专利名称：导电性防反射膜及阴极射线管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具有防反射膜功能的、且可防止发生AEF(Alternatingelectric field，交变电场)的导电性防反射膜及在其荧光屏面板(face panel)的外表面上具有该导电性防反射膜的阴极射线管。
近年来，人们指出在使用电视机布劳恩管及计算机CRT(Cathod Ray Tube阴极射线管)等上的阴极射线管时，发生于其管内部的电子枪及偏转线圈近旁的电磁波会漏泄到阴极射线管的外部，可能会给设置于其周围的电子仪器等带来不利影响。
为此，为防止所述电磁波(电场)从阴极射线管漏泄，人们要求减低阴极射线管面板的表面电阻值。即，在特开昭61-118932号、特开昭61-118946号、特开昭63-160140号等公报上公开了为防止面板带电而对该面板进行的各种表面处理方法。可以认为应用这些方法能够防止漏电场(AEF)的发生。
在以防止带电为目的的场合，导电膜的表面电阻在1×107Ω/□以上虽已足够。然而上述表面电阻值并不能防止AEF的发生。为了防止AEF的发生，须将处理膜的表面电阻值再进一步降低至5×102Ω/□以下。
以往，作为低表面电阻值导电膜的形成方法，有PVD、CVD法、喷镀法等的气相形成方法，例如，在特开平1-242769号公报上公开了一种由喷镀法形成低电阻导电膜的方法。然而，上述气相方法在形成导电膜时须使用大型装置，其设备投资大，且其大批量生产也有困难。
另一方面，作为形成导电膜的方法，有将透明导电微粒的分散涂布液涂布于基材上形成涂膜，然后干燥硬化及烧结该涂膜的方法(涂布法或湿法)。例如，可将含有Sb的氧化锡(ATO)及含有In的氧化锡(ITO)微粒和二氧化硅(SiO2)系粘合剂混合分散。将该混合液涂布于基材上形成涂膜，再经干燥硬化及烧结该涂膜而得到透明的导电膜。已知，在如此形成的导电膜中，该导电膜的膜厚是根据设计波长的1/4(1/4λ)而决定的，所以，由比电阻大的导电性氧化物微粒所得到的导电性很有限，而使用比电阻小的导电性金属微粒就可以有效地防止AEF的发生。
然而，含有金属微粒的导电膜通常存在这样的问题虽然是层薄膜，可是对可见光也仍有吸收，如果膜厚增大，那么光的透过率、特别是对波长短的蓝色领域光的透光率更将下降，导致阴极射线管的亮度低下。
又，在使用含有金属微粒的导电膜时，如能获得其比电阻相当低的表面电阻值，则可得到不降低透光率而又能充分防止AEF发生的导电性效果。但是，仍有这样的问题导电膜在成膜时，金属微粒的一部分被氧化，或金属微粒的一部分以金属离子的状态存在，所以就不能得到充分低的表面电阻值。
即在以喷涂法等的干式加工方法形成的导电膜上，有很难降低成本的问题。而以往的涂布法形成的导电膜又有这样的问题不能得到既无须降低光的透射率而又可有效防止AEF发生的高导电性。
本发明系为解决上述问题而作，本发明的目的在于提供一种具有优异经济性的导电性防反射膜，这种导电性防反射膜可在大致不降低透光率的同时又可具有防止AEF发生的表面电阻值。
又，本发明的目的在于提供一种大致可完全防止AEF的发生而同时又能显示高画面质量图象的、具有优异经济性的阴极射线管。
本发明的导电性防反射膜包括含有导电性微粒的第一层，及设置于该第一层之上、含有可确保上述导电性微粒导电性的物质的第二层。
又，本发明的导电性防反射膜包括含有导电性微粒的第一层，及设置于该第一层之上、含有对上述导电性微粒起还原剂作用的物质的第二层。
又，本发明的导电性防反射膜包括含有导电性微粒的第一层，及设置于该第一层之上、含有可配位于上述导电性微粒的物质的第二层。
又，本发明的导电性防反射膜包括含有导电性微粒及配位于该导电性微粒的物质的第一层，及设置于该第一层之上的第二层。
本发明的阴极射线管包括含有荧光物质的第一面的荧光屏板；形成于与所述荧光屏板的第一面对向而置的第二面之上、含有导电性微粒的第一层；及设置于上述第一层之上、含有可确保上述导电性微粒导电性的物质的第二层。
再有，本发明的阴极射线管包括含有荧光物质的第一面的荧光屏板；形成于与所述荧光屏板的第一面对向而置的第二面之上、含有导电性微粒的第一层，及设置于上述第一层之上、含有对上述导电性微粒起还原剂作用物质的第二层。
再有，本发明的阴极射线管包括含有荧光物质的第一面的荧光屏板；形成于与所述荧光屏板的第一面对向而置的第二面之上、含有导电性微粒的第一层；及设置于上述第一层之上、含有可配位于上述导电性微粒的物质的第二层。
再有，本发明的阴极射线管包括含有荧光物质的第一面的荧光屏板；形成于与所述荧光屏板的第一面对向而置的第二面之上、含有导电性微粒及可配位于上述导电性微粒的物质的第一层；及设置于上述第一层之上的第二层。
在本发明中，作为含于第一层中的导电性微粒可以使用选自银、银化合物、铜及铜化合物中的至少一种物质的超微粒子。此处，作为银化合物，可举出如氧化银、硝酸银、醋酸银、苯甲酸银、溴酸银、溴化银、碳酸银、氯化银、铬酸银、柠檬酸银、环己烷丁酸银。但是，从其可以更稳定的状态存在于第一层的观点考虑，最好是使用如由Ag-Pd、Ag-Pt、Ag-Au等所代表的银合金。又，作为铜化合物，可举出如硫酸铜、硝酸铜、酞箐铜等。而且，可以选择使用由这些化合物和银的单体组成的一种或二种以上的微粒。银、银化合物、铜及铜化合物微粒的大小最好是其粒径(将粒子换算为同一体积的圆球值)在200nm以下。如导电性微粒的粒径超过200nm，则不仅使导电性防反射膜的透光率显著低下，且由于光的散射，使该导电性防反射膜混浊，从而有可能导致阴极射线管等的分辨率降低。
含有选自银、银化合物、铜及铜化合物中的至少一种物质微粒的第一层，因具有对可见光域的吸收，而使其透光率低下。然而在该第一层中如能得到比电阻相当低的表面电阻，则可以减小该第一层的厚度，可将透光率降低抑制在30％以内，同时，可以实现足够防止AEF发生的低电阻值。
又，在本发明中，作为可确保导电性微粒的导电性的物质，只要是对导电性防反射膜无腐蚀性的可降低透光率的物质即可，没有特别的限制。不过如上所述，导电膜在成膜时，金属微粒的一部分会被氧化，或金属微粒的一部分以金属离子的状态存在，所以对于导电膜就不能得到充分低的表面电阻值。此时，作为可确保导电性微粒导电性的物质，可以使用对于导电性微粒起还原剂作用的物质及可配位于导电性微粒的物质。此处，作为对于导电性微粒起还原剂作用的物质，可以举出如NaBH4、LiAlH4、LiBH4及SnCl2等。这些物质可单独使用或适当组合其多种使用。特别优选的是使用NaBH4及LiBH4。上述物质由于具有将导电膜中所含的金属离子及金属氧化物还原成金属的作用，故可将该物质的含有层紧于导电膜之上，由此，使导电膜中比电阻较小的导电性微粒(即以单体存在的金属)的存在量增大，达到提高导电膜导电性的目的。
又在含有对导电性微粒起还原剂作用的物质的层中，该物质的含量最好是对该导电性微粒含量为0.1～100％(摩尔)的比例。配位于导电性微粒的物质含量如少于对该导电性微粒含量的0.1％(摩尔)时，则对导电性微粒不能起到还原剂的作用；反之，如该物质含量大于对该导电性微粒的含量的100％(摩尔)时，则由于对导电性微粒所起的还原剂作用过强，其导电性反而低下。
又，作为可配位于导电性微粒的物质，可举出如乙二胺四乙酸(EDTA)、乙酰丙酮、双丙酮醇、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氨水、酞箐等的螯合剂，β-二酮类，胺类及酞箐类等。上述物质因可配位于构成导电膜的导电性微粒，使该导电性微粒以离子的状态稳定化。由此就可抑制导电性金属等的氧化，因而能将导电膜的电阻值保持在较低水平。所以就可直接将这类物质添加于导电膜中，使导电膜含有该物质，或可将该物质的含有层直接设置于导电膜上，籍此达到导电膜的低电阻化，及提高导电膜的导电性。又在导电膜中或在紧置于导电膜之上的设置层中，配位于导电性微粒的这类物质的含量相对于该导电性微粒含量的比例最好为0.1～100％(摩尔)。配位于导电性微粒的物质含量如少于对该导电性微粒含量的0.1％(摩尔)时，则难以提高导电膜的导电性；反之，如配位于导电性微粒的这类物质含量大于该导电性微粒含量的100％(摩尔)时，则由于该导电性金属及其化合物等的导电性微粒的全部皆保持于金属离子的状态，所以，其导电性反而低下。另外，配位于导电性微粒的这类物质也可与前述对导电性微粒起还原剂作用的那类物质并合使用。即，既可使导电膜含有可配位于导电性微粒的物质，而在紧靠该导电膜之上设置对导电性微粒起还原剂作用的物质层；又也可在紧靠导电膜之上，同时使其兼含可配位于导电性微粒的物质又含对导电性微粒起还原剂作用的物质。
又，在本发明中的导电性防反射膜系由多层构成，例如，导电性防反射膜是由二层构成时，可将形成于导电膜上的上层折射率减小至小于导电膜的折射率。此时，作为形成于导电膜上的一层，最好是使用以SiO2为主成分的层(二氧化硅层)。且在该二氧化硅层中应含有可配位于上述导电性微粒的物质及/或可保持导电性微粒的导电性的物质。又在本发明中，为更有效地降低导电性防反射膜的反射率，可在第一层上所设置的第二层之上再设置含有如SiO2的第三层，作成二层以上的结构。此时可在互邻的二层之间将折射率之差设置得较低，籍此就可有效降低导电性防反射膜上的反射率。在本发明中，在由第一层及第二层构成导电性防反射膜的场合，通常将第一层层厚设定在200nm以下，折射率设定在1.7-3左右。关于第二层，其层厚通常设定在第一层厚度的10倍以下，折射率设定在1.38-1.70左右。在第二层上设定第三层的场合，在第一～第三层中的各个层的厚度及折射率可根据防反射膜整体的透光率及折射率等作适当设定。
这里，在紧靠含有导电性微粒的导电膜之上设置二氧化硅层，可显著提高导电膜的导电性，其机理可推测为基于如下所述的作用即，在含有导电性微粒的导电膜中，导电性微粒之间的接触不能说很充分，但在紧靠含有导电性微粒的导电膜上形成含有硅胶的膜，同时烧结所述二层膜，则含有硅胶的膜高密度化，形成硅胶层。在这过程中，含于导电膜中的导电性微粒也高密度化。由此，导电性微粒相互之间充分接触，就可得到具有高导电性的导电膜。
另外，在导电性防反射膜是由第一层和第二层构成时，可以采用如下所述的方法例如面板外表面等的基材上形成含有银等导电性微粒、必要时再含有可配位于该导电性微粒的物质的第一涂膜之后，在紧靠该第一涂膜之上，又再形成含有在二氧化硅溶液中、对上述导电性微粒起还原剂作用的物质及按需要还再含有可配位于导电性微粒的物质的第二涂膜，同时烧结该第一及第二涂膜。又，在对第一及第二涂膜同时进行烧结时，在第一涂膜上均匀地产生导电材料的致密化及高密度化，使其结果形成的导电性防反射膜显示了作为整体的高导电性。所以，最好是要调节第一及第二涂膜，使第一及第二涂膜的收缩程度大致同等。又，在第一层及第二层涂膜之上再设置第三层涂膜，导电性防反射膜由二层以上构成时，与上述理由同样，最好要在烧结时的温度及压力等条件下调节第一～第三涂膜，使第一～第三的涂膜均匀地或大致均匀地收缩。
在本发明中，在形成导电性防反射膜时，可使用分散有非离子表面活性剂、同时也分散有Ag或Cu等金属微粒的溶液，必要时再含有可配位于导电性微粒的物质的溶液，由旋转涂布法、喷镀法或浸渍涂布法等，涂布于阴极射线管面板的外表面等基材上，形成第一涂膜。此时，为抑制第一涂膜上发生色斑不匀，并为获得具有均匀膜厚的第一涂膜，基材的表面温度最好设在5-60℃。第一涂膜的膜厚通常控制在25nm～100nm。第一涂膜的膜厚可由分散于溶液中的Ag或Cu等金属微粒浓度、旋转涂布法中涂布的转数、喷镀法中分散溶液的放出量或浸渍涂布法中的提拉速度等的调节，而容易得到控制。又，作为溶液的溶剂，根据需要，也可使其同时含有水和其它成份，例如乙醇及IPA异丙醇等。也可使溶液中含有有机金属化合物、颜料及染料等，使所形成的第一层再附加其它功能。
接着，在第一涂膜上形成第二涂膜。在形成第二涂膜时，其涂布方法可举出如，使用含有对前述导电性微粒起还原剂作用的物质及必要时再含有对该导电性微粒可配位的物质的二氧化硅溶液，由旋转涂布法、喷镀法或浸渍涂布法等，在第一涂膜上涂布的方法。第二涂膜的膜厚通常控制在100nm～2000nm左右。第二涂膜的膜厚可由上述二氧化硅溶液的浓度、旋转涂布法中涂布的转数、喷镀法中分散溶液的放出量或浸渍涂布法中的提拉速度等的调节，而容易控制。如此形成的第一及第二涂膜在150～450℃下，在10～180分钟内同时烧结，由此，即可得到本发明的导电性防反射膜及备有该导电性防反射膜的阴极射线管。
图1所示为实施例有关的阴极射线管结构图。
图2所示为沿图1阴极射线管的A-A’截面剖开的剖视图。
图3所示为就实施例1、2及比较例中所分别制得的导电性防反射膜，分别测得其透光率与表面电阻值之间的关系图。
图4所示为就实施例3、4及比较例中所分别制得的导电性防反射膜，分别测得其透光率与表面电阻值之间的关系图。
最佳实施例的说明以下，举出具体实施例更详细地说明本发明。但是，本发明并不限于这些实施例。
实施例1、2首先，将Ag2O、AgNO3、AgCl等银化合物的微粒子0.5g溶解在水100g中，配成第1溶液。另外，往由硅酸甲酯8重量份、硝酸0.03重量份、乙醇500重量份及水15重量份组成的硅酸酯溶液100g中，分别加入作为还原剂的NaBH4及LiAlH4各0.01重量％，分别配制得含有NaBH4的第2溶液和含有LiAlH4的第3溶液。
然后，用氧化铈对组装后的阴极射线管的荧光屏(6英寸的车载显示屏面板)的外表面进行抛光，除去垃圾、尘埃和油垢等后，用旋转涂布法涂布第1溶液，形成第1涂膜。涂布条件设置如下面板(涂布面)温度为45℃，溶液注入时的旋转速度为80rpm-5sec，甩涂液(成膜)时的旋转速度为150rpm-80sec。接着，以溶液注入时80rpm-5sec，甩涂液时150rpm-80sec的条件用旋转涂布法，将第2溶液(实施例1)或第3溶液(实施例2)在第1涂膜上形成第2涂膜后，在210℃将第1和第2涂膜烧结30分钟。
图1显示了按上述方法得到的阴极射线管。
在图1中，彩色阴极射线管具有由面板1和与面板1整体接合的玻锥2组成的管壳，在装在该面板1上的荧光屏3的内面，形成有由发蓝色、绿色、红色光的三色荧光体层和填补该三色荧光体层间隙部分的黑色光吸收层组成的荧光面4。三色荧光体层是使用将各荧光体与PVA聚乙烯醇、表面活性剂、纯水等一起分散的料浆，用通常的方法将其涂布在荧光屏3的内面而得到的。三色荧光体层的形状可以是带状或点状的，但这里形成为点状。并且，对着荧光面4，在其内侧安装了形成有多个电子束通过孔的荫罩5。此外，在玻锥2的管颈6的内部配置有向荧光面照射电子束的电子枪7，由电子枪7放出的电子束冲击荧光面4，激发三色荧光体层，使其发光。并且，在荧光屏3的外表面形成有导电性防反射膜8。
此外，图2是沿图1所示阴极射线管的A-A’截面剖开的剖面图。
如图2所示，在荧光屏3的表面形成有由带银等导电性微粒9的第1层10，和含有SiO2和硅还原剂的第2层11构成的导电性防反射膜8。
此外，作为比较例，将不含有还原剂的硅酸酯溶液与实施例同样，用旋转涂布法涂布在第1涂膜上，形成第2涂膜，然后，按与实施例同样的方法将第1和第2层同时烧结。
接着，就实施例1、2和比较例中制得的导电性防反射膜，分别测定其透光率(白色光)和表面电阻值。表面电阻值是用Loresta IP MCP-T250(油化电子株式会社制)测定的。其测得结果，作为显示透光率与表面电阻值的关系的图表，示于图3。
从图3可显见，在含有银化合物微粒的第1涂膜上，涂布添加了还原剂NaBH4或LiAlH4的第2及第3溶液，形成第2涂膜，由烧结该第1及第2涂膜得到实施例1及实施例2的导电性防反射膜。可以明白，实施例1及实施例2的导电性防反射膜比起比较例中所得的导电性防反射膜来，在可得到高透明性的透光率范围内，其表面电阻值大幅下降，显示了有效的低表面电阻值，可以防止AEF的发生。
实施例3、4首先，往由硅酸甲酯8重量份、硝酸0.03重量份、乙醇500重量份和水15重量份组成的硅酸酯溶液100g中，添加以0.01～0.05重量％比例的二乙醇胺(DEA)和3％的氨水，分别配制得含有DEA的第4溶液及含有氨的第5溶液。
然后，与实施例1同样，用相同的旋转涂布法，在实施例3中将第4溶液，在实施例4中将第5溶液分别涂布至组装完毕后形成的阴极射线管面板(6英寸的车载用显示屏面板)的外表面上的第1涂膜上，形成第2涂膜后，将第1和第2涂膜在210℃烧结30分钟。
接着，就实施例3及4中分别得到的导电性防反射膜，与实施例1同样，分别测定其透光率(白色光)和表面电阻值。这些测定结果和关于上述比较例所测得的结果一并示于图4。
从图4明白地可见，在含有银化合物微粒的第1涂膜上，涂布添加了DEA或氨水的第4溶液及第5溶液后形成了第2涂膜，再由烧结该第1及第2涂膜得到实施例3及实施例4的导电性防反射膜比起比较例中所得的导电性防反射膜来，在可得到高透明性的透光率范围内，其表面电阻值大幅下降，显示了有效的低表面电阻值，可以防止AEF的发生。
上述说明表明，根据本发明的导电性防反射膜，在可得到高透明性的透光率范围内，因可显著减小其表面电阻值，故在用于电视机的布劳恩管及计算机的CRT(Cathod Ray Tube阴极射线管)等上的阴极射线管上时，可有效地大致防止AEF的发生。
还有，本发明的导电性防反射膜因可用涂布法(湿法)这一简便高效的方法制造，故可提供优异生产率、且具有优异经济性的导电性防反射膜。
因此，若将本发明的导电性防反射膜运用到阴极射线管中，就易于提供一种基本防止AEF(交变电场)的发生，并可显示高画质图像的阴极射线管。
又，根据本发明的阴极射线管，因具有在可得到高度透明性的透光率范围内能显著降低表面电阻值的导电性防反射膜，因此，可在基本防止AEF(交变电场)的发生的同时，显示高画质的图像。
还有，本发明的阴极射线管因可用涂布法(湿法)这一简便高效的方法制造导电性防反射膜，因此，可提供一种优异生产率、且具有优异经济性的阴极射线管。
因此，本发明提供一种能基本防止AEF(交变电场)的发生，同时兼有高品位图像，又具有优异经济性的阴极射线管。
权利要求
1.一种导电性防反射膜，包括含有导电性微粒的第一层，及设置于该第一层之上、含有可确保上述导电性微粒导电性的物质的第二层。
2.一种导电性防反射膜，包括含有导电性微粒的第一层，及设置于该第一层之上、含有对上述导电性微粒起还原剂作用物质的第二层。
3.一种导电性防反射膜，包括含有导电性微粒的第一层，及设置于该第一层之上、含有可配位于上述导电性微粒的物质的第二层。
4.一种导电性防反射膜，包括含有导电性微粒及配位于上述导电性微粒的物质的第一层，及设置于该第一层之上的第二层。
5.如权利要求1所述的导电性防反射膜，其特征在于，所述的第一层及/或所述的第二层再含有可配位于前述导电性微粒的物质。
6.如权利要求2所述的导电性防反射膜，其特征在于，所述作为对于导电性微粒起还原剂作用的物质，为选自NaBH4、LiALH4、LiBH4及SnCl2中的至少一种物质。
7.如权利要求5所述的导电性防反射膜，其特征在于，所述可配位于前述导电性微粒的物质选自乙二胺四乙酸(EDTA)、乙酰丙酮、双丙酮醇、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氨水、酞箐、β-二酮类，胺类及酞箐类中的至少一种。
8.如权利要求3或4所述的导电性防反射膜，其特征在于，所述可配位于前述导电性微粒的物质选自乙二胺四乙酸(EDTA)、乙酰丙酮、双丙酮醇、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氨水、酞箐、β-二酮类，胺类及酞箐类中的至少一种。
9.如权利要求1-4所述的导电性防反射膜，其特征在于，所述导电性微粒为选自银、银化合物、铜及铜化合物中的至少一种物质。
10.如权利要求1-4所述的导电性防反射膜，其特征在于，所述第1层的折射率比所述第2层的折射率大。
11.一种阴极射线管，包括含有荧光物质的第一面的荧光屏板；在与所述荧光屏板的第一面对向而置的第二面之上形成的、含有导电性微粒的第一层；及设置于上述第一层之上、含有可确保上述导电性微粒导电性的物质的第二层。
12.一种阴极射线管，包括含有荧光物质的第一面的荧光屏板；在与所述荧光屏板的第一面对向而置的第二面之上形成的、含有导电性微粒的第一层；及设置于上述第一层之上、含有对上述导电性微粒起还原剂作用物质的第二层。
13.一种阴极射线管，包括含有荧光物质的第一面的荧光屏板；在与所述荧光屏板的第一面对向而置的第二面之上形成的、含有导电性微粒的第一层；及设置于上述第一层之上、含有可配位于上述导电性微粒的物质的第二层。
14.一种阴极射线管，包括含有荧光物质的第一面的荧光屏板；在与所述荧光屏板的第一面对向而置的第二面之上形成的、含有导电性微粒及可配位于上述导电性微粒的物质的第一层；及设置于上述第一层之上的第二层。
15.如权利要求12所述的阴极射线管，其特征在于，所述的第一层及/或所述的第二层再含有可配位于前述导电性微粒的物质。
16.如权利要求12所述的阴极射线管，其特征在于，所述作为对于导电性微粒起还原剂作用的物质，为选自NaBH4、LiAlH4、LiBH4及SnCl2中的至少一种物质。
17.如权利要求15所述的阴极射线管，其特征在于，所述可配位于前述导电性微粒的物质选自乙二胺四乙酸(EDTA)、乙酰丙酮、双丙酮醇、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氨水、酞箐、β-二酮类，胺类及酞箐类中的至少一种。
18.如权利要求13或14所述的阴极射线管，其特征在于，所述可配位于前述导电性微粒的物质选自乙二胺四乙酸(EDTA)、乙酰丙酮、双丙酮醇、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氨水、酞箐、β-二酮类，胺类及酞箐类中的至少一种。
19.如权利要求11-14所述的阴极射线管，其特征在于，所述导电性微粒为选自银、银化合物、铜及铜化合物中的至少一种物质。
20.如权利要求11-14所述的导电性防反射膜，其特征在于，所述第1层的折射率比所述第2层的折射率大。
全文摘要
在含有导电性微粒的第一层涂膜上,形成含有可确保上述导电性微粒导电性的物质的第二层涂膜,同时烧结该第一及第二涂膜。由此,在得到高度透明性的透光率范围内,可经济地制得其表面电阻值充分低的导电性防反射膜。将本发明的导电性防反射膜运用到阴极射线管中,可得到基本防止AEF(交变电场)的发生,并可显示高画质图像、具有优异经济性的阴极射线管。
文档编号G02B1/11GK1179619SQ9712054
公开日1998年4月22日 申请日期1997年10月9日 优先权日1996年10月9日
发明者千草尚, 阿部美千代, 青木克之 申请人:东芝株式会社