1.一种改变薄膜生长模式和表面形貌的倏逝波调制器，其特征在于：包括样品夹、耦合器和光吸收片；样品夹的表面的方坑盛放并夹持同材质的透明基片；光吸收片包覆在样品夹的下表面；样品夹套入耦合器，耦合器的另一端接光纤；
2.根据权利要求1所述的一种改变薄膜生长模式和表面形貌的倏逝波调制器，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的一种改变薄膜生长模式和表面形貌的倏逝波调制器，其特征在于：所述两块与基片同材质的夹片由金属片固定，由弹簧片提供弹性夹持力，装入基片后由机械手旋转紧固螺钉，通过弹簧片夹紧基片。
4.根据权利要求1所述的一种改变薄膜生长模式和表面形貌的倏逝波调制器，其特征在于：所述光吸收片的材料根据所用激光的波长选择最有利于吸收激光的材料，例如，如果利用红外激光器产生倏逝波并加热基片，则采用红外吸收片；如果利用蓝光激光器产生倏逝波并加热基片，则采用蓝光吸收片。
5.根据权利要求1所述的一种改变薄膜生长模式和表面形貌的倏逝波调制器，其特征在于：相对所述基片以对称几何入射另一束同样的激光，使吸附原子受到双倍的净吸引力，产生更强的调制效果。
6.根据权利要求1-5之一所述的一种改变薄膜生长模式和表面形貌的倏逝波调制器的调制方法，其特征在于：使用p偏振激光的全反射在基片外表面产生倏逝波场，用来吸引基片表面或成膜后的薄膜表面上的吸附原子，加强它们从成核或岛上向下扩散，抑制向上扩散，从而使薄膜表面平整化，具体包括：用光纤把激光束通过耦合器导入基片内，以大于全反射临界角的入射角入射到基片内表面上，加热基片并产生全反射，伴随全反射，在基片外表面产生的倏逝波场调制沉积原子的扩散，改变薄膜的生长模式，使薄膜的表面形貌平整化。