一种光配向膜杂质去除装置和方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种光配向膜杂质去除装置和方法。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的进步，显示器在人们日常生活中的应用越来越广泛，其中，薄膜晶体管液晶显不器(英文全称:Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称:TFT-LCD)因为具有低驱动电压、靠性高、无辐射、无闪烁、适用范围宽等众多优势，因此TFT-1XD是目前的主流显示器。
[0003]在TFT-1XD的制造过程中需要对液晶进行配向，控制液晶分子在TFT-1XD中的初始排列方式，进而精确控制液晶分子在TFT-LCD显示过程的排列方式以实现显示效果，因此，对液晶配向是TFT-1XD制造工艺中十分重要的一道工序。现有的配向技术包括:接触式配向技术和非接触式配向技术。其中，应用最为广泛的接触式配向技术为磨刷配向(英文全程:Rubbing Alignment)法，磨刷配向法可对液晶分子较好的进行配向，但是由于在接触过程中会在配向膜上产生静电以及杂质颗粒，且静电以及杂质颗粒很可能会直接造成液晶元件的损坏。通过非接触式配向技术则可以避免直接与配向膜接触，因此可以很好的避免静电以及杂质颗粒的产生，目前本领域技术人员所熟知的非接触式配向方法为紫外光配向法，简称光配向。具体的，光配向是以线偏极紫外光照射有感光剂的聚酰亚胺薄膜(英文全称=Polyimide Film，简称PI膜)。然而光配向虽然避免了静电以及杂质颗粒的产生，但是PI膜经过线偏极紫外光照射后，PI膜的部分分子链会断裂，产生的小分子杂质，若这些小分子杂质残留在TFT-1XD内部，在TFT-1XD显示过程中会形成异物型亮点，从而影响TFT-1XD的显示效果。现有技术中通过加热蒸发来去除这些小分子杂质，然而，加热温度过低时，仍会有较多杂质未蒸发，杂质去除效果不理想，加热温度过高时，高温可能会影响配向膜以及其他元件。因此，如何去除光配向过程中光配向膜产生的小分子杂质且不影响配向膜以及其他元件是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0004]本发明的实施例提供一种配向膜杂质去除装置和方法，用于去除光配向过程中光配向膜中产生的小分子杂质且不影响配向膜以及其他元件。
[0005]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0006]第一方面，提供一种光配向膜杂质去除装置，包括:加热设备、气体抽出设备以及气体输入设备；
[0007]所述加热设备形成一个密封腔体，用于对放置于所述密封腔体内部的配向膜进行加热；
[0008]所述气体抽出设备通过抽气管道与所述密封腔体连通，用于抽取所述密封腔体内的气体；
[0009]所述气体输入设备包括供气管道和控制开关，所述供气管道与所述密封腔体连通，所述控制开关用于控制所述供气管道的导通或截止；所述气体输入设备用于在所述控制开关的控制下通过供气管道向所述密封腔体内输送气体。
[0010]可选的，所述抽气管道设置于所述密封腔体的第一侧，所述气体输入设备的供气管道设置于所述密封腔体的第二侧；其中，所述密封腔体的第一侧与所述密封腔体的第二侧相互远离。
[0011]可选的，所述气体输入设备还包括过滤网；所述过滤网用于对进入所述密封腔体的气体进行过滤。
[0012]可选的，所述加热设备用于将放置于腔体内部的配向膜加热至预设温度，所述预设温度大于190°C且小于250°C。
[0013]第二方面，提供一种光配向膜杂质去除方法，应用于第一方面任一项所述的光配向膜杂质去除装置；该方法包括:
[0014]控制所述气体抽出设备开始工作并通过所述气体输入设备的控制开关控制所述气体输入设备的供气管道导通，对所述加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气；
[0015]当换气时间达到预设时间时，控制所述加热设备开始工作；
[0016]当放置于所述密封腔体内部的配向膜的温度达到预设温度时，通过所述气体输入设备的控制开关控制所述气体输入设备的供气管道截止。
[0017]可选的，在对所述加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气前，所述方法还包括:
[0018]通过过滤网对进入所述密封腔体的气体进行过滤。
[0019]可选的，所述预设温度大于190°C且小于250°C。
[0020]第三方面，提供一种光配向膜杂质去除方法，应用于第一方面任一项所述的光配向膜杂质去除装置；该方法包括:
[0021]控制所述气体抽出设备开始工作并通过所述气体输入设备的控制开关控制所述气体输入设备的供气管道导通，对所述加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气；
[0022]当换气时间达到预设时间时，通过所述气体输入设备的控制开关控制所述气体输入设备的供气管道截止；
[0023]当所述密封腔体内部的压强达到预设压强时，控制所述加热设备开始工作，将放置于所述密封腔体内部的配向膜加热至预设温度。
[0024]可选的，在对所述加热设备形成的密封腔体内的气体进行换气前，所述方法还包括:
[0025]通过过滤网对进入所述密封腔体的气体进行过滤。
[0026]可选的，所述预设温度大于190°C且小于250°C。
[0027]本发明实施例提供的光配向膜杂质去除装置，包括加热设备、气体抽出设备以及气体输入设备，加热设备形成一个密封腔体用于可以对放置于密封腔体内部的配向膜进行加热，气体抽出设备通过抽气管道与密封腔体连通，用于抽取密封腔体内的气体，气体输入设备用于在控制开关的控制下通过供气管道向密封腔体内输送气体，在上述光配向膜杂质去除装置工作时，可以通过控制气体抽出设备开始工作且控制气体输入设备的供气管道截止，从而减小密封腔体内部的压强，进而在较低温度时使光配向中产生小分子杂质蒸发，所以本发明实施例能够去除光配向过程中光配向膜产生的小分子杂质且不影响配向膜以及其他元件。
【附图说明】
[0028]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本发明的实施例提供的光配向膜杂质去除装置示意性结构图；
[0030]图2为本发明的实施例提供的光配向膜中的杂质含量随温度变化的示例图；
[0031]图3为本发明的实施例提供的蒸发温度随真空度变化的示意图；
[0032]图4为本发明的实施例提供的光配向膜杂质去除方法的步骤流程图；
[0033]图5为本发明的实施例提供的另一种光配向膜杂质去除方法的步骤流程图。
【具体实施方式】
[0034]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0035]需要理解的是，术语“中心”、