极11相对应,所以并不会造成像素电极12有效使用面积的降低,从而不会对开口率造成影响,使显示面板具有较高的开口率,有助于提升显示效果。

具体的,在本实施例中,如图2所示,显示面板包括阵列基板10,与该阵列基板10对盒设置的彩膜基板20,彩膜基板20和阵列基板10间设有光阻间隔物30,该光阻间隔物30的一端与彩膜基板20相连,另一端朝向阵列基板10延伸且光阻间隔物30与储存电容电极11相对应设置,也就是改变了光阻间隔物30的设置位置,将光阻间隔物30设置在与不透光的储存电容电极11相对应的位置处,由于储存电容电极11原本就不会透光,当将光阻间隔物30设置在储存电容电极11相对的位置处时,虽然阵列基板10上的像素电极12为了避开光阻间隔物30会造成该位置处的像素电极12的减少,但是在不透光位置处的像素电极12的减少并不会降低像素电极12的有效使用面积,也就不会影响到开口率,使显示面板具有较高的开口率,有助于提升显示效果。

在本实施例中,对光阻间隔物30的形状、大小以及材料结构等无其它要求,能够起到维系阵列基板10和彩膜基板20之间的间距以避免显示异常的功能即可,该光阻间隔物30可以是由无机材料层及有机树脂层堆叠形成的,也可以是由红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻三色色阻层堆叠形成;该光阻间隔物30的剖面形状可以是堆叠的梯形,也可以是两端小中间大的蘑菇形状。

本发明提供一种显示面板及显示装置,通过改变显示面板中彩膜基板20和阵列基板10间光阻间隔物30的设置位置,使光阻间隔物30的一端与彩膜基板20相连,光阻间隔物30的另一端朝向阵列基板10延伸且光阻间隔物30与储存电容电极11相对应,即光阻间隔物30设置于储存电容电极11相对应的位置处,而由于储存电容电极11是由本身不透光的金属层构成,所以该储存电容电极11对应的像素电极12是不进行显示的,这样当将光阻间隔物30设置在储存电容电极11相对的位置处,虽然阵列基板10上的像素电极12为了避开光阻间隔物30会造成该位置处的像素电极12减少,但是减少的像素电极12面积由于与不透光的储存电容电极11相对应,所以并不会造成像素电极12有效使用面积的降低,从而不会对开口率造成影响,使显示面板具有较高的开口率,有助于提升显示效果,解决了现有液晶显示技术中由于阵列基板10的像素电极12在光阻间隔物30对应的位置发生断开以使得像素电极12的有效使用面积降低而导致像素电极12的开口率降低的问题。

进一步的,在上述实施例的基础上,在本实施例中,彩膜基板20包括设在基板上的多个色阻单元以及将色阻单元隔开的黑矩阵40,光阻间隔物30设在黑矩阵40上,该黑矩阵40、光阻间隔物30和基板上覆盖有公共电极50,且覆盖在光阻间隔物30上的部分公共电极50抵在阵列基板10上且与像素电极12断开。在光阻间隔物30上覆盖公共电极50,在组立安装时,光阻间隔物30的一端设置在彩膜基板20的黑矩阵40上,另一端朝向阵列基板10,并使光阻间隔物30上覆盖的部分公共电极50抵在阵列基板10上与储存电容电机相对的位置处,并将覆盖在光阻间隔物30上的公共电极50与像素电极12断开以避免两者的导通。具体的,如图2所示,在彩膜基板20的基板上设有多个色阻单元,各色阻单元间通过黑矩阵40隔开,以避免色阻单元间的混色,将光阻间隔物30设置在黑矩阵40上,在该黑矩阵40、光阻间隔物30和基板上覆盖公共电极50,光阻间隔物30上的公共电极50与像素电极12之间留有缝隙,断开公共电极50与像素电极12,以避免彩膜基板20的公共电极50与阵列基板10的像素电极12的导通。

在本实施例中,对黑矩阵40、光阻间隔物30以及公共电极50的材料、形状以及厚度大小并无其它要求,可根据实际生产需求进行选择设置,该光阻间隔物30可以为层叠设置的红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻,该公共电极50为彩膜基板20侧的透明电极,公共电极50的材料可以为:ito、igzo或者zno等。

实施例二

图3是本发明实施例二提供的一种显示面板的结构示意图。

进一步的,在上述实施例的基础上,在本实施例中,像素电极12上与储存电容电极11对应的位置开设开口60,光阻间隔物30的另一端上的部分公共电极50抵接在开口60处,且公共电极50与开口60的侧壁存在间隙,以使公共电极50与像素电极12断开。光阻间隔物30设置在与储存电容电极11对应的位置处,在该位置处的像素电极12上设置开口60,将光阻间隔物30的另一端上的部分公共电极50抵接在该开口60处,且使光阻间隔物30上的公共电极50与该开口60的侧壁间留有空隙,这样就可以避免在抵接时像素电极12与公共电极50的导通,同时由于该空隙的位置位于阵列基板10上与储存电容电极11相对的位置处,也就是说在原本不透光的位置为使像素电极12与公共电极50断开而造成了像素电极12使用面积的减少,这样减少的像素电极12的面积并不会影响到显示面板的开口率,保证了显示面板的显示效果。

具体的,如图2所示,在本实施例中,阵列基板10上的像素电极12在与储存电容电极11相对应的位置处开设开口60,光阻间隔物30一端设置在彩膜基板20的黑矩阵40上,另一端上的部分公共电极50抵接在该开口60处,且光阻间隔物30上的公共电极50与开口60的侧壁间留设有间隙,从而实现了公共电极50与像素电极12的断开,虽然造成了在不透光的储存电容电极11相对位置处的像素电极12的缺少,而这样缺少的像素电极12并不会造成像素电极12有效使用面积的减少,因此不会影响到开口率,保证了显示面板的显示效果。

需要说明的是,在本实施例中,像素电极12上与储存电容电极11对应的位置处开设的开口60,该开口60的尺寸大小应小于储存电容电极11的其中一个金属层的尺寸大小,以保证留设开口60位置的遮光性,而在现有的液晶显示技术中,使像素电极12与光阻间隔物30上的公共电极50断开而形成缝隙,为保证该缝隙的遮光性,往往需要使设置有光阻间隔物30的黑矩阵40的尺寸足够大,这样就会提升显示面板的制造成本,而在本实施例中,只须保证储存电容电极11的其中一金属层的尺寸大小大于留设的开口60即可,其黑矩阵40的尺寸可以相对较小一些,达到节省制造成本的目的。

进一步的,在上述实施例的基础上,为进一步改善显示面板的显示效果,在本实施例中,开口60处开设可将光阻间隔物30上的公共电极50与储存电容电极11的导电部电性相连的过孔61。在开口60处开设过孔61,该过孔61用于将光阻间隔物30上的公共电极50与储存电容电极11的导电部电性相连,这样就使彩膜基板20的com信号与阵列基板10的cs信号导通,使两者的信号更加的均匀稳定,从而有效的改善了显示面板的显示质量。

具体的,如图3所示,在像素电极12上与储存电容电极11相对应的位置设有开口60,在该开口60处设有过孔61,光阻间隔物30的一端设置在彩膜基板20的黑矩阵40上,光阻间隔物30另一端上覆盖的部分公共电极50通过开口60处设置的过孔61与储存电容电极11的导电部相连,使彩膜基板20的com信号与阵列基板10的cs信号导通,这样就会使两者的信号更加的均匀稳定,有利于提升显示的效果。

在本实施例中,对过孔61的形状、尺寸大小以及过孔61内的填充材料等并无其它要求,可实现公共电极50与像素电极12间的电性相连即可,该过孔61内的导电材料可以为透明导电材料,如ito、igzo、zno等,还可以是其它的一些金属导电材料等。

进一步的,在上述实施例的基础上,在本实施例中,储存电容电极11的导电部为栅极金属层111,光阻间隔物30上的公共电极50与栅极金属层111电性连接。储存电容电极11的导电部为栅极金属层111,光阻间隔物30上的部分公共电极50通过开口60处的过孔61与栅极金属层111相连,实现公共电极50与储存电容电极11导电部的相连,以使两者的信号更加的稳定。具体的,如图3所示,储存电容电极11包括源极金属层112和栅极金属层111,光阻间隔物30的另一端上覆盖的部分公共电极50通过开口60处的过孔61与栅极金属层111相连,从而实现彩膜基板com信号和阵列基板cs信号的连接。

在本实施例中,储存电容电极11的导电部还可以是源极金属层112,光阻间隔物30上的公共电极50与源极金属层112电性连接,即储存电容电极11的其中一个金属层为源极金属层112,光阻间隔物30的另一端上的部分公共电极50抵接在开口60处,并可通过开口60处的过孔61与源极金属层112相连,同样可以实现公共电极50与储存电容电极11导电部的相连,从而使两者的信号更加的稳定。

在本实施例中,储存电容电极11的导电部还可以为透明电极层,光阻间隔物30上的公共电极50与透明电极层电性连接,即储存电容电极11的其中一个金属层为透明电极层,光阻间隔物30的另一端上的部分公共电极50抵接在开口60处,并可通过开口60处的过孔61与透明导电层相连,同样可以实现公共电极50与储存电容电极11导电部的相连,从而使两者的信号更加的稳定。

进一步的,在上述实施例的基础上,在本实施例中,光阻间隔物30包括层叠设置的红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻,且光阻间隔物30朝向阵列基板10的一端小于光阻间隔物30朝向彩膜基板20的一端,该光阻间隔物30包括层叠设置的红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻,这样在彩膜基板20上形成色阻过滤层的过程中,就可以层叠形成该光阻间隔物30,可以减少彩膜基板20的制程,有利于降低生产成本,该光阻间隔物30朝向阵列基板10的一端小于光阻间隔物30朝向彩膜基板20的一端,这样光阻间隔物30上的部分公共电极50抵在阵列基板10上时,为使像素电极12避开公共电极50设置的开口60就可以相对较小,有助于提高像素电极12的使用面积,具体的,如图2-4所示,在本实施例中,光阻间隔物30包括依次层叠设置在黑矩阵40上的红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻,朝向阵列基板10一端的蓝色色阻小于朝向彩膜基板20一端的红色色阻,这样可以相对的减小像素电极12上开设开口60的大小。

实施例三

图4是本发明实施例三提供的一种显示面板的结构示意图。

进一步的,在上述实施例的基础上,在本实施例中,为提升显示面板的显示效果,可在该阵列基板10上开设可将储存电容电极11的导电部露出的凹槽70,光阻间隔物30的另一端伸入凹槽70且光阻间隔物30上的公共电极50与储存电容电极11的导电部接触。在阵列基板10上与储存电容电极11相对的位置处开设凹槽70,通过该凹槽70将储存电容电极11的导电部露出,光阻间隔物30的另一端伸入该凹槽70中,这样可以使光阻间隔物30上的公共电极50与凹槽70两侧的像素电极12断开,在阵列基板10上与储存电容电极11相对的位置处开设该凹槽70以避免公共电极50与像素电极12的导通,虽然造成了该处像素电极12使用面积的减少,但由于该位置的不透光性,因此这样减少的像素电极12并不会影响到显示面板的开口率,有助于显示效果的提升,同时光阻间隔物30伸入凹槽70中,其上的公共电极50就可以与储存电容电极11的导电部接触相连,从而将彩膜基板20侧的com信号和阵列基板10侧的cs信号导通,提高两者信号更加的均匀稳定,提升显示质量。

具体的,如图4所示,在本实施例中,储存电容电极11的导电部为栅极金属层111,在阵列基板10上与储存电容电极11相对应的位置处开设有凹槽70,该凹槽70将储存电容电极11的栅极金属层111露出,光阻间隔物30一端设置在彩膜基板20的黑矩阵40上,光阻间隔物30的另一端伸入凹槽70使光阻间隔物30上的公共电极50抵接在栅极金属层111上,且公共电极50与栅极金属层111电性相连,这样就实现了彩膜基板20侧的com信号和阵列基板10侧的cs信号导通,提高了信号的均匀稳定性,提升了显示质量。

需要说明的是,在本实施例中,在阵列基板10上开设可使储存电容电极11的导电部露出的凹槽70,该凹槽70的尺寸大小应小于储存电容电极11的其中一个金属层的尺寸大小,以保证凹槽70位置的遮光性。对凹槽70的形状、大小等并无其它要求,能够使储存电容的导电部露出,并使光阻间隔物30伸入使光阻间隔物30上的公共电极50与露出的导电部接触连接,且不会与凹槽70两侧的像素电极12接触。

进一步的,在上述实施例的基础上,在本实施例中,储存电容电极11的导电部可以为栅极金属层111,光阻间隔物30上的公共电极50与栅极金属层111电性连接,储存电容电极11的其中一个金属层为栅极金属层111,在阵列基板10上开设可将栅极金属层111露出的凹槽70,光阻间隔物30的另一端伸入该凹槽70,使光阻间隔物30上的公共电极50与栅极金属层111接触并电性相连,实现公共电极50与储存电容电极11导电部的相连,以使两者的信号更加的稳定。具体的,如图4所示,储存电容电极11包括栅极金属层111和源极金属层112,在阵列基板10上开设可将栅极金属层111露出的凹槽70,光阻间隔物30的一端伸入该凹槽70中,使光阻间隔物30上的公共电极50可以抵接在栅极金属层111上并电性相连,从而实现了彩膜基板com信号和阵列基板cs信号的连接。

在本实施例中,储存电容电极11的导电部还可以是源极金属层112,光阻间隔物30上的公共电极50与源极金属层112电性连接,即储存电容电极11的其中一个金属层为源极金属层112,在阵列基板10上开设可将该源极金属层112露出的凹槽70,光阻间隔物30的另一端伸入该凹槽70,使光阻间隔物30上的公共电极50与源极金属层112接触并电性相连,实现公共电极50与储存电容电极11导电部的相连,以使两者的信号更加的稳定。

在本实施例中,储存电容电极11的导电部还可以为透明电极层,光阻间隔物30上的公共电极50与透明电极层电性连接,即储存电容电极11的其中一个金属层为透明电极层,在阵列基板10上设有将该透明电极层露出的凹槽70,光阻间隔物30的另一端伸入该凹槽70,使光阻间隔物30上的公共电极50与透明电极层接触并电性相连,同样可以实现公共电极50与储存电容电极11导电部的相连,从而使两者的信号更加的稳定。

进一步的,在上述实施例的基础上,在本实施例中,光阻间隔物30包括层叠设置的红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻,且光阻间隔物30朝向阵列基板10的一端小于光阻间隔物30朝向彩膜基板20的一端,该光阻间隔物30包括层叠设置的红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻,这样在彩膜基板20上形成色阻过滤层的过程中,就可以层叠形成该光阻间隔物30,可以减少彩膜基板20的制程,有利于降低生产成本,光阻间隔物30具体的设置方式可参见实施例二,在本实施例中就不再赘述。

本发明的另一方面提供一种显示装置,包括上述实施例中的显示面板,该显示装置具体可以为液晶显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本发明的描述中,需要理解的是,本文中使用的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

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