显示装置的制作方法

本发明是有关于一种电子装置，且特别是有关于一种显示装置。

背景技术：

随着科技的发展，显示装置大量被应用在各式电子产品，例如：智能手机、智能手表、平板电脑等。基于方便操作的考量，大多的电子产品具有触控功能。在触控电子产品的过程中，外力会施加于显示装置。因此，显示装置需具备良好的耐压性。

一般而言，显示装置包括画素阵列基板、相对于画素阵列基板的对向基板以及设置于画素阵列基板与对向基板之间的显示介质。对向基板具有支撑物，以维持画素阵列基板与对向基板之间的间隙。然而，在耐压性测试中，外力会施加于显示装置，造成对向基板相对于画素阵列基板运动。对向基板相对于画素阵列基板运动时，对向基板的间隙物会损伤画素阵列基板上的配向膜，造成碎亮点(galaxymura)的问题。

技术实现要素：

本发明提供一种显示装置，性能佳。

本发明一实施例的显示装置，包括第一基底、至少一主动元件、介电层、至少一画素电极、第二基底、第一间隔物以及显示介质。至少一主动元件设置于第一基底上，且具有第一凸部及第一凸部外的主体部。第一凸部的顶面与第一基底具有第一距离，主体部的顶面与第一基底具有第二距离，而第一距离大于第二距离。至少一画素电极与至少一主动元件电性连接，且设置于介电层的主体部上。第二基底设置于第一基底的对向。第一间隔物设置于第二基底上。介电层的第一凸部于第一基底上的垂直投影位于第一间隔物于第一基底上的垂直投影以内。显示介质设置于第一基底与第二基底之间。

本发明一实施例的显示装置，包括第一基底、多个主动元件、介电层、多个画素电极、第二基底、第一间隔物以及显示介质。多个主动元件设置于第一基底上。介电层设置于第一基底上，且具有第一凸部、主体部及多个接触窗。第一凸部的顶面与第一基底具有第一距离，主体部的顶面与第一基底具有第二距离，而第一距离大于第二距离。多个画素电极设置于介电层的主体部上，且透过多个接触窗与多个主动元件电性连接。第二基底设置于第一基底的对向。第一间隔物设置于第二基底上。显示介质设置于第一基底与第二基底之间。介电层的第一凸部包括主要子部及至少一延伸子部。主要子部于第一基底上的垂直投影与第一间隔物于第一基底上的垂直投影重叠，主要子部于第一基底上的垂直投影具有缺口，多个接触窗的一个于第一基底上的垂直投影的至少一部分位于缺口中。至少一延伸子部由主要子部向外延伸。至少一延伸子部于第一基底上的垂直投影延伸至第一间隔物于第一基底上的垂直投影外。

在本发明的一实施例中，上述的显示装置，更包括至少一共用电极、绝缘层及第一触控信号线。至少一共用电极设置于介电层上。绝缘层设置于至少一共用电极与至少一画素电极之间。第一触控信号线与至少一共用电极电性连接。第一触控信号线具有第一辅助部，而第一辅助部完全地覆盖介电层的第一凸部。

在本发明的一实施例中，上述的第一触控信号线的第一辅助部于第一基底上的垂直投影位于第一间隔物于第一基底上的垂直投影以内，且第一辅助部于第一基底上的垂直投影的边缘的一部分与第一间隙物于第一基底上的垂直投影的边缘的一部分实质上平行。

在本发明的一实施例中，上述的显示装置，更包括第二间隔物及第二触控信号线。第二间隔物设置于第二基底上，且与第一间隙物隔开。第二触控信号线设置于第一基底上且与至少一共用电极电性连接。第二触控信号线具有第二辅助部。第二辅助部于第一基底上的垂直投影位于第二间隔物于第一基底上的垂直投影以内，且第二辅助部于第一基底上的垂直投影的边缘的一部分与第二间隙物于第一基底上的垂直投影的边缘的一部分实质上平行。

在本发明的一实施例中，上述的介电层还具有第一凸部及主体部外的一第二凸部，而第二辅助部完全地覆盖介电层的第二凸部。

在本发明的一实施例中，上述的介电层还具有第一凸部及主体部外的第二凸部，第二凸部的顶面与第一基底具有第三距离，第三距离大于第二距离且小于第一距离。显示装置更包括第二间隔物，设置于第二基底上。介电层的第二凸部于第一基底上的垂直投影重叠于第二间隔物于第一基底上的垂直投影，且第一间隔物的高度与第二间隔物的高度实质上相等。

在本发明的一实施例中，上述的第二凸部于第一基底上的垂直投影位于第二间隔物于第一基底上的垂直投影以内。

在本发明的一实施例中，上述的第一凸部于第一基底上的垂直投影的边缘与第一间隔物于第一基底上的垂直投影的边缘相隔距离l，而l≥1μm。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明第一实施例的显示装置10的上视示意图。

图2为本发明第一实施例的显示装置10的剖面示意图。

图3为本发明第二实施例的显示装置10a的上视示意图。

图4为本发明第二实施例的显示装置10a的剖面示意图。

图5为本发明第三实施例的显示装置10b的上视示意图。

图6为本发明第三实施例的显示装置10b的剖面示意图。

图7为本发明第四实施例的显示装置10c的上视示意图。

图8为本发明第四实施例的显示装置10c的剖面示意图。

图9为本发明第五实施例的显示装置10d的上视示意图。

图10为本发明第五实施例的显示装置10d的剖面示意图。

图11为本发明第六实施例的显示装置10e的上视示意图。

图12为本发明第六实施例的显示装置10e的剖面示意图。

其中，附图标记

10、10a～10e：显示装置

100：画素阵列基板

110：第一基底

120、130、160：绝缘层

140：介电层

140a：接触窗

142：第一凸部

142-1、144-1：主要子部

142-2、144-2：延伸子部

142a、144a、146a、252a：顶面

142c：缺口

144：第二凸部

146：主体部

150：画素电极

152：主要部

154：延伸部

172：第一触控信号线

172a：第一辅助部

172b、174b、252b、254b：边缘

174：第二触控信号线

174a：第二辅助部

182、184：共用电极

200：对向基板

210：第二基底

220：遮光层

230：彩色滤光层

240：保护层

252：第一间隔物

254：第二间隔物

300：显示介质

a-a’：剖线

dl：数据线

d：源极

d1、d2、d3、l：距离

g：闸极

h1、h2、h2’：高度

k、k：膜厚

pi1、pi2：配向膜

sl：扫描线

se：半导体层

s：源极

t：主动元件

具体实施方式

在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同或相似的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，「连接」可以指物理及/或电性连接。再者，「电性连接」或「耦合」可为二元件间存在其它元件。

本文使用的「约」、「近似」、或「实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的「约」、「近似」或「实质上」可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。

除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。

本文参考作为理想化实施方式的示意图的截面图来描述示例性实施方式。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施方式不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于所附图式中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。

图1为本发明第一实施例的显示装置10的上视示意图。图2为本发明第一实施例的显示装置10的剖面示意图。图2对应图1的剖线a-a’。图1省略图2的第一基底110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层160、配向膜pi1、显示介质300、配向膜pi2、保护层(overcoatlayer)240、彩色滤光层230、遮光层220及第二基底210。

请参照图1及图2，显示装置10包括画素阵列基板100、对向基板200及显示介质300。对向基板200设置于画素阵列基板100的对向。显示介质300设置于画素阵列基板100与对向基板200之间。举例而言，在本实施例中，显示介质300可以是液晶，但本发明不以此为限。

画素阵列基板100包括第一基底110。第一基底110主要是用以承载画素阵列基板100的构件。举例而言，在本实施例中，第一基底110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：晶圆、陶瓷、或其他可适用的材料)、或是其他可适用的材料。

画素阵列基板100包括多个主动元件t，设置于第一基底110上。主动元件t与扫描线sl及数据线dl电性连接。主动元件t包括薄膜电晶体，具有闸极g、半导体层se以及分别与半导体层se的不同两区电性连接的源极s与汲极d。闸极g与半导体层se之间设有绝缘层120。扫描线sl与薄膜电晶体的闸极g电性连接。举例而言，在本实施例中，闸极g可以是由扫描线sl向外延伸的一导电图案，但本发明不以此为限。数据线dl与薄膜电晶体t的源极s电性连接。举例而言，在本实施例中，源极s可以是数据线dl与半导体层se重叠的一部分，但本发明不以此为限。

在本实施例中，闸极g可以位于半导体层se的下方，而主动元件t可包括底部闸极型(bottomgate)薄膜电晶体。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，主动元件t也可包括顶部闸极型(topgate)、立体型薄膜电晶体、或其它适当型式的薄膜电晶体。且在本实施例中，半导体层se的材质可为非晶硅，亦即主动元件t可为非晶硅薄膜电晶体(amorphoussilicontft，a-sitft)。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，半导体层se的材质可包括微晶硅、奈米晶硅、多晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料、奈米碳管/杆、钙钛矿或其它合适的材料。另外，在本实施例中，闸极g与扫描线sl可以同属第一导电层，数据线dl、源极s与汲极d可以同属第二导电层。然而，本发明不以此为限，在其它实施例中，闸极g、扫描线sl、数据线dl、源极s与汲极d各自所属的膜层也可视实际需求变化之。

在本实施例中，画素阵列基板100可选择性地包括绝缘层130(绘示于图2)，设置于主动元件t上。

画素阵列基板100包括介电层140，设置于主动元件t上。举例而言，在本实施例中，介电层140可选择性地在绝缘层130上，但本发明不以此为限。

在本实施例中，介电层140具有第一凸部142及第一凸部142外的主体部146。第一凸部142的顶面142a与第一基底110具有第一距离d1，主体部146的顶面146a与第一基底110具有第二距离d2，而第一距离d1大于第二距离d2。也就是说，第一凸部142相对于主体部146凸起。在本实施例中，第一凸部142可以选择性地设置在一个主动元件t上，以优化画素阵列基板100的开口率，但本发明不以此为限。举例而言，在本实施例中，介电层140的材质可以是光阻，但本发明不以此为限。

画素阵列基板100包括多个画素电极150，与多个主动元件t电性连接，且设置于介电层140的主体部146上。举例而言，在本实施例中，画素电极150包括主要部152及延伸部154，画素电极150的主要部152与共用电极182、184的多个狭缝(未绘示)重叠。画素电极150的主要部152(绘示于图1)设置于介电层140的主体部146上，画素电极150的延伸部154由主要部152延伸至介电层140的接触窗140a中，以和薄膜电晶体的汲极d电性连接，值得注意的是画素电极150的主要部152及延伸部154皆不会高于介电层顶面142a。在本实施例中，介电层140的第一凸部142于第一基底110上的垂直投影可具有缺口142c(标示于图1)，接触窗140a于第一基底110上的垂直投影的至少一部分位于缺口142c中。

画素阵列基板100包括绝缘层160，设置于共用电极182、184与画素电极150之间。

在本实施例中，画素阵列基板100可进一步包括第一触控信号线172及第二触控信号线174，设置于第一基底110上且与至少一共用电极182、184电性连接。举例而言，在本实施例中，第一触控信号线172及第二触控信号线174可设置于绝缘层160上，但本发明不以此为限。第一触控信号线172及第二触控信号线174分别包括第一辅助部172a及第二辅助部174a。在本实施例中，第一辅助部172a及第二辅助部174a可选择性地分别设置于两主动元件t上。值得注意的是，在本实施例中，第一辅助部172a完全地覆盖介电层140的第一凸部142，使其与开口区的高度差异为d1-d2+k，而第二辅助部174a与开口区的高度差异为k，且画素电极150的主要部152及延伸部154的投影也皆不会重叠于第一辅助部172a及第二辅助部174a。此外，第一辅助部172a的膜厚k及第二辅助部174a的膜厚k均厚。举例而言，本实施例膜厚k最佳厚度可大于0.3μm，但本发明不以此为限。

画素阵列基板100包括至少一共用电极182、184，设置于介电层140上。举例而言，在本实施例中，绝缘层160可设置于画素电极150上，而至少一共用电极182、184可设置于绝缘层160上。也就是说，在本实施例中，至少一共用电极182、184可设置在画素电极150的上方。然而，本发明不限于此，根据其它实施例，画素电极150也可设置在至少一共用电极182、184的上方。在本实施例中，至少一共用电极182、184可包括第一共用电极182及第二共用电极184，与第一触控信号线172及第二触控信号线174电性连接。在触控时段，共用电极182、184做为触控感测垫。在显示时段，共用电极182、184与画素电极150之间的电压差用以驱动显示介质300。在本实施例中，第一共用电极182与第二共用电极184可以相连接而属于同一触控感测垫。然而，本发明不限于此，根据其它实施例，第一共用电极182与第二共用电极184可以相分离而属于不同触控感测垫。

在本实施例中，画素阵列基板100包括配向膜pi1，例如设置于至少一共用电极182、184上。

对向基板200包括第二基底210。第二基底210主要是用以承载对向基板200的构件。举例而言，在本实施例中，第二基底210的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是其他可适用的材料。

在本实施例中，对向基板200可包括第一间隔物252及与第一间隔物252隔开的第二间隔物254，设置于第二基底210上。第一间隔物252于第一基底110上的垂直投影与第一凸部142在第一基底110上的垂直投影重叠。在显示装置10未受外力的情况下，第一间隔物252抵顶第一凸部142，第二间隔物254与画素阵列基板100之间具有一间隙(d1-d2+h1-h2)，可用于提高液晶滴入制程的良率区间。亦即，第一间隔物252可视为主要间隔物，而第二间隔物254可视为次要间隔物。在本实施例中，第一间隔物252的高度h1可大于第二间隔物254的高度h2，但本发明不以此为限。在其它实施例中，第一间隔物252的高度h1可等于第二间隔物254的高度h2，此时在显示装置10未受外力的情况下，第一间隔物252抵顶第一凸部142，第二间隔物254与画素阵列基板100的间隙为d1-d2。

在本实施例中，第一触控信号线172的第一辅助部172a于第一基底110上的垂直投影位于第一间隔物252于第一基底110上的垂直投影以内，且第一辅助部172a于第一基底110上的垂直投影的边缘172b(标示于图1)的一部分与第一间隙物252于第一基底110上的垂直投影的边缘252b(标示于图1)的一部分实质上平行，但本发明不以此为限，第一触控信号线172的第一辅助部172a于第一基底110上的垂直投影和第一间隔物252于第一基底110上的垂直投影例如可以为椭圆形、圆形、多边形或其他适合的形状，两者形状可相似亦可不同，仅需第一触控信号线172的第一辅助部172a于第一基底110上的垂直投影位于第一间隔物252于第一基底110上的垂直投影以内。第二触控信号线174的第二辅助部174a于第一基底110上的垂直投影位于第二间隔物254于第一基底110上的垂直投影以内，且第二辅助部174a于第一基底110上的垂直投影的边缘174b(标示于图1)的一部分与第二间隙物254于第一基底110上的垂直投影的边缘254b(标示于图1)的一部分实质上平行，但本发明不以此为限，第二触控信号线174的第二辅助部174a于第一基底110上的垂直投影和第二间隔物254于第一基底110上的垂直投影例如可以为椭圆形、圆形、多边形或其他适合的形状，两者形状可相似亦可不同。

此外，在本实施例中，对向基板200还可包括依序堆叠于第二基底210上的遮光层220、彩色滤光层230、保护层(over-coatlayer)240及配向膜pi2，而第一间隔物252及第二间隔物254可设置于保护层240上，但本发明不以此为限。

值得注意的是，第一间隔物252设置于对应于介电层140的第一凸部142上方，画素电极150的主要部152及延伸部154设置皆低于于介电层140的顶面142a。也就是说，第一间隔物252的顶面252a会高于画素电极150的主要部152及延伸部154。因此，第一间隔物252不易因对向基板200与画素阵列基板100的水平偏移而损伤画素电极150的主要部152及延伸部154其上及边缘的配向膜pi1。

在本实施例中，介电层140的第一凸部142于第一基底110上的垂直投影位于第一间隔物252于第一基底110上的垂直投影以内。也就是说，第一间隔物252的顶面252a大于介电层140的第一凸部142的顶面142a。举例而言，在本实施例中，第一凸部142于第一基底110上的垂直投影的边缘与第一间隔物252于第一基底110上的垂直投影的边缘相隔一距离l，而l≥1μm。较佳地是，l≥3μm，但本发明不以此为限。如此一来，即便对向基板200与画素阵列基板100发生在垂直方向上的振动或施压，第一间隔物252于第一基底110上的垂直投影的边缘252b仍可位于介电层140的第一凸部142外。在第一间隔物252的顶面252a抵顶于介电层140的第一凸部142的情况下，即便对向基板200与画素阵列基板100在垂直方向上有持续振动或施压，第一间隔物252于第一基底110上的垂直投影的边缘252b因位于第一凸部142的顶面142外，因此不易随垂直方向上的振动或施压而损伤介电层140的第一凸部142其顶面142a上的配向膜pi1。藉此，碎亮点(galaxymura)的问题能获得显著的改善。

图3为本发明第二实施例的显示装置10a的上视示意图。图4为本发明第二实施例的显示装置10a的剖面示意图。图4对应图3的剖线a-a’。图3省略图4的第一基底110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层160、配向膜pi1、显示介质300、配向膜pi2、保护层240、彩色滤光层230、遮光层220及第二基底210。

图3及图4的显示装置10a与图1及图2的显示装置10类似，两者的差异如下述。请参照图3及图4，显示装置10a可不包括第一触控信号线172及第二触控信号线174。显示装置10a的介电层140还具有第一凸部142及主体部146外的第二凸部144，第二凸部144的顶面144a与第一基底110具有第三距离d3。在本实施例中，第三距离d3大于第二距离d2，且第一距离d1与第三距离d3可相等，但本发明不以此为限。介电层140的第二凸部144于第一基底110上的垂直投影重叠于第二间隔物254于第一基底110上的垂直投影，但本发明不以此为限。在其它实施例中，第二间隔物254于第一基底110上的垂直投影可应开口区的设置大小选择性地位于第二凸部144于第一基底110上的垂直投影以内或以外。

图5为本发明第三实施例的显示装置10b的上视示意图。图6为本发明第三实施例的显示装置10b的剖面示意图。图6对应图5的剖线a-a’。图5省略图6的第一基底110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层160、配向膜pi1、显示介质300、配向膜pi2、保护层240、彩色滤光层230、遮光层220及第二基底210。

图5及图6的显示装置10b与图3及图4的显示装置10a类似，两者的差异如下述。请参照图5及图6，显示装置10b的介电层140也具有第二凸部144，第二凸部144的顶面144a与第一基底110具有第三距离d3。与显示装置10a不同的是，在本实施例中，第三距离d3大于第二距离d2且小于第一距离d1，而第一间隔物252的高度h1与第二间隔物254的高度h2’实质上可相等，此时在显示装置10未受外力的情况下，第一间隔物252抵顶第一凸部142，第二间隔物254与画素阵列基板100之间具有一间隙(d1-d3)，可用于提高液晶滴入制程的良率区间。

此外，在本实施例中，第二凸部144于第一基底110上的垂直投影可位于第二间隔物254于第一基底110上的垂直投影以内。

图7为本发明第四实施例的显示装置10c的上视示意图。图8为本发明第四实施例的显示装置10c的剖面示意图。图8对应图7的剖线a-a’。图7省略图8的第一基底110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层160、配向膜pi1、显示介质300、配向膜pi2、保护层240、彩色滤光层230、遮光层220及第二基底210。

图7及图8的显示装置10c与图1及图2的显示装置10类似，两者的差异如下述。请参照图7及图8，显示装置10c的介电层140还具有第一凸部142及主体部146外的第二凸部144，第二凸部144的顶面144a与第一基底110具有第三距离d3。在本实施例中，第三距离d3大于第二距离d2，且第一距离d1与第三距离d3相等。在本实施例中，第二辅助部174a完全地覆盖介电层140的第二凸部144。此外，图8的第一辅助部172a及第二辅助部174a的膜厚k可应阻值设计最佳厚度位于0.05～0.5μm之间，但不以此为限。

图9为本发明第五实施例的显示装置10d的上视示意图。图10为本发明第五实施例的显示装置10d的剖面示意图。图10对应图9的剖线a-a’。图9省略图10的第一基底110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层160、配向膜pi1、显示介质300、配向膜pi2、保护层240、彩色滤光层230、遮光层220及第二基底210。

图9及图10的显示装置10d与图7及图8的显示装置10c类似，两者的差异在于：显示装置10d可不包括显示装置10c的第一触控信号线172及第二触控信号线174。

图11为本发明第六实施例的显示装置10e的上视示意图。图12为本发明第六实施例的显示装置10e的剖面示意图。图12对应图11的剖线a-a’。图11省略图12的第一基底110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层160、配向膜pi1、显示介质300、配向膜pi2、保护层240、彩色滤光层230、遮光层220及第二基底210。图11及图12的显示装置10e与图9及图10的显示装置10d类似，两者的差异如下述。

请参照图11及图12，介电层140的第一凸部142包括主要子部142-1及延伸子部142-2。第一凸部142的主要子部142-1于第一基底110上的垂直投影与第一间隔物252于第一基底110上的垂直投影重叠，第一凸部142的主要子部142-1于第一基底110上的垂直投影具有缺口142c，接触窗140a于第一基底110上的垂直投影的至少一部分位于缺口142c中。第一凸部142的延伸子部142-2由第一凸部142的主要子部142-1向外延伸。第一凸部142的延伸子部142-2于第一基底110上的垂直投影延伸至第一间隔物252于第一基底110上的垂直投影外。第一凸部142的延伸子部142-2于第一基底110上的垂直投影的至少一部分位于多个画素电极150于第一基底110上的多个垂直投影之间。

类似地，介电层140的第二凸部144包括主要子部144-1及延伸子部144-2。第二凸部144的主要子部144-1于第一基底110上的垂直投影与第一间隔物252于第一基底110上的垂直投影重叠。第二凸部144的延伸子部144-2由第二凸部144的主要子部144-1向外延伸。第二凸部144的延伸子部144-2于第一基底110上的垂直投影延伸至第二间隔物254于第一基底110上的垂直投影外。第二凸部144的延伸子部144-2于第一基底110上的垂直投影的至少一部分位于多个画素电极150于第一基底110上的多个垂直投影之间。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。