一基板和该第 二基板之间；该像素区域具有当施加电压时，该液晶层中的液晶分子沿第一方向（左上）、 第二方向（左下）、第三方向（右上）和第四方向（右下）倾斜的第一液晶畴区域、第二液 晶畴区域、第三液晶畴区域和第四液晶畴区域，该第一至第四液晶畴区域之间的边界显示 为十字型的黑纹区域。
[0037] 参考图3,公共电极02具体设置为该黑纹区域覆盖的与该数据线平行的公共电极 线。像素电极07,设置为与该开关元件电连接，且该像素电极07与该公共电极02之间隔置 有保护层13、绝缘厚膜层14,形成第一存储电容。还包括存储电极08,设置为与该像素电极 07电连接，且与该公共电极02图案重合，该存储电极08与该公共电极02之间隔置有栅极 绝缘层12,形成第二存储电容。
[0038] 参考图2,具体地，存储电极08具有在该像素区域内与该公共电极02图案重合的 线段，且具有一延长部，该存储电极08延长部区域与薄膜晶体管的漏极05重叠，像素电极 07通过该接触孔06与该重叠区域实现电学连接。其中，漏极05、公共电极02和数据线03 同布置为第二层金属，存储电极08与栅线01同布置为第一层金属。
[0039] 具体地，绝缘厚膜层可以为酚醛树脂等树脂类有机材料，也可以为水玻璃 (Na20*mSi02)等无机绝缘材料。保护层的材料一般采用氮化娃（SiNx)、氧化娃（Si02)、氧 化铝（Al203)等无机绝缘材料。
[0040] 结合参考图2和图3,本发明还提供了液晶显示面板的该实施例所述像素的制作 方法，其包括以下制作步骤：
[0041] (1)在第一基板11上，优选地为在玻璃基板上溅射形成第一层金属薄膜。利用第 一张掩膜版，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀等工艺形成栅线01和存储电极08的图 案。
[0042] (2)在第一金属层的图案上，用化学气相沉积工艺形成透明的栅极绝缘层12。在 栅极绝缘层12的上方沉积半导体层04。利用第二张掩膜版，通过光刻胶的涂布、曝光、显 影、刻蚀等工艺形成半导体层的沟道图案。
[0043] (3)在半导体层04的图案上，溅射形成第二层金属薄膜。利用第三张掩膜版，通过 光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀等工艺形成公共电极线02、数据线03、漏极05等图案。公 共电极线02与存储电极08,隔着栅极绝缘层12,形成第二存储电容。
[0044] (4)在第二金属层的图案上，用化学气相沉积工艺形成透明的保护层13。在保护 层13的上方涂布一层透明的绝缘厚膜层14。绝缘厚膜层14的厚度为Ium~4um。利用第 四张掩膜版，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀等工艺形成接触孔06图案。
[0045] (5)在绝缘厚膜层14和接触孔06的上方，溅射形成ITO透明导电薄膜。利用第五 张掩膜版，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀等工艺形成像素电极07图案。像素电极07 覆盖接触孔06,同时覆盖在漏极05和存储电极08的上方，实现漏极05和存储电极08的电 学连接，并且与像素电极07保持等电位。
[0046] (6)在第一基板和第二基板（图未示）上，分别涂覆配向膜。在第一基板的所述像 素的配向膜上沿着水平方向分别进行左右两个方向（或者沿着垂直方向分别进行上下两 个方向）的紫外光配向；在第二基板的所述像素的配向膜上沿着垂直方向分别进行上下两 个方向（沿着水平方向分别进行左右两个方向）的紫外光配向。在第一基板和第二基板之 间注入液晶并贴合后，所述像素区域具有当施加电压时，该液晶层中的液晶分子沿第一方 向（左上）、第二方向（左下）、第三方向（右上）和第四方向（右下）倾斜的第一液晶畴 区域、第二液晶畴区域、第三液晶畴区域和第四液晶畴区域，该第一至第四液晶畴区域之间 的边界显示为十字型的黑纹区域。
[0047] 本发明该实施例提供的像素，在采用光配向的像素中，公共电极和存储电容都隐 藏到黑纹08的下面。不额外占用像素的开口面积，像素的开口率高。
[0048] 图5为示意性示出本发明另一实施例像素结构平面示意图；图6为示意性示出本 发明图5中沿B-B'方向的剖面示意图；图7为本发明图5中像素结构中光配向黑纹位置平 面示意图。结合参考图5-7,本发明该实施例提供一像素，包括：第一基板和第二基板（图 未示）；栅线Ol和数据线03,设置为彼此交叉在该第一基板上限定像素区域；开关元件，设 置在该栅线01和该数据线03的交叉处；优选地，开关元件为以栅线01为栅极，以半导体层 04为沟道，以数据线03为源极形成薄膜晶体管开关器件。
[0049] 参考图7,垂直取向型液晶层（图未示），夹置在该像素区域的该第一基板和该第 二基板之间；该像素区域具有当施加电压时，该液晶层中的液晶分子沿第一方向（左上）、 第二方向（左下）、第三方向（右上）和第四方向（右下）倾斜的第一液晶畴区域、第二液 晶畴区域、第三液晶畴区域和第四液晶畴区域，该第一至第四液晶畴区域之间显示为十字 型的黑纹区域。
[0050] 参考图6,公共电极02具体设置为该黑纹区域覆盖的与该数据线平行的公共电极 线。像素电极07,设置为与该开关元件电连接，且该像素电极07与该公共电极02之间隔置 有保护层13,形成第一存储电容。
[0051] 具体地，保护层的材料一般采用氮化硅（SiNx)、氧化硅（Si02)、氧化铝（A1203)等 无机绝缘材料。该保护层的厚度为在丨000~4000A范围内。可根据设置保护层的不同厚度 调节第一存储电容的大小。
[0052] 参考图5，像素电极07通过该接触孔06与开关元件实现电学连接。其中，漏极05、 公共电极02和数据线03同布置为第二层金属。
[0053] 结合参考图5和图6,本发明还提供了液晶显示面板的该实施例所述像素的制作 方法，其包括以下制作步骤：
[0054] (1)在第一基板11上，优选地为在玻璃基板上溅射形成第一层金属薄膜。利用第 一张掩膜版，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀等工艺形成栅线01图案。
[0055] (2)在第一金属层的图案上，用化学气相沉积工艺形成透明的栅极绝缘层12。在 栅极绝缘层12的上方沉积半导体层04。利用第二张掩膜版，通过光刻胶的涂布、曝光、显 影、刻蚀等工艺形成半导体层的沟道图案。
[0056] (3)在半导体层04的图案上，溅射形成第二层金属薄膜。利用第三张掩膜版，通过 光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀等工艺形成公共电极线02、数据线03、漏极05等图案。
[0057] (4)在第二金属层的图案上，用化学气相沉积工艺形成透明的保护层13。利用第 四张掩膜版，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀等工艺形成接触孔06图案。
[0058] (5)在接触孔06的上方，溅射形成ITO透明导电薄膜。利用第五张掩膜版，通过光 刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀等工艺形成像素电极07图案。像素电极07覆盖接触孔06,同 时覆盖在漏极05上方，实现漏极05的电学连接，并且与像素电极07保持等电位。
[0059] (6)在第一基板和第二基板（图未示）上，分别涂覆配向膜。在第一基板的所述像 素的配向膜上沿着水平方向分别进行左右两个方向（或者沿着垂直方向分别进行上下两 个方向）的紫外光配向；在第二基板的所述像素的配向膜上沿着垂直方向分别进行上下两 个方向（沿着水平方向分别进行左右两个方向）的紫外光配向。在第一基板和第二基板之 间注入液晶并贴合后，所述像素区域具有当施加电压时，该液晶层中的液晶分子沿第一方 向（左上）、第二方向（左下）、第三方向（右上）和第四方向（右下）倾斜的第一液晶畴 区域、第二液晶畴区域、第三液晶畴区域和第四液晶畴区域，该第一至第四液晶畴区域之间 的边界显示为十字型的黑纹区域。
[0060] 该实施例与上述实施例的区别在于，该实施例未设置存储电极。具体而言，上述实 施例的存储电容包括第一存储电容和第二存储电容，存储电极与公共电极线之间隔着栅极 绝缘层形成第一存储电容，公共电极线与像素电极之间隔着保护层形成第二存储电容。而 该实施例仅设置第二存储电容，通过控制加厚或者减薄保护层的厚度，可以保证用第二存 储电容即可满足像素电学性能的要求。
[0061] 图8为示意性示出本发明又一实施例像素结构平面示意图；图9为示意性示出本 发明图8中沿C-C'方向的剖面示意图；图10为本发明图8中像素结构中光配向黑纹位置平 面示意图。结合参考图8-10,本发明该实施例提供一像素，包括：第一基板和第二基板（图 未示）；栅线01和数据线03,设置为彼此交叉在该第一基板上限定像素区域；开关元件，设 置在该栅线01和该数据线03的交叉处；优选地，开关元件为以栅线01为栅极，以半导体层 04为沟道，以数据线03为源极形成薄膜晶体管开关器件。
[0062] 参考图10,垂直取向型液晶层（图未示），夹置在该像素区域的该第一基板和该第 二基板之间；该像素区域具有当施加电压时，该液晶层中的液晶分子沿第一方向（左上）、 第二方向（左下）、第三方向（右上）和第四方向（右下）倾斜的第一液晶畴区域、第二