含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法与流程

含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法
1.相关申请的引证
2.本技术要求于2021年7月8日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2021-0089813号以及2022年5月18日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2022-0061046号的优先权和权益，通过引用将其全部内容并入本技术。
技术领域
3.本公开涉及含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物和包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。


背景技术：

4.近年来，半导体工业的临界尺寸不断减小，并且这种尺寸的减小要求新型高性能光致抗蚀剂材料以及图案化方法来满足对具有日益更小特征的处理和图案化的需求。
5.常规的化学放大(ca)光致抗蚀剂被设计为确保高灵敏度，但是由于其典型的元素组成(主要是c，包括更多更少量的o、f和s)降低约13.5nm波长处的吸光度，并且因此，降低灵敏度，光致抗蚀剂可能部分地在euv曝光下遭受更多困难。此外，ca光致抗蚀剂可能具有困难，这是由于小特征尺寸中的粗糙度问题，并且部分由于酸催化剂方法的性质，ler(线边缘粗糙度)实验证明随着光速降低而增加。由于ca光致抗蚀剂的这些缺点和问题，在半导体工业中需要新型高性能光致抗蚀剂。
6.特别地，有必要显影光致抗蚀剂，其确保优异的耐蚀刻性和分辨率，并且同时提高感光度和提高光刻过程中的cd(临界尺寸)均匀性和ler(线边缘粗糙度)特性。


技术实现要素：

7.一个实施方式提供含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物。
8.另一个实施方式提供形成图案的方法，包括使用组合物显影的步骤。
9.根据一个实施方式的含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(-oh)取代的七角环化合物，其中，七角环化合物在环中具有至少两个双键。
10.七角环化合物可以被一个或两个羟基(-oh)取代。
11.七角环化合物可以具有三个双键。
12.七角环化合物可以由化学式1表示。
13.[0014][0015]
在化学式1中，
[0016]
r1至r6各自独立地是氢、卤素、羟基、氨基、取代或未取代的c1至c30胺基、取代或未取代的c1至c10烷基、或取代或未取代的c6至c20芳基，并且
[0017]
r1至r6中的至少一个是羟基。
[0018]
七角环化合物可选自第1组的化学式。
[0019]
[第1组]
[0020][0021]
在第1组中，
[0022]
r1至r6各自独立地是氢、卤素、氨基、取代或未取代的c1至c30胺基、取代或未取代的c1至c10烷基、或取代或未取代的c6至c20芳基。
[0023]
七角环化合物可以是2-羟基-2,4,6-环庚三烯-1-酮。
[0024]
含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物可以包含约50至99.99wt％的有机溶剂；以及约0.01至50wt％的七角环化合物。
[0025]
含金属的光致抗蚀剂可以包括选自烷基锡氧代基团和烷基锡羧基的至少一种金属化合物。
[0026]
含金属的光致抗蚀剂可以包括由化学式3表示的金属化合物。
[0027]
[0028]
在化学式3中，
[0029]
r7是取代或未取代的c1至c20烷基、取代或未取代的c3至c20环烷基、取代或未取代的c2至c20烯基、取代或未取代的c2至c20炔基、取代或未取代的c6至c30芳基、取代或未取代的c6或c30芳烷基或-r
a-o-rb(其中ra是取代或未取代的c1至c20亚烷基并且rb是取代或未取代的c1至c20烷基)，
[0030]
r8至r
10
各自独立地是-orc或-oc(＝o)rd，
[0031]
rc是取代或未取代的c1至c20烷基、取代或未取代的c3至c20环烷基、取代或未取代的c2至c20烯基、取代或未取代的c2至c20炔基、取代或未取代的c6至c30芳基或它们的组合，并且
[0032]
rd是氢、取代或未取代的c1至c20烷基、取代或未取代的c3至c20环烷基、取代或未取代的c2至c20烯基、取代或未取代的c2至c20炔基、取代或未取代的c6至c30芳基或它们的组合。
[0033]
根据另一个实施方式，形成图案的方法包括将含金属的光致抗蚀剂组合物涂覆在基板上，沿着基板的边缘涂覆用于从含金属的光致抗蚀剂去除边缘珠的组合物，干燥并加热所得物以在基板上形成含金属的光致抗蚀剂膜，将含金属的光致抗蚀剂膜曝光，并且使用上述含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物将其显影。
[0034]
根据本实施方式的含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物使在曝光过程之后含金属的光致抗蚀剂膜中存在的缺陷最小化并且使得能够容易地显影，从而实现优异的对比度特性。
附图说明
[0035]
图1至图3是示出用于解释形成图案的方法的处理顺序的截面图。
具体实施方式
[0036]
在下文中，将参考附图详细地描述本发明的实施方式。在本公开的以下描述中，为了阐明本公开，将不描述公知的功能或构造。
[0037]
为了清楚地示出本公开，省略描述和关系，并且贯穿本公开，相同或相似的配置元件由相同的参考标号表示。而且，为了更好的理解和便于描述，任意地示出了在附图中示出的每个配置的尺寸和厚度，本公开不必局限于此。
[0038]
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了清楚起见，放大了层或区域等的一部分的厚度。将理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一个元件“上”时，其可直接在另一个元件上，或者也可存在中间元件。
[0039]
在本公开中，“取代的”是指氢原子被氘、卤素基团、羟基、氨基、取代或未取代的c1至c30胺基、硝基、取代或未取代的c1至c40甲硅烷基、c1至c30烷基、c1至c10卤代烷基、c1至c10烷基甲硅烷基、c3至c30环烷基、c6至c30芳基、c1至c20烷氧基或氰基替代。“未取代的”是指氢原子保留为氢原子而不被另一个取代基替代。
[0040]
在本公开中，除非另有定义，否则术语“七角环化合物”是指具有以下结构的化合物：其中，构成分子的末端原子彼此连接以形成七角环，并且根据形成环的原子的类型，可以将其分类为“碳环化合物”和“杂环化合物”。
[0041]“碳环化合物”是指其中成环原子仅是碳的化合物。
[0042]“杂环化合物”是指包括除了形成环的碳原子之外的杂原子的化合物。
[0043]
可以包含在
‘
杂环化合物’中的杂原子可以包括但不限于n、o、s、p、si等。
[0044]
在本发明中，除非另有定义，否则术语“烷基”是指直链或支链脂族烃基。烷基可以是不包含任何双键或三键的“饱和烷基”。
[0045]
烷基可以是c1至c20烷基。更具体地，烷基可以是c1至c10烷基或c1至c6烷基。例如，c1至c4烷基是指烷基链包含1至4个碳原子，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基以及叔丁基。
[0046]
烷基的具体实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。
[0047]
在本公开中，除非另有定义，否则术语“环烷基”是指单价环状脂肪族烃基。
[0048]
在本公开中，除非另有定义，否则术语“烯基”是直链或支链脂肪族烃基，并且是指包含一个或多个双键的脂肪族不饱和烯基。
[0049]
在本公开中，除非另有定义，否则术语“炔基”是直链或支链脂肪族烃基，并且是指含有一个或多个三键的不饱和炔基。
[0050]
在本公开中，“芳基”是指其中环状取代基的所有元素具有p轨道的取代基，并且这些p轨道形成共轭。它可以包括单环或稠环多环(即，共享相邻的碳原子对的环)官能团。
[0051]
在下文中，描述根据一个实施方式的含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物。
[0052]
根据本发明的一个实施方式的含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂以及被至少一个羟基(-oh)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。
[0053]“双键”包含在环中的至少两个中，并且由于七角环化合物的刚性结构的性质，排除其中连续包含双键的形式。“在环中具有至少两个双键”是指通过至少一个单键包括两个双键。
[0054]
含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含被羟基(-oh)取代的七角环化合物，并且羟基(-oh)与含金属的抗蚀剂配位，并且因此通过施加包含其的组合物，在曝光过程之后在含金属的光致抗蚀剂膜中存在的缺陷可以最小化并且容易显影，从而实现优异的对比度特性。
[0055]
例如，七角环化合物可以被一个或两个羟基(-oh)取代。
[0056]
七角环化合物可以具有三个双键。
[0057]
例如，七角环化合物可以由化学式1表示。
[0058][0059]
在化学式1中，
[0060]
r1至r6各自独立地是氢、卤素、羟基、氨基、取代或未取代的c1至c30胺基、取代或未取代的c1至c10烷基、或取代或未取代的c6至c20芳基，并且
[0061]
r1至r6中的至少一个是羟基。
[0062]
作为具体实例，七角环化合物可以选自第1组的化学式。
[0063]
[第1组]
[0064][0065]
在第1组中，
[0066]
r1至r6各自独立地是氢、卤素、氨基、取代或未取代的c1至c30胺基、取代或未取代的c1至c10烷基、或取代或未取代的c6至c20芳基。
[0067]
例如，七角环化合物可以是2-羟基-2,4,6-环庚三烯-1-酮或环庚三烯酚酮。
[0068]
在一个实施方式中，含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含约50wt％至99.99wt％的有机溶剂和约0.01wt％至50wt％的上述七角环化合物。
[0069]
在一个具体实施方式中，含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物可以以约0.01wt％至30wt％、具体地约0.01wt％至20wt％、或更具体地约0.05wt％至10wt％的量包含上述七角环化合物。
[0070]
包含在根据该实施方式的含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物中的有机溶剂的实例可以包括醚、醇、二醇醚、芳烃化合物、酮和酯中的至少一种，但不限于此。例如，有机溶剂可包括乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、甲基纤维二糖水解酶乙酸酯、乙基纤维二糖水解酶乙酸酯、二乙二醇甲基醚、二乙二醇乙基醚、丙二醇、丙二醇甲基醚(pgme)、丙二醇甲基醚乙酸酯(pgmea)、丙二醇乙基醚、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、丙二醇丁基醚、丙
二醇丁基醚乙酸酯、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、4-甲基-2-戊烯醇(或称为甲基异丁基甲醇(mibc))、己醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、乙二醇、丙二醇、庚酮、碳酸丙二酯、碳酸亚丁酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、环戊酮、环己酮、2-羟基丙酸乙酯、2-羟基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羟基乙酸乙酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、γ-丁内酯、甲基-2-羟基异丁酸酯、甲氧基苯、乙酸正丁酯、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、甲氧基乙氧基丙酸酯、乙氧基乙氧基丙酸酯或它们的组合，但不限于此。
[0071]
当包含稍后描述的添加剂时，除了包含的组分之外，可以以余量包含有机溶剂。
[0072]
根据本发明的含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物可以进一步包含选自表面活性剂、分散剂、吸湿剂和偶联剂中的至少一种。
[0073]
表面活性剂可用于改善涂覆均匀性并改善光致抗蚀剂组合物的润湿性。在示例性实施方式中，表面活性剂可以是硫酸酯盐、磺酸盐、磷酸酯、皂、胺盐、季铵盐、聚乙二醇、烷基酚环氧乙烷加合物、多元醇、含氮乙烯基聚合物或它们的组合，但不限于此。例如，表面活性剂可以包括烷基苯磺酸盐、烷基吡啶盐、聚乙二醇或季铵盐。当光致抗蚀剂组合物包含表面活性剂时，基于光致抗蚀剂组合物的总重量，可以以0.001wt％至约3wt％的量包含表面活性剂。
[0074]
分散剂可以用于在光致抗蚀剂组合物中均匀地分散构成光致抗蚀剂组合物的每种组分。在一个实施方式中，分散剂可以是环氧树脂、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、葡萄糖、十二烷基硫酸钠、柠檬酸钠、油酸、亚油酸或它们的组合，但不限于此。当光致抗蚀剂组合物包含分散剂时，基于光致抗蚀剂组合物的总重量，可以以约0.001wt％至约5wt％的量包含分散剂。
[0075]
吸湿剂可以用于防止光致抗蚀剂组合物中的水分的不利影响。例如，吸湿剂可以用于防止光致抗蚀剂组合物中包含的金属被湿气氧化。在一个实施方式中，吸湿剂可以是聚氧乙烯壬基苯酚醚、聚乙二醇、聚丙二醇、聚丙烯酰胺或它们的组合，但不限于此。当光致抗蚀剂组合物包含吸湿剂时，基于光致抗蚀剂组合物的总重量，吸湿剂可以以约0.001wt％至约10wt％的量被包含。
[0076]
当将光致抗蚀剂组合物涂覆在下部膜上时，偶联剂可以用于改善对下部膜的粘附性。在一个实施方式中，偶联剂可以包括硅烷偶联剂。硅烷偶联剂可以是乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷或三甲氧基[3-(苯基氨基)丙基]硅烷，但不限于此。当光致抗蚀剂组合物包含偶联剂时，基于光致抗蚀剂组合物的总重量，可以以约0.001wt％至约5wt％的量包含偶联剂。
[0077]
含金属的光致抗蚀剂可以包括选自烷基锡氧代基团和烷基锡羧基的至少一种金属化合物。
[0078]
例如，含金属的光致抗蚀剂可以包括由化学式3表示的金属化合物。
[0079][0080]
在化学式3中，
[0081]
r7是取代或未取代的c1至c20烷基、取代或未取代的c3至c20环烷基、取代或未取代的c2至c20烯基、取代或未取代的c2至c20炔基、取代或未取代的c6至c30芳基、取代或未取代的c6或c30芳烷基或-r
a-o-rb(其中ra是取代或未取代的c1至c20亚烷基并且rb是取代或未取代的c1至c20烷基)，
[0082]
r8至r
10
各自独立地是-orc或-oc(＝o)rd，
[0083]
rc是取代或未取代的c1至c20烷基、取代或未取代的c3至c20环烷基、取代或未取代的c2至c20烯基、取代或未取代的c2至c20炔基、取代或未取代的c6至c30芳基或它们的组合，并且
[0084]
rd是氢、取代或未取代的c1至c20烷基、取代或未取代的c3至c20环烷基、取代或未取代的c2至c20烯基、取代或未取代的c2至c20炔基、取代或未取代的c6至c30芳基或它们的组合。
[0085]
同时，根据另一个实施方式，形成图案的方法包括使用上述含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物显影的步骤。例如，制造的图案可以是负型光致抗蚀剂图案。
[0086]
根据一个实施方式的形成图案的方法包括：将含金属的光致抗蚀剂组合物涂覆在基板上；沿着基板的边缘涂覆用于从含金属的光致抗蚀剂去除边缘珠的组合物；干燥并加热所得物以在基板上形成含金属的光致抗蚀剂膜；曝光含金属的光致抗蚀剂膜；以及使用上述含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物将其显影。
[0087]
更具体地，使用含金属的光致抗蚀剂组合物形成图案可以包括通过旋涂、狭缝涂覆、喷墨印刷等将含金属的光致抗蚀剂组合物涂覆在其上形成薄膜的基板上，并且干燥涂覆的含金属的光致抗蚀剂组合物以形成光致抗蚀剂膜。含金属的光致抗蚀剂组合物可以包含锡基化合物，并且例如，锡基化合物可以包含烷基锡氧代基、烷基锡羧基和烷基锡羟基中的至少一种。
[0088]
随后，可以沿着基板的边缘涂覆用于从含金属的光致抗蚀剂去除边缘珠的组合物。
[0089]
接着，进行加热在其上形成含金属的光致抗蚀剂膜的基板的第一热处理工艺。可以在约80℃至约120℃的温度下进行第一热处理工艺。在此过程中，溶剂被蒸发并且含金属的光致抗蚀剂膜可以更牢固地粘附到基板上。
[0090]
并且光致抗蚀剂膜被选择性地曝光。
[0091]
例如，可用于曝光工艺的光的实例不仅可包括具有短波长的光，诸如i-line(波长365nm)、krf准分子激光器(波长248nm)、arf准分子激光器(波长193nm)，而且可包括euv(具有高能量波长的光，诸如euv(极紫外线(extreme ultraviolet)，波长13.5nm)、e-beam(电
子束)等。
[0092]
更具体地，根据一个实施方式的用于曝光的光可以是具有约5nm至约150nm的波长范围的短波长光和具有高能量波长的光，诸如euv(极紫外线(extreme ultraviolet)，波长13.5nm)、e-beam(电子束)等。
[0093]
在形成光致抗蚀剂图案的步骤中，可以形成负型图案。
[0094]
由于通过诸如有机金属化合物之间的缩合的交联反应形成聚合物，所以光致抗蚀剂膜的曝光区域具有不同于光致抗蚀剂膜的未曝光区域的溶解度。
[0095]
然后，对基板执行第二热处理工艺。第二热处理工艺可以在约90℃至约200℃的温度下进行。通过进行第二热处理工艺，光致抗蚀剂膜的曝光区域变得难以溶解在显影剂溶液中。
[0096]
具体地，对应于负型色调图像的光致抗蚀剂图案可以通过使用上述光致抗蚀剂显影剂溶解并且然后去除对应于未曝光区域的光致抗蚀剂膜来完成。
[0097]
如上所述，通过不仅曝光于具有诸如i-line(波长365nm)、krf准分子激光器(波长248nm)、arf准分子激光器(波长193nm)的波长的光，而且曝光于euv(极紫外线(extreme ultraviolet)；波长13.5nm)，而且曝光于具有高能量的光(诸如e-beam(电子束))形成的光致抗蚀剂图案可具有约5nm至约100nm的厚度宽度。例如，可以形成光致抗蚀剂图案以具有约5nm至约90nm、约5nm至约80nm、约5nm至约70nm、约5nm至约60nm、约5nm至约50nm、约5nm至约40nm、约5nm至约30nm、或约5nm至约20nm的厚度宽度。
[0098]
另一方面，光致抗蚀剂图案可以具有小于或等于约50nm、例如小于或等于约40nm、例如小于或等于约30nm、例如小于或等于约20nm、例如小于或等于约15nm的半间距，以及小于或等于约10nm、小于或等于约5nm、小于或等于约3nm、或小于或等于约2nm的线宽粗糙度。
[0099]
在下文中，参照附图详细描述形成图案的方法。
[0100]
图1至图3是示出用于解释形成图案的方法的处理顺序的截面图。
[0101]
参照图1，显影曝光的光致抗蚀剂膜以形成光致抗蚀剂图案130p。
[0102]
在一个示例性实施方式中，曝光的光致抗蚀剂膜可以被显影以去除光致抗蚀剂膜的未曝光区域，并且可以形成包括光致抗蚀剂膜的曝光区域的光致抗蚀剂图案130p。光致抗蚀剂图案130p可以包括多个开口op。
[0103]
在一个示例性实施方式中，可以通过ntd(负色调显影)工艺进行光致抗蚀剂膜的显影。在本文中，根据一个实施方式的含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物可以用作显影剂组合物。
[0104]
参照图2，光致抗蚀剂图案130p用于处理图1的结果中的特征层110。
[0105]
例如，通过蚀刻通过光致抗蚀剂图案130p的开口op暴露的特征层110、将杂质离子注入特征层110、通过开口op在特征层110上形成附加膜、通过开口op使特征层110的一部分变形等的各种工艺来处理特征层110。图2示出了通过蚀刻通过开口op暴露的特征层110来处理特征图案110p的示例性过程。
[0106]
参照图3，在图2的结果中去除保留在特征图案110p上的光致抗蚀剂图案130p。为了去除光致抗蚀剂图案130p，可以使用灰化和剥离工艺。
[0107]
在下文中，将通过涉及上述含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物的制备的实施例更详细地描述本发明。然而，本发明的技术特征不受以下实施例的限制。
[0108]
含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物的制备
[0109]
实施例1
[0110]
将0.05wt％的2-羟基-2,4,6-环庚三烯-1-酮(环庚三烯酚酮)和99.95wt％的pgmea添加到pp瓶中并搅拌24小时以制备显影剂组合物。
[0111]
实施例2
[0112]
除了使用0.1wt％的2-羟基-2,4,6-环庚三烯-1-酮以外，以与制备例1中相同的方式制备显影剂组合物。
[0113]
实施例3
[0114]
除了使用5.0wt％的2-羟基-2,4,6-环庚三烯-1-酮以外，以与制备例1中相同的方式制备显影剂组合物。
[0115]
比较例1
[0116]
除了不使用2-羟基-2,4,6-环庚三烯-1-酮以外，以与制备例1中相同的方式制备显影剂组合物。
[0117]
比较例2
[0118]
除了使用2.0wt％的乙酸代替2-羟基-2,4,6-环庚三烯-1-酮之外，以与制备例1中相同的方式制备显影剂组合物。
[0119]
评价：对比度性能
[0120]
将用于euv的包含有机金属的光致抗蚀剂(pr)以1500rpm旋涂在8英寸晶片上30秒，并在100℃下热处理60秒，制造涂覆的晶片。
[0121]
在通过使用krf扫描仪(pas 5500/700d，asml)将涂覆的晶片以10mj至50mj的剂量曝光成尺寸为1.2cm x 0.9cm的矩形图案并且在170℃下将其热处理60秒之后，将根据实施例1至3以及比较例1和2的显影剂组合物分别施加于其上用于显影，然后在150℃下热处理60秒，完成图案化的晶片。相对于每个曝光区域的厚度测量图案化的晶片以获得用于计算对比度(γ)性能的对比度曲线，并且将结果示于表1中。
[0122]
γ(对比度)＝1/log(d
100
/d0)
[0123]d100
＝100％的pr开始保留的暴露剂量
[0124]
d0＝完全去除pr时的暴露剂量
[0125]
(表1)
[0126] γ(对比度)实施例18.7实施例28.8实施例310.3比较例16.8比较例25.5
[0127]
参照表1，当应用根据实施例1至3的含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物时，相比于应用根据比较例1和2的含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物的情况，显示出优异的对比度性能。
[0128]
在上文中，已描述并示出了本发明的某些实施方式，然而，对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，本发明不限于所描述的实施方式，并且在不背离本发明的精神和
范围的情况下，可进行各种修改和变形。因此，不能与本发明的技术构思和方面分开理解这样的修改或者变换实施方式，并且修改的实施方式在本发明的权利要求的范围内。
[0129]
《附图标记的描述》
[0130]
100：基板
[0131]
110：特征层
[0132]
110p：特征图案
[0133]
130p：光致抗蚀剂图案。