专利名称：等离子体处理装置及聚焦环的制作方法
技术领域：
本发明是关于例如在半导体晶片等被处理基板上实施等离子体蚀刻等规定处理的等离子体处理装置及聚焦环。
背景技术：
目前，在半导体装置和LCD的制造工序等中，在半导体晶片或LCD基板等被处理基板上作用等离子体而进行所规定的处理，例如进行成膜处理和蚀刻处理等的等离子体处理。
在这样的等离子体处理中，例如在使用了平行平板型蚀刻装置的等离子体蚀刻处理中，将被处理基板搭载在设置于等离子体处理室内的载置台(基座)上，使等离子体在等离子体处理室内产生，使该等离子体作用在被处理基板上而进行等离子体蚀刻处理。另外，在进行该等离子体蚀刻处理时，为了缓和被处理基板边缘部分的不连续性，特别是，为了改善在被处理基板的边缘部分的等离子体蚀刻处理的状态而提高等离子体蚀刻处理的面内均匀性的目的等，一直以来按照包围被处理基板周围那样配置所谓聚焦环而进行。(例如参照专利文献1)图8是表示进行这样的等离子体蚀刻处理的平行平板型蚀刻装置的重要部分的结构，在该图中，符号50表示被配置在未被图示的等离子体处理室内的载置台(基座)。
该基座50兼作下部电极，是具有导电性的材料，例如由在表面上形成了阳极氧化覆膜(耐酸铝)的氧化铝等构成近似圆板形。
在上述基座50的半导体晶片W的搭载面上，设置了将静电吸盘用电极51a夹在由绝缘材料构成的绝缘膜51b内而构成的静电吸盘51。另外，在基座50上，搭载按照包围被处理基板周围那样构成环形的聚焦环52。
由于基座50是如上述那样由氧化铝等构成的，所以如果有被形成于半导体晶片W上方的等离子体直接作用的部位，则该部分被等离子体所溅射，在半导体晶片W上形成包含不希望得到的氧化铝等的溅射膜的可能性。
所以，如图8所示那样，基座50的晶片搭载面(形成静电吸盘51的部分)的直径比半导体晶片W的直径略小一点(例如4mm左右)。然后，通过使聚焦环52的下侧部分的内径比半导体晶片W的直径小，使聚焦环52的下侧部分延伸到半导体晶片W的端部下侧部分为止，按照从上侧看时，在基座50的上面没有直接露出的部位那样构成。
另外，使聚焦环52的上面为与半导体晶片W的表面大致相同的高度。为此，聚焦环52的整体厚度形成得比半导体晶片W的厚度(例如，0.8mm)要厚很多。
专利文献特开2002-246370号公报(第2～5页、图1～图6)如上述的那样，通过在现有的等离子体处理装置上按照包围被处理基板的周围那样设置聚焦环，提高等离子体蚀刻处理的面内均匀性。
但是，即使在使用这样的聚焦环的等离子体处理装置上，还需要进一步提高等离子体蚀刻处理的面内均匀性。
发明内容
本发明是处理所涉及的现有的问题，以提供可以在被处理基板的整个面上均匀地进行等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体处理的面内均匀性的等离子体处理装置以及聚焦环。
本发明的第1方面是一种等离子体处理装置，其特征在于，具有等离子体处理室、配置在前述等离子体处理室内并搭载被处理基板的载置台、被按照从前述被处理基板的外周边缘部设置间隔而包围前述被处理基板的周围那样配置的环部件、以及按照位于前述被处理基板以及前述环部件的下侧那样配置的下侧环部件。
本发明的第2方面的等离子体处理装置，其特征在于，前述环部件的单位面积的阻抗相对于前述被处理基板的单位面积的阻抗之比约在5以下。
本发明第3方面的等离子体处理装置，其特征在于，前述环部件的单位面积的阻抗相对于前述被处理基板的单位面积的阻抗之比约在3以下。
本发明第4方面的等离子体处理装置，其特征在于，前述环部件的单位面积的阻抗相对于前述被处理基板的单位面积的阻抗之比约在1.5以下。
本发明第5方面的等离子体处理装置，其特征在于，构成前述环部件的材料是与前述被处理基板实质上阻抗相同的材料，前述环部件的厚度在前述被处理基板的厚度的约5倍以下。
本发明第6方面的等离子体处理装置，其特征在于，构成前述环部件的材料是与前述被处理基板相同的材料，前述环部件的厚度在前述被处理基板的厚度的约5倍以下。
本发明第7方面的等离子体处理装置，其特征在于，前述被处理基板是厚度约为0.8mm的硅制半导体晶片，前述环部件是由厚度约在4mm以下的硅制部件构成的。
本发明第8方面的等离子体处理装置，其特征在于，前述被处理基板是硅制的半导体晶片，前述环部件由与前述半导体晶片厚度大致相同的硅制部件构成。
本发明第9方面的等离子体处理装置，其特征在于，前述环部件由SiC、或者在表面上形成喷镀膜的铝、或者石英、或者陶瓷构成。
本发明第10方面的等离子体处理装置，其特征在于，前述载置台具有导电性的下部电极，前述环部件是通过喷镀形成在前述下部电极表面上。
本发明第11方面的等离子体处理装置，其特征在于，前述下侧环保护前述载置台，使之不受形成于前述等离子体处理室内的等离子体的影响。
本发明第12方面是一种等离子体处理装置，其特征在于，具有等离子体处理室、配置在前述等离子体处理室内并搭载被处理基板的载置台、按照从前述被处理基板的外周边缘部设置间隔而包围前述被处理基板的周围那样配置的环部件、以及按照位于前述被处理基板及前述环部件的下侧那样配置的前述载置台上的静电吸盘。
本发明第13方面是一种等离子体处理装置，其特征在于，具有等离子体处理室、配置在前述等离子体处理室内并搭载被处理基板的载置台、按照从前述被处理基板的外周边缘部设置间隔而包围前述被处理基板的周围那样配置的环部件，前述环部件的单位面积的阻抗相对于前述被处理基板的单位面积的阻抗之比在约5以下。
本发明第14方面是一种被配置在等离子体处理装置的等离子体处理室内的载置台上，按照包围被处理基板的周围那样设置的聚焦环，其特征在于，是由环部件和下侧环部件构成，前述环部件按照从前述被处理基板的外周边缘部设置间隔而包围前述被处理基板的周围那样配置，前述下侧环部件按照位于前述被处理基板以及前述环部件的下侧那样配置。
本发明第15方面的聚焦环，其特征在于，前述环部件的单位面积的阻抗相对于前述被处理基板的单位面积的阻抗之比在约5以下。
本发明第16方面的聚焦环，其特征在于，构成前述环部件的材料是与前述被处理基板实质上阻抗相同的材料，前述环部件的厚度在前述被处理基板的厚度的约5倍以下。
本发明第17方面的聚焦环，其特征在于，构成前述环部件的材料是与前述被处理基板相同的材料，前述环部件的厚度在前述被处理基板的厚度的约5倍以下。
本发明第18方面的聚焦环，其特征在于，前述环部件是由SiC、或者在表面上形成喷镀膜的铝、或者石英、或者陶瓷构成的。
本发明第19方面的聚焦环，其特征在于，前述环部件是通过喷镀在前述下部电极表面上形成的。
本发明第20方面是一种被配置在等离子体处理装置的等离子体处理室内的载置台上，按照包围被处理基板的周围那样设置的聚焦环，其特征在于，由包围被处理基板的周围那样配置的环部件组成，前述环部件的单位面积的阻抗相对于前述被处理基板的单位面积的阻抗之比约在5以下。
如以上详细说明的那样，根据本发明可以在被处理基板的整个面上进行均匀的等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体处理的面内均匀性。
图1为本发明第1实施方式的处理装置的概略构成图。
图2为图1的处理装置的要部概略构成图。
图3为表示根据聚焦环的厚度而蚀刻率均匀性不同的图。
图4为阻抗比与蚀刻率的均匀性的关系图。
图5为图1的处理装置要部概略构成的变形例的图。
图6为图1的处理装置的要部概略构成的变形例的图。
图7为本发明第2实施方式的处理装置的要部概略构成的图。
图8为现有的等离子体处理装置的要部概略构成的图。
符号说明W半导体晶片；1处理室；2基座；3静电吸盘；6聚焦环；6a薄板形环形部件；6b下侧环形部件；76a喷镀环。
具体实施例方式
图1是模式地表示涉及本发明的第1实施方式的等离子体处理装置(等离子体蚀刻装置)整体的概略构成。在该图中，符号1表示构成等离子体处理室的圆筒形处理室。处理室的材质例如由在表面上形成阳极氧化膜(耐酸铝)的氧化铝等组成，处理室的内部被按照可以气密地封闭那样构成。
上述处理室1与接地电位连接，在处理室1的内部设置兼作下部电极的基座(载置台)2。该基座的材质是例如在表面上形成阳极氧化膜(耐酸铝)的氧化铝等。
在该基座2的半导体晶片W搭载面上，设置静电吸盘3。如图2所示，该静电吸盘3采用将静电吸盘用电极3a夹在由绝缘材料形成的绝缘膜3b内的构成。
上述基座2是借助陶瓷等绝缘板4被支撑在真空室1内，直流电源5被连接到静电吸盘3的静电吸盘用电极3a上。
另外，在基座2上，按照包围半导体晶片W的周围那样设置形成环形的聚焦环6。对于该聚焦环6的构成，在后面详细说明。
另外，在基座2的内部设置用于使作为控制温度用热媒介的绝缘性流体循环的热媒介流动通路7和用于向半导体晶片W的背面供给氦气等温度控制用气体的气体流动通路8。
这样，通过使被控制在所规定温度上的绝缘性流体在热媒介流动通路7内循环，将基座2控制在所规定的温度上。另外，通过在该基座2和半导体晶片W的背面之间借助气体流动通路8供给控制温度用的气体、促进它们之间的热交换，可以以良好的精度且高效率地将半导体晶片W控制在所规定的温度上。
另外，在基座2的大致中央位置上连接供给高频电力用的供电线10。高频电源(RF电源)12通过匹配器11被连接到该供电线10上。从高频电源12供给规定频率的高频电力。
另外，在上述聚焦环6的外侧，设置构成环形并形成了多个排气孔的排气环13。通过借助该排气环13与排气端口14相连接的排气系统15的中空泵等，进行处理室1内的处理空间的真空排气。
另外，在基座2的上方的处理室1的顶部部分上，与基座2平行相对地设置喷淋头16。另外，该喷淋头16被接地。由此，这些基座2以及喷淋头16作为一对电极(上部电极和下部电极)而起作用。
上述的喷淋头16在其下面设置多个气体吐出口17。而且在其上部有气体导入部18。然后，在其内部形成气体扩散用的空隙19。气体供给配管20被连接到气体导入部18，在该气体供给配管20的另一端上连接气体供给系统21。该气体供给系统21由控制气体流量的质量流量控制器(MFC)22和例如供给蚀刻用处理气体等的处理气体供给源23组成。
另外，在处理室1的外侧周围，与处理室1同心地配置环形磁场形成机构(环形磁铁)24，在基座2和喷淋头16之间的处理空间内形成磁场。该磁场形成机构24依靠转动机构25，其整体可以在处理室1的周围以规定的转动速度转动。
接下来，说明上述的聚焦环6的构成。聚焦环6也如图2所示的那样，由按照从半导体晶片W的外周边缘部设置一定间隔而包围半导体晶片W的周围那样配置的薄板状环形部件6a和下侧环形部件(下侧环)6b所组成。下侧环形部件6b被按照位于半导体晶片W和薄板状的环形部件(薄型环)6a之间且位于半导体晶片W和薄板状的环形部件6a的下侧那样配置。结果，基座2不会通过半导体晶片W与薄板状环形部件6a之间的间隔而直接暴露在处理空间的等离子体中。另外，下侧环形部件6b按照被收容于在基座2上形成的槽内那样被搭载。但是，该下侧环形部件6b起到保护基座2表面的作用，而且被等离子体所消耗，所以可以作为消耗品而更换。
另外，在上述构成的聚焦环6上，薄板状的环形部件6a的单位面积阻抗(相对于高频的阻抗)被设定在半导体晶片W的单位面积阻抗的5倍以内。
在本第1实施方式中，上述薄板状的环形部件6a以及下侧环形部件6b都是由与半导体晶片W的材质相同的硅构成的。在这种情况下，通过使薄板状的环形部件6a的厚度在半导体晶片W的厚度(0.8mm)的5倍以下(4.0mm以下)，可使薄板状的环形部件6a的单位面积的阻抗在半导体晶片W的单位面积阻抗的5倍以内。但是，在本第1实施方式中，如图2所示的那样，薄板状的环形部件6a的厚度被设定得与半导体晶片W的厚度基本相同。
所以，薄板状的环形部件6a的单位面积阻抗与半导体晶片W的单位面积阻抗基本相同。
如上述的那样，设定薄板状的环形部件6a的单位面积阻抗在半导体晶片W的单位面积阻抗的5倍以内的理由如下。
即，由本发明者详细调查的那样，在使用如图8所示构成的聚焦环52的情况下，在半导体晶片W的上方形成的护套(sheath)的护套电压和在聚焦环52的上方形成的护套的护套电压中产生如图中虚线所示的不同。这样的护套电压的不连续性被认为是造成在半导体晶片周缘部上的等离子体蚀刻处理状态的不均匀性的一个原因，所以推测通过使上述的护套电压均匀化，可以提高蚀刻处理的均匀性。
还认为通过使聚焦环的单位面积阻抗在半导体晶片W的单位面积阻抗的附近，使上述护套电压均匀化，可以提高蚀刻处理的均匀性。使用与半导体晶片W相同材质的硅，制作厚度为8mm、4mm、2.4mm的3种聚焦环，进行实际的蚀刻处理。
图3是以纵轴作为规格化的蚀刻率(以距晶片中心135mm的位置上的蚀刻率为基准)，以横轴作为距晶片中心的距离，表示上述的蚀刻处理的结果。如该图所示，通过使用厚度薄(即单位面积阻抗在半导体晶片W附近)的聚焦环，特别是可以提高半导体晶片W周边边缘部分的蚀刻率的均匀性。
图4是以纵轴作为半导体晶片W端部的蚀刻率的均匀性(uniformity)(±％)，以横轴作为单位面积阻抗比(聚焦环的单位面积阻抗/半导体晶片W的单位面积阻抗)而表示上述结果的。
如该图所示，通过使薄板状的环形部件6a的单位面积阻抗在半导体晶片W的单位面积阻抗的5倍以内，可以使上述的蚀刻率的均匀性在多个工序中为求得的±5％以内。
另外，根据制造工序，也有要求蚀刻率的均匀性在±3％以内的情况。在这种情况下，如该图所示那样，通过使薄板状的环形部件6a的单位面积阻抗在半导体晶片W的单位面积阻抗的4倍以内，可以满足上述的要求。
另外，通过使薄板状的环形部件6a的单位面积阻抗在半导体晶片W的单位面积阻抗的3倍以内，进而在1.5倍以内，可以进一步提高蚀刻率的均匀性。
另外，在上述的实施方式中，对于使用与半导体晶片W相同材质的硅作为薄板状的环形部件6a的材质进行了说明，可以使用其他材质，例如SiC、在表面上形成喷镀膜(Y2O3喷镀膜等)的铝、或者石英、或者陶瓷等。在这种情况下，由于与半导体晶片W的介电系数、导电率等不同，阻抗比与厚度的关系与上述不同。
但是，实际上，半导体晶片W除了硅基板(Si)之外，由氧化膜(SiO2)、氮化膜(SiN)、多晶硅、金属膜、low-k膜等构成的。但是，如果该半导体晶片W的阻抗被硅基板(Si)的阻抗所支配的话，可以不考虑上述氧化膜(SiO2)等的阻抗，而将硅基板(Si)的阻抗看作半导体晶片W的阻抗。
所以，硅基板(Si)的阻抗以及阻抗相同的材料(例如硅)可以看作与半导体晶片W(被处理基板)实质上阻抗相同。另外，硅之外，例如使用可以控制SiC等阻抗的材料的话，可以使得与硅基板(Si)的阻抗实质相同。
另外，例如在薄板状的环形部件6a上设置Al2O3或者Y2O3那样的覆膜的情况下，这些覆膜在不会给薄板状的环形部件6a整体的单位面积阻抗以大影响的程度的话，则不必考虑。薄板状的环形部件6a的材料(母材)以及厚度，如果由于覆膜材料以及厚度而给予覆膜所具有阻抗的影响大的话，则有必要考虑该覆膜所具有的阻抗，而需要设定薄板状的环形部件6a的材料和厚度、覆膜材料以及厚度。
上述的那样，薄板状的环形部件6a在与例如图8所示的现有的聚焦环52等相比时，其厚度变薄。特别是，在本第1实施方式中，由于薄板状的环形部件6a的厚度与半导体晶片W基本相同，所以在半导体晶片W端部下侧不能配置薄板状的环形部件6a。所以，在本第1实施方式中，由薄板状的环形部件6a和下侧环形部件6b构成聚焦环6。进而按照使下侧环形部件6b位于半导体晶片W和薄板状的环形部件6a之间且位于半导体晶片W以及薄板状的环形部件6a的下侧之间那样配置，而保护基座2那样构成。
但是，如图5所示，如使薄板状的环形部件6a的搭载面比静电吸盘3的搭载面高，向静电吸盘3和薄板状的环形部件6a之间的基座2的在等离子体中露出的部分上实施喷镀膜52的话，则即使是如图8所示的聚焦环52那样的形状也可以省略下侧环形部件6b。在图5中，使薄板状的环形部件6a为硅制，使其厚度为半导体晶片W的2倍左右。另外，图5中的聚焦环与图1、图2所示的由薄板状的环形部件6a和下侧环形部件6b组成的聚焦环不同，仅由薄板状的环形部件6a构成。
另外，如图6所示的那样，也可以使设置在半导体晶片W的搭载面上的静电吸盘3的直径与基座2的直径基本相同，位于半导体晶片W和薄板状的环形部件6a的下侧那样构成。在这种情况下，可以省略下侧环形部件6b，薄板状的环形部件6a与半导体晶片W一起搭载于静电吸盘3上。通过这样的构成，可以从等离子体中保护基座2，又可实现省略下侧环形部件6b的简易构成。另外，在图6中的聚焦环也与在图1、图2所示的由薄板状的环形部件6a和下侧环形部件6b组成的聚焦环不同，仅由薄板状的环形部件6a构成。
另外，由于在第1实施方式的图2、图6中，如上述那样，薄板状的环形部件6a的厚度与半导体晶片W基本相同，所以可以使基座2的薄板状的环形部件6a的搭载面的高度与半导体晶片W的搭载面高度相同。所以可以进行这些面的研磨加工，可以在改善面加工精度的同时，降低加工成本。
另外，在图2中所示的虚线表示在半导体晶片W上部形成的护套的护套电压和在薄板状的环形部件6a上形成的护套的护套电压。
接下来，对于由上述构成的等离子体蚀刻装置进行的等离子体蚀刻处理的顺序进行说明。
首先，打开设在处理室1内而未被图示的闸阀，借助与该闸阀相邻而配置的负荷锁定室(未被图示)，通过搬运机构(未被图示)将半导体晶片W搬入处理室1内，搭载在基座2上。然后使搬运机构退至处理室1外后，关闭闸阀。另外，通过在静电吸盘3的静电吸盘用电极3a上施加来自直流电源5的所规定电压的直流电压，吸引保持半导体晶片W。
然后，一边通过排气系统15的真空泵将处理室1内排气至所规定的真空度例如1.33Pa～133Pa，一边从处理气体供给系统21向处理室1内供给所规定的气体。
然后，在该状态下，从高频电源12通过匹配器11向基座2施加所规定的频率例如十几MHz～百数十MHz的高频电。使基座2和喷淋头16之间的空间产生等离子体，通过等离子体进行半导体晶片W的蚀刻。
在本第1实施方式中，在通过这样的等离子体进行的半导体晶片W的蚀刻时，如图2中的虚线所示的那样，在半导体晶片W以及聚焦环6的上方可以均匀地形成护套的护套电压。所以，可以在半导体晶片W的整个面上进行均匀的等离子体蚀刻处理，与目前相比可以提高等离子体蚀刻处理的面内均匀性。
另外，由于薄板状的环形部件6a的厚度与目前相比变得薄了，所以其热容量减少，对温度变化的反应变好。所以，即使反复进行多次的等离子体蚀刻处理，聚焦环的温度也是同样的温度，可以减轻由于聚焦环随时间变化而引起的温度变化对等离子体蚀刻处理的影响。
这样，如果对半导体晶片W进行所规定的蚀刻处理，通过停止来自高频电源12的高频电的供应，停止等离子体蚀刻处理，按照与上述的顺序相反的顺序，将半导体晶片W搬出处理室1外。
接下来，使用图7对于本发明的第2实施方式进行说明。在图7中的76a是在由铝等组成的下部电极(基座)上由Si喷镀形成的喷镀环(薄型环)，72是用于覆盖下部电极的向等离子体露出部分的Y2O3喷镀膜。
在本第2实施方式中，替代第1实施方式的薄板状的环形部件6a，使用喷镀环76a作为薄型环。由于在电极上通过Si喷镀形成喷镀环76a，所以可以容易地使喷镀环76a的厚度达到与半导体晶片W的厚度相同的程度。所以，可以使喷镀环76a的单位面积阻抗与半导体晶片W的单位面积阻抗基本相同。
喷镀 76a可以通过大气等离子体喷镀法、等离子体喷镀法、高速火焰喷镀法、爆发喷镀法等形成。虽然希望喷镀环76a的厚度与半导体晶片W的厚度相同，但是由于喷镀形成，所以也可以做得比半导体晶片W更薄。另外，也可以使喷镀环76a的厚度比半导体晶片W更厚。
另外，喷镀环76a不限于Si，也可是SiC或者Y2O3、Al2O3、YF3等材质。Y2O3喷镀膜72与喷镀环76a的材质相同，也可以是Si、SiC或者Al2O3、YF3等喷镀膜。
另外，本第2实施方式中的聚焦环是仅以喷镀环76a作为薄型环的构成。
另外，在实施方式中，对于将本发明应用到半导体晶片W的等离子体蚀刻的情况进行了说明，但是本发明不限于所涉及的实施方式，也可以同样地适用于LCD基板的等离子体处理等。
权利要求
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有等离子体处理室、配置在所述等离子体处理室内并搭载被处理基板的载置台、按照从所述被处理基板的外周边缘部设置间隔而包围所述被处理基板的周围那样配置的环部件、以及按照位于所述被处理基板以及所述环部件的下侧那样配置的下侧环部件。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述环部件的单位面积的阻抗相对于所述被处理基板的单位面积的阻抗之比约为5以下。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述环部件的单位面积的阻抗相对于所述被处理基板的单位面积的阻抗之比约为3以下。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述环部件的单位面积的阻抗相对于所述被处理基板的单位面积的阻抗之比约为1.5以下。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，构成所述环部件的材料是与所述被处理基板实质上阻抗相同的材料，所述环部件的厚度约为所述被处理基板的厚度的5倍以下。
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，构成所述环部件的材料是与所述被处理基板相同的材料，所述环部件的厚度约为所述被处理基板的厚度的5倍以下。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述被处理基板是厚度约为0.8mm的硅制半导体晶片，所述环部件由厚度约为4mm以下的硅制材料构成。
8.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述被处理基板是硅制的半导体晶片，所述环部件由与所述半导体晶片厚度大致相同的硅制材料构成。
9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述环部件由SiC、或者在表面上形成喷镀膜的铝、或者石英、或者陶瓷构成。
10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述载置台具有导电性的下部电极，所述环部件通过喷镀形成在所述下部电极表面上。
11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下侧环部件保护所述载置台，使之不受形成于等离子体处理室内的等离子体的影响。
12.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有等离子体处理室、配置在所述等离子体处理室内并搭载被处理基板的载置台、按照从所述被处理基板的外周边缘部设置间隔而包围所述被处理基板的周围那样配置的环部件、以及按照位于所述被处理基板以及所述环部件的下侧那样配置的所述载置台上的静电吸盘。
13.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有等离子体处理室、配置在所述等离子体处理室内并搭载被处理基板的载置台、按照从所述被处理基板的外周边缘部设置间隔而包围所述被处理基板的周围那样配置的环部件，所述环部件的单位面积的阻抗相对于所述被处理基板的单位面积的阻抗之比约为5以下。
14.一种配置在等离子体处理装置的等离子体处理室内的载置台上，按照包围被处理基板的周围那样设置的聚焦环，其特征在于，由环部件和下侧环部件构成，所述环部件按照从所述被处理基板的外周边缘部设置间隔而包围所述被处理基板的周围那样配置，所述下侧环部件按照位于所述被处理基板以及所述环部件的下侧那样配置。
15.如权利要求14所述的聚焦环，其特征在于，所述环部件的单位面积的阻抗相对于所述被处理基板的单位面积的阻抗之比约为5以下。
16.如权利要求14所述的聚焦环，其特征在于，构成所述环部件的材料是与所述被处理基板实质上阻抗相同的材料，所述环部件的厚度约为所述被处理基板的厚度的5倍以下。
17.如权利要求14所述的聚焦环，其特征在于，构成所述环部件的材料是与所述被处理基板相同的材料，所述环部件的厚度约为所述被处理基板的厚度的5倍以下。
18.如权利要求14所述的聚焦环，其特征在于，所述环部件由SiC、或者在表面上形成喷镀膜的铝、或者石英、或者陶瓷构成。
19.如权利要求14所述的聚焦环，其特征在于，所述环部件通过喷镀而形成在所述导电性的下部电极表面上。
20.一种配置在等离子体处理装置的等离子体处理室内的载置台上，按照包围被处理基板的周围那样设置的聚焦环，其特征在于，由包围被处理基板的周围那样而配置的环部件组成，所述环部件的单位面积的阻抗相对于所述被处理基板的单位面积的阻抗之比约为5以下。
全文摘要
本发明提供可以在被处理基板的整个面上实施均匀的等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体的面内均匀性的等离子体处理装置以及聚焦环。在搭载半导体晶片(W)而兼作下部电极的基座上，按照包围半导体晶片(W)的周围那样设置聚焦环(6)。聚焦环(6)由薄板状的环形部件(6a)和下侧环形部件(6b)组成，前述薄板状的环形部件(6a)按照从前述被处理基板的外周边缘部设置一定间隔而包围半导体晶片(W)的周围那样配置，前述下侧环形部件(6b)按照位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)之间且位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)下侧那样配置。
文档编号H01J37/32GK1518073SQ20041000031
公开日2004年8月4日 申请日期2004年1月7日 优先权日2003年1月7日
发明者远藤升佐, 桧森慎司, 司 申请人:东京毅力科创株式会社