液晶显示面板及其像素的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种液晶显示面板及其像素。
【背景技术】
[0002] 薄膜晶体管液晶显示器（TFT-IXD)是由阵列基板、彩色滤光片基板以及充满于这 两炔基板之间的液晶共同形成的。阵列基板上的传统像素结构，栅线和公共电极线相互平 行排列，同时跨过数据线与数据线交叉。这种结构在栅线端子一侧以及栅线端子对面一侧 同时向显示区域内的公共电极线导入公共电极电位。该结构采用由第一层金属形成的公共 电极线与像素电极形成存储电容。
[0003] 基于传统像素结构的阵列基板，进入栅线端子一侧的公共电极电位来自于数据线 端子模块。这个公共电极电位通过与数据线同层的第二层金属由上而下依次跨过每一条数 据线把电位供给给所有的公共电极线。由于这条用于导入公共电极电位的第二层金属线从 数据线端子部引入公共电极电位后所跨过的距离很长，使得进入显示区域前的公共电极线 阻抗比较大。影响了公共电极线的电位供给能力。
[0004] 在传统像素结构中，如果公共电极线和像素电极之间隔着栅极绝缘层和钝化层直 接形成存储电容，由于隔着两层绝缘薄膜，为了获得较大的存储电容值，就要增加公共电极 线的面积，这样就会降低显示单元的开口率。所以，在如图Ia所示的现有像素结构中，漏极 05延伸到公共电极线02的上方，只隔着栅极绝缘层形成存储电容。在形成存储电容区域的 漏极上方设计接触孔06,由所述接触孔把从数据线输入的电压传输到像素电极。
[0005] 为了解决上述传统像素结构中的缺陷，发明专利CN101334564A公开了一种可以 降低公共电极线的阻抗、利用更窄的公共电极线形成存储电容的像素结构。所用的技术方 案是让数据线和公共电极线相互平行排列，同时跨过栅线与栅线交叉，公共电极线所需的 电位在每个数据线端子模块的两侧分别引入，由数据线端子一侧以及数据线端子的对面一 侧分别导入显示区域。将传统像素结构中由第一金属层公共电极与像素电极形成的存储电 容改为由第二金属层公共电极与像素电极形成存储电容，减小了金属公共电极线与像素电 极之间的距离，增大了存储电容。这样就可以利用更窄的公共电极线来实现原来所需的存 储电容值。
[0006] 发明专利CN101334564A公开的技术方案主要应用于扭曲向列相（TN)液晶显示 模式的像素结构，显示品质有待改善；并且像素之间需要留出一定的间隙，牺牲了部分开口 率。随着对显示品质的不断要求，垂直配向（Vertical Alignment, VA)液晶显示面板在高端 液晶应用较多，属于广视角面板。在众多的VA液晶显示技术中，UV2A技术具有高透过率、高 对比度及快速响应等优势，并且相比IPS、FFS等其他广视角技术具有高对比度的优点。然 而，随着面板解析度的要求越来越高，在现有UV2A技术上，需要再进一步提高透过率。
[0007] 发明专利 CN104280959A、CN104007591A、CN104049429A 等提出的像素结构，把公 共电极线设计为与数据线同层、并且平行于数据线。在这些像素结构中，公共电极线都不是 位于像素中央。对于使用光配向技术的像素，如图Ib所示，为了区分出左上、左下、右上、右 下四个不同的液晶分子转动区域，在像素中央会出现呈"十"字形黑纹08,降低像素的开口 率。
【发明内容】
[0008] 有鉴于此，针对现有技术中的不足，本发明提供一种像素结构及其制作方法，本发 明通过在像素中央的黑纹区域设计公共电极线，同时根据不同的制造工艺设计不同的存储 电容结构。本发明不仅可以增大存储电容区域，还可以提高像素的开口率。
[0009] 为达上述或其它目的，本发明一方面提出了一种像素，包括：第一基板和第二基 板；栅线和数据线，设置为彼此交叉在该第一基板上限定像素区域；开关元件，设置在该栅 线和该数据线的交叉处；垂直取向型液晶层，夹置在该第一基板和该第二基板的该像素区 域之间；该像素区域具有当施加电压时，该液晶层中的液晶分子沿第一方向、第二方向、第 三方向和第四方向倾斜的第一液晶畴区域、第二液晶畴区域、第三液晶畴区域和第四液晶 畴区域，该第一至第四液晶畴区域之间显示为黑纹区域；公共电极，设置为该黑纹区域全部 或部分覆盖的图案；像素电极，设置为与该开关元件电连接，且该像素电极与该公共电极之 间隔置有保护层，形成第一存储电容。
[0010] 可选择地，该公共电极具体设置为该黑纹区域覆盖的与该数据线平行的公共电极 线。
[0011] 可选择地，该公共电极具体设置为该黑纹区域覆盖的与该数据线平行的公共电极 线和与该栅线平行的第一公共电极线段的结合图案。
[0012] 可选择地，还包括遮光层，设置在该第二基板上，覆盖该第一基板对应区域形成遮 光区域；该公共电极具体设置为该黑纹区域覆盖的与该数据线平行的公共电极线和该遮光 区域覆盖的与该栅线平行的第二公共电极线段的结合图案。
[0013] 可选择地，还包括遮光层，设置在该第二基板上，覆盖该第一基板对应区域形成遮 光区域；该公共电极具体设置为该黑纹区域覆盖的与该数据线平行的公共电极线或该黑纹 区域覆盖的与该栅线平行的第一公共电极线段或与该遮光区域覆盖的与该栅线平行的第 二公共电极线段或该公共电极线与该第一、二公共电极线段的任意结合图案。
[0014] 可选择地，该像素电极与该公共电极之间的该保护层的厚度为在1000~4000 A范 围内。
[0015] 可选择地，还包括存储电极，设置为与该像素电极电连接，且与该公共电极图案重 合，该存储电极与该公共电极之间隔置有栅极绝缘层，形成第二存储电容。
[0016] 可选择地，还包括绝缘厚膜层，设置在该保护层上，该像素电极与该公共电极之间 隔置有该保护层和该绝缘厚膜层，形成第一存储电容。
[0017] 可选择地，该像素电极与该公共电极之间的该绝缘厚膜层的厚度为在1~4um范 围内。
[0018] 进一步地，该存储电极与该栅线布置在第一金属层；该公共电极线与该数据线布 置在第二金属层；该像素电极通过一导电孔与该开关元件的漏极和该存储电极电连接。
[0019] 为达上述或其它目的，本发明另一方面提出了一种液晶显示面板，包括：显示区 域，具有上述像素。
[0020] 本发明与现有技术相比，其优点在于：本发明提供的经过光配向的像素，通过设置 公共电极覆盖黑纹区域，不占用额外的开口面积，可以大幅提高像素的开口率；公共电极线 与像素电极之间隔着厚度可调节的保护层，在不增加公共电极线宽度的基础上存储电容大 小可调。
【附图说明】
[0021] 图Ia为现有技术中像素结构平面示意图；
[0022] 图Ib为现有技术中像素结构中光配向黑纹位置示意图；
[0023] 图2为示意性示出本发明一实施例像素结构平面示意图；
[0024] 图3为示意性示出本发明图1中沿A-A'方向的剖面示意图；
[0025] 图4为本发明图1中像素结构中光配向黑纹位置平面示意图；
[0026] 图5为示意性示出本发明另一实施例像素结构平面示意图；
[0027] 图6为示意性示出本发明图5中沿B-B'方向的剖面示意图；
[0028] 图7为本发明图5中像素结构中光配向黑纹位置平面示意图；
[0029] 图8为示意性示出本发明又一实施例像素结构平面示意图；
[0030] 图9为示意性示出本发明图8中沿C-C'方向的剖面示意图；
[0031] 图10为本发明图8中像素结构中光配向黑纹位置平面示意图；
[0032] 图11为示意性示出本发明像素结构平面示意图。
【具体实施方式】
[0033] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0034] 本发明提出一种液晶显示面板，具体为一种垂直配向型液晶显示面板，包括：显示 区域，布置有呈阵列排布的多个像素，具体描述可以参照下列不同实施例实施，但并不限制 于此处描述的这些实施例。
[0035] 图2为示意性示出本发明一实施例像素结构平面示意图；图3为示意性示出本发 明图1中沿A-A'方向的剖面示意图；图4为本发明图1中像素结构中光配向黑纹位置平面 示意图。结合参考图2-4,本发明该实施例提供一像素，包括：第一基板和第二基板（图未 示）；栅线01和数据线03,设置为彼此交叉在该第一基板上限定像素区域；开关元件，设置 在该栅线01和该数据线03的交叉处；优选地，开关元件为以栅线01为栅极，以半导体层04 为沟道，以数据线03为源极形成薄膜晶体管开关器件。
[0036] 参考图4,垂直取向型液晶层（图未示），夹置在该像素区域的该第