宽带抗弯多模光纤的制作方法

技术特征：

1.一种宽带抗弯多模光纤，包括芯层、基管、下陷包层及外包层，所述基管、下陷包层及外包层沿径向的横截面均为圆环，其特征在于：所述芯层中掺杂有GeO2，P2O5和F，所述芯层为折射率渐变区，所述芯层半径为R1，所述基管套设于所述芯层外侧，所述芯层中心到所述基管边界的距离为R2，所述基管的宽度为R2-R1，所述下陷包层设置在所述基管的外侧，所述芯层中心到所述下陷包层边界的距离为R3，所述下陷包层的宽度为R3-R2，所述外包层套设于所述下陷包层的外侧，所述芯层中心到所述外包层边界的距离为Rmax，所述外包层的宽度为Rmax-R3，所述芯层中的F的摩尔浓度随所述芯层的半径变化，满足如下公式：

其中，MF0为所述芯层中心的F的摩尔浓度，βF的取值范围为6-10，所述MF(r)表示所述F在所述芯层中心轴的径向距离r处的摩尔浓度。

2.如权利要求1所述的宽带抗弯多模光纤，其特征在于：所述βF的取值范围为7-9。

3.如权利要求1所述的宽带抗弯多模光纤，其特征在于：所述芯层中的P2O5的摩尔浓度随所述芯层的半径变化，满足如下公式：

其中，MP0为纤芯层中心P2O5的摩尔浓度，βp取值范围为2.0-4.5，所述MP(r)表示所述P2O5在所述芯层中心轴的径向距离r处的摩尔浓度。

4.如权利要求3所述的宽带抗弯多模光纤，其特征在于：所述βp的取值范围为2.5-3.5。

5.如权利要求1所述的宽带抗弯多模光纤，其特征在于：所述芯层中心的折射率差Δn0为0.0127-0.0167，所述芯层半径R1为22-26μm，所述基管的宽度R2-R1为5.5-10.5μm，所述芯层中心至所述外包层边缘距离Rmax为62.5±2.5μm。

6.如权利要求5所述的宽带抗弯多模光纤，其特征在于：所述芯层半径R1为23-24μm，所述基管的宽度为6.5-9.5μm。

7.如权利要求1所述的宽带抗弯多模光纤，其特征在于：所述下陷包层沉积在所述基管外壁或在所述基管外侧外套一掺氟石英形成。

8.如权利要求1所述的宽带抗弯多模光纤，其特征在于：所述下陷包层的宽度R3-R2为3.5-5.5μm，所述下陷包层的折射率差Δn2为-0.007～-0.004，K＝Δn2*(R3-R2)，并且满足-0.025<K<-0.022。

9.如权利要求1所述的宽带抗弯多模光纤，其特征在于：所述芯层的折射率剖面呈α幂指数函数分布，α为所述渐变区折射率剖面分布参数，其中所述芯层的中心折射率为n0，所述芯层的边界折射率为n1，所述基管的折射率为nsio2，所述下陷包层的折射率为n2，所述外包层折射率为nC，所述光纤的折射率计算公式为：

其中，α取值范围为1.90-2.10，r为所述芯层上任意一点位置到所述芯层中心的径向距离，n1＝nSiO2，nc＝nSiO2，Δ为所述芯层中心和芯层边界的相对折射率差Δ＝(n0²-n1²)/(2n0²)。