1.一种用于生产器件(100)的方法，具有以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述对准材料(2)对磁场作出反应并且被紧固到所述部件(10)或者嵌入在所述部件(10)中，其中通过利用磁力的作用来辅助所述部件(10)与所述预定义耦合点(9k)的自对准。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述对准材料(2)是金属材料并且不同于永磁材料，其中当辅助所述部件(10)的自对准时利用磁力的作用，由此所述部件(10)由于磁力在所述金属对准材料上的作用而移动到所述预定义耦合点(9k)。
4.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述对准材料(2)是永磁材料，其中当辅助所述部件(10)的自对准时利用磁力的作用，由此所述部件(10)由于磁力在永磁对准材料上的作用而移动到所述预定义耦合点(9k)。
5.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述对准材料(2)是电磁体，其中当辅助所述部件(10)的自对准时利用磁力的作用，由此所述部件(10)由于磁力在所述电磁体上的作用而移动到所述预定义耦合点(9k)。
6.根据权利要求1所述的方法，其中通过利用毛细管力的作用和/或通过转移所述对准材料来辅助所述部件(10)到所述预定义耦合点(9k)的自对准。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述耦合元件(9)包括至少一个对准通道(95)，通过所述至少一个对准通道部分或全部转移所述对准材料(2)，由此由于所述对准材料(2)的转移，所述部件(10)被移动，并且所述部件(10)的去耦点(1k)被引导至所述耦合元件(9)的预定义耦合点(9k)。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中对准通道(95)竖直或横向延伸穿过耦合元件(9)，并且所述对准通道(95)被设计用于对准材料(2)的转移。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述耦合元件(9)包括至少一个停止结构(92)，所述至少一个停止结构(92)在所述部件(10)的去耦点(1k)已经到达所述耦合元件(9)的预定义耦合点(9k)之后防止所述部件(10)的进一步移动。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述停止结构(92)是所述耦合元件(9)的整体组成部分，其中所述停止结构(92)以竖直凹陷(5)、竖直凸起(6)、横向突起(7)或横向凹部(8)的形式来设计。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中连接层(3)用于将所述部件(10)固定到所述耦合元件(9)，其中所述连接层(3)的材料不同于所述对准材料(2)，并且至少在辅助自对准期间或者在所述部件(10)的固定期间，所述连接层(3)的材料在中间阶段以液体聚集状态存在。
12.根据权利要求1或6至10中任一项所述的方法，其中所述对准材料(2)不仅用于使所述部件(10)对准，而且同时用于将所述部件(10)永久固定到所述耦合元件(9)。
13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中
14.一种器件(100)，包括耦合元件(9)和永久固定到所述耦合元件(9)的至少一个部件(10)，其中
15.根据权利要求14所述的器件(100)，
16.根据权利要求14所述的器件(100)，其中所述对准通道(95)竖直或横向延伸穿过所述耦合元件(9)。
17.根据权利要求14至16中任一项所述的器件(100)，其中
18.根据权利要求14至17中任一项所述的器件(100)，其中光导(94)嵌入在所述耦合元件(9)中，所述光导在横向方向上从所述耦合点(9k)延伸到所述耦合元件(9)的辐射发射面(91)。
19.根据权利要求14至18中任一项所述的器件(100)，包括多个部件(10)，其中