基片处理装置、基片处理方法和存储介质与流程

本发明涉及一种为了对基片进行处理而对该基片照射光的技术。

背景技术：

在半导体器件的制造领域中，作为实现电路图案的高分辨率的方法，例如已知有极紫外(euv，extreme-ultraviolet)曝光，不过euv曝光存在当增大曝光光源的光强度时装置规模变大、成本增加的技术问题。

因此，专利文献1中公开了如下曝光装置：在涂敷有光敏化学增幅型抗蚀剂的半导体晶片(下面称为“晶片”)上使用图案掩模进行了图案曝光后，再对图案曝光区域进行一并曝光，使晶片上的图案(回路图案)的线宽的面内均匀性良好。该一并曝光装置使用led(lightemittingdiode：发光二极管)作为光源，在晶片上形成比晶片的直径稍长的带状照射区域，通过使晶片在与照射区域的延伸方向正交的方向上移动，来对晶片的表面整体进行曝光。

一并曝光装置组装在包括对晶片涂敷抗蚀剂的涂敷装置、对使用图案掩模进行了曝光后的晶片进行显影的显影装置等的涂敷显影装置中。led的温度基于led自身的发热和周围的温度而定，但是在点亮led后或者在改变led的照度后，至稳定为止，需要花费一些时间。

因此，在由一并曝光装置进行的前一批次的晶片处理结束后至运送下一批次的晶片为止空出较长的时间时，在led的温度不稳定的状态下进行下一批次的晶片的曝光。此外，即使在前一批次的晶片的处理结束后，马上进行下一批次的晶片的曝光的情况下，当前一批次的晶片的曝光中的led的照度与后一批次的晶片的曝光中的照度不同时，也在led的温度不稳定的状态下进行下一批次的晶片的曝光。

led中，即使驱动电流相同，照度(一定的面上的照度)也因温度而变化。在电路图案的线宽微小的情况下，照射区域的照度对图案的线宽的变化率的影响程度变大。作为使照射区域的照度一定的方法，已知一种由亮度传感器检测led的发光状态，反馈检测信号来使照度一定的方法(专利文献2)，但是该方法中，装置构造变得复杂。

此外，因led的温度变化而光谱特性变化，因抗蚀剂的种类不同，而显影后的图案的线宽偏离于预定的尺寸，若未来图案的线宽变得更微小，则存在对成品率产生影响的担忧，而上述方法不是能够消除该担忧的技术。

在如上述那样使用了led的曝光装置中，由于因温度变化而led的发光状态改变，因此稳定的曝光可能变得困难。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015－156472号公报

专利文献2：日本特开2010－80906号公报

技术实现要素：

发明要解决的技术问题

本发明是在上述那样的情况下完成的，其目的在于提供如下技术：在使用因温度而发光状态改变的光源部，对基片照射光以对该基片进行处理而的基片处理装置中，在基片间使光源部的发光状态稳定，能够对基片进行稳定的作业。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一种基片处理装置能够在从外部向壳体内送入基片起至将该基片送出外部的准备就绪为止或者至基片被送出到外部为止的一个循环期间中，为了对基片进行处理而对该基片照射光，该基片处理装置的特征在于，包括：

设置于上述壳体内的基片的载置部；

能够对载置于上述载置部的基片照射光的光源部，其发光状态因温度而改变；和

控制部，其以如下方式输出控制信号：当将预先决定的上述一个循环的时间称为循环时间，并将为了对基片进行处理而对该基片照射光的时间段称为处理时间段时，在上述一个循环之中上述处理时间段以外的时间段使上述光源部空闲发光，根据上述处理时间段的照射区域的照度来调节空闲发光时的照射区域的照度，从而使基片间的上述一个循环内的照射区域的平均照度成为一定。

另一发明是一种基片处理方法，其能够在从外部向壳体内送入基片起至将该基片送出外部的准备就绪为止或者基片被送出到外部为止的一个循环期间中，为了对基片进行处理，从发光状态因温度而变化的光源部对该基片照射光，该基片处理方法的特征在于：

当将预先决定的上述一个循环的时间称为循环时间，并将为了对基片进行处理而对该基片照射光的时间段称为处理时间段时，在上述一个循环之中上述处理时间段以外的时间段使上述光源部空闲发光，根据上述处理时间段的照射区域的照度调节空闲发光时的照射区域的照度，使得基片间的上述一个循环内的照射区域的平均照度成为一定的。

又一发明是一种存储介质，其存储有在基片处理装置中使用的计算机程序，其中，上述基片处理装置在从外部向壳体内送入基片起至将该基片送出外部的准备就绪为止或者基片被送出到外部为止的一个循环期间，为了对基片进行处理而对该基片照射光，该存储介质的特征在于：

上述计算机程序中包括命令，用以执行本发明的基片处理方法。

发明效果

本发明在从外部向壳体内送入基片起至将该基片送出到外部的准备就绪为止或者至基片被送出到外部为止的一个循环之中的、处理时间段以外的时间段，使光源部空闲发光。然后，根据处理时间段的照射区域(为一定的面，例如对基片进行照射的区域)的照度来调节空闲发光时的照射区域的照度，从而在基片间，即在各循环间，上述一个循环内的照射区域的平均照度成为一定的。因此，即使在使处理时间段的照射区域的照度改变的情况下，一个循环内的光源部的平均发热量在各循环之间也一致，因此处理时间段的光源部的发光状态成为一定的，能够对基片进行稳定的作业。

附图说明

图1是本发明的实施方式的基片处理装置的概略立体图。

图2是本发明的实施方式的基片处理装置的横剖主视图。

图3是本发明的实施方式的基片处理装置中控制led的照度的电路框图。

图4是表示本发明的实施方式的基片处理装置的动作的说明图。

图5是表示使led空闲发光时的照度与基片待机时的led的照度的关系的图表。

图6是表示本发明的实施方式的基片处理装置的其他例子中的一部分动作的流程图。

图7是表示比较例中的led的温度推移的结果的图表。

图8是表示本发明的led的温度推移的结果的图表。

附图标记说明

10壳体

12载置台

14驱动部

2光照射单元

200led光源组

21led

22led模块

25控制电路部

27驱动电路

3控制器

32程序存储部

33输入部

具体实施方式

图1是本发明的实施方式的基片处理装置的外观图，基片处理装置包括在前表面侧形成有送入送出口11的壳体10。图1中，将壳体10描绘成透明的，使得也能够看到壳体10的内部。在壳体10的底面设置有包括真空吸盘的载置台12，其中真空吸盘用于载置作为要进行曝光的基片的晶片w。载置台12能够沿从送入送出口11侧的晶片w的交接位置(图1中记载的位置)即第一位置，延伸至壳体10里侧的第二位置的导轨13移动，通过旋转轴与用于使载置于载置台11的晶片w绕铅直轴旋转的驱动部14连接。此外，驱动部14被记载为组合有使载置台11旋转的电机和保持电机并能够沿导轨13移动的移动机构的装置。

在壳体10内的第一位置，设置有未图示的公知的对位装置(包括以夹着晶片w的周缘部的方式上下相对的发光部和感光部的装置)。利用该对位装置，检测作为形成于晶片w的周缘的对位部分的槽口的朝向，通过由驱动部14使载置台11旋转，进行控制使得进行曝光处理的晶片w的朝向固定。

此外，在晶片w进行移动的区域中的晶片w的第一位置与上述的第二位置之间的上方，设置有对晶片w照射紫外线的光照射单元2。当晶片w的移动方向为前后时，光照射单元2如图1、图2所示的那样包括横向宽度比晶片w的移动区域的左右宽度长的矩形壳体20，在壳体20的内部设置有作为光源部的led光源组200。led光源组200是在左右方向上排列多个led模块22而构成的，该led模块22由在前后方向上排列多个led21而构成。此外，led的排列在附图中，优先考虑作图的困难性和结构把握的容易性而记载为方便的个数。

led光源组200固定于在壳体20内设置的共用的led基片23上，以朝向下方照射紫外线的方式配置。在壳体20的底面形成有在左右方向延伸且比晶片w的移动区域的左右方向的宽度长的照射口即隙缝24，从led光源组200发出的紫外线经由隙缝24向光照射单元2的下方照射。在led基片23的上表面侧设置有构成led控制部的控制电路部25，控制电路部25构成为对每个led模块22控制供给电力。控制电路部25包括cpu、作业存储器等。26是用于开闭隙缝24的金属制的开闭器。

接着，参照图3，对基片处理装置的控制系统进行说明。图3中，27是用于驱动led21的驱动电路，在各驱动电路27中串联连接有多个(图3中为方便为2个)led21。即，对每个led模块22设置有驱动电路27。驱动电路27例如包括晶体管，利用从控制电路部25内的晶体管控制电路供给的基准电压使晶体管导通以点亮led21。此外，在图3中，驱动电路27记载在控制电路部25之外，不过也可以为例如驱动电路27设于控制电路部25内。作为具体的一个例子，从控制电路部25以规定的占空比对晶体管供给驱动用的信号(基准电压)，该情况下根据上述占空比来确定led光源组200的照射区域的照度。照射区域是指与由led光源组200照射紫外线的晶片w的表面对应的面。

返回图1，控制器3经由信号线缆30与作为基片处理装置的外装体的壳体10连接。控制器3包括cpu31、存储程序的程序存储部32、作为存储部的存储器33和含有操作画面的输入部34。

在说明控制器3之前，对由基片处理装置进行的工序(顺序)与led21的发光量的大小的控制即照射区域的照度的控制的关系进行记述。

基片处理装置中，晶片w由外部的晶片运送装置送入，之后对晶片w进行曝光，并送出曝光后的晶片w。本实施方式中，目标是使实施这一系列的工序期间的led光源组200的照度的平均值一定，并且使曝光时的led21的温度在晶片w间一定。因此该例子中，作为曝光的前阶段，设定有使led光源组200空闲发光的一定时间段。将该时间段称为空闲发光(空闲照射)的时间段时，使空闲发光的时间段、曝光的时间段和至送出曝光后的晶片w的准备结束为止的期间的时间段之和的时间段一定。

换言之，将由外部的晶片运送装置将晶片w送入到壳体10内的时间点起，至能够送出曝光后的晶片w的准备结束的时间点为止设为一个循环，在彼此不同种类的晶片w之间使该一个循环一定。将晶片w送入到壳体10内的时间点是指例如通过外部的晶片运送装置的升降动作将晶片w载置到载置台12的时间点。另外，能够送出晶片w的准备结束的时间点是指载置台12从第二位置移动至第一位置后使真空吸盘off(使吸引动作off)的时间点。

本发明的实施方式的基片处理装置设置于涂敷显影装置内，该涂敷显影装置例如包括对晶片涂敷抗蚀剂的装置和使由曝光机实施了使用图案掩模的图案曝光后的晶片显影的装置等。涂敷显影装置构成为能够由具有2个运送臂的晶片运送装置按照决定好的顺序在各装置之间移动晶片w，由一运送臂从各装置取出处理完成的晶片w，接着由另一运送臂交接处理前的晶片。因此，晶片运送装置依照由涂敷显影装置决定的吞吐量进行动作。

因此在基片处理装置内一个循环结束时，有时晶片w直接被送出，不过也有时根据上述吞吐量的设定而待机。在晶片待机的情况下，一个循环结束之后，至下一循环开始为止产生待机时间段。另外，在从一个批次被送入涂敷显影装置内起至下一批次被送入涂敷显影装置内为止期间的存在空白时，即，在未连续地送入批次时或因装置的故障而在涂敷显影装置内晶片的运送中断时，也产生待机时间段。该情况下，在曝光后的晶片w被交接到外部的晶片运送装置而一个循环结束后至下一循环开始为止，即至下一晶片w被载置于载置台12上为止的期间，产生待机时间段。

此外，上述一个循环的时间比涂敷显影装置内的其他装置中的一个循环的时间长，因此在基片处理装置内送出晶片w的准备完成后直接送出该晶片w的情况下，也可以以将晶片w交接到外部的运送装置的时间点作为一个循环的结束时间点。

图4的上部侧的图，图示了空闲发光的时间段、曝光的时间段和待机时间段，以及各时间段中的照射区域的照度(下面有时仅记载为“照度”)之间的关系。图4的纵轴表示照度。led改变照度(也包括从off到on的情况)时led的温度渐渐变化。因此本发明在晶片w的批次间改变了曝光时的照度的情况(改变了led光源组200的发光量的情况)下，或者改变了待机时间段的时间的情况下，也设定了空闲发光的时间段，使得使曝光时的温度一定。

关于空闲发光，以进行上述一个循环期间的平均照度成为一定的方式实施空闲发光，此外在存在待机时间段的情况下，以使一个循环中的平均照度与待机时间段中的平均照度一致的方式设定空闲发光。因此本实施方式中，预先决定了曝光的时间段的时间(时间长度)和空闲发光的时间段的时间(时间长度)，根据由程序方案决定的、与晶片w的批次对应的曝光时的照度，来设定空闲发光时的照度。

在不存在待机时间段的情况下，将进行一个循环期间的平均照度的设定值设为ia时，则能够根据下面的式(1)，来求取空闲发光时的照度id。

ia＝(td·id+ts·is)/tp……(1)

td是空闲发光的时间段的时间，id是空闲发光时的照度，ts是曝光时间，is是曝光时的照度，tp是一个循环的时间。

另外，在存在待机时间段的情况下，式(1)的平均照度的设定值ia相当于待机时间段的平均照度的设定值iw，因此能够根据下面的式(2)，来决定空闲发光时的照度id。

iw＝(td·id+ts·is)/tp……(2)

因此，通过根据曝光时的照度来调节空闲发光时的照度，晶片w间或者批次间的上述一个循环内的平均照度成为一定的。

此处，对待机时间段的平均照度的设定值iw进行考察。对上述式(2)进行变形后，下面的式(3)成立。

id＝(tp/td)·iw－(ts/td)·is……(3)

图5是基于式(3)表示id与iw的关系的图表。该例子中tp与td是预先设定的值，因此id被表示为iw的一次函数。g1是曝光时的照度最小的情况下的图表。因为在进行曝光时照度is没有被设为零，所以曝光时的照度is的最小值被表示为比零大的假定的值。g2是曝光时的照度is最大的情况下的图表。因此id与iw的组合在g1、g2之间的区域(带有点的区域)内。

作为空闲发光时的照度id和待机时的照度iw的上限值，分配与led光源组200的发光量的上限值对应的照度。照射区域的照度由供给到led光源组200的电力决定，该电力在该例子中，根据与led的驱动电路27的晶体管的on/off相关的占空比决定。因此空闲发光时的照度id和待机时的照度与用于由控制器3设定上述占空比中的数字信号的数字值相应。

如上述，预先决定一个循环的时间tp、空闲发光的时间段的时间td和曝光的时间ts，因此在能够从上述最小值(制造者侧假定的最小值)至与led光源组200的发光量的上限值对应的照度的范围内，获得使用基片处理装置时假定的曝光时的照度is的情况下，能够基于式(3)对空闲发光时的照度id进行设定的待机照度iw的范围处于图5的虚线所示的iw1至iw2之间。当曝光时的照度is为最小值时，空闲发光时的照度id是与图表g1中从iw1至iw2之间对应的值。另外，当曝光时的照度is为最大值时，空闲发光时的照度id是与图表g2中从iw1至iw2之间对应的值。

因此当将待机时间段中的照度设定为iw1至iw2之间的值时，不管如何设定曝光时的照度is，都能够设定空闲发光时的照度id。

led光源组200在左右方向上延伸，因此被led光源组200照射的晶片w上的区域是横长的带状，但是因为需要在晶片w的面内均匀地进行曝光，所以照射区域的照度的均匀性高。因此，本实施方式中对于要处理的照度的处理，能够以使照射区域的照度为一定的方式进行处理。即，以相同的占空比驱动各led模块22而使其“on、off”，通过决定该占空比来指定照度。

返回图3，控制器3具有基于上述的式(3)来设定空闲发光时的照度的功能。待机照度iw、一个循环的时间tp、空闲发光的时间段的时间td和曝光的时间ts分别以决定的值存储于存储器33中。并且在存储器33中写入按照晶片的批次例如从上级计算机发送的、由程序方案指定的曝光照度is，并写入待机时间tw。关于待机照度iw，是如上述那样决定的值。此外，关于待机时间tw，例如从上级计算机在存储器33写入根据晶片的批次被送入涂敷显影装置的时刻等来指定的待机时间tw。在因涂敷显影装置的故障等而产生待机时间的情况下，从上级计算机可知在一个循环结束之后产生待机时间，该情况下，进行控制使得至进行下一循环为止各led模块22成为决定的待机照度iw。

程序存储部32内包括：从向壳体10内送入晶片w至向壳体10外送出晶片w为止的一系列顺序(sequence)；和与led光源组200的发光控制相关的程序。此外，程序除了与进行空闲发光的时刻相关的步骤组之外，还包括用于运算上述的式(3)的步骤组。

上述的程序存储于例如软盘、光盘、硬盘、mo(光磁盘)、存储卡等存储介质，也能够从存储介质安装到程序存储部32。

接着说明上述实施方式的作用。在图4所示的时刻t0的时间点，晶片w被外部的晶片运送装置经由图1所示的送入送出口11交接到壳体10内的第一位置即位于交接位置的载置台12。之后，利用设置于载置台12的真空吸盘进行吸引以将晶片w固定于载置台12。接着，载置台12在第一位置旋转例如360度，利用未图示的感光传感器检测晶片w周缘的径向的位置，并基于该检测结果求取槽口的位置，载置台12旋转使得槽口成为规定的方向，这样来进行晶片w的对位。由此例如晶片w上的电路芯片区域的排列方向与照射区域的长度方向一致。

在晶片w的对位后，至经过预先决定的空闲发光的时间段的时间td为止，载置台12停止在第一位置，经过上述时间td后，载置台12从第一位置向第二位置移动。由此，晶片w通过光照射单元4(led光源组200)的下方的带状的照射区域。即，带状的照射区域相对地扫描晶片w的表面。在带状的照射区域之中晶片w的移动区域内，将作为目的的照度分布图案调节为例如在长度方向上高精度且均匀的照度分布图案，因此晶片w整体的曝光量均匀。

图4将曝光开始的时刻和结束的时刻分别表示为t1、t2。曝光结束后，载置台12从第二位置向第一位置移动，在移动到第一位置的时刻t3，使载置台12的真空吸盘off而一个循环结束。例如基片处理装置中的一个循环的时间比涂敷显影装置内中的晶片w的运送间隔短的情况下，产生待机时间段，直至送入下一晶片w为止，曝光后的晶片w在载置台12上待机。时刻t2～t3之间照度被设定为零。

在时刻t4由外部的晶片运送装置取出载置台12上的晶片w，将下一晶片w交接到该载置台12上，反复进行同样的动作。曝光后的晶片w与下一晶片w的替换通过晶片运送装置的2个臂依次进退而在瞬间进行。因此，待机时间段的结束时间点(t4)与下一循环的开始时刻(相当于前一循环的t0的时间点)成为大致相同的时间点，反复上述的t0～t4的动作。

而且，在空闲发光的时间段t0～t1，调节led光源组200的发光量，使得如上述那样能够通过程序存储部32的程序得到利用上述的式(3)求取的照度。然后，在曝光的时间段t1～t2、待机时间段t3～t4中，利用程序存储部32的程序调节led光源组200的发光量，使得照度成为写入存储器33的值。

已给出了各时间段的时间的一个例子，不过也可以空闲发光的时间为16秒，曝光时间为15秒，一个循环的时间为33秒，待机时间为5秒。

依照上述的实施方式，即使在曝光时的晶片w的照度因晶片的批次(种类)而不同的情况下，通过led光源组200进行空闲发光，也能够使一个循环间的led光源组200的平均照度一定。而且，在一个循环结束后的待机时间段期间，也以其平均照度与一个循环间的平均照度一致的方式使led光源组200发光。因此，即使曝光时的led光源组200的发热量在晶片w的批次间不同，也能够使从晶片w被送入壳体10至下一晶片w被送入为止期间的led光源组200的平均发热量在各次之间一定。因此由于能够使led光源组200的温度一定，因此能够使led光源组200的发光状态稳定。

而且，依照上述实施方式，与由亮度传感器检测led的发光状态，反馈检测信号以使照度一定的方法相比，装置较为简单，而且还能够避免因感光传感器的工作不良、劣化等引起的故障。另外，由于led的光谱特性也是稳定的，因此无论抗蚀剂的种类为何，显影后的图案的线宽都稳定。

上述实施方式中，基于上述式(1)～(3)来决定空闲发光时的照度id和待机时间段的照度iw，当利用式(1)～(3)时，只要在实质的效果不变化的范围内，左边与右边可以不是“＝”，是相近的值(≒)即可。

优选空闲发光时的时间td大于曝光时的时间ts。对于其理由，是因为在td＜ts的情况下，使曝光时的照度is在从led光源组200实现的照度的最大值(发光量的最大值)至零之间改变时，存在不能满足上述的式(3)的照度is。但是，因为通常不会考虑在上述最大值或者其附近，或者在零或其附近使用曝光时的照度is，所以存在如下优点，即通过使空闲发光时的时间td大于曝光时的时间ts，能够较大地获得待机照度iw和空闲发光时的照度id的设定的余量。

此外，本发明是使从晶片w被送入壳体10起至送入下一晶片w为止期间的、led光源组200的平均发热量在各次之间一定的技术，因此空闲发光的时间段如上述实施方式那样可以在曝光时之前，也可以在曝光时之后。

在上述实施方式中，也可以根据放置有基片处理装置的环境的温度来调节待机时间段的照度，对这样的方法的具体例子进行说明。为了测定环境温度，在壳体10的外表面或外表面附近，或者在壳体10内且没有受到led光源组200的照射的影响的位置，设置温度检测部。于是，例如每次将曝光后的晶片w从壳体10送出时，控制器3从温度检测部获取温度检测值。按照图6而进一步说明时，温度检测值的获取相当于步骤s1。

另一方面，决定环境温度的基准温度，求取温度检测值与基准温度(环境基准温度)的温度差(步骤s2)，基于该温度差计算led温度差δa(步骤s3)。环境基准温度是例如在某时间段中使led21为off时的环境温度的平均温度。led温度差δa是指，对于每个上述照度，在环境温度为基准温度时，led21的温度与此时环境温度下的led21的温度的温度差。

然后在事先求出的、与led的单位温度差对应的照度变化值上乘以led温度差δa，求取照度的增减值δid(步骤s4)，在基准待机时照度上加上照度增减值δi，求取待机时间段的照度(步骤s5)。

基准待机时照度是利用上述式(2)求出的照度iw。这样求取待机时间段的照度(iw+δi)后，控制器3将与该待机时间段的照度相应的驱动电路27的晶体管的占空比所对应的信号输出到控制电路部25，由此调节待机时间段的led光源组200(led21)的输出。

如此，考虑环境温度来调节待机时间段的led光源组200的输出，从而能够以更高的精度使一个循环时的平均发热量与待机时间段的平均发热量一致，能够期待更稳定的曝光。

考虑环境温度的方法，例如在基片处理装置的附近配置有热源(例如使用热板来加热基片的加热装置等)的情况下等，尤其有效。因此在这样的情况下，优选在朝向热源侧的壳体10的外表面或者其附近配置温度检测值。

用图6说明的方法是利用控制器3由软件进行处理的方法，但是也可以是使用运算电路由所谓的硬件进行处理。

本发明不限于对晶片w进行曝光的装置，也可以是例如从led对在基片涂覆药液而形成的涂敷膜照射光，从而使涂敷膜中的分子结构变化的装置。此外，也可以利用于如下所述的装置等中，即：以使探针与形成于晶片上的ic芯片的电极垫接触的方式由测试仪来测试电特性，从led对探针的针痕照射光来进行摄像，由计算机对摄像结果进行分析从而对探针的过度运转(over-drive)量进行调节的装置等。即，本发明能够适用于为了对基片进行处理而对该基片照射光的装置。

[实施例]

(比较例)

使用上述实施方式基片处理装置，进行了如下一系列动作：对于200个评价用的晶片，将晶片上的照度设定为50，将晶片送入壳体100内进行曝光处理，并从壳体100送出。当将对200个晶片的该一系列动作称为前处理时，在前处理后接着将晶片上的照度设定为127，对200个晶片进行了同样的一系列处理(后处理)。

以将前处理的照度分别设定为127、255的方式进行由这样的前处理、后处理的组合构成的同样的试验。50、127、255这样的数字是使led光源组200的最大输出时的照度为255的值，换言之也能够称为能得到最大输出的控制信号的数字值。

在前处理、后处理的任意者中，没有设置上述实施方式那样的空闲发光的时间段。即，前处理、后处理是用现有的方法进行的处理。

(实施例)

如上述实施方式那样进行后处理，设置空闲发光的时间段来进行空闲发光，并且设定待机时间段的照度，除此之外进行了与比较例相同的试验。

比较例中，图7表示在作为后处理的处理200个晶片时，测定led的温度的结果。图7中a1、a2、a3各自前处理的照度相当于50、127、255。比较例中，可知在进行后处理期间led的温度一直变化。

另外，图8表示在实施例中也同样地测定led的温度的结果。在实施例中，进行后处理的期间的led的温度收拢在斜线区域中，因此根据本发明，可以能够如上述那样使led的温度变得稳定。