技术特征：
1.一种晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，包括：晶圆本体放置步骤，将表面附着有光刻胶层的晶圆本体放置于反应腔中；预热处理步骤，对表面附着有光刻胶层的晶圆本体进行预热处理，以使所述晶圆本体与所述反应腔内部的温度保持一致；活化步骤，使用等离子体活化所述晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表层；去除步骤，去除所述晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表面的活化部分；依次循环所述预热处理步骤至所述去除步骤，直至在所述晶圆本体表面留下预设厚度的光刻胶层。2.根据权利要求1所述的晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，使用等离子体活化所述晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表层的步骤，包括：向所述反应腔内通入活化气体，所述活化气体为流量为800sccm的惰性气体或者为氢氮混合气体，所述反应腔的压力为1.1t；在700w能量下电离所述活化气体以形成所述等离子体；利用所述等离子体轰击所述光刻胶层的上表面，每次轰击时间为30s。3.根据权利要求1所述的晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，去除所述晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表面的活化部分的步骤，包括：向所述反应腔内通入反应气体；在电离条件下利用所述反应气体与所述光刻胶层反应，以去除所述光刻胶层的上表面的活化部分。4.根据权利要求1所述的晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，在晶圆本体放置步骤之前，所述方法还包括：在所述晶圆本体的表面涂布光刻胶，以形成所述光刻胶层；对所述晶圆本体进行烘烤。5.根据权利要求4所述的晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，在对所述晶圆本体进行烘烤的步骤之后，所述方法还包括：利用光刻工艺对所述光刻胶层进行图案化；利用刻蚀工艺去除部分所述光刻胶层。6.根据权利要求4所述的晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，对所述晶圆本体进行烘烤的步骤，包括：在大气氛围下对所述晶圆本体进行软烘或硬烘，以蒸发所述光刻胶层表面的部分溶剂。7.根据权利要求4所述的晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，对所述晶圆本体进行烘烤的步骤，包括：在气氛炉中对所述晶圆本体进行软烘或硬烘，其中，所述气氛炉中通入氮气或惰性气体。8.根据权利要求1所述的晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，在活化步骤之前，所述方法还包括：稳压步骤，向所述反应腔通入稳压气体，以控制并稳定所述反应腔的内部压力。9.根据权利要求1所述的晶圆表面光刻胶的处理方法，其特征在于，表面附着有光刻胶
层的晶圆本体进行预热处理的步骤，包括：通过反应腔内部加热装置热传导加热所述晶圆本体；向所述反应腔持续通入均温气体，以使所述晶圆本体均匀受热。10.一种半导体设备，所述半导体设备至少包括反应腔，其特征在于：所述半导体设备通过所述反应腔可实现如权利要求1-9任一项所述的晶圆表面光刻胶的处理方法。
技术总结
本发明的实施例提供了一种晶圆表面光刻胶的处理方法及半导体设备，涉及半导体技术领域，该方法首先将表面面附着有光刻胶层的晶圆本体放置于反应腔中；然后对该晶圆本体进行预热处理，使得晶圆本体与反应腔内部的温度保持一致，然后使用等离子体活化晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表层，再去除晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表面的活化部分；依次循环预热步骤至去除步骤，直至所述晶圆本体表面留下预设厚度的光刻胶层。相较于现有技术，本发明实施例在去除光刻胶层前，先用活化气体电离后轰击光刻胶层，从而使得光刻胶层的表面得以活化，从而使得去胶后的表面平整度较好，极大地改善了剩余光刻胶层的均匀性，有利于后段继续进行制程。进行制程。进行制程。
技术研发人员：林政勋 郭轲科
受保护的技术使用者：无锡邑文电子科技有限公司
技术研发日：2022.11.23
技术公布日：2023/2/23