标尺、光罩及判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种标尺、光罩及判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法。


背景技术：

2.在薄膜晶体管液晶显示面板(thin film transistor liquid crystal display,tft
‑
lcd)的阵列(array)基板工艺中，所采用的光罩的机台曝光精度和范围决定了所制备的阵列基板的沟道层及各膜层图形的线宽/曝光重合精度，最终则会直接影响产品的发光特性，因而进行曝光制程之后对于挡板精度与基板边缘洗边精度的监控尤为重要。
3.目前使用拍照设备对挡板标尺和阵列基板边缘洗边标尺进行拍照，技术人员手动点开图片查看标尺是否超规，这样存在两个问题：一是人工判读失误会造成产品异常；二是人工手动判读会影响产线效率。
4.综上所述，需要提供一种新的标尺、光罩及判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，来解决上述技术问题。


技术实现要素：

5.本发明实施例提供一种标尺、光罩及判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，以解决现有技术中的判断阵列基板的边缘曝光区域的曝光情况是否合规的方法，通过人工判读失误会造成产品异常、人工手动判读会影响产线效率的技术问题。
6.为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
7.本发明实施例提供一种标尺，包括位于中间的基准刻度线和位于所述基准刻度线一侧的参照刻度线；
8.所述标尺还包括第一识别图案和第二识别图案，所述第一识别图案位于所述基准刻度线的一侧，所述第二识别图案位于所述参照刻度线的一侧，所述第一识别图案和所述第二识别图案相对于所述基准刻度线和所述参照刻度线位于相同侧。
9.根据本发明实施例提供的标尺，所述第一识别图案和所述第二识别图案为二维码。
10.本发明实施例提供一种光罩，包括上述标尺；
11.所述光罩还包括挡板，所述挡板包括遮光区和围绕所述遮光区的透光区，多个所述标尺设置于所述遮光区的边缘并朝所述透光区延伸。
12.本发明实施例提供一种判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，采用上述标尺，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
13.s10，提供阵列基板，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的边缘曝光区域，多个所述标尺设置于所述显示区的边缘并朝所述边缘曝光区域延伸；
14.s20，提供测试识别装置，所述测试识别装置位于所述阵列基板上；以及
15.s30，对所述阵列基板的所述边缘曝光区域进行扫描曝光，所述测试识别装置通过
识别读取所述第一识别图案和第二识别图案，来判断所述阵列基板的所述边缘曝光区域的洗边精度是否合规。
16.根据本发明实施例提供的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，当所述测试识别装置完整识别并读取所述第一识别图案和所述第二识别图案时，所述阵列基板的所述边缘曝光区域的洗边精度超规。
17.根据本发明实施例提供的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，当所述测试识别装置仅完整识别并读取所述第一识别图案，未完整识别并读取所述第二识别图案时，所述阵列基板的所述边缘曝光区域的洗边精度合规。
18.根据本发明实施例提供的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，当所述测试识别装置未完整识别并读取所述第一识别图案和所述第二识别图案时，所述阵列基板的所述边缘曝光区域的洗边精度超规。
19.根据本发明实施例提供的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，所述第一识别图案位于所述基准刻度线靠近所述显示区的一侧，所述第二识别图案位于所述参照刻度线靠近所述显示区的一侧。
20.根据本发明实施例提供的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，所述测试识别装置为高分辨率自动光学检测设备。
21.根据本发明实施例提供的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，所述第一识别图案和所述第二识别图案的尺寸大于50um*50um。
22.本发明的有益效果为：本发明提供的标尺、光罩及判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，通过在标尺对应基准刻度线和参照刻度线处分别设置有第一识别图案和第二识别图案，并将该标尺应用于光罩的挡板以及阵列基板的边缘处，通过测试识别装置识别读取所述第一识别图案和第二识别图案，来判断挡板的透光区或阵列基板的边缘曝光区域的曝光情况是否合规，从而减少人工误读，实现阵列基板的边缘曝光区域的洗边精度和挡板精度的实时监控，提升产品工艺生产周期。
附图说明
23.为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
24.图1为本发明实施例提供的一种标尺的结构示意图；
25.图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
26.图3为本发明实施例提供的一种判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法的流程示意图；
27.图4为本发明实施例提供的一种光罩的结构示意图；
28.图5为本发明实施例提供的一种挡板的结构示意图。
具体实施方式
29.以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施
例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
[0030]
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0031]
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0032]
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0033]
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0034]
本发明针对现有技术的判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，通过人工判读失误会造成产品异常、人工手动判读会影响产线效率，本实施例能够解决该缺陷。
[0035]
如图1所示，本发明实施例提供的标尺1，包括位于中间的基准刻度线11和位于所述基准刻度线11一侧的参照刻度线12，所述基准刻度线11和所述参照刻度线12相互平行，所述基准刻度线11和所述参照刻度线12之间的距离可以根据实际情况进行调整。
[0036]
所述标尺1还包括第一识别图案13和第二识别图案14，所述第一识别图案13位于所述基准刻度线11的一侧，所述第二识别图案14位于所述参照刻度线12的一侧，所述第一识别图案13和所述第二识别图案14相对于所述基准刻度线11和所述参照刻度线12位于相同侧。
[0037]
优选地，所述第一识别图案13和所述第二识别图案14可以为二维码。
[0038]
所述第一识别图案13和所述第二识别图案14的尺寸相同，且所述第一识别图案13
的尺寸小于所述基准刻度线11至所述参照刻度线12之间的垂直距离。
[0039]
如图2、图3所示，本发明实施例还提供一种判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，采用上述实施例中的所述标尺1。
[0040]
所述方法包括以下步骤：
[0041]
s10，提供阵列基板2，所述阵列基板2包括显示区21和围绕所述显示区21的边缘曝光区域22，多个所述标尺1设置于所述显示区21的边缘并朝所述边缘曝光区域22延伸。
[0042]
具体地，边缘曝光工艺即对所述阵列基板2进行洗边处理，将位于显示区21周边的光刻胶或金属层等残留物去除，以避免后续工艺污染，其中，洗边处理包括曝光以及后续的显影、刻蚀工艺。
[0043]
所述标尺1的长度方向分别对应垂直于所述显示区21的侧边，所述基准刻度线11与对应的所述显示区21的侧边相互重合，在本发明实施例中，所述第一识别图案13位于所述基准刻度线11靠近所述显示区21的一侧，所述第二识别图案14位于所述参照刻度线12靠近所述显示区21的一侧，也即是，所述第一识别图案13位于所述显示区21内，所述第二识别图案14位于所述边缘曝光区域22内。
[0044]
所述基准刻度线11和所述参照刻度线12之间的距离表示所述边缘曝光区域22的理想规格，通常情况下，所述基准刻度线11对应的刻度为0mm，所述参照刻度线12对应的刻度则根据实际情况确定，例如，所述基准刻度线11对应的刻度为0mm，所述参照刻度线12对应的刻度为
‑
1mm，此时，所述边缘曝光区域22的理想规格为
‑
1mm～0mm。
[0045]
s20，提供测试识别装置3，所述测试识别装置3位于所述阵列基板2上。
[0046]
具体地，所述测试识别装置3可以为摄像装置，例如高分辨率自动光学检测设备(automatic optic inspection high resolution,aoh)，能够实时且精确识别读取所述第一识别图案13和所述第二识别图案14。
[0047]
s30，对所述阵列基板2的所述边缘曝光区域22进行扫描曝光，所述测试识别装置3通过识别读取所述第一识别图案13和所述第二识别图案14来判断所述阵列基板2的所述边缘曝光区域22的洗边精度是否合规。
[0048]
所述测试识别装置3通过识别读取所述第一识别图案13和所述第二识别图案14，能够实现实时监控所述阵列基板2的所述边缘曝光区域22的洗边精度，减少人工误读，提升产品工艺生产周期。
[0049]
当所述测试识别装置3完整识别并读取所述第一识别图案13和所述第二识别图案14时，则说明所述第一识别图案13和所述第二识别图案14均未被曝光洗掉，实际曝光区域相比所述边缘曝光区域22过小，所述阵列基板2的所述边缘曝光区域22的洗边精度超规。
[0050]
当所述测试识别装置3仅完整识别并读取所述第一识别图案13，未完整识别并读取所述第二识别图案14时，则说明所述第二识别图案14被曝光洗掉，所述第一识别图案13未被曝光洗掉，实际曝光区域与所述边缘曝光区域22一致，所述阵列基板2的所述边缘曝光区域22的洗边精度合规。
[0051]
当所述测试识别装置3未完整识别并读取所述第一识别图案13和所述第二识别图案14时，则说明所述第一识别图案13和所述第二识别图案14均被曝光洗掉，实际曝光区域超出所述边缘曝光区域22，所述阵列基板2的所述边缘曝光区域22的洗边精度超规。
[0052]
所述第一识别图案13和所述第二识别图案14为二维码，所述第一识别图案13和所
述第二识别图案14的尺寸大于50um*50um，二维码在边长大于50um的情况下，可以被所述测试识别装置3精确识别读取，其精度可达到2um。
[0053]
当所述测试识别装置3判断得到所述阵列基板2的所述边缘曝光区域22的洗边精度超规时，所述测试识别装置3可以给所述阵列基板判定一个缺陷信号(defect code)，之后重工站点重新设计制程，以使边缘曝光区域22的曝光情况达到要求。
[0054]
如图4、图5所示，本发明实施例还提供一种光罩，所述光罩包括上述实施例中的所述标尺1，所述光罩还包括挡板4，所述挡板4包括遮光区41和围绕所述遮光区41的透光区42，多个所述标尺1设置于所述遮光区41的边缘并朝所述透光区42延伸。所述挡板4用于控制曝光范围，通过所述挡板4上的所述标尺1可以确认曝光范围。所述遮光区41与所述阵列基板2的所述显示区21对应设置，所述透光区42与所述阵列基板2的所述边缘曝光区域22对应设置。所述挡板上同样设置有所述测试识别装置3，用于实时监控所述挡板4的精度。
[0055]
所述光罩还包括用于承载所述阵列基板2的基台5以及提供光照的曝光光源等。
[0056]
所述标尺1相对于所述挡板4的放置位置与相对于所述阵列基板2的放置位置相同，而且，对于所述挡板4精度的监控与所述阵列基板2的所述边缘曝光区域22的洗边精度的监控方法相同，同理，能够实现实时监控所述挡板4的精度，减少人工误读，提升产品工艺生产周期，具体可参照上述实施例中的内容，在此不再赘述。
[0057]
有益效果为：本发明实施例提供的标尺、光罩及判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，通过在标尺对应基准刻度线和参照刻度线处分别设置有第一识别图案和第二识别图案，并将该标尺应用于光罩的挡板以及阵列基板的边缘处，通过测试识别装置识别读取所述第一识别图案和第二识别图案，来判断挡板的透光区或阵列基板的边缘曝光区域的曝光情况是否合规，从而减少人工误读，实现阵列基板的边缘曝光区域的洗边精度和挡板精度的实时监控，提升产品工艺生产周期。
[0058]
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。