本发明涉及阻焊干膜，具体涉及一种高解析度的阻焊干膜及其制备方法。
背景技术：
1、近年来，市场对高度集成电路的需求不断增加，在焊接电路元件时需要使用阻焊膜将其保护起来，防止在焊接期间一些焊料的沉积在电路板上，阻焊膜可以是液态，也可以是干膜，目前干膜在高度集成电路板上使用得比较多。
2、阻焊干膜在使用与电路板结合时，需要一定的解析度，一般来说，阻焊干膜的解析度越高,能够制造出的线路越精细,线路的性能也会更好，这样能够使得电子产品能够小。
3、总之，阻焊干膜的解析度对电子产品的性能有着重要影响作用。
技术实现思路
1、为了更容易地理解本发明的技术方案以及技术效果，以下结合具体实施方式对本发明进行详细说明。除非另有限定，本文使用的所有技术以及科学术语具有与本发明所属领域普通技术人员通常理解的相同的含义。当存在矛盾时，以本说明书中的定义为准。
2、本发明的目的在于提供一种新的高解析度的阻焊干膜。
3、为了实现上述目的，本发明第一方面提供了一种高解析度的阻焊干膜，该阻焊干膜包括基体膜以及设置于基体膜上的感光膜，按重量份计，所述感光膜的制备原料包括：丙烯酸树脂类乳液22-30份、活性单体15-20份、固体助剂20-25份、光引发剂0.8-1.5份、消泡剂0.5-2份；
4、其中，所述固体助剂为表面活性剂改性水滑石与纳米氧化锆。
5、在本发明中，使用表面活性剂改性水滑石与纳米氧化锆作为固体纳米助剂，制备得到的阻焊干膜不但具有高解析度而且还具有优异的耐磨性。
6、作为本发明一种优选的技术方案，所述表面活性剂改性水滑石与纳米氧化锆的重量比为1：(0.1-1)，优选为1：(0.4-0.5)。
7、作为本发明一种优选的技术方案，所述纳米氧化锆的平均粒径为10-500nm，优选为50-100nm。
8、本发明中的纳米氧化锆可通过市售得到，优选为杭州恒纳的型号为hn-r80y3的纳米氧化锆。
9、作为本发明一种优选的技术方案，所述表面活性剂改性水滑石的制备方法包括：将水滑石、水、表面活性剂混合后，在70-80℃下搅拌2-3h，之后抽滤、干燥得到所述表面活性剂改性水滑石。
10、作为本发明一种优选的技术方案，在制备表面活性剂改性水滑石时，所述表面活性剂的重量为水滑石重量的10-50％，优选为20-40％。
11、作为本发明一种优选的技术方案，在制备表面活性剂改性水滑石时，所述水的重量为水滑石的30-50倍。
12、作为本发明一种优选的技术方案，所述表面活性剂为α-烯基磺酸钠。
13、作为本发明一种优选的技术方案，所述水滑石为镁铝水滑石，优选所述镁铝水滑石的平均粒径为0.1-1μm，优选为0.5-0.8μm，进一步优选为0.6μm。
14、在本发明中，镁铝水滑石可通过市售得到，优选为凯司玛的镁铝水滑石。
15、水滑石在树脂中能够更好地增加树脂的热稳定性，但在本体系为水性结构，水滑石颗粒表面存在的大量非架桥羟基，这使得在制备过程中水滑石容易聚集在一块，本发明中使用表面活性剂改性水滑石在够在体系中的具有优异大的分散性，且其表面活性剂改性水滑石表面包裹的表面活性剂还能带动纳米氧化锆在水中的分散性，使得制备得到的阻焊干膜具有更优异的性能，并且发现当表面活性剂为α-烯基磺酸钠时，能够更好地增加阻焊干膜的解析度，可能是因为α-烯基磺酸钠的加入能够提高体系中双键的密度。
16、作为本发明一种优选的技术方案，所述丙烯酸树脂类乳液选自有机硅改性丙烯酸树脂乳液与水性碱溶性丙烯酸树脂乳液，优选机硅改性丙烯酸树脂乳液与水性碱溶性丙烯酸树脂乳液的重量比为1：(1-10)，优选为1：(3-5)。
17、在本发明中使用特定的两种丙烯酸树脂类乳液能够最终制备得到的阻焊干膜具有优异的附着性和硬度。
18、在本发明中，为了进一步增加阻焊干膜的性能，作为本发明一种优选的技术方案，所述有机硅改性丙烯酸树脂在25±2℃时的黏度为3500-4000mpa.s。
19、在本发明中，所述有机硅改性丙烯酸树脂可通过市售得到，例如安徽中恩化工的db1223有机硅改性丙烯酸树脂。
20、在本发明中，为了进一步增加阻焊干膜的性能，作为本发明一种优选的技术方案，所述水性碱溶性丙烯酸树脂乳液的固含量为30-50％，优选为42-47％，进一步优选为45％。
21、在本发明中，为了进一步增加阻焊干膜的性能，作为本发明一种优选的技术方案，所述水性碱溶性丙烯酸树脂乳液在25±2℃时的黏度为15-30mpa.s，优选为25mpa.s。
22、本发明中的水性碱溶性丙烯酸树脂乳液可通过市售得到，优选为科思创neocrylbt-24。
23、在本发明中，为了进一步增加阻焊干膜的性能，作为本发明一种优选的技术方案，所述有机硅改性丙烯酸树脂乳液的固含量为40-50％，优选为45-50％，进一步优选为47％。
24、在本发明中，为了进一步增加阻焊干膜的性能，作为本发明一种优选的技术方案，所述有机硅改性丙烯酸树脂乳液在25±2℃时的黏度为200-500cps，优选为300cps。
25、在本发明中，所述有机硅改性丙烯酸树脂可通过市售得到，优选安徽中恩化工的sa-109有机硅改性丙烯酸树脂。
26、在本发明中，为了进一步增加阻焊干膜的性能，作为本发明一种优选的技术方案，所述活性单体选自1,6-己二醇双丙烯酸酯、异冰片基丙烯酸、二缩丙二醇双丙烯酸酯、甲基丙烯酸-β-羟乙酯、乙氧基化双酚a二丙烯酸酯、十五乙氧基三羟甲基丙烷三丙烯酸酯和九乙氧基三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的至少一种。
27、在本发明中，为了进一步增加阻焊干膜的性能，作为本发明一种优选的技术方案，所述活性单体为乙氧基化双酚a二丙烯酸酯与十五乙氧基三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，优选其重量比为1：(1.5-5)，进一步优选为1：(2-3)。
28、本发明中使用的丙烯酸树脂类乳液属于水性，发明人发现使用十五乙氧基三羟甲基丙烷三丙烯酸酯能够增加原料的存储稳定性和成膜性，可能是因为乙氧基具有优异的亲水性能增加制备原料整体的相容性，但是可能乙氧基链段偏软，在成膜过程中进入涂膜内部，使得膜层出现形变，导致透光性变差，使得单独使用了十五乙氧基三羟甲基丙烷三丙烯酸酯活性单体制备得到的阻焊干膜的解析度较差，发明人经过大量研发意外发现使用乙氧基化双酚a二丙烯酸酯与十五乙氧基三羟甲基丙烷三丙烯酸酯共同作为活性单体，能够增加阻焊干膜的解析性。
29、根据本发明一种优选的实施方式，所述光引发剂选自irgacure 2959、irgacure500、darocur 1173、irgacure 184和rgacure itx中的至少一种，优选为irgacure 2959。
30、在本发明中，使用irgacure 2959能进一步增加阻焊干膜的解析度。
31、作为本发明一种优选的技术方案，所述消泡剂为聚醚改性硅类消泡剂，例如evonik公司的tego airex 901w，tego foamex 825。
32、本发明中，还可根据需要加入着色剂等原料。
33、作为本发明一种优选的技术方案，所述感光膜的厚度为20-80um，优选为25-60um。
34、作为本发明一种优选的技术方案，所述基体膜的厚度为30-50um。
35、作为本发明一种优选的技术方案，所述基体膜的材质为聚乙烯、聚四氟乙烯、聚碳酸酯或聚丙烯中的一种。
36、本发明的实施例中使用的均为同一种基体膜。
37、为了使得本发明的耐高温高湿的阻焊干膜更方便储存，作为本发明一种优选的技术方案，所述阻焊干膜包括还包括设置于光致涂覆膜上的离型保护膜，所述离型保护膜的具体材质没有特殊限制，可为本领域常规的离型保护膜，本发明中对此无特殊限制，所述离型保护膜的厚度为特殊限制，一般为30-40um。
38、本发明的实施例中使用的均为同一种离型保护膜。
39、本发明第二方面提供了一种高解析度的阻焊干膜的制备方法包括：将本发明第一方面所述感光膜的制备原料混合后涂覆于基体膜上，之后进行干燥。
40、作为本发明一种优选的技术方案，所述涂覆可为本领域常规的方法，例如使用逗点涂布机以20-30m/min的速度进行涂覆，其涂覆量可根据最终所需光致涂覆膜的厚度进行选择，在此不多加赘述。
41、作为本发明一种优选的技术方案，所述干燥的温度为100-130℃，其干燥的时间无特殊限制，完全干燥即可，在此不多加赘述。
42、为了使得本发明的耐高温高湿的阻焊干膜更方便储存，作为本发明一种优选的技术方案，干燥后在感光膜表面贴上一层离型保护膜。
43、作为本发明一种优选的技术方案，本发明中的阻焊干膜在使用时，可先将阻焊干膜贴于电路板(例如pcb板、slp板等)上，之后去除离型保护膜之后进行真空压合(压合条件为：温度60-70℃、真空时间15-30s，压合时间为15-30s、压合压力为0.4-0.6kg/cm3)，之后在6-8kw曝光机中以300-400mj/cm2进行露光，去除基体膜；在0.8-1.2wt％碳酸钠水溶液、温度为28-32℃下显影60-90s，之后在氮气中、150℃熟化60min电路板制品。
44、与现有技术相比，本发明至少具有下述有益效果：
45、本发明的阻焊干膜中感光膜的制备原料之间协同作用使得本发明的阻焊干膜具有优异的硬度和高解析度。