液晶无机配向薄膜的制造方法与流程

本发明是有关于一种液晶无机配向薄膜的制造方法，其制备过程所需的配向溶液的制备方法简单，性能稳定。

背景技术：

与有机材料相比，无机材料作为配向层的优势在于：因无机材料电容值低从而具有很低的阈值电压，从而在驱动过程中需要的能量小。在这些无机材料当中，氧化锶(sro)具有非常高的介电常数，相对窄的带隙和低的击穿电压；因此在其中刚加入镧(la)和钇(y)，因为其具有相对较大的带隙和较高击穿电压，从而使得氧化锶(sro)同时获得了较高的介电常数和较宽的带隙。幷且多组分材料具有更加优秀的成膜性能。

溶液法的优势在于，镧(la)、钇(y)、氧化锶(sro)的组分比可以调节，且退火后形成的结晶薄膜与液晶之间具有较强的范德华力(vanderwaalsforce)，不需要进行专门的配向工艺。

故，有必要提供一种液晶无机配向薄膜的制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供一种无机配向薄膜的制造方法，其制备过程所需的配向溶液的制备方法简单，性能稳定，藉此解决现有技术所存在的问题。

本发明的主要目的在于提供一种液晶无机配向薄膜的制造方法，包括：

混和步骤，包括将硝酸镧(la(no3)3)溶液、硝酸钇(y(no3)3)溶液、以及硝酸锶(sr(no3)2)溶液放置到一容器中，并且搅拌混合所述硝酸镧(la(no3)3)溶液、所述硝酸钇(y(no3)3)溶液、以及所述硝酸锶(sr(no3)2)溶液达一段搅拌时间；

静置反应步骤，包括将搅拌混合后的硝酸镧(la(no3)3)溶液、硝酸钇(y(no3)3)溶液、以及硝酸锶(sr(no3)2)溶液静置达一段静置时间，以使所述硝酸镧(la(no3)3)溶液、所述硝酸钇(y(no3)3)溶液、以及所述硝酸锶(sr(no3)2)溶液反应生成包括镧钇锶氧(laysr3o6)以及硝酐(n2o5)的配向溶液；

涂布步骤，包括将所述配向溶液涂布到一氧化铟锡(indiumtinoxide,ito)层的表面上以形成一包括镧钇锶氧(laysr3o6)以及硝酐(n2o5)的膜层；以及

烘烤步骤，包括对所述膜层进行烘烤以使所述膜层中的镧钇锶氧(laysr3o6)结晶而形成一液晶无机配向薄膜。

在本发明一实施例中，在所述混合步骤是在至少摄氏75度的条件下执行。

在本发明一实施例中，所述混合步骤的所述搅拌时间为至少2小时。

在本发明一实施例中，所述静置反应步骤是在空气中进行，且所述静置反应步骤中的所述静置时间是至少24小时。

在本发明一实施例中，所述涂布步骤是以采用旋涂方式进行。

在本发明一实施例中，所述烘烤步骤包括主烘烤步骤，所述主烘烤步骤是在摄氏400至800度的条件下烘烤所述膜层。

在本发明一实施例中，所述主烘烤步骤是在摄氏500度的条件下烘烤所述膜层。

在本发明一实施例中，所述主烘烤步骤包括烘烤所述膜层至少达3小时。

在本发明一实施例中，所述烘烤步骤包括预先烘烤步骤以及主烘烤步骤；所述预先烘烤步骤是在至少摄氏100度的条件下烘烤所述膜层；所述主烘烤步骤是在所述预先烘烤步骤后执行，且是在摄氏500度的条件下烘烤所述膜层。

在本发明一实施例中，所述预先烘烤步骤包括烘烤所述膜层至少达5分钟；所述主烘烤步骤包括烘烤所述膜层至少达3小时。

与现有技术相比较，本发明无机配向薄膜的制造方法所制造出的液晶无机配向薄膜同时具有较高的介电常数和较宽的带隙。与现有技术的无机配向薄膜相比，本发明无机配向薄膜的制造方法所制备液晶无机配向薄膜与液晶之间的范德华力强，无需专门的配向制程。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1本发明的氧化铟锡层及其上膜层的侧面剖视图。

图2是本发明液晶无机配向薄膜的制造方法的步骤流程图。

图3是本发明液晶无机配向薄膜的制造方法的另一步骤流程图。

具体实施方式

请参照图1及图2，本发明液晶无机配向薄膜的制造方法，包括：混和步骤s01、静置反应步骤s02、涂布步骤s03、以及烘烤步骤s04。

所述混和步骤s01，包括将硝酸镧(la(no3)3)溶液、硝酸钇(y(no3)3)溶液、以及硝酸锶(sr(no3)2)溶液放置到一容器中，并且搅拌混合所述硝酸镧(la(no3)3)溶液、所述硝酸钇(y(no3)3)溶液、以及所述硝酸锶(sr(no3)2)溶液达一段搅拌时间。在本发明一实施例中，在所述混合步骤是在至少摄氏75度的条件下执行。在本发明一实施例中，所述混合步骤的所述搅拌时间为至少2小时。

所述静置反应步骤s02，包括将搅拌混合后的硝酸镧(la(no3)3)溶液、硝酸钇(y(no3)3)溶液、以及硝酸锶(sr(no3)2)溶液静置达一段静置时间，以使所述硝酸镧(la(no3)3)溶液、所述硝酸钇(y(no3)3)溶液、以及所述硝酸锶(sr(no3)2)溶液反应生成包括镧钇锶氧(laysr3o6)以及硝酐(n2o5)的配向溶液。在本发明一实施例中，所述静置反应步骤s02是在空气中进行，且所述静置反应步骤s02中的所述静置时间是至少24小时。所述反应的化学反应式如下：la(no3)3+y(no3)3+3sr(no3)2＝laysr3o6+6n2o5，反应后得到镧钇锶氧(laysr3o6)以及硝酐(n2o5)溶液。

所述涂布步骤s03，包括将所述配向溶液涂布到一氧化铟锡(indiumtinoxide,ito)层10的表面上以形成一包括镧钇锶氧(laysr3o6)以及硝酐(n2o5)的膜层20。在本发明一实施例中，所述涂布步骤s03是以采用旋涂方式进行。

所述烘烤步骤s04，包括对所述膜层20进行烘烤以使所述膜层20中的镧钇锶氧(laysr3o6)结晶而形成一液晶无机配向薄膜。

请参照图3，在本发明一实施例中，所述烘烤步骤s04包括主烘烤步骤s042，所述主烘烤步骤s042是在摄氏400至800度的条件下烘烤所述膜层20。较佳者，所述主烘烤步骤s042是在摄氏500度的条件下烘烤所述膜层20。在本发明一实施例中，所述主烘烤步骤s042包括烘烤所述膜层20至少达3小时。

请参照图3，在本发明另一实施例中，所述烘烤步骤s04包括预先烘烤步骤s041以及主烘烤步骤s042；所述预先烘烤步骤s041是包括在至少摄氏100度的条件下烘烤所述膜层20；所述主烘烤步骤s042是包括在所述预先烘烤步骤s041后执行，且是在摄氏400至800度的条件下烘烤所述膜层20。较佳者，所述主烘烤步骤s042是在摄氏400至800度的条件下烘烤所述膜层20。所述预先烘烤步骤s041包括烘烤所述膜层20至少达5分钟；所述主烘烤步骤s042包括烘烤所述膜层20至少达3小时。更佳者，所述主烘烤步骤s042是在摄氏500度的条件下烘烤所述膜层20。

与现有技术相比较，本发明无机配向薄膜的制造方法所制造出的液晶无机配向薄膜同时具有较高的介电常数和较宽的带隙。与现有技术的无机配向薄膜相比，本发明无机配向薄膜的制造方法所制备液晶无机配向薄膜与液晶之间的范德华力强，无需专门的配向制程。