；
[0034]图7为图6中A-A处的剖面示意图；
[0035]图8为本发明的黑色矩阵的制作方法步骤3的示意图；
[0036]图9为本发明的黑色矩阵的制作方法步骤4的示意图。
【具体实施方式】
[0037]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0038]请参阅图4，本发明提供一种黑色矩阵的制作方法，包括如下步骤:
[0039]步骤1、请参阅图5，提供基板1，所述基板I上设置有数个对位标记14。
[0040]优选的，所述基板I为矩形结构，所述对位标记14为四个，分别设置于矩形的四个角处。
[0041]具体的，所述基板I为TFT阵列基板。
[0042]步骤2、请参阅图6-7，提供黑色矩阵光阻体系，并在基板I上涂布该黑色矩阵光阻体系，形成光阻层2，所述光阻层2覆盖整个基板I及基板I上的对位标记14。
[0043]具体的，所述黑色矩阵光阻体系至少包含以下两种成分:负性光刻胶、及金属卤化物；
[0044]所述金属卤化物在未曝光时为低光密度值材料，使得所述光阻层2在未曝光时呈透明状态。
[0045]优选的，所述金属卤化物为溴化银(AgBr)或氯化银(AgCl)。
[0046]所述负性光刻胶为黑色矩阵光阻体系中的主要成分，从而构成黑色矩阵光阻体系的结构主体。所述负性光刻胶未曝光时为可溶性物质，可溶于显影液，曝光后发生交联固化反应，变成不可溶物质，不溶于显影液。所述负性光刻胶在未曝光时同样为低光密度值材料。
[0047]所述金属卤化物在未曝光时为低光密度值的材料，曝光后会分解形成金属微粒，金属微粒由于颗粒小会呈现为黑色，具有高光密度值。
[0048]步骤3、请参阅图8，利用对位标记14进行精确对位后，按照黑色矩阵的设计图形通过一道光罩4对所述光阻层2进行曝光；
[0049]其中，照光区域的光阻层2中的金属卤化物分解形成金属微粒，使得照光区域的光阻层2呈现为黑色，从而实现黑色矩阵的遮光功能，同时照光区域的光阻层2变得不溶于显影液，从而在后续的显影步骤中保留下来；
[0050]具体的，采用紫外光进行曝光制程；所述光阻层2曝光前的光密度值小于1，曝光后的光密度值大于2.5。[0051 ] 步骤4、请参阅图9，对所述光阻层2进行显影制程，移除被光罩4遮挡的未照光区域的光阻层2，形成黑色矩阵3。
[0052]由于负性光刻胶的特性，使得照光区域的光阻层2不溶于显影液，而未照光区域的光阻层2易溶于显影液，从而保留下照光区域的光阻层2，去除未照光区域的光阻层2。
[0053]综上所述，本发明提供一种黑色矩阵的制作方法，通过在基板上涂布包含负性光刻胶及金属卤化物的黑色矩阵光阻体系，形成光阻层，由于所述金属卤化物在未曝光时为低光密度值的材料，使得光阻层呈透明状态，便于对位标记的识别；所述金属卤化物在曝光后会分解形成金属微粒，金属微粒由于颗粒小会呈现为黑色，使得光阻层也呈现为黑色，从而实现黑色矩阵的遮光功能，并且利用负性光刻胶未曝光时可溶于显影液，曝光后不溶于显影液的特性，解决了 BOA制程中黑色矩阵光阻体系涂布后对位标记难以识别的问题。
[0054]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种黑色矩阵的制作方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1、提供基板(I)，所述基板(I)上设置有数个对位标记(14); 步骤2、提供黑色矩阵光阻体系，在基板(I)上涂布所述黑色矩阵光阻体系，形成光阻层(2)，所述光阻层⑵覆盖整个基板⑴及基板⑴上的对位标记(14); 所述黑色矩阵光阻体系至少包含以下两种成分:负性光刻胶、及金属卤化物；所述金属卤化物在未照光时为低光密度值材料，从而使得所述光阻层(2)在未曝光时呈透明状态； 步骤3、利用对位标记(14)进行精确对位后，按照黑色矩阵的设计图形通过一道光罩(4)对所述光阻层(2)进行曝光； 照光区域的光阻层(2)中的金属卤化物分解形成金属微粒，使得照光区域的光阻层(2)呈现为黑色，同时照光区域的光阻层(2)变得不溶于显影液； 步骤4、对所述光阻层(2)进行显影制程，移除被光罩(4)遮挡的未照光区域的光阻层(2)，形成黑色矩阵(3)。
2.如权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述步骤I中，所述基板(I)为TFT阵列基板。
3.如权利要求2所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述基板(I)为矩形结构。
4.如权利要求3所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述对位标记(I)为四个，分别设置于矩形的四个角处。
5.如权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述金属卤化物为溴化银或氯化银。
6.如权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述负性光刻胶为黑色矩阵光阻体系中的主要成分。
7.如权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述光阻层(2)曝光前的光密度值小于I。
8.如权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，所述光阻层(2)曝光后的光密度值大于2.5。
9.如权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其特征在于，采用紫外光进行曝光制程。
【专利摘要】本发明提供一种黑色矩阵的制作方法，通过在基板上涂布包含负性光刻胶及金属卤化物的黑色矩阵光阻体系，形成光阻层，由于所述金属卤化物在未曝光时为低光密度值的材料，使得光阻层呈透明状态，便于对位标记的识别；所述金属卤化物在曝光后会分解形成金属微粒，金属微粒由于颗粒小会呈现为黑色，使得光阻层也呈现为黑色，从而实现黑色矩阵的遮光功能，并且利用负性光刻胶未曝光时可溶于显影液，曝光后不溶于显影液的特性，解决了BOA制程中黑色矩阵光阻体系涂布后对位标记难以识别的问题。
【IPC分类】G02F1-1335, G03F7-00
【公开号】CN104765190
【申请号】CN201510208944
【发明人】熊源
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年4月28日