“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、
“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
[0036]本发明的实施例提供一种光配向膜杂质去除装置，具体的，参照图1所示，该光配向膜杂质去除装置包括:加热设备11、气体抽出设备12以及气体输入设备13。
[0037]加热设备11形成一个密封腔体111，用于对放置于密封腔体111内部的配向膜进行加热。
[0038]示例性的，密封腔体的形状可以为长方体、正方体或其他多面体，本发明的实施例中不对密封腔体的形状进行限定。
[0039]气体抽出设备12通过抽气管道121与密封腔体111连通，用于抽取密封腔体111内的气体。
[0040]示例性的，气体抽出设备可以为真空栗或者具有类似功能的设备。
[0041]气体输入设备13包括供气管道131和控制开关132，供气管道131与密封腔体111连通，控制开关132用于控制供气管道131的导通或截止；气体输入设备13用于在控制开关132的控制下通过供气管道131向密封腔体111内输送气体。
[0042]本发明实施例提供的光配向膜杂质去除装置，包括加热设备、气体抽出设备以及气体输入设备，加热设备形成一个密封腔体用于可以对放置于密封腔体内部的配向膜进行加热，气体抽出设备通过抽气管道与密封腔体连通，用于抽取密封腔体内的气体，气体输入设备用于在控制开关的控制下通过供气管道向密封腔体内输送气体，在上述光配向膜杂质去除装置工作时，可以通过控制气体抽出设备开始工作且控制气体输入设备的供气管道截止，从而减小密封腔体内部的压强，进而在较低温度时使光配向中产生小分子杂质蒸发，所以本发明实施例能够去除光配向过程中光配向膜产生的小分子杂质且不影响配向膜以及其他元件。
[0043]进一步的，抽气管道设置于密封腔体的第一侧，气体输入设备的供气管道设置于密封腔体的第二侧；其中，密封腔体的第一侧与密封腔体的第二侧相互远离。
[0044]在进行加热去除光配向膜中的小分子杂质前，需要首先对密封腔体内部的空气进行换气，将抽气管道设置于密封腔体的第一侧，气体输入设备的供气管道设置于密封腔体的第二侧，且密封腔体的第一侧与密封腔体的第二侧相互远离，即为将抽气管道和供气管道设置于密封腔体上相互远离的侧面，这样可以使密封腔体内部的换气更加充分，从而更有利于去除密封腔体内自然蒸发的小分子杂质。示例性的，可以将抽气管道和供气管道设置于密封腔体的相对面上，例如:抽气管道设置与密封腔体的顶面，供气管道设置与密封腔体的底面，或者抽气管道设置与密封腔体的左侧面，供气管道设置与密封腔体的右侧面，或者抽气管道设置与密封腔体的前侧面，供气管道设置与密封腔体的后侧面。
[0045]优选的，气体输入设备13还包括过滤网133 ;过滤网用于对进入密封腔体的气体进行过滤。
[0046]具体的，过滤网133可以设置与于供气管道131的任一端，也可以设置于供气管道131内部，本发明实施例中不限定过滤网的设置位置，以能够对进入密封腔体内部的气体进行过滤为准。
[0047]大气中可能含有灰尘颗粒、水蒸气等杂质，若灰尘颗粒和空气一起进入密封腔体内部，则可能会污染放置密封腔体内的光配向膜，而设置过滤对空气中的灰尘颗粒、水蒸气等杂质进行过滤可以有效避免空气中的大致污染光配向膜。可选的，过滤网的材质可以为:超低透过率空气过滤材料(英文全称:Ultra Low Penetrat1n Air Filter，简称:ULPA)或者膨体聚四氟乙稀(英文全称:expended polytetraf luoroethylene，简称e-PTFE或者expanded PTFE)。
[0048]进一步的，参照图2、3所示，其中，图2为PI膜经过线偏极紫外光照射后，产生的小分子杂质Al和A2在不同温度下加热30分钟后在光配向膜中含量的示意图，图2中横坐标为温度值，纵坐标为光配向膜中杂质的含量。由图2可知温度越高则光配向膜中残留的杂质越少。图3为真空度对蒸发温度的影响示意图，图3中，横坐标表示真空度，纵坐标表示温度值，图中各点连成的曲线表示蒸发温度随真空度的变化。由图3可知真空度越高则蒸发温度越低。
[0049]通过上述示意图2、3可知可以通过提高温度，以及提高真空度来去除光配向膜中的杂质，且温度在不损坏光配向膜的情况下尽量高，真空度越高越好。因此优选的，加热设备用于将放置于腔体内部的配向膜加热至预设温度，预设温度大于190°C且小于250°C。
[0050]需要说明的是，当减小密封腔体内部气体压强时，理想状态为将密封腔体内部压强减小到零，即绝对真空状态，然而由于工艺限制，密封腔体内部不可能达到绝对真空状态，所以本发明实施例中不对密封腔体内的真空对进行限定，密封腔体内部的真空度越高越好。此外，配向膜中的小分子杂质温度越高蒸发越多，但过高的温度又会损坏光配向膜，因此优选的，将配向膜加热的温度大于190°C且小于250°C。
[0051]本发明的实施例提供一种光配向膜杂质去除方法，该方法应用于上述任一实施例提供的光配向膜杂质去除装置。具体的，参照图4所示，该方法包括如下步骤:
[0052]S401、控制气体抽出设备开始工作并通过气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道导通，对加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气。
[0053]首先，对密封腔体内的气体进行换气可以去除密封腔体内自然蒸发的小分子杂质以及其他杂质气体。
[0054]S402、当换气时间达到预设时间时，控制加热设备开始工作。
[0055]预设时间可以根据密封腔体的容积、换气速度等实际数据进行设定，本发明不限定换气时间的长度。
[0056]S403、当放置于密封腔体内部的配向膜的温度达到预设温度时，通过气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道截止。
[0057]在步骤S403中，气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道截止，则继续工作的气体抽出设设备会使密封腔体内部的气压逐渐减小，真空度逐渐升高，在预设温度时，光配向膜中的小分子杂质能够去除的更加彻底。
[0058]本发明的实施例提供的光配向膜杂质去除方法，首先控制气体抽出设备开始工作并通过气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道导通，对加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气；然后控制加热设备开始工作，对光配向膜进行加热，最后在配向膜的温度达到预设温度时，通过气体输入设备的控制开关控制气体输入设备的供气管道截止，进而通过继续工作的气体抽出设设备使密封腔体内部的气压逐渐减小，真空度逐渐升高，所以本发明的实施例在较低温度时除去除光配向中产生小分子杂质，因此可以去除光配向过程中光配向膜产生的小分子杂质且不影响配向膜以及其他元件。
[0059]可选的，在对加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气前，上述方法还包括:
[0060]通过过滤网对进入密封腔体的气体进行过滤。
[0061 ] 大气中可能含有灰尘颗粒、水蒸气等杂质，若灰尘颗粒和空气一起进