数据修正装置及方法、描画装置及方法、检查装置及方法和存储有程序的记录介质的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的技术。
【背景技术】
[0002]以往，在半导体基板或印刷基板、或者等离子体显示装置或液晶显示装置用的玻璃基板等(以下称为“基板”)的制造工序中，对基板施加各种各样的处理。例如，通过对表面上形成有抗蚀剂的图案的基板施加蚀刻，在基板上形成布线图案。在该蚀刻中，根据图案配置的疏密或图案的大小等，有时会出现在基板上形成的图案的形状与设计数据不同的情况。
[0003]在日本特许第3074675号公报(文献1)中，公开有使用电子束直写装置在基板上形成抗蚀剂图案，通过使用等离子体蚀刻装置进行蚀刻来形成图案的技术。此外，提出了在根据图案的设计数据生成电子束直写用数据的处理中包括对基于微负载效应的蚀刻后的图案尺寸的变化进行修正的处理。
[0004]在日本特许第4274784号公报(文献2)中，提出了使用蚀刻后的基板的图像数据与设计数据来生成尺寸调整规则，所述尺寸调整规则示出了为了获得所期望的蚀刻后基板，如何需要修正设计数据。
[0005]在日本特开2008-134512号公报(文献3)中，公开有在制造光掩模时，在图案间每隔一段空间(距离)，指定用于修正过蚀刻的修正值的方法。此外，提出了在直线图案与圆弧图案对置的情况下对该对置的部位追加进一步修正。
[0006]在日本特开2013-12562号公报(文献4)中，公开有在考虑根据导体图案的设计数据进行侧面蚀刻的同时生成轮廓形状(导体图案的外形形状)时，基于邻接的轮廓形状间的距离来设定修正值的技术。
[0007]日本特开2013-250101号公报(文献5)涉及通过蚀刻形成的布线图案的缺陷检查。在该缺陷检查中，根据在基板的表面形成的测量用图案测量出蚀刻信息(蚀刻曲线)，通过使用该蚀刻曲线对设计数据进行蚀刻模拟来生成检查数据。而且，通过对照基板上的布线图案的图像数据与检查数据，检测出布线图案的缺陷。在文献5中，提出了在印刷基板的上表面设定的多个检查区域中分别配置一个测量用图案来获取各检查区域用的蚀刻曲线。检查区域包括多个相同的片段图案，基于该检查区域用的蚀刻曲线以同样的方式修正这些多个片段图案。
[0008]近年，在对基板进行蚀刻的装置中，为了提高生产率，对配置有许多相同的片段(图案)的大型基板进行蚀刻。因此，根据基板上的位置的不同而蚀刻特性不同，即使对相同的片段进行蚀刻，有时也会出现蚀刻结果不同的情况。
【发明内容】
[0009]本发明涉及对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的数据修正装置，目的在于考虑根据对象物上的位置不同导致的蚀刻特性的差异，以良好的精度进行蚀刻修正。此外，本发明还涉及对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的数据修正方法。进而，本发明还涉及记录介质，存储对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的程序。
[0010]本发明的数据修正装置具有:设计数据存储部，存储通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据；蚀刻特性存储部，存储与所述对象物上的多个基准位置分别对应的多个蚀刻特性；区域蚀刻特性获取部，针对在所述对象物上设定的多个分割区域中的每一个，在基于各分割区域与所述多个基准位置的分别的位置关系对所述多个蚀刻特性进行加权处理后，基于进行了加权处理的所述多个蚀刻特性，求出所述各分割区域的蚀刻特性即区域蚀刻特性；以及分割数据修正部，将所述设计数据分割成与所述多个分割区域对应的多个分割数据，基于与各分割数据对应的所述各分割区域的所述区域蚀刻特性来修正所述各分割数据。根据该数据修正装置，能够考虑根据对象物上的位置的蚀刻特性的差异，以良好的精度进行蚀刻修正。
[0011]在本发明的一优选的实施方式中，所述设计数据的所述多个分割数据分别表示的分割图案是相同的。
[0012]优选地，在所述多个分割数据包括对应的所述区域蚀刻特性相同的两个以上的分割数据的情况下，针对所述两个以上的分割数据，通过所述分割数据修正部进行一个分割数据的修正，所述一个分割数据的修正结果也作为所述分割数据修正部的其他的分割数据的修正结果来使用。
[0013]在本发明的另一优选的实施方式中，所述区域蚀刻特性获取部所执行的对所述多个蚀刻特性的加权处理，是将基于与各蚀刻特性对应的基准位置和分割区域之间的距离的权重系数与各蚀刻特性相乘的处理；与所述多个蚀刻特性中的一个蚀刻特性相乘的权重系数是1，与除了所述一个蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0。
[0014]本发明还涉及在对象物上描画图案的描画装置。该描画装置具有:上述的数据修正装置；光源；光调制部，基于由所述数据修正装置修正后的设计数据对来自所述光源的光进行调制；以及扫描机构，在对象物上扫描由所述光调制部调制后的光。本发明还涉及在对象物上描画图案的描画方法。
[0015]本发明还涉及检查通过蚀刻而形成在对象物上的图案的检查装置。该检查装置具有:上述的数据修正装置；实际图像存储部，存储通过蚀刻而形成在对象物上的图案的图像数据即检查图像数据；以及缺陷检测部，通过比较由所述数据修正装置修正的设计数据与所述检查图像数据，来检测在所述对象物上形成的所述图案的缺陷。本发明还涉及检查通过蚀刻而形成在对象物上的图案的检查方法。
[0016]参照附图，通过下面进行的本发明的详细说明来体现上述的目的及其他的目的、特征、方式及优点。
【附图说明】
[0017]图1是示出第一实施方式的描画装置的结构的图。
[0018]图2是示出数据处理装置的结构的图。
[0019]图3是示出数据处理装置的功能的框图。
[0020]图4是基板的俯视图。
[0021]图5是将特性获取用图案的一部分放大表示的图。
[0022]图6是将测量图案的一部分放大表不的图。
[0023]图7是示出蚀刻曲线的图。
[0024]图8是示出描画装置的描画流程的图。
[0025]图9是示出第二实施方式的检查装置的功能的框图。
[0026]图10是示出检查装置的检查流程的图。
[0027]其中，附图标记说明如下:
[0028]1描画装置
[0029]la检查装置
[0030]9 基板
[0031]21、21a数据修正部
[0032]25实际图像存储部
[0033]26缺陷检测部
[0034]80 程序
[0035]93 图案
[0036]94 片段
[0037]211设计数据存储部
[0038]212蚀刻特性存储部
[0039]213区域蚀刻特性获取部
[0040]214分割数据修正部
[0041]331 光源
[0042]332光调制部
[0043]S11 至 S16、S21 至 S26 步骤
【具体实施方式】
[0044]图1是示出本发明的第一实施方式的描画装置1的结构的图。描画装置1是直写装置，通过对设置在印刷基板、半导体基板、液晶基板等(以下，仅称为“基板9”。)的表面的感光材料即抗蚀剂膜照射光，在抗蚀剂膜上直接描画电路图案等的图像。在基板处理装置等(省略图示)上对通过描画装置1描画有图案的基板9施加蚀刻。由此，在基板9上形成图案。例如，对基板9的蚀刻是通过对基板9赋予蚀刻液而进行的湿法蚀刻。并且，例如，也可以进行利用了等离子体等的干法蚀刻来作为对基板9的蚀刻。
[0045]描画装置1具有数据处理装置2与曝光装置3。数据处理装置2修正在基板9上描画的图案的设计数据，生成描画数据。曝光装置3基于从数据处理装置2发送的描画数据对基板9进行描画(即，曝光)。只要数据处理装置2与曝光装置3这两装置间的数据能够交换，则所述数据处理装置2与曝光装置3既可以设置成一体的，也可以设置成物理上分离的。
[0046]图2是示出数据处理装置2的结构的图。数据处理装置2具有一般的计算机系统的结构，包括CPU (Central Processing Unit:中央处理单元)201，进行各种计算处理；ROM (Read Only Memory:只读型存储器)202，存储基本程序；以及 RAM203 (Random AccessMemory:随机存取存储器)，存储各种信息。数据处理装置2