技术特征：
1.一种混合光子芯片，所述混合光子芯片包括被布置成限定提供功能的芯片的多种半导体材料，其中，所述芯片的至少第一部分由能够使用cmos技术制造的材料形成；并且所述芯片的至少第二部分在cmos技术期间制造不易受影响；其中，与所述第一部分结合的所述芯片的所述第二部分被配置为支持传播的低损耗单模波导。2.根据权利要求1所述的混合光子芯片，其中，所述芯片的至少第二部分包括非线性晶体材料(χ2材料或任何其它电光材料)。3.根据权利要求2所述的混合光子芯片，其中，所述非线性晶体材料(χ2材料和任何其它电光材料)包括以下材料中的至少一种：铌酸锂(linbo3)、钽酸锂(litao3)、铌酸钾(knbo3)、钛酸钡(batio3)、磷酸氧钛钾(ktiopo4)、硼酸钡(bab2o4)。4.根据前述权利要求中任一项所述的混合光子芯片，其中，所述芯片的第一部分包括绝缘体上硅soi平台上的不单独支持单模传播的一个或多个硅带。5.根据权利要求4所述的混合光子芯片，其中，所述芯片的第二部分和所述一个或多个硅带一起支持单模传播。6.根据权利要求1至5中任一项所述的混合光子芯片，其中，所述混合芯片是调制器。7.根据权利要求6所述的混合光子芯片，其中，所述芯片的第二部分是被配置为基本上支持主要在所述非线性晶体材料中的光学模式的波导。8.根据权利要求6或7所述的混合光子芯片，其中，所述调制器是马赫曾德调制器。9.根据权利要求1至8中任一项所述的混合光子芯片，其中，所述芯片的第一部分包括电极。10.根据权利要求8所述的混合光子芯片，其中，所述电极位于所述芯片的第一部分的掩埋氧化物的间隙中，以容纳来自所述芯片的第二部分的键合点。11.根据权利要求1至10中的一项所述的混合光子芯片，其中，所述芯片的第二部分通过倒装芯片键合技术被施加到所述芯片的第一部分。12.根据权利要求11所述的混合光子芯片，其中，在所述倒装芯片键合技术期间，所述电极连接到所述芯片的第二部分。13.一种制造混合光子芯片的方法，所述方法不包括非线性晶体材料的蚀刻，所述方法包括：使用cmos制造工艺在绝缘体上硅soi平台上由半导体材料形成芯片的第一部分；将所述芯片的没有进行cmos处理步骤的第二部分施加到所述芯片的第一部分上；所述芯片的第二部分由被配置为基本上支持所述芯片的单个传播模式的材料制成。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述芯片的第二部分包括非线性晶体材料(χ2材料)。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述非线性晶体材料(χ2材料)包括以下材料中的至少一种：铌酸锂(linbo3)、钽酸锂(litao3)、铌酸钾(knbo3)、钛酸钡(batio3)、磷酸氧钛钾(ktiopo4)、硼酸钡(bab2o4)。16.根据权利要求13至15中任一项所述的方法，还包括在所述soi平台上形成不单独支持单模传播的一个或多个硅带。
17.根据权利要求13至16中任一项所述的方法，还包括形成作为调制器的混合芯片。18.根据权利要求17所述的方法，还包括将所述芯片的第二部分形成为被配置成基本上支持所述单个传播模式的波导。19.根据权利要求17或18所述的方法，还包括将所述调制器形成为马赫曾德调制器。20.根据权利要求13至19中任一项所述的方法，还包括将电极形成为所述芯片的第一部分的一部分。21.根据权利要求20所述的混合光子芯片，还包括将间隙蚀刻到所述soi平台的掩埋氧化物层中；形成位于所述芯片的第一部分的掩埋氧化物中的间隙中的电极，以接收来自所述芯片的第二部分的键合点。22.根据权利要求13至21中任一项所述的混合光子芯片，还包括以倒装芯片键合技术将所述芯片的第二部分施加到所述芯片的第一部分。23.根据权利要求22所述的混合光子芯片，其中，在所述倒装芯片键合技术期间，所述电极连接到所述芯片的第二部分。24.一种用于形成光子集成芯片的工艺设计套件，当在芯片制造系统中处理时，所述工艺设计套件使得所述芯片制造系统构成根据权利要求1至12中任一项所述的光子集成芯片。25.一种其上存储有芯片的计算机可读描述的计算机可读存储介质，当在芯片制造系统中处理所述芯片时，所述计算机可读描述使得芯片制造系统制造根据权利要求1至12中任一项所述的光子集成芯片。
技术总结
一种包括多种半导体材料的混合光子芯片，该多种半导体材料被布置成限定提供功能的芯片，其中芯片的至少第一部分由可以使用CMOS技术制造的材料形成；并且芯片的至少第二部分包括非线性晶体材料且未经蚀刻处理；其中与芯片的第一部分相结合的芯片的第二部分被配置为支持传播的低损耗单模波导。支持传播的低损耗单模波导。支持传播的低损耗单模波导。
技术研发人员：卢国强 肖恩
受保护的技术使用者：先进微晶圆私人有限公司
技术研发日：2020.04.24
技术公布日：2022/1/11