显示装置的制作方法

本公开涉及一种显示装置。

背景技术：

液晶显示器可以包括两个场发生电极、液晶层、滤色器和偏振层。从光源发射的光通过液晶层、滤色器和偏振层到达观看者。此时，在偏振层、滤色器等中会发生光损失。在诸如有机发光二极管显示器以及液晶显示器的显示装置中会发生光损失。

为了提供具有高颜色再现性和减少的光损失的显示装置，已经提出了一种包括使用半导体纳米晶体的颜色转换显示面板的显示装置。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅为了增强对本公开的背景技术的理解，因此，它可以包含不形成对本领域普通技术人员而言在本国已知的现有技术的信息。

技术实现要素：

示例性实施例已经致力于提供一种能够改善发光效率和显示质量的显示装置。

本公开的示例性实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：显示面板；以及抗反射层，被构造为与显示面板叠置，其中，抗反射层包括：纳米图案层，被构造为包括多个纳米结构；以及低折射率层，被构造为覆盖纳米结构，其中，纳米结构不规则地设置。

纳米结构中的每个纳米结构的直径可以在300nm至800nm的范围内。

纳米结构的高度相对于纳米结构的每个直径的比例可以在0.4至0.6的范围内。

纳米图案层的折射率可以在1.4至1.7的范围内，低折射率层的折射率可以在1.2至1.4的范围内。

抗反射层的折射率可以朝向显示面板逐渐增大。

低折射率层可以包括多孔材料或包括氟取代的碳氢化合物的聚合物材料。

纳米图案层可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚碳酸酯(pc)、聚氨酯(pu)、具有两个或更多个官能团且九个或更少个官能团的丙烯酸酯单体或低聚物、包含丙烯酸酯基或环氧基作为反应物的有机硅烷、包含丙烯酸酯基或乙烯基作为反应物的磷腈化合物以及包含丙烯酸酯基或乙烯基作为反应物的金刚烷化合物中的至少一种。纳米结构中的每个纳米结构可以是纳米纤维型(或纳米纤维类)和纳米颗粒型(或纳米颗粒类)中的至少一种。

从显示面板发射的光具有郎伯发射图案。

显示面板可以包括：颜色转换层，被构造为包括半导体纳米晶体；以及透射层。

本公开的示例性实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：显示面板；以及抗反射层，被构造为与显示面板叠置，其中，抗反射层包括：纳米图案层，位于显示面板上以包括多个纳米结构；以及低折射率层，被构造为覆盖纳米结构，其中，纳米图案层的折射率大于低折射率层的折射率，抗反射层的折射率朝向显示面板增大。

根据示例性实施例，能够提供一种能够具有改善的发光效率和显示质量的显示装置。

附图说明

附图与说明书一起示出了本公开的主题的实施例，并与描述一起用于解释本公开的主题的实施例的原理。

图1是示出根据示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。

图2是示出图1的抗反射层的部分a的放大图。

图3是示出图2的每个区域的折射率的曲线图。

图4是示出包括在根据示例性实施例的显示装置中的多个像素的俯视平面图。

图5是沿图4的线v-v′截取的剖视图。

图6是示出包括在根据示例性实施例的显示装置中的多个像素的俯视平面图。

图7是沿图6的线vii-vii′截取的剖视图。

图8是示出根据示例性实施例的电纺丝方法的示意图。

图9是根据电纺丝方法制造的纳米图案层的放大图像。

图10是示出根据示例性实施例的电喷雾方法的示意图。

图11是根据电喷雾方法制造的纳米图案层的放大图像。

图12是示出根据示例和对比示例的外量子效率(eqe)的图。

图13是根据对比示例的显示装置的图像，并且图14是根据示例的显示装置的图像。

具体实施方式

在下文中将参照示出了本公开的示例性实施例的附图更充分地描述本公开的主题。如本领域的技术人员将理解的，在全部不脱离本公开的精神或范围的情况下，描述的实施例可以以各种不同的方式进行修改。

为了清楚地描述本公开的主题，省略了与描述不相关的部分，贯穿说明书，同样的附图标记表示同样或相似的构成元件。

此外，因为为了更好地理解和易于描述而可以任意地给出在附图中示出的构成构件的尺寸和厚度，所以本公开不限于示出的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚，可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好地理解和易于描述，可以夸大一些层和区域的厚度。

将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，术语“在……之上”或“在……上”意为位于目标部分上或位于目标部分下方，并不必意为基于重力方向而位于目标部分的上侧上。

此外，除非明确描述为相反，否则词语“包括”及其变型将理解为暗指包括陈述的元件而不排除任何其它元件。

此外，在说明书中，短语“在平面图中”意为当从上方观看目标部分时，短语“在剖面中”意为当从侧面观看通过垂直地切割目标部分而得到的剖面时。

现在将参照图1至图3来描述根据示例性实施例的显示装置。图1是示出根据示例性实施例的显示装置的示意性剖视图，图2是示出图1的抗反射层的部分a的放大图，图3是示出图2的每个区域的折射率的曲线图。

参照图1，根据本示例性实施例的显示装置包括显示面板10和位于显示面板10上的抗反射层40。本说明书示出了显示面板10和抗反射层40彼此直接接触的结构，但是不限于此。例如，附加的粘合层、触摸面板或窗可以位于显示面板10与抗反射层40之间。

根据本示例性实施例的显示面板10可以包括产生垂直电场的液晶显示面板、产生水平电场的液晶显示面板、等离子体显示面板(pdp)、发光二极管显示器(led)、表面传导电子发射器显示器(sed)、场发射显示器(fed)、真空荧光显示器(vfd)、电子纸等。下面将在这里更详细地描述根据示例性实施例的显示面板10。

抗反射层40位于显示面板10上。抗反射层40包括位于显示面板10上的纳米图案层410和位于纳米图案层410上的低折射率层420。

抗反射层40用于通过抑制或减少从显示面板10向外发射的光由于显示面板10与空气之间的折射率差而被全反射来防止或减少发光效率的减小。

抗反射层40可以具有介于显示面板10的折射率与空气的折射率之间的折射率。抗反射层40的折射率可以朝向显示面板10增大。例如，抗反射层40的折射率可以朝向显示面板10逐渐增大。

纳米图案层410可以包括位于显示面板10上的多个纳米结构410a。纳米结构410a可以具有半球形形状或类似于半球形的形状。在本说明书中，类似于半球形的形状表示具有凹陷或突出的部分的半球形形状。

纳米结构410a的每个直径r0可以在大约300nm至大约800nm的范围内。例如，它可以是大约450nm。当纳米结构410a的直径超过大约800nm时，某种图案会是可见的，或者防止全反射的效果会不显著。

纳米结构410的纵横比可以在大约0.4至大约0.6的范围内。例如，纳米结构410a的高度h0相对于直径r0的比例可以在大约0.4至大约0.6的范围内。例如，所述比例可以是0.5。

纳米结构410a可以以不规则形式设置在显示面板10上。可以通过不规则设置的(例如，不规则布置的)纳米结构410a来防止或减少由抗反射层40引起的衍射现象。在包括多个规则布置的纳米结构的情况下，通过从显示面板10发射的光，衍射图案会是可见的。然而，根据本示例性实施例，能够通过包括不规则设置的纳米结构410a来防止或减少衍射图案可见的现象。

纳米图案层410可以具有在大约1.4至大约1.7(例如，大约1.5至大约1.6)的范围内的折射率，并且可以具有比与纳米图案层410相邻的显示面板10的构成元件的折射率低的折射率。

纳米图案层410可以包括透明聚合物材料。纳米图案层410可以包括通过热固化工艺或光固化工艺而聚合的材料。例如，纳米图案层410可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚碳酸酯(pc)、聚氨酯(pu)、具有两个或更多个官能团且9个或更少个官能团的丙烯酸酯单体或低聚物、包含丙烯酸酯基或环氧基作为反应物(例如，反应基)的有机硅烷、包含丙烯酸酯基或乙烯基作为反应物(例如，反应基)的磷腈化合物以及包含丙烯酸酯基或乙烯基作为反应物(例如，反应基)的金刚烷化合物中的至少一种。

根据示例，纳米图案层410可以通过电喷雾方法或电纺丝方法制造。纳米图案层410可以包括能够通过电喷雾方法或电纺丝方法形成纳米结构410a的任何合适的材料。

纳米结构410a可以具有纳米纤维形式。根据示例性实施例，具有纳米纤维形式的纳米结构410a可以通过电纺丝方法来形成。

此外，纳米结构410a可以具有纳米颗粒形式。根据示例性实施例，具有纳米颗粒形式的纳米结构410a可以通过电喷雾方法形成。

低折射率层420可以位于纳米图案层410和显示面板10上。低折射率层420可以具有完全覆盖纳米结构410a并且与显示面板10的平面叠置的这样的形状。

覆盖纳米图案层410的低折射率层420的折射率可以小于纳米图案层410的折射率，并且可以在大约1.2至大约1.4的范围内。

低折射率层420可以包括满足上述的折射率的任何合适的透明材料。例如，低折射率层420可以包括包含分散在聚合物基体中的多孔二氧化硅材料的聚合物材料、包含多孔聚合物的聚合物材料或者包含在碳氢化合物中的至少一个氢被氟取代的聚合物材料，但本公开不限于此。

包括纳米图案层410和低折射率层420的抗反射层40可以具有其折射率逐渐变化的结构。

如图2中所示，在抗反射层40中，与显示面板10相邻的第一区域r1具有由具有相对高的折射率的纳米结构410a占据的大面积。接下来，在第二区域r2中，与第一区域r1相比，由纳米结构410a占据的面积略微减小，并且由低折射率层420占据的面积略微增大。与第一区域r1相比，第二区域r2可以具有较低的折射率。类似地，在第三区域r3中，与第二区域r2相比，由纳米结构410a占据的面积略微减小，并且由低折射率层420占据的面积略微增大。根据相同的原理，第三区域r3具有比第二区域r2的折射率低的折射率，并且第四区域r4具有比第三区域r3的折射率低的折射率。因为具有相对低的折射率的低折射率层420位于第五区域r5中，所以低折射率层420可以具有比其中设置有具有相对高的折射率的纳米结构410a的第四区域r4的折射率低的折射率。

根据该原理，抗反射层40可具有如图3中所示的折射率。抗反射层40的折射率可以沿从与显示面板10相邻的区域朝向显示装置的外部的方向(第三方向)逐渐减小。

从根据本示例性实施例的显示面板10发射的光具有郎伯发射图案(lambertianemissionpattern)。从显示面板10发射的光可以以各种方向发射。

发射的光由于显示面板10与空气之间的折射率差而不会发射到显示面板10的外部，并且会被全反射到显示面板10的内部。从而减小了显示面板10的发光效率。

然而，根据本示例性实施例的显示装置包括位于显示面板10外部的抗反射层40。抗反射层40可以具有折射率沿从显示面板10朝向显示装置的外部的方向逐渐减小的结构。因此，可以减小在显示面板10与空气之间的界面处发生的全反射，并且可以增大显示装置的光输出效率。

在下文中，将参照图4至图7来描述根据示例性实施例的显示装置。图4是示出包括在根据示例性实施例的显示装置中的多个像素的俯视平面图，图5是沿图4的线v-v′截取的剖视图，图6是示出包括在根据示例性实施例的显示装置中的多个像素的俯视平面图，图7是沿图6的线vii-vii′截取的剖视图。

根据本示例性实施例的显示装置包括光单元500、显示面板10和与显示面板10叠置的抗反射层40。显示面板10包括薄膜晶体管阵列面板100、与薄膜晶体管阵列面板100分开地叠置的颜色转换显示面板300以及位于薄膜晶体管阵列面板100与颜色转换显示面板300之间的液晶层3。

在本示例性实施例中，抗反射层40与上面参照图1至图3描述的抗反射层40相同，因此，下面将不提供其重复描述。

光单元500在第三方向上设置在薄膜晶体管阵列面板100的后表面上。光单元500可以包括用于产生光的光源以及用于接收光并将所接收的光朝向薄膜晶体管显示面板100引导的导光板。

光单元500可以包括发射蓝光的任何合适的光源，并且可以包括例如发光二极管。可以使用包括白色光源或紫外光源的光单元500来代替包括蓝色光源的光单元500。在下文中，将描述使用包括蓝色光源的光单元500的显示装置。

光源可以是设置在导光板的至少一个侧表面上的边缘型(类)或直接位于导光板下方的直下型(类)，但是本公开不限于此。

薄膜晶体管阵列面板100包括位于第一基底110与光单元500之间的第一偏振层12。第一偏振层12用于使从光单元500向第一基底110引入的光偏振。

第一偏振层12可以包括涂敷的偏振层、涂覆的偏振层和线栅偏振器中的至少一种，但是不限于此。第一偏振层12可以以诸如膜形式、涂覆形式、附着形式、印刷形式等的各种合适的形式设置在第一基底110的一侧上，但是不限于此。

薄膜晶体管阵列面板100可以包括：栅极线121，在第一基底110与液晶层3之间沿第一方向延伸并包括栅电极124；栅极绝缘层140，位于栅极线121与液晶层3之间；半导体层154，位于栅极绝缘层140与液晶层3之间；数据线171，位于半导体层154与液晶层3之间并在第二方向上延伸：源电极173，结合到(例如，连接到)数据线171；漏电极175，与源电极173分离；钝化层180，位于数据线171与液晶层3之间。

半导体层154构成位于未被源电极173和漏电极175覆盖的部分中的沟道。栅电极124、半导体层154、源电极173和漏电极175构成一个薄膜晶体管tr。

像素电极191位于钝化层180上。像素电极191可以通过包括在钝化层180中的接触孔185物理和电结合到(例如，电连接到)漏电极175。

第一取向层11可以设置在像素电极191与液晶层3之间。

颜色转换显示面板300包括与薄膜晶体管阵列面板100叠置的基底310。光阻挡构件320位于基底310与薄膜晶体管阵列面板100之间。例如，光阻挡构件320位于基底310与下面在这里更详细地描述的红色转换层330r和绿色转换层330g之间，并且位于基底310与下面在这里更详细地描述的透射层330b之间。

光阻挡构件320可以沿第一方向位于红色转换层330r与绿色转换层330g之间、绿色转换层330g与透射层330b之间以及透射层330b与红色转换层330r之间。此外，光阻挡构件320可以位于彼此相邻的红色转换层330r之间，位于彼此相邻的绿色转换层330g之间，并且位于彼此相邻的透射层330b之间。在平面图中，光阻挡构件320可以具有格子形状或直线形状。

光阻挡构件320可以防止或减少从相邻像素发射的不同光的混合，并且可以使其中设置有红色转换层330r、绿色转换层330g和透射层330b的区域隔开。光阻挡构件320可以由能够阻挡(反射或吸收)光(例如，以减小透光率)的任何合适的材料制成。

蓝光截止滤波器325可以位于基底310和光阻挡构件320与薄膜晶体管阵列面板100之间。蓝光截止滤波器325可以位于红色转换层330r与基底310之间，并且可以位于绿色转换层330g与基底310之间。蓝光截止滤波器325可以与发射红光和绿光的区域叠置，并且可以与发射蓝光的区域不叠置。

蓝光截止滤波器325包括与红色转换层330r叠置的第一区域和与绿色转换层330g叠置的第二区域，这些区域可以彼此分离。然而，本公开不限于此，第一区域和第二区域可以形成为彼此结合(例如，彼此连接)。

蓝光截止滤波器325可以阻挡从光单元500供应的蓝光。从光单元500入射到红色转换层330r和绿色转换层330g的蓝光被半导体纳米晶体331r和331g转换成红光或绿光，一些蓝光可能不被转换而是被发射。没有转换而发射的蓝光与红光或绿光混合，因此会使颜色再现性劣化。然而，蓝光截止滤波器325可以阻挡(吸收或反射)从光单元500供应的蓝光在没有在红色转换层330r和绿色转换层330g中被吸收的情况下通过基底310发射。

蓝光截止滤波器325可以包括能够获得上述的效果的任何合适的材料，并且作为一个示例可以包括黄色滤色器。蓝光截止滤波器325可以具有单层或多层的堆叠结构。

在本说明书中，示出了与基底310接触的蓝光截止滤波器325，但本公开不限于此，单独的缓冲层可以位于基底310与蓝光截止滤波器325之间。

多个颜色转换层330r和330g以及透射层330b可以位于基底310与薄膜晶体管阵列面板100之间。颜色转换层330r和330g以及透射层330b可沿第一方向布置。

多个颜色转换层330r和330g可以将入射光转换成具有与入射光的波长不同的波长的光，并且发射转换的光。多个颜色转换层330r和330g可以包括红色转换层330r和绿色转换层330g。

入射光在透射层330b中不被转换，入射光可以照原样发射。作为示例，蓝光可以入射在透射层330b上，并且可以照原样发射。

红色转换层330r可以包括将入射的蓝光转换成红光的第一半导体纳米晶体331r。第一半导体纳米晶体331r可以包括磷光体和量子点中的至少一种。

绿色转换层330g可以包括将入射的蓝光转换成绿光的第二半导体纳米晶体331g。第二半导体纳米晶体331g可以包括磷光体和量子点中的至少一种。

包括在第一半导体纳米晶体331r和第二半导体纳米晶体331g中的量子点可以独立地选自于ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素、iv族化合物和它们的组合。

对于ii-vi族化合物，可以使用选自于cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs和它们的混合物的二元化合物、选自于cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns和它们的混合物的三元化合物或选自于hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste和它们的混合物的四元化合物。对于iii-v族化合物，可以使用选自于gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb和它们的混合物的二元化合物、选自于ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb和它们的混合物的三元化合物或选自于gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、gaalnp、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb和它们的混合物的四元化合物。对于iv-vi族化合物，可以使用选自于sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte和它们的混合物的二元化合物、选自于snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte和它们的混合物的三元化合物或选自于snpbsse、snpbsete、snpbste和它们的混合物的四元化合物。对于iv族元素，可以选择si、ge或它们的混合物。对于iv族化合物，可以使用选自于sic、sige和它们的混合物的二元化合物。

在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀(或基本均匀)的浓度或以局部不同的浓度存在于颗粒中。量子点可以包括多个量子点，量子点可以具有一个量子点围绕另一个量子点的核/壳结构。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，使得壳中的元素的浓度朝向壳的中心减小。

量子点可以具有发光波长光谱的等于或小于大约45nm、等于或小于大约40nm或者例如等于或小于大约30nm的半高宽(fwhm)，在这个范围内，可以改善颜色纯度或颜色再现性。此外，通过量子点发射的光可以在所有方向上发射以具有郎伯发射图案，从而改善光的视角。

当第一半导体纳米晶体331r包括红色磷光体时，红色磷光体可以包括从包括(ca,sr,ba)s、(ca,sr,ba)2si5n8、caalsin3、camoo4和eu2si5n8的组中选择的至少一种，但是本公开不限于此。

当第二半导体纳米晶体331g包括绿色磷光体时，绿色磷光体可以包括从包含钇铝石榴石(yag)、(ca,sr,ba)2sio4、srga2s4、bam、α-sialon、β-sialon、ca3sc2si3o12、tb3al5o12、basio4、caalsion和(sr1-xbax)si2o2n2的组中选择的至少一种，但是本公开不限于此。x可以是0与1之间的任何数。

透射层330b可以使入射光照原样穿过。透射层330b可以包括使蓝光穿过的树脂。位于发射蓝光的区域处的透射层330b不包括单独的半导体纳米晶体，并且使入射的蓝光照原样穿过。

透射层330b还可以包括染料和颜料中的至少一种。包括染料或颜料的透射层330b可以减少外部光反射，并且可以提供具有改善的颜色纯度的蓝光。

红色转换层330r、绿色转换层330g和透射层330b中的至少一个还可包括散射体332。包括在红色转换层330r、绿色转换层330g和透射层330b中的各个散射体332的含量可以不同。

散射体332可以增大在颜色转换层330r和330g中转换或穿过颜色转换层330r和330g以及透射层330b然后发射的光的量，并且可以均匀地(或基本均匀地)提供正面亮度和侧面亮度。

散射体332可以包括能够均匀地(或基本均匀地)散射入射光的任何合适的材料。作为示例，散射体332可以包括tio2、zro2、al2o3、in2o3、zno、sno2、sb2o3和ito之中的至少一种。

滤光器层340位于颜色转换层330r和330g与外覆层350之间，并且位于透射层330b与外覆层350之间。

滤光器层340可以用作在透射具有设定或特定波长的光的同时反射或吸收除具有设定或特定波长的光之外的光的滤波器。滤光器层340可以具有其中具有高折射率的层和具有低折射率的层交替堆叠的结构，并且可以利用这些层之间的增强和/或相消干涉来透射和/或反射如上所述的设定或预定波长的光。

滤光器层340可以包括tio2、sinx、sioy、tin、aln、al2o3、sno2、wo3和zro2中的至少一种，作为示例，滤光器层340可以具有交替地堆叠有sinx和sioy的结构。作为用于确定sinx和sioy中的化学组成比的因素，x和y可以根据形成层的工艺条件来调节。

在另一示例性实施例中，可以省略滤光器层340，并且滤光器层340可以用低折射率层等来代替。

外覆层350位于滤光器层340与薄膜晶体管阵列面板100之间。外覆层350可以与基底310的前表面叠置。

外覆层350可以使红色转换层330r、绿色转换层330g和透射层330b中的一个的表面平坦化。外覆层350包括有机材料，但是不限于此，并且可以包括具有平坦化功能的任何合适的材料。

第二偏振层22可以位于外覆层350与液晶层3之间。第二偏振层22可以是沉积的偏振层、涂覆的偏振层和线栅偏振层中的至少一种，但是不限于此，作为一个示例，第二偏振层22可以是包括金属图案的线栅偏振层。第二偏振层22可以通过各种合适的方法(诸如膜型(或膜类)、涂覆型(或涂覆类)、印刷型(或印刷类)等)形成在外覆层350与液晶层3之间。当第二偏振层22是线栅偏振层时，第二偏振层22可以包括宽度为若干纳米的多个条。

绝缘层360、共电极370和第二取向层21位于第二偏振层22与液晶层3之间。

绝缘层360用于使金属材料的第二偏振层22和共电极370绝缘。当第二偏振层22不是金属材料时，可以省略绝缘层360。接收共电压的共电极370可以与上述的像素电极191产生电场。在本说明书中描述了共电极370位于与像素电极191的显示面板不同的显示面板中的构造，但是不限于此，共电极370和像素电极191可以包括在同一显示面板中。

液晶层3位于薄膜晶体管阵列面板100与颜色转换显示面板300之间，并且包括多个液晶分子31。能够根据液晶分子31的移动的程度等来控制从光单元500接收的光的透射率。

在下文中，将参照图6和图7描述根据另一示例性实施例的显示装置。

根据本示例性实施例的显示装置包括显示面板10和位于显示面板10上的抗反射层40。抗反射层40与上面参照图1至图3描述的抗反射层40相同。因此，下面将不提供其重复描述。

显示面板10包括薄膜晶体管阵列面板100和位于薄膜晶体管阵列面板100上的颜色转换显示面板300。颜色转换显示面板300与上面参照图4和图5描述的颜色转换显示面板300相同，因此，下面将不重复其冗余描述。

在本示例性实施例中，薄膜晶体管阵列面板100包括栅极导体，该栅极导体包括位于第一基底110上并包括第一栅电极124a的栅极线121、第二栅电极124b和从第二栅电极124b延伸的延伸件131。

包括氮化硅(siny)或氧化硅(siox)的栅极绝缘层140位于栅极导体(121、124a、124b和131)上。

包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体的第一半导体层154a和第二半导体层154b位于栅极绝缘层140上。第一半导体层154a和第二半导体层154b分别与第一栅电极124a和第二栅电极124b叠置。

欧姆接触件163和165位于第一半导体层154a和第二半导体层154b上。根据另一示例性实施例，可以省略欧姆接触件。

包括数据线171、驱动电压线172、第一漏电极175a和第二漏电极175b的数据导体位于欧姆接触件163和165以及栅极绝缘层140上，数据线171包括第一源电极173a，驱动电压线172包括包括第二源电极173b。

第一源电极173a和第一漏电极175a基于第一栅电极124a彼此面对，第二源电极173b和第二漏电极极175b基于第二栅电极124b彼此面对。

钝化层180位于数据导体171、172、173a、173b、175a和175b以及暴露的半导体层154a和154b上。

钝化层180具有分别与第一漏电极175a和第二漏电极175b叠置的接触孔185a和185b，钝化层180和栅极绝缘层140具有与第二栅电极124b叠置的接触孔184。

像素电极191和连接构件85位于钝化层180上。像素电极191通过接触孔185b物理和电结合到(例如，电连接到)第二漏电极175b，连接构件85通过接触孔184和185a结合(例如，连接)第二栅电极124b和第一漏电极175a。

分隔壁460位于钝化层180上。分隔壁460像堤岸一样包围像素电极191的边缘，并且由有机绝缘体或无机绝缘体制成。

发射层470位于像素电极191上。根据本示例性实施例的发射显示装置的发射层470可以发射蓝光。

在一般的发射显示装置的情况下，发射层470包括唯一地发射诸如红色、绿色和蓝色的三原色的原色之中的任何一种的材料，但是在根据本示例性实施例的发射显示装置中，颜色转换显示面板300位于发射显示装置的上表面处以显示红色、绿色和蓝色中的每种颜色，从而仅包括发射蓝光的材料。

本说明书示出了发射层470针对每个像素而单独地设置，然而不限于此，位于相邻像素处的发射层470可以彼此结合(例如，彼此连接)。位于发射红光的区域处的发射层、位于发射绿光的区域处的发射层和位于发射蓝光的区域处的发射层可以彼此结合(例如，彼此连接)。

共电极270位于发射层470上。

在该发射显示装置中，结合到(例如，连接到)栅极线121的第一栅电极124a、结合到(例如，连接到)数据线171的第一源电极173a以及第一漏电极175a与第一半导体层154a一起形成开关晶体管qs，开关晶体管qs的沟道形成在位于第一源电极173a与第一漏电极175a之间的第一半导体层154a中。结合到(例如，连接到)第一漏电极175a的第二栅电极124b、结合到(例如，连接到)驱动电压线172的第二源电极173b和结合到(例如，连续到)像素电极191的第二漏电极175b与第二半导体层154b一起形成驱动晶体管qd，驱动晶体管qd的沟道形成在位于第二源电极173b与第二漏电极175b之间的第二半导体层154b中。像素电极191、发射层470和共电极270形成有机发光二极管(oled)，像素电极191变成阳极而共电极270变成阴极，然而，像素电极191可以变成阴极，而共电极270可以变成阳极。

该发射显示装置可以相对于第一基底110向上和向下发光以显示图像，根据本公开的示例性实施例描述了相对于第一基底110向上发光的示例性实施例。

在下文中，将参照图8至图11描述纳米图案层的示意性制造方法。图8是示出根据示例性实施例的电纺丝方法的示意图，图9是根据电纺丝方法制造的纳米图案层的放大图像。图10是示出根据示例性实施例的电喷雾方法的示意图，图11是根据电喷雾方法制造的纳米图案层的放大图像。

参照图8，在基底(集电极)上布置显示面板(面板)。此后，将电压施加到注射喷嘴b和基底(集电极)，以提供纳米纤维型(或纳米纤维类)的纳米结构。在这种情况下，施加到注射喷嘴b和基底(集电极)上的电压可以在大约1kv至大约40kv的范围内。

如图9中所示的图像，可以看到通过电纺丝方法制造的纳米结构。

参照图10，在基底(集电极)上布置显示面板(面板)。此后，将电压施加到注射喷嘴b和基底(集电极)，以提供纳米颗粒型(或纳米颗粒类)的纳米结构。

施加到喷嘴b和基底(集电极)的电压可以在大约1kv至大约40kv的范围内。

如图11中所示的图像，可以看到通过电喷雾方法制造的纳米结构。

可以通过热固化工艺或光固化工艺来固化以这种方式制造的纳米结构。接下来，可以通过施用低折射材料以覆盖纳米结构来形成低折射率层。然而，可以通过任何合适的方法来制造根据本示例性实施例的抗反射层，并且不限于上述的方法。

在下文中，将参照图12至图14来描述示例和对比示例。图12是示出根据示例和对比示例的外量子效率(eqe)的图，图13是根据对比示例的显示装置的图像，图14是根据示例的显示装置的图像。

参照图12，在包括位于显示面板上的抗反射层的示例中，外量子效率eqe为大约30.4％。相比之下，在包括没有抗反射层的显示面板的对比示例中，外量子效率为大约22.3％。根据示例，在包括抗反射层的情况下，可以看出，与对比示例相比，外量子效率增加了大约8％。

图13示出了根据对比示例的不包括抗反射层的显示装置的表面图像，图14示出了根据示例的包括抗反射层的显示装置的表面图像。比较图13和图14，可以看出，在根据对比示例的显示装置中，模糊现象显著。根据本示例性实施例，显示装置可以提供没有模糊的表面。

根据上述的实施例，可以增大向外部输出光的效率，并且可以减少模糊现象和衍射现象，因此，可以提供具有改善的显示质量的显示装置。

将理解的是，虽然在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。

为了易于解释，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含装置在使用中或在操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”或者“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包括上方和下方两种方位。此外，装置可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，并且应相应地解释这里使用的空间相对描述语。

如这里所使用的，术语“基本”、“大约”和相似术语是用作近似的术语而不是用作程度术语，并且意图解释可以被本领域普通技术人员识别的测量值或计算值中的固有偏差。此外，在描述本公开的实施例时“可以”的使用是指“本公开的一个或更多个实施例”。如这里所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性”意图指示例或例证。

此外，这里陈述的任何数值范围意图包括在所陈述的范围内包含的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(并包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任何最大数值上限意图包括其中包含的所有较小数值上限，在本说明书中陈述的任何最小数值下限意图包括其中包含的所有较大数值下限。因此，申请人保留修改包括权利要求的本说明书的权利，以明确陈述在这里明确陈述的范围内包含的任何子范围。

虽然已经结合目前认为是实际的示例性实施例描述了本公开的主题，但是将理解的是，本公开不限于公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

一些附图标记的描述

10：显示面板

40：抗反射层

410：纳米图案层

410a：纳米结构

420：低折射率层