显示装置的制作方法

本发明涉及显示装置。

背景技术：

作为现有的液晶显示装置的一例，已知下述专利文献1记载的显示装置。专利文献1所记载的液晶显示装置具有：垂直取向型的液晶层、第1基板以及第2基板；设置于第1基板的液晶层侧的第1电极和设置于第2基板的液晶层侧的第2电极；以及以与液晶层接触的方式设置的至少1个取向膜。像素区域具有被施加电压时的液晶层的层面内和厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向为预先确定的第1方向的第1液晶畴，第1液晶畴与第1电极的边缘的至少一部分接近，至少一部分包含与其正交且朝向第1电极的内侧的方位角方向与第1方向成超过90°的角的第1边缘部，第1基板或第2基板具有遮光构件，遮光构件包含对第1边缘部的至少一部分选择性地遮光的第1遮光部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2006/132369号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

在上述的专利文献1所记载的液晶显示装置中记载有与像素电极之间形成辅助电容的cs总线，该cs总线以与栅极总线平行的形式延伸，为与源极总线交叉的关系。然而，近年来，为了削减源极总线的设置数量，有时采用如下构成：使栅极总线沿着呈长条状的像素电极的长边方向延伸，使源极总线沿着像素电极的短边方向延伸。在这种构成中，有栅极总线的设置数量变多的趋势，所以源极总线的与栅极总线的交叉部位数量变多，因此，存在由于在源极总线与栅极总线之间产生的寄生电容而源极总线的负荷变大的问题。在这种构成中，当如上述的专利文献1记载的那样使cs总线以与栅极总线平行的形式延伸时，源极总线不仅会与栅极总线交叉，还会与cs总线交叉，因此有可能源极总线的负荷进一步变大而发生信号钝化。

本发明是基于上述的情况而完成的，其目的在于减轻图像配线的信号钝化。

用于解决问题的方案

(1)本发明的一实施方式是一种显示装置，具备：长条状的像素电极；开关元件，其连接到上述像素电极；扫描配线，其沿着上述像素电极的长边方向延伸并连接到上述开关元件，传送对上述开关元件进行驱动的信号；图像配线，其沿着上述像素电极的短边方向延伸并连接到上述开关元件，传送对上述像素电极进行充电的信号；液晶层，其包含液晶分子；在上述液晶层被施加电压时上述液晶分子的取向方向不同的多个畴；取向边界部，其位于上述多个畴的边界；取向膜，其使上述液晶分子取向；以及电容配线，其沿着上述短边方向延伸并隔着绝缘膜与上述像素电极重叠，且以与上述取向边界部的至少一部分重叠的方式配置。

(2)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)的构成的基础上，上述取向膜被进行了使上述液晶分子的取向方向不同的多个取向处理，被进行了上述多个取向处理的部分的边界与上述取向边界部对应。

(3)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)或上述(2)的构成的基础上，上述取向边界部构成为包含：第1取向边界部，其沿着上述短边方向延伸，与上述电容配线重叠；以及第2取向边界部，其沿着上述长边方向延伸，具备沿着上述长边方向延伸且以与上述第2取向边界部重叠的方式配置的遮光部。

(4)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(3)的构成的基础上，上述遮光部电连接到上述电容配线。

(5)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(4)的构成的基础上，上述遮光部与上述电容配线包括相同导电膜且与上述电容配线相连。

(6)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(3)至上述(5)中的任意1个构成的基础上，上述开关元件具有：栅极电极，其连接到上述扫描配线；源极电极，其连接到上述图像配线；漏极电极，其连接到上述像素电极；以及沟道部，其连接到上述源极电极和上述漏极电极，上述漏极电极具有像素连接部，上述像素连接部与上述第2取向边界部重叠，并且隔着绝缘膜与上述像素电极的一部分重叠，通过在上述绝缘膜开口形成的接触孔连接到上述像素电极。

(7)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)至上述(6)中的任意1个构成的基础上，具备边缘遮光部，上述边缘遮光部以与上述像素电极的外周缘部所包含的如下缘部的至少一部分重叠的方式配置：与该缘部正交且朝向上述像素电极的内侧的方位角方向相对于在上述液晶层被施加电压时的上述液晶层的厚度方向上的中央附近的上述液晶分子的倾斜方向成钝角。

(8)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(7)的构成的基础上，上述边缘遮光部以与上述像素电极的外周缘部所包含的如下缘部的至少一部分重叠的方式配置：该缘部是与该缘部正交且朝向上述像素电极的内侧的方位角方向相对于上述倾斜方向成钝角的长边侧的缘部。

(9)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(7)或上述(8)的构成的基础上，上述边缘遮光部电连接到上述电容配线。

(10)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(9)的构成的基础上，上述扫描配线以与上述像素电极不重叠的方式配置，上述边缘遮光部以与上述扫描配线不重叠并且与上述扫描配线的侧缘部相邻的方式配置。

(11)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(9)或上述(10)的构成的基础上，上述边缘遮光部与上述电容配线包括相同导电膜且与上述电容配线相连。

(12)另外，本发明的某实施方式是一种显示装置，在上述(1)至上述(11)中的任意1个构成的基础上，上述电容配线与上述图像配线包括相同导电膜。

发明效果

根据本发明，能减轻图像配线的信号钝化。

附图说明

图1是本发明的实施方式1的液晶面板的截面图。

图2是示出构成液晶面板的阵列基板中的像素排列的俯视图。

图3是阵列基板的图2的a-a线截面图。

图4是液晶面板的图2的b-b线截面图。

图5是液晶面板的图2的c-c线截面图。

图6是用于说明阵列基板的取向膜的取向处理的图。

图7是用于说明构成液晶面板的cf基板的取向膜的取向处理的图。

图8是用于说明液晶面板的1个像素部中的液晶分子的倾斜方向等的图。

图9是用于说明本发明的实施方式2的液晶面板的1个像素部中的液晶分子的倾斜方向等的图。

图10是示出构成液晶面板的阵列基板中的像素排列的俯视图。

图11是示出构成本发明的另一实施方式的液晶面板的阵列基板中的像素排列的俯视图。

附图标记说明

10…液晶面板(显示装置)；10c…液晶层；10e…取向膜；11…tft(开关元件)；11a…栅极电极；11b…源极电极；11c…漏极电极；11c1…像素连接部；11d…沟道部；12、112…像素电极；12l、112l…长边侧的缘部；13…栅极配线(扫描配线)；13e…侧缘部；14…源极配线(图像配线)；21…第2金属膜(导电膜)；22…层间绝缘膜(绝缘膜)；23…平坦化膜(绝缘膜)；25…取向边界部；25a…第1取向边界部；25b…第2取向边界部；26…电容配线；27…遮光部；28、128…边缘遮光部；ch…接触孔；pxd…畴。

具体实施方式

＜实施方式1＞

根据图1至图8说明本发明的实施方式1。在本实施方式中，例示构成液晶面板(显示装置)10的阵列基板10a。此外，在各附图的一部分中示出了x轴、y轴以及z轴，并且以各轴方向成为在各附图中所示的方向的方式进行了描绘。另外，以图1、图3、图4以及图5的上侧为表侧，以下侧为里侧。

图1是液晶面板10的概略性的截面图。如图1所示，液晶面板10具备：阵列基板10a；cf基板(相对基板)10b，其以与阵列基板10a相对的方式配置；液晶层10c，其介于两基板10a、10b之间；密封部10d，其包围液晶层10c并将液晶层10c密封；以及一对取向膜10e，其设置于一对基板10a、10b中的面对液晶层10c的最内面。另外，在两基板10a、10b的外面侧分别贴附有偏振板。

液晶面板10被划分为其显示面能显示图像的显示区域和包围显示区域的非显示区域。图2是表示阵列基板10a的显示区域中的像素排列的俯视图。此外，图2中也部分地图示了cf基板10b侧的构成。在阵列基板10a中的显示区域，如图2所示，tft(开关元件、薄膜晶体管)11和连接到tft11的像素电极12分别沿着x轴方向和y轴方向按矩阵状(行列状)排列设置有多个。呈大致格子状的栅极配线(扫描配线)13和源极配线(图像配线、数据配线)14以包围的方式配设在tft11和像素电极12的周围。tft11至少具有：栅极电极11a，其连接到栅极配线13；源极电极11b，其连接到源极配线14；以及漏极电极11c，其连接到像素电极12。tft11相对于像素电极12(源极配线14)在x轴方向上偏置于图2所示的左右。tft11为相对于像素电极12(源极配线14)偏置于左侧的tft与相对于像素电极12(源极配线14)偏置于右侧的tft在y轴方向上交替反复排列的配置，并平面配置为之字形状(锯齿状)。此外，优选在阵列基板10a中单片地设置有用于向栅极配线13供应扫描信号的栅极电路部。另外，在阵列基板10a中以cog(chiponglass：玻璃上芯片)方式安装有用于向源极配线14供应图像信号的驱动器。

如图2所示，像素电极12在俯视时呈横长的长条状，具体地说呈大致长方形，其长边方向与x轴方向一致，短边方向与y轴方向一致。像素电极12的长边尺寸相对于短边尺寸的比率例如为约3。栅极配线13介于在短边方向(y轴方向)上相邻的像素电极12之间，源极配线14介于在长边方向(x轴方向)上相邻的像素电极12之间。像素电极12以在俯视时与栅极配线13以及源极配线14不重叠的方式配置。栅极配线13沿着像素电极12的长边方向(x轴方向)延伸，在短边方向上空开像素电极12的短边尺寸程度的间隔地排列配置有多个。栅极配线13在与源极配线14的交叉部位具有俯视时呈横长的方形的环状的部分(以下，称为环状部13a)。在栅极配线13与源极配线14的交叉部位发生栅极配线13和源极配线14短路的不良的情况下，利用环状部13a，能通过对短路部分照射激光等而将其从栅极配线13分离。栅极配线13的设置数量与y轴方向上的像素电极12的排列数量一致。源极配线14沿着像素电极12的短边方向延伸，在长边方向上空开像素电极12的长边尺寸程度的间隔地排列配置有多个。源极配线14与栅极配线13大致正交(交叉)。源极配线14的设置数量与x轴方向上的像素电极12的排列数量一致。根据这种构成，若与将像素电极设为纵长的长条状的情况相比，源极配线14的排列间隔为将像素电极12的短边尺寸除以长边尺寸所得的比率(例如约1/3)的程度，伴随于此，在x轴方向上的每单位长度的源极配线14的设置数量为与上述同样的比率(例如约1/3)的程度。此外，若与将像素电极设为纵长的长条状的情况相比，栅极配线13的排列间隔为将像素电极12的长边尺寸除以短边尺寸所得的比率(例如约3)的程度，伴随于此，在x轴方向上的每单位长度的栅极配线13的设置数量为与上述同样的比率(例如约3)的程度。由此，能削减源极配线14的设置数量，因此供应给源极配线14的图像信号的数量被削减。因此，能削减用于向源极配线14供应信号的驱动器的设置数量或者能使用低价的驱动器，因此即使在推进了液晶面板10的高清晰化的情况下也能实现液晶面板10的窄边框化、低成本化。

图3是阵列基板10a的图2的a-a线截面图。使用图2和图3详细说明tft11的构成。如图2和图3所示，tft11为在x轴方向上图2所示的左侧或右侧与作为连接对象的像素电极12相邻的配置。tft11具有与栅极配线13相连的栅极电极11a。栅极电极11a以从栅极配线13的环状部13a按图2所示的向下突出的方式分支，在俯视时呈纵长的方形。tft11具有与源极配线14相连的源极电极11b。源极电极11b呈沿着栅极电极11a的3个边弯曲而在俯视时朝向图2所示的下侧开口的沟道型。tft11具有配置在与源极电极11b之间空开间隔的位置的漏极电极11c。漏极电极11c与源极电极11b的3个边部呈相对状，并且从源极电极11b的开口部分沿着y轴方向伸出而其端部在俯视时与像素电极12的一部分重叠且连接到该部分。即，漏极电极11c具有连接到像素电极12的像素连接部11c1。tft11具有与栅极电极11a重叠且连接到源极电极11b和漏极电极11c的沟道部11d。沟道部11d与栅极电极11a同样平面形状呈方形，其3个边部连接到源极电极11b，包含剩余的1个边部的部分连接到漏极电极11c。并且，当传送给栅极配线13的扫描信号被供应到栅极电极11a从而tft11被驱动时，传送给源极配线14的图像信号(数据信号)会从源极电极11b经由沟道部11d向漏极电极11c供应。其结果是，像素电极12被充电到基于图像信号的电位。

图4是液晶面板10的图2的b-b线截面图，图5是液晶面板10的图2的c-c线截面图。如图4和图5所示，在cf基板10b的显示区域设置有呈现蓝色(b)、绿色(g)以及红色(r)的3色的彩色滤光片15。彩色滤光片15以在俯视时与阵列基板10a侧的各像素电极12重叠的方式在x轴方向和y轴方向上各排列有多个而配置为矩阵状。彩色滤光片15中的呈现相互不同的颜色的彩色滤光片沿着源极配线14(y轴方向)反复排列，呈现相同颜色的彩色滤光片沿着栅极配线13(x轴方向)连续排列。在该液晶面板10中，沿着y轴方向排列的r、g、b的彩色滤光片15和与各彩色滤光片15相对的3个像素电极12分别构成3色的像素部px。并且，在该液晶面板10中，由沿着y轴方向相邻的r、g、b的3色的像素部px构成能进行规定的灰度级的彩色显示的显示像素。在cf基板10b的显示区域中设置有将相邻的彩色滤光片15之间分隔的大致格子状的黑矩阵(像素间遮光部)16。该黑矩阵16使得光难以在相邻的像素部px之间往来，从而防止了混色等。另外，在彩色滤光片15的内面侧形成有相对电极17。相对电极17至少在显示区域中设置为满面状，夹着液晶层10c与全部的像素电极12相对。相对电极17通过被充电基准电位(共用电位)，从而在其与由tft11充电的像素电极12之间产生电位差。基于该电位差，液晶层10c的液晶分子的取向状态发生变化，从而能按每个像素部px进行规定的灰度级显示。另外，优选为了平坦化而在彩色滤光片15与相对电极17之间形成有覆膜。

如图3至图5所示，阵列基板10a是在玻璃基板(基板)的内面侧层叠形成各种膜而得到的。具体地说，阵列基板10a具有：第1金属膜(导电膜、栅极金属膜)18；栅极绝缘膜(第1绝缘膜)19，其配置在第1金属膜18的上层侧；半导体膜20，其配置在栅极绝缘膜19的上层侧；第2金属膜(导电膜、源极金属膜)21，其配置在半导体膜20的上层侧；层间绝缘膜(绝缘膜、第2绝缘膜)22，其配置在第2金属膜21的上层侧；平坦化膜(绝缘膜、第3绝缘膜)23，其配置在层间绝缘膜22的上层侧；透明电极膜24，其配置在平坦化膜23的上层侧；以及取向膜10e，其配置在透明电极膜24的上层侧。

第1金属膜18和第2金属膜21均为包括1种金属材料的单层膜或者包括不同种类的金属材料的层叠膜、合金，从而具有导电性和遮光性。如图3至图5所示，第1金属膜18构成栅极配线13、tft11的栅极电极11a等。第2金属膜21构成源极配线14、tft11的源极电极11b等。半导体膜20为例如使用氧化物半导体作为材料的氧化物半导体膜。半导体膜20构成tft11的沟道部11d等。透明电极膜24例如包括ito(indiumtinoxide：氧化铟锡)、izo(indiumzincoxide：氧化铟锌)等透明电极材料，构成像素电极12等。

栅极绝缘膜19和层间绝缘膜22均包括作为一种无机绝缘材料(无机树脂材料)的sio2(氧化硅、硅氧化物)、sinx(氮化硅)等。平坦化膜23包括作为一种有机绝缘材料(有机材料)的pmma(丙烯酸树脂)等。栅极绝缘膜19介于第1金属膜18与半导体膜20之间并将它们绝缘。特别是，栅极绝缘膜19中的介于包括第1金属膜18的栅极配线13与包括第2金属膜21的源极配线14的交叉部间的部分将两配线13、14间绝缘。层间绝缘膜22和平坦化膜23介于半导体膜20及第2金属膜21与透明电极膜24之间并将它们绝缘。其中的平坦化膜23其膜厚比包括无机树脂材料的其它绝缘膜19、22大，为了将阵列基板10a的表面平坦化而发挥功能。在层间绝缘膜22和平坦化膜23中的与tft11的漏极电极11c和像素电极12的重叠部位重叠的位置，开口形成有接触孔ch。因此，相互重叠的漏极电极11c的像素连接部11c1和像素电极12的一部分通过接触孔ch连接。

在此，使用图6至图8详细说明取向膜10e。图6是用于说明阵列基板10a的取向膜10e的取向处理的图，是从液晶层10c侧观看阵列基板10a的图。图7是用于说明cf基板10b的取向膜10e的取向处理的图，是从与液晶层10c侧相反的一侧，即从贴附有偏振板的一侧观看cf基板10b的图。图8是用于说明液晶面板10的1个像素部px中的液晶分子的倾斜方向(取向方向)等的图，是以阵列基板10a为下，以cf基板10b为上，从cf基板10b侧观看的图。设置于两基板10a、10b的各自的最内面的取向膜10e为在液晶层10c未被施加电压的状态下均使液晶层10c所包含的液晶分子的长轴相对于基板的膜面大致垂直地取向的垂直取向膜。即，本实施方式的液晶面板10的显示模式为va(verticalalignment：垂直取向)模式，更详细地说，液晶分子的取向按划分像素部px的4个畴pxd中的每个畴pxd而不同，例如为4d-rtn(4-domainreversetwistednematic：4畴反向扭曲向列)模式。具体地说，取向膜10e为通过对其表面进行光取向处理从而能对液晶分子赋予取向限制力的光取向膜，光取向处理为与上述的多个畴pxd相应的光取向处理。即，如图6所示，针对阵列基板10a侧的取向膜10e，对在制造过程中以各像素部px的在x轴方向上的中央位置为边界沿着x轴方向排列的2个区域分别照射沿着y轴方向相互反向的取向处理光(偏振紫外线)。图6中由中空箭头图示出取向处理光的照射方向，由实线箭头图示出液晶分子的倾斜方向(取向方向、液晶层被施加电压时液晶分子倾倒的方向)。在本实施方式中，对图6所示的左侧的区域照射了该图的向上的取向处理光，对图6所示的右侧的区域照射了该图的向下的取向处理光。此外，当照射相互反向的取向处理光时，使用掩模以使不需要的部分不被照射取向处理光。另一方面，如图7所示，针对cf基板10b侧的取向膜10e，对在制造过程中以各像素部px的在y轴方向上的中央位置为边界在y轴方向上排列的2个区域分别照射沿着x轴方向相互反向的取向处理光。图7中由中空箭头图示出取向处理光的照射方向，由实线箭头图示出液晶分子的倾斜方向。在本实施方式中，对图7所示的上侧的区域照射了该图的向左的取向处理光，对图7所示的下侧的区域照射了该图的向右的取向处理光。

如图8所示，像素部px被进行这种光取向处理的一对取向膜10e分割为液晶分子的倾斜方向相互不同的4个畴pxd。图8中由实线箭头图示出液晶层10c的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向。4个畴pxd在x轴方向和y轴方向上各排列2个而配置为矩阵状。在4个畴pxd的边界位置，液晶分子的取向与4个畴pxd均不同，该处为取向边界部25。取向膜10e具有在俯视时为大致十字型的取向边界部25。取向边界部25为包含沿着y轴方向延伸的第1取向边界部25a和沿着x轴方向延伸的第2取向边界部25b的构成。此外，在图2和图8中，由单点划线图示出4个畴pxd的取向边界部25。该取向边界部25难以适当控制液晶分子的取向状态，有易于成为光量局部少的暗部的趋势。此外，在图8中，以阴影状图示了暗部的产生区域。在本实施方式中，4个畴pxd中的液晶分子的倾斜方向设定为彼此各相差90度的整数倍。即，在图8所示的右上的畴pxd中，液晶分子的倾斜方向为左斜向上，在图8所示的左上的畴pxd中，液晶分子的倾斜方向为左斜向下，在图8所示的左下的畴pxd中，液晶分子的倾斜方向为右斜向下，在图8所示的右下的畴pxd中，液晶分子的倾斜方向为右斜向上。这样，配置于各畴pxd的液晶分子的取向由一对取向膜10e分别限制为不同的方向，因此显示于液晶面板10的图像的视野角特性被平均化，从而能得到良好的显示性能。

此外，如图2和图4所示，在构成本实施方式的液晶面板10的阵列基板10a中，设置有隔着层间绝缘膜22和平坦化膜23(绝缘膜)与像素电极12重叠的电容配线26。电容配线26被确保为基准电位(例如可以是与相对电极17相同的电位，也可以是与相对电极17之间保持特定的电位差的电位)，并且在电容配线26与其所重叠的像素电极12之间形成静电电容，因此当像素电极12被充电时会保持其电位。电容配线26沿着y轴方向即沿着像素电极12的短边方向延伸，换句话说以与源极配线14并行的方式延伸。电容配线26沿着y轴方向排列并横穿成为1个列的多个像素电极12中的全部像素电极，为与这些像素电极12一并重叠的配置。电容配线26在长边方向上空开像素电极12的长边尺寸程度的间隔地排列配置有多个。电容配线26的排列间隔与源极配线14的排列间隔以及x轴方向上的像素电极12的排列间隔大致相等。电容配线26的设置数量与x轴方向上的像素电极12的排列数量以及源极配线14的设置数量一致。

然而，在构成本实施方式的液晶面板10的阵列基板10a中，如图2所示，如已叙述的那样，以沿着像素电极12的长边方向(x轴方向)延伸的方式设置有栅极配线13，并且以沿着像素电极12的短边方向(y轴方向)延伸的方式设置有源极配线14。由此，实现了源极配线14的设置数量的削减，但是另一方面，栅极配线13的设置数量增加了。因此，源极配线14存在与栅极配线13的交叉部位数量变多的趋势，有可能由于在源极配线14与栅极配线13之间产生的寄生电容而产生信号钝化。关于这一点，由于电容配线26沿着像素电极12的短边方向延伸，因此为与源极配线14不交叉而与栅极配线13交叉的关系。由此，能避免在源极配线14与电容配线26之间产生寄生电容，因此若与电容配线沿着像素电极12的长边方向延伸而在源极配线14与电容配线之间产生寄生电容的构成相比，在源极配线14可能产生的信号钝化被减轻。

并且，如图2和图4所示，电容配线26以与取向边界部25的至少一部分重叠的方式配置。详细地说，电容配线26配置在像素电极12的x轴方向上的大致中央位置，以与取向边界部25中的沿着y轴方向延伸的第1取向边界部25a的大致整个区域重叠的方式配置。该取向边界部25如已叙述的那样，难以适当控制液晶分子的取向状态，有易于成为光量局部少的暗部的趋势。特别是，取向边界部25所引起的暗部有时会由于对形成于阵列基板10a的取向膜10e的表面进行光取向处理时使用的掩模的对准精度而位置、宽度发生变动，当在显示区域中存在暗部的宽度不同的部分时，会有易于被视觉识别为显示不均的趋势。通过将电容配线26与这种取向边界部25的第1取向边界部25a重叠配置，从而由于电容配线26而变得不易视觉识别到第1取向边界部25a所引起的显示不均，并且电容配线26与像素电极12重叠配置所引起的亮度降低被抑制。而且，电容配线26与源极配线14包括相同的第2金属膜21。由此，若与两配线包括不同的金属膜的情况相比，能实现制造成本的低廉化。另外，源极配线14和电容配线26虽然均沿着y轴方向延伸且为与栅极配线13交叉的关系，但是由于包括与栅极配线13之间隔着栅极绝缘膜19的第2金属膜21，因此避免了与栅极配线13的短路。

在构成本实施方式的液晶面板10的阵列基板10a中，如图2和图5所示，设置有沿着像素电极12的长边方向延伸且以与取向边界部25中的第2取向边界部25b重叠的方式配置的遮光部27。遮光部27配置在像素电极12的y轴方向上的大致中央位置，以与取向边界部25的沿着x轴方向延伸的第2取向边界部25b的除了两端部以外的大部分重叠的方式配置。第2取向边界部25b与第1取向边界部25a同样，产生的暗部的位置、宽度由于对形成于cf基板10b的取向膜10e的表面进行光取向处理时使用的掩模的对准精度而发生变动，易于视觉识别到显示不均，而且与第1取向边界部25a相比存在于更大范围，因此有更易于视觉识别到显示不均的趋势。通过将遮光部27与这种第2取向边界部25b重叠配置，从而由于利用遮光部27而变得不易视觉识别到第2取向边界部25b所引起的显示不均，并且遮光部27与像素电极12重叠配置所引起的亮度降低被抑制。而且，遮光部27与电容配线26包括相同的第2金属膜21且与电容配线26相连。由于遮光部27以隔着层间绝缘膜22以及平坦化膜23与像素电极12重叠的方式配置，因此在遮光部27与像素电极12之间形成静电电容。遮光部27电连接到电容配线26，因此在像素电极12与电容配线26之间形成的静电电容变大，由此能更良好地保持像素电极12的电位。另外，若与遮光部包括与电容配线26之间隔着绝缘膜的别的金属膜(导电膜)，利用在该绝缘膜开口形成的接触孔将遮光部和电容配线26连接的情况相比，能避免产生这种接触孔所引起的暗部。

另外，如图2所示，在第2取向边界部25b，以重叠的方式配置有tft11的漏极电极11c的像素连接部11c1和接触孔ch。像素连接部11c1和接触孔ch配置在像素电极12的y轴方向上的大致中央位置，为与上述的遮光部27排列在同一直线上的配置。像素连接部11c1和接触孔ch以与像素电极12的x轴方向上的一侧(图2所示的左侧)的端部重叠的方式配置，与遮光部27不重叠地配置。在此，在将漏极电极11c的像素连接部11c1与像素电极12的一部分连接的接触孔ch的周边，液晶层10c所包含的液晶分子的取向易于紊乱，因此本来存在对显示的贡献度低的趋势。关于这一点，由于漏极电极11c的像素连接部11c1以与第2取向边界部25b重叠的方式配置，因此若与其为与第2取向边界部25b不重叠的配置的情况相比，能确保像素电极12中被有效地利用于显示的范围广。由此，能确保显示质量良好。

在此，参照图8详细说明像素电极12的外周缘部与液晶层10c的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向的关系。如图8所示，像素电极12的外周缘部构成了像素部px的4个畴pxd的除了取向边界部25侧的各2边以外的外侧的各2边。相对于此，液晶层10c所包含的液晶分子的倾斜方向如已叙述的那样在各畴pxd中彼此各相差90度的整数倍。因此，在图8所示的右上的畴pxd中，与像素电极12的短边侧的缘部12s正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成锐角(不超过90度的角度)，而与像素电极12的长边侧的缘部12l正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成钝角(超过90度的角度)。同样地，在图8所示的左上的畴pxd中，与像素电极12的短边侧的缘部12s正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成钝角，而与像素电极12的长边侧的缘部12l正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成锐角。同样地，在图8所示的左下的畴pxd中，与像素电极12的短边侧的缘部12s正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成锐角，而与像素电极12的长边侧的缘部12l正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成钝角。在图8所示的右下的畴pxd中，与像素电极12的短边侧的缘部12s正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成钝角，而与像素电极12的长边侧的缘部12l正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向与液晶分子的倾斜方向成锐角。然而，在像素电极12的外周缘部附近，存在在栅极配线13、源极配线14与像素电极12之间产生的电场，该电场可能对液晶层10c所包含的液晶分子作用取向限制力。在作为像素电极12的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角的缘部附近产生的电场对液晶分子作用与上述的倾斜方向为反向的取向限制力，因此在该缘部附近，液晶分子的取向易于紊乱，有可能被视觉识别为暗部。特别是，上述的液晶分子的取向紊乱所引起的暗部可能会根据在作为像素电极12的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角的缘部附近产生的电场的强度而宽度略有变动。上述的电场的强度根据像素电极12的缘部与栅极配线13、源极配线14的侧缘部的距离、层间绝缘膜22、平坦化膜23的膜厚等而发生变动。因此，当在显示区域中存在暗部的宽度不同的部分时，会有易于被视觉识别为显示不均的趋势。

因此，在构成本实施方式的液晶面板10的阵列基板10a中，如图2和图5所示，设置有以与作为像素电极12的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于在液晶层10c被施加电压时的液晶层10c的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向成钝角的缘部的至少一部分重叠的方式配置的边缘遮光部28。边缘遮光部28是以与作为像素电极12的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12l的至少一部分重叠的方式配置。具体地说，边缘遮光部28以与图2所示的右上的畴pxd中的像素电极12的长边侧的缘部12l和图2所示的左下的畴pxd中的像素电极12的长边侧的缘部12l分别重叠的方式配置有2个。边缘遮光部28沿着x轴方向延伸而与上述的像素电极12的长边侧的各缘部12l的大致整个区域重叠。根据这种构成，即使在由于通过在作为像素电极12的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12l与栅极配线13之间产生的电场作用到液晶分子的取向限制力而液晶分子的取向发生了紊乱的情况下，也会由于与上述的方位角方向相对于上述的液晶分子的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12l重叠配置的边缘遮光部28，而不易视觉识别到取向紊乱所引起的暗部。由此，即使在显示区域中产生了暗部的宽度不同的部分，也不易被视觉识别为显示不均，能确保显示质量良好。而且，上述的方位角方向相对于上述的液晶分子的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12l与短边侧的缘部12s相比，其形成范围广，因此虽然有暗部的产生范围也变广的趋势，但是通过将边缘遮光部28与长边侧的缘部12l重叠配置，不易视觉识别到在长边侧的缘部12l附近可能在大范围内产生的暗部。由此，能确保显示质量更良好。此外，虽然在图2所示的左上的畴pxd和右下的畴pxd的短边侧的各缘部12s未重叠配置有边缘遮光部28，但是由于与长边侧的缘部12l相比，可能产生的暗部的范围比较窄，因此不会使显示质量显著劣化。另外，即使在通过用黑矩阵16隐藏暗部来改善显示质量的情况下，与长边侧的缘部12l相比，在短边侧的各缘部12s可能产生的暗部的范围也比较窄，因此对亮度降低带来的影响小。

如图2和图5所示，边缘遮光部28与电容配线26包括相同的第2金属膜21且与电容配线26相连。边缘遮光部28以隔着层间绝缘膜22以及平坦化膜23与像素电极12的长边侧的缘部12l重叠的方式配置，因此在边缘遮光部28与像素电极12之间形成静电电容。边缘遮光部28电连接到电容配线26，因此能将在作为像素电极12的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12l附近产生的电场屏蔽。由此，在上述的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12l附近更不易发生液晶分子的取向紊乱，因此更不易视觉识别到暗部而有利于显示质量的改善。而且，通过将边缘遮光部28电连接到电容配线26，在像素电极12与电容配线26之间形成的静电电容变大，由此能更良好地保持像素电极12的电位。另外，若与边缘遮光部包括与电容配线26之间隔着绝缘膜的别的金属膜(导电膜)，利用在该绝缘膜开口形成的接触孔将边缘遮光部和电容配线26连接的情况相比，能避免产生这种接触孔所引起的暗部。

如图2和图5所示，边缘遮光部28以与栅极配线13不重叠且与栅极配线13的侧缘部13e相邻的方式配置。这样，能由以与栅极配线13的侧缘部13e相邻的方式配置的边缘遮光部28将在栅极配线13的侧缘部13e与像素电极12的长边侧的缘部12l之间可能产生的电场屏蔽。由此，在上述的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12l附近更不易发生液晶分子的取向紊乱，因此更不易视觉识别到暗部而有利于显示质量的改善。另外，由于边缘遮光部28以与栅极配线13不重叠的方式配置，因此在栅极配线13与电容配线26之间可能产生的寄生电容被抑制。

如以上说明所示，本实施方式的液晶面板(显示装置)10具备：长条状的像素电极12；tft(开关元件)11，其连接到像素电极12；栅极配线(扫描配线)13，其沿着像素电极12的长边方向延伸并连接到tft11，传送对tft11进行驱动的信号；源极配线(图像配线)14，其沿着像素电极12的短边方向延伸并连接到tft11，传送对像素电极12进行充电的信号；液晶层10c，其包含液晶分子；在液晶层10c被施加电压时液晶分子的取向方向不同的多个畴pxd；取向边界部25，其位于多个畴pxd的边界；取向膜10e，其使液晶分子取向；以及电容配线26，其沿着短边方向延伸并隔着层间绝缘膜22和平坦化膜23(绝缘膜)与像素电极12重叠，且以与取向边界部25的至少一部分重叠的方式配置。

这样，当tft11基于传送到栅极配线13的信号而被驱动时，传送到源极配线14的信号会经由tft11供应到像素电极12，由此，像素电极12被充电。被充电的像素电极12在其与隔着层间绝缘膜22和平坦化膜23重叠的电容配线26之间形成静电电容，由此能保持像素电极12的电位。在此，在将栅极配线13和源极配线14各设置多个的情况下，沿着像素电极12的短边方向延伸的源极配线14的排列间隔比沿着像素电极12的长边方向延伸的栅极配线13的排列间隔大。因此，若与将栅极配线和源极配线的各延伸方向设为相反的关系的情况相比，源极配线14的设置数量变少，在实现高清晰化上是优选的。另一方面，栅极配线13的设置数量变多，因此源极配线14有与栅极配线13的交叉部位数变多的趋势，有可能由于在源极配线14与栅极配线13之间产生的寄生电容而发生信号钝化。关于这一点，由于电容配线26沿着像素电极12的短边方向延伸，因此为与源极配线14不交叉而与栅极配线13交叉的关系。由此，能避免在源极配线14与电容配线26之间产生寄生电容，因此若与电容配线沿着像素电极12的长边方向延伸且在源极配线14与电容配线之间产生寄生电容的构成相比，在源极配线14可能发生的信号钝化被减轻。而且，电容配线26以与位于液晶层10c所包含的液晶分子的取向方向不同的多个畴pxd的边界的取向边界部25的至少一部分重叠的方式配置。该取向边界部25难以适当控制液晶分子的取向状态，易于成为光量局部少的暗部。如果将电容配线26与这种取向边界部25的至少一部分重叠配置，则会由于电容配线26，而变得不易视觉识别到显示区域中的暗部的宽度等的差别所引起的显示不均，并且电容配线26与像素电极12重叠配置所引起的亮度降低被抑制。

另外，取向膜10e被进行了使液晶分子的取向方向不同的多个取向处理，被进行了多个取向处理的部分的边界与取向边界部25对应。当对取向膜10e进行了取向处理时，被进行了该取向处理的部分会使得液晶分子取向为特定的方向。取向膜10e以使液晶分子的取向方向不同的方式被进行了多个取向处理，被进行了多个取向处理的部分的边界与多个畴pxd的边界为对应的关系。

另外，取向边界部25构成为包含：第1取向边界部25a，其沿着短边方向延伸，与电容配线26重叠；以及第2取向边界部25b，其沿着长边方向延伸，具备沿着长边方向延伸且以与第2取向边界部25b重叠的方式配置的遮光部27。这样，会由沿着像素电极12的短边方向延伸的第1取向边界部25a和沿着长边方向延伸的第2取向边界部25b划分出液晶分子的取向方向不同的4个畴pxd，因此在实现视野角特性的提高上是优选的。通过在取向边界部25中的第1取向边界部25a以重叠的方式配置电容配线26，从而不易视觉识别到第1取向边界部25a所引起的暗部。相对于此，通过在第2取向边界部25b以重叠的方式配置遮光部27，从而不易视觉识别到比第1取向边界部25a范围广的第2取向边界部25b所引起的暗部。由此，更不易视觉识别到取向边界部25所引起的暗部，不易视觉识别到显示区域中的暗部的宽度等的差别所引起的显示不均。

另外，遮光部27电连接到电容配线26。这样，由于遮光部27电连接到电容配线26，因此在像素电极12与电容配线26之间形成的静电电容变大，由此能更良好地保持像素电极12的电位。

另外，遮光部27与电容配线26包括相同的第2金属膜(导电膜)21且与电容配线26相连。这样，若与遮光部包括与电容配线26之间隔着绝缘膜的别的金属膜(导电膜)，利用在该绝缘膜开口形成的接触孔将遮光部和电容配线26连接的情况相比，能避免产生这种接触孔所引起的暗部。

另外，tft11具有：栅极电极11a，其连接到栅极配线13；源极电极11b，其连接到源极配线14；漏极电极11c，其连接到像素电极12；以及沟道部11d，其连接到源极电极11b和漏极电极11c，漏极电极11c具有像素连接部11c1，像素连接部11c1与第2取向边界部25b重叠，并且隔着层间绝缘膜22以及平坦化膜23与像素电极12的一部分重叠，通过在层间绝缘膜22和平坦化膜23开口形成的接触孔ch连接到像素电极12。这样，当被传送给栅极配线13的信号供应到栅极电极11a时，tft11会被驱动。于是，被传送给源极配线14的信号供应到源极电极11b，从源极电极11b经由沟道部11d供应到漏极电极11c。由于漏极电极11c的像素连接部11c1通过在介于中间的层间绝缘膜22和平坦化膜23开口形成的接触孔ch连接到像素电极12，因此像素电极12被充电为基于被传送到源极配线14的信号的电位。在此，在将漏极电极11c与像素电极12的一部分连接的接触孔ch的周边，液晶层10c所包含的液晶分子的取向易于紊乱，因此本来存在对显示的贡献度低的趋势。关于这一点，由于漏极电极11c的像素连接部11c1以与第2取向边界部25b重叠的方式配置，因此若与其为与第2取向边界部25b不重叠的配置的情况相比，能确保在像素电极12中被有效利用于显示的范围广。由此，能确保显示质量良好。

另外，具备边缘遮光部28，边缘遮光部28以与像素电极12的外周缘部所包含的如下缘部的至少一部分重叠的方式配置：与该缘部正交且朝向上述像素电极的内侧的方位角方向相对于在液晶层10c被施加电压时的液晶层10c的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向成钝角。在像素电极12的外周缘部附近，存在与其它导电体(栅极配线13、源极配线14)之间产生的电场，该电场可能对液晶层10c所包含的液晶分子作用取向限制力。像素电极12的外周缘部包含如下这样的缘部。即，该缘部是如下缘部：与该缘部正交且朝向像素电极12的内侧的方位角方向相对于在液晶层10c被施加电压时的液晶层10c的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向成钝角。在该缘部附近产生的电场使与上述的倾斜方向反向的取向限制力作用于液晶分子，因此在该缘部附近，液晶分子的取向易于变得紊乱。关于这一点，由于边缘遮光部28是以与像素电极12的外周缘部中的上述的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的缘部的至少一部分重叠的方式配置，因此即使通过上述的电场作用了取向限制力而液晶分子的取向发生了紊乱，也不易视觉识别到液晶分子的取向紊乱所引起的显示不良。由此，能确保显示质量良好。

另外，边缘遮光部28以与像素电极12的外周缘部所包含的如下缘部的至少一部分重叠的方式配置：该缘部是与该缘部正交且朝向上述像素电极的内侧的方位角方向相对于倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12l。像素电极12的外周缘部中的长边侧的缘部12l与短边侧的缘部12s相比形成范围广。通过将边缘遮光部28以与上述的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部12l的至少一部分重叠的方式配置，从而不易视觉识别到在长边侧的缘部12l附近可能在大范围内产生的显示不良。由此，能确保显示质量更良好。

另外，边缘遮光部28电连接到电容配线26。这样，在像素电极12的外周缘部中的上述的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的缘部的至少一部分附近产生的电场被与电容配线26电连接的边缘遮光部28屏蔽。由此，在上述的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的缘部附近更不易发生液晶分子的取向紊乱，因此更不易视觉识别到显示不良而有利于显示质量的改善。而且，与像素电极12的上述的缘部重叠的边缘遮光部28电连接到电容配线26，从而在像素电极12与电容配线26之间形成的静电电容变大，由此能更良好地保持像素电极12的电位。

另外，栅极配线13以与像素电极12不重叠的方式配置，边缘遮光部28以与栅极配线13不重叠并且与栅极配线13的侧缘部13e相邻的方式配置。这样，由于栅极配线13以与像素电极12不重叠的方式配置，从而在栅极配线13与像素电极12之间可能产生的寄生电容被抑制。在栅极配线13的侧缘部13e与像素电极12的长边侧的缘部12l之间可能产生的电场被以与栅极配线13的侧缘部13e相邻的方式配置的边缘遮光部28屏蔽。由此，在上述的方位角方向相对于上述的倾斜方向成钝角的缘部附近更不易发生液晶分子的取向紊乱，因此更不易视觉识别到显示不良而有利于显示质量的改善。另外，由于边缘遮光部28以与栅极配线13不重叠的方式配置，因此在栅极配线13与电容配线26之间可能产生的寄生电容被抑制。

另外，边缘遮光部28与电容配线26包括相同的第2金属膜(导电膜)21且与电容配线26相连。这样，若与边缘遮光部包括与电容配线26之间隔着绝缘膜的别的金属膜(导电膜)，通过在该绝缘膜开口形成的接触孔将边缘遮光部和电容配线26连接的情况相比，能避免产生这种接触孔所引起的暗部。

另外，电容配线26与源极配线14包括相同的第2金属膜(导电膜)21。源极配线14和电容配线26沿着像素电极12的短边方向延伸且为与栅极配线13交叉的关系，因此为了避免短路而优选源极配线14和电容配线26包括与栅极配线13之间隔着栅极绝缘膜(绝缘膜)19的第2金属膜21。在此，假如使源极配线与电容配线包括不同的导电膜，则栅极配线13、源极配线以及电容配线会分别包括不同的金属膜(导电膜)，因此制造成本有可能变高。关于这一点，如果电容配线26与源极配线14包括相同的第2金属膜21，则所需的金属膜的数量被削减，因此在实现制造成本的低廉化上是有用的。

＜实施方式2＞

根据图9或图10说明本发明的实施方式2。在该实施方式2中，示出变更了边缘遮光部128的配置的实施方式。此外，对与上述的实施方式1同样的结构、作用以及效果省略重复的说明。

在本实施方式中，如图9所示，在构成像素部px的4个畴pxd的液晶层被施加电压时的液晶层的厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向设定为与实施方式1不同的配置。即，在图9所示的右上的畴pxd中，液晶分子的倾斜方向为右斜向下，在图9所示的右下的畴pxd中，液晶分子的倾斜方向为左斜向下，在图9所示的左下的畴pxd中，液晶分子的倾斜方向为左斜向上，在图9所示的左上的畴pxd中，液晶分子的倾斜方向为右斜向上。因此，在图9所示的右上的畴pxd中，与像素电极112的长边侧的缘部112l正交且朝向像素电极112的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成锐角，而与像素电极112的短边侧的缘部112s正交且朝向像素电极112的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角。同样地，在图9所示的右下的畴pxd中，与像素电极112的长边侧的缘部112l正交且朝向像素电极112的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角，而与像素电极112的短边侧的缘部112s正交且朝向像素电极112的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成锐角。同样地，在图9所示的左下的畴pxd中，与像素电极112的长边侧的缘部112l正交且朝向像素电极112的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成锐角，而与像素电极112的短边侧的缘部112s正交且朝向像素电极112的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角。在图9所示的左上的畴pxd中，与像素电极112的长边侧的缘部112l正交且朝向像素电极112的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角，而与像素电极112的短边侧的缘部112s正交且朝向像素电极112的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成锐角。此外，在图9中，将暗部的发生区域图示为阴影状。

在这种构成的像素部px中，如图10所示，边缘遮光部128以与作为像素电极112的外周缘部所包含的缘部、并且与该缘部正交且朝向像素电极112的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角的长边侧的缘部112l重叠的方式配置。详细地说，边缘遮光部128以与图10所示的左上的畴pxd中的像素电极112的长边侧的缘部112l以及图10所示的右下的畴pxd中的像素电极112的长边侧的缘部112l分别重叠的方式配置有2个。即使在这种构成中，与上述的实施方式1同样，利用边缘遮光部128也得到遮光效果和屏蔽效果等。

＜其它实施方式＞

本发明不限于通过上述记载和附图所说明的实施方式，例如如下的实施方式也包含于本发明的技术范围中。

(1)除了上述的各实施方式以外，也能适当变更像素部的各畴中的液晶分子的倾斜方向的设定。例如，在4个畴中液晶分子的倾斜方向也可以设定为朝向像素部的中心。在该情况下，在像素电极的外周缘部的整个区域中，与该缘部正交且朝向像素电极的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成锐角，因此在外周缘部附近在整周上不易产生暗部。因此，可以说该构成对于省略边缘遮光部是优选的。

(2)除了上述的(1)以外，在4个畴中液晶分子的倾斜方向也可以设定为从像素部的中心以辐射状朝向外侧。在该情况下，在像素电极的外周缘部的整个区域中，与该缘部正交且朝向像素电极的内侧的方位角方向相对于液晶分子的倾斜方向成钝角，因此在外周缘部附近在整周上易于产生暗部。在这种构成中，最优选将边缘遮光部以与像素电极的外周缘部在整周上重叠的方式配置，但即使是使其与像素电极的长边侧的缘部在整个长度上重叠也能充分抑制暗部的视觉识别，因而是优选的。

(3)在上述的各实施方式中，示出了边缘遮光部配置为仅与像素电极的外周缘部中的长边侧的缘部重叠的情况，但边缘遮光部也可以是以与像素电极的外周缘部中的短边侧的缘部重叠的方式配置。在该情况下，也能以仅与像素电极的外周缘部中的短边侧的缘部重叠的方式配置边缘遮光部，但是也能以与像素电极的外周缘部中的长边侧的缘部和短边侧的缘部双方重叠的方式配置边缘遮光部。

(4)在上述的各实施方式中，示出了遮光部和边缘遮光部均与电容配线包括相同的第2金属膜的情况，但是遮光部和边缘遮光部中的至少一方与电容配线也可以包括不同的金属膜或透明电极膜、半导体膜(特别是，以使得电阻比构成tft的沟道部的半导体膜低的方式进行了处理的半导体膜)，也可以将它们层叠。例如，也可以如图11所示，使用以使得电阻比构成tft11的沟道部11d的半导体膜低的方式进行了处理的半导体膜形成第2遮光部27b，使该第2遮光部27b与实施方式1、2中说明的遮光部27(参照图2)相连。此时，第2遮光部27b不隔着绝缘膜而形成在遮光部27的紧邻下层，从而实现了与遮光部27的导通。此外，为了将与电容配线包括不同的金属膜的遮光部、边缘遮光部连接到电容配线，只要在介于其与电容配线之间的绝缘膜开口形成接触孔即可。即使遮光部、边缘遮光部包括透明电极膜等，也能得到增大静电电容，将在栅极配线、源极配线与像素电极之间产生的电场屏蔽的效果。

(5)在上述的各实施方式中，示出了遮光部和边缘遮光部均电连接到电容配线的情况，但是遮光部和边缘遮光部中的至少一方也可以不与电容配线电连接。在该情况下，对于与电容配线不连接的遮光部、边缘遮光部，也能使其与电容配线包括不同的金属膜(导电膜)，但是也可以使其与电容配线包括相同的第2金属膜。

(6)除了上述的各实施方式以外，也能省略遮光部。同样地，也能省略边缘遮光部。

(7)除了上述的各实施方式以外，也可以为构成tft的漏极电极的像素连接部与第2取向边界部不重叠的配置。

(8)在上述的各实施方式中，示出了像素部中的畴的数量为4的情况，但像素部中的畴的数量也可以是4以外(例如2、6、8等)。

(9)在上述的各实施方式中，示出了取向膜通过被进行光取向处理从而成为对液晶分子发挥取向限制力的光取向膜的情况，但是取向膜也可以为不是光取向膜的垂直取向膜。在该情况下，例如优选在阵列基板或cf基板的表面形成肋(凸部)或狭缝(凹部)，利用该肋或狭缝得到对液晶分子的取向限制力。

(10)在上述的各实施方式中，示出了在阵列基板和cf基板两者设置有取向膜的情况，但是也可以仅在阵列基板和cf基板中的任意一方设置有取向膜。

(11)在上述的各实施方式中，示出了在阵列基板中tft被平面配置为之字形状的情况，但是tft也可以被平面配置为矩阵状。

(12)在上述的各实施方式中，示出了在阵列基板设置有栅极电路部的情况，但是也可以省略栅极电路部，在阵列基板安装具有与栅极电路部同样的功能的栅极驱动器。

(13)在上述的各实施方式中，示出了在阵列基板以cog方式安装驱动器的情况，但驱动器也可以是以cof(chiponfilm：膜上芯片)方式安装于柔性基板。在该情况下，柔性基板以fog(filmonglass：玻璃上膜)方式安装到阵列基板。

(14)在上述的各实施方式中，示出了构成tft的沟道部的半导体膜包括氧化物半导体的情况，但是半导体膜也可以包括非晶硅。另外，半导体膜也可以是多晶硅，在该情况下，优选tft设为底栅型，或者设为在沟道部的下层(贴附阵列基板侧的偏振板的一侧)具备遮光膜的顶栅型。

(15)在上述的各实施方式中，例示了具备透射型的液晶面板的液晶显示装置，但也可以是具备反射型的液晶面板或半透射型的液晶面板的液晶显示装置。