专利名称：等离子显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子显示装置，尤其涉及一种具有形成在等离子显示板的前面， 容易进行电磁波屏蔽的结构的等离子显示装置。
技术背景等离子显示装置不仅容易进行大型化和薄膜化，结构简单，制作容易，而且与其他 平面显示装置相比，亮度及发光效率高。传统技术中，电磁屏蔽层以透明电极层及透明电极/Ag混合层配置在等离子显示板 的前面，屏蔽电磁波。但是，传统的等离子显示装置在等离子显示板的前面形成透明电极层或透明电极 /Ag混合层，存在透明电极或透明电极/Ag混合层当中有一部分被空气中的湿气活盐分 腐蚀，电磁屏蔽功能降低的问题。 发明内容发明目的本发明的目的在于提供一种具有形成在等离子显示板的前面，容易进行电磁波屏蔽(EMI)的结构的等离子显示装置。技术方案本发明的等离子显示装置包括包含显示区域及围绕上述显示区域的非 显示区域的等离子显示板；和形成在上述等离子显示板前面的第1电极层；及形成在设 在上述等离子显示板的上述非显示区域的上述第1电极层上的防氧化层；上述防氧化层 包括金属(Metal)和树月旨(Resin)。有益效果本发明的等离子显示装置，通过在接合在等离子显示板的前面的单层第 1电极层和第1电极层的等离子显示板的非显示区域上形成防氧化层，防止第1电极层 因空气当中湿气活盐分而被腐蚀，防止电磁波屏蔽(EMI)功能降低，从而可以改善等离 子显示板的亮度及效率。
图1为本发明的等离子显示板组成的第1实例的断面图。 图2为本发明的等离子显示装置的第1实例的部分分解斜视图。 图3为以A方向显示图2所示的本发明的等离子显示装置的平面图。 图4为图3B部分的放大图。 图5为图4的放大图的断面图。
具体实施方式
以下，参照附图进一步介绍本发明的等离子显示装置。 图1为本发明的等离子显示板组成的第1实例的断面图。图1所示的等离子显示板由前面板和背面板接合而成，上述前面板包括上部基板10
和形成在上部基板10上的维持电极对即扫描电极11及维持电极12;上述背面板包括下部基板如J禾ji形成在下部基板20上的寻址电极22。维持电极对(ll ， 12)通常包括由铟锡氧化物(Indium-Tin-Oxide;ITO)组成的透明电极 (lla， 1^)，总线电极(llb， 12b)，总线电极(llb， 12b)可以以银(Ag)，铬(Cr)等金属或 铬/铜/tf(ii〗Cu/Cr)的积层形或铬/铝/铬(Cr/Al/Cr)的积层形组成。总线电极(llb， 12b)形 成在透明电极(lla， 12a)上，起到减少电阻高的透明电极(lla， 12a)的电压下降的作用。同时，本发明的第l实例中，维持电极对(ll， 12)具有透明电极(lla， 12a)和总线电 极(llb， 12b)积层的结构，总线电极(llb， 12b)除了上述列举的材料之外还可以采用感光 性银等多种材料。扫描电极ll及维持电极12的透明电极(lla， 12a)和总线电极(llb， llc)之间配置了 具有吸收上部基板IO外部发生的外部光，减少反射的光切断功能和提高上部基板10的 色饱和度(Purity)及对比度的功能的黑色矩阵(BlackMatrix， BM) 15 。本发明的第1实例的黑色矩阵15设在上部基板10上，可以由形成在与障壁21重 叠的位置上的第l黑色矩阵15和形成在透明电极(lla， 12a)和总线电极(llb， 12b)之间 的第2黑色矩阵(llc， 12c)组成。其中，也叫做黑色层或黑色电极层的第1黑色矩阵15 和第2黑色矩阵(llc, 12c)，可以在形成过程中同时形成而物理连接，也可以不是同时 连接不进行物理连接，也可以采取不形成第1黑色矩阵15，只形成第2黑色矩阵(llc， 12c)的一体形。而且，物理连接形成时，第l黑色矩阵15和第2黑色矩阵(llc， 12c)以相同材质形 成，但是物理分解形成时候可以由不同材质形成。在此，总线电极(llb， 12b)与积层的第2黑色矩阵(llc， 12c)及透明电极(lla， 12a) 进行积层。也就是说，总线电极(llb， 12b)在第2黑色矩阵(llc， 12c)的一侧边缘位置隔 一定距离积层，以上述一定距离与透明电极(lla， 12a)积层。因此，总线电极(llb， 12b)在第2黑色矩阵(llc， 12c)的一侧边缘位置隔一定距离积 层，所以是按照一体形形成，但是也可以按照其他形式即不是一体形的分离形形成。并排形成扫描电极11和维持电极12的上部基板10上层级上部电介质层13和保护 膜14。上部电介质层13上积累通过放电产生的荷电粒子，起到保护维持电极对(ll， 12) 的功能。保护膜14保护上部电介质层13防止其受气体放电时产生的荷电粒子的溅射影 响，提高2次电子的释放效率。而且，保护膜14通常采用氧化镁(MgO)，也可以采用添 加硅(Si)的Si-MgO。在此，保护膜14添加硅(Si)的含量以重量百分比(wt。/。)标准，可以 为50PPM 200PPM。同时，寻址电极22以与扫描电极11及维持电极12交叉的方向形成。而且，形成 寻址电极22的下部基板20上形成下部电介质层24和障壁21 。而且，下部电介质层24和障壁21表面形成荧光体层23。由纵向障壁21a和横向障
壁21b以封闭型形成障壁21，物理划分放电串，防止通过放电产生的紫外线和可见光泄 漏到邻接的放电串上。 '本发明的第1实例除了图1所示的障壁21结构，可以采用多种形状的障壁21结构。 例如，，向障壁21a和横向障壁21b的高度不同的差分型障壁结构，在纵向障壁21a或 横向障iHb当中一个以上障壁形成可作为排气通道的频道(Channel)的频道型障壁结 构，纵向障壁21a或横向障壁21b当中一个以上障壁形成(Hollow)的槽形障壁结构。其中，如果采用差分型障壁则最好横向障壁21b的高度更高，采用频道型障壁结构 或槽型障壁结构，则最好在横向障壁21b形成频道或槽。再者，本发明的第1实例中图示和介绍了R， G及B放电串分别在同一个线上的例 子，但是也可以采用其他方式排列。比如说，R， G及B放电串可以采取三角形排列的 三角洲(Delta)型的排列。放电串的形状也同样，不仅可以采取四角形，也可以采取五角 形，六角形等多种多角形状。而且，荧光体层23被气体放电时产生的紫外线发光，产生红色(R)，绿色(G)或蓝色 (B)当中的任一个可见光。在此，上部/下部基板(10， 20)和障壁21之间设有的放电空间 中注入引起放电的He+Xe， Ne+Xe及He+Ne+Xe等惰性混合气体。图2为显示本发明的等离子显示装置的第1实例的部分分解斜视图，图3为以A方 向显示图2所示的本发明的等离子显示装置的平面图。参照图2及图3，则本发明的等离子显示装置包括由前面板30和背面板40组成 的等离子显示板50和形成在等离子显示板50前面的第1电极层60和形成在第1电极 层60上的薄膜形过滤器70和与薄膜形过滤器70的指定部分相连的防氧化层80。第1电极层60直接形成在前面板30的前面，由铟锡氧化物(Indium-Tin-Oxide;以下 ITO)组成。而且，第1电极层60可以形成切断电磁波的EMI屏蔽的格子形网眼(mesh)型格局， 提高通过放电产生的电磁波(EMI)屏蔽的效率。而且，形成在第1电极层60的网眼格局中，互相交叉的两个线的线宽可以相同或 不同，但是考虑校直，EMI屏蔽效率，则线宽最好相同。在此，第1电极层60的大小可以相同或小于前面板30。而且，第1电极层60直接 形成在前面板30的方法，可以采用溅射(Sputter)及电子束(E-beam)。而且，等离子显示板在制造工序中，在透明电极的形成工序中形成在前面板30的 前面。薄膜形过滤器70包括至少一个以上的形成在第1电极层60上的功能层。上述至少 一个以上的功能层包括形成在第1电极层60前面的片基71,形成在片基71前面上近 紫外线屏蔽层(NIR)72，反射防止层(AR)73。近紫外线屏蔽层72屏蔽从等离子显示板50放射的近紫外线，是通过遥控器等采用
紫外线传达的信号能够正常传达。而且，反射防止层73起到防止外部入射的光线被反 射，提高明暗对比度的功能。而且，薄膜形过滤器70不受积层顺序限制，各层之间的积层顺序可以由业内人士 进行不同积层。而且，各层中可以省略至少一个层。片基71采用由塑料材质形成的强 化塑料及强化玻璃(Glass)，可以提高保护等离子显示板50的功能。等离子显示板50中，在前面板30和背面板40重叠的部分中，划分为显示区域 (DisplayArea) Pl和围绕显示区域Pl的非显示区域(NondisplayArea) P2。显示区域Pl是显示图像的区域，非显示区域P2为显示区域以外的区域。参照图3，则防氧化层80设在第1电极层60前面，与薄膜形过滤器70的片基71 相连。在此，防氧化层80包含金属(Metal)和树脂(Resin)混合物，通过自然硬化形成为固 体状态。而且，防氧化层80为铟(Ag)，钯(Pb)，铜(Cu)及铂(Pt)当中至少2种与上述树 脂混合的混合物。而且，防氧化层80形成在除了显示区域P1之外的非显示区域P2上，与非显示区 域P2对应的宽度不同的2个垂直、水平部分沿着第1方向及第2方向形成。艮P，防氧化层80为了防止由第1电极层60形成的非显示区域P2被空气中湿气或 盐分腐蚀而设。图4为图3 B部分的概括放大图，图5为图4的概括放大图的断面图。 参照图4及图5，本发明的等离子显示装置包括等离子显示板50，第1电极层60 及形成在第1电极层60上的片基71和防氧化层80。 省略已在图3具体介绍的组成。防氧化层80设在非显示区域P2上，片基71以100um以下的厚度形成在显示区域 Pl上。在此，防氧化层80设的比片基71厚度低，此时的防氧化层80的厚度Tl最好为 30um至70um。艮P，防氧化层80的厚度要低于片基71的厚度T2，超过其厚度时，会流到片基71 的上端，降低薄膜形过滤器的功能。在此，防氧化层80的厚度T1，可以最小为3um， 最大为100um。 SP，防氧化层80的厚度T1低于片基71的厚度T2，可以由涂抹金属和 树脂混合物最薄的涂抹装置决定其最小厚度。在此，片基71的厚度T2限定为100um以下，但是可以设为大于其，也可以随其 改变防氧化层80的厚度T1。而且，防氧化层80中，上述垂直部分的宽度Wl为4mm至10mm，上述水平部分 的宽度W2最好为lmm至6mm，是为了不超过等离子显示板50的矩形显示区域Pl和 等离子显示板50之间的非显示区域P2宽度，防止经由显示区域P1及前面板30流到背200710169705.6说明书第5/5页面板40。在此，防氧化层80的上述垂直部分的宽度Wl可以与所对应的非显示区域P2宽度 相同设置，本发明中非显示区域P2的宽度为lmm至20mm。而且，防氧化层80的上述水平部分的宽度W2可以与所对应的非显示区域P2宽度 相同设置，本发明中非显示区域P2的宽度为lmm至7mm。在^:，不限制本发明的非显示区域P2的垂直，水平部分宽度，垂直，水平部分的 宽度变宽或变窄时，可以随之改变防氧化层80宽度。而且，防氧化层80设在第1电极层50的非显示区域P2上，防止空气当中的湿气 活盐分的侵入，防止在第1电极层50被腐蚀，从而提高EMI屏蔽功能。以上，对本发明的最佳实例进行了介绍，但是可以理解，在不脱离附加的申请范围 内所定义的本发明精神及范围的前提下，只要是具有本发明所属技术领域内基础知识的 人士，就可以对本发明进行多种变形变更后实施。因此，本发明今后的实例的变更也属 于本发明的技术。
权利要求
1、一种等离子显示装置，其特征在于它包括包含显示区域及围绕上述显示区域的非显示区域的等离子显示板；和形成在等离子显示板前面的第1电极层；及形成在设在等离子显示板的非显示区域的第1电极层上的防氧化层；上述防氧化层包括金属和树脂。
2、 根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于所述等离子显示板的显示 区域上，再包括在第1电极层上包含至少一个以上的功能层的薄膜形过滤器。
3、 艰，f权利要求2所述的等离子显示装置，其特征在于所述防氧化层低于薄膜形 过滤器的厚度。
4、 根据权利要求3所述的等离子显示装置，其特征在于所述防氧化层的厚度为 30um 70um。
5、 根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于所述第1电极层屏蔽从等 离子显示板放射的电磁波。
6、 根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于所述第1电极层为由透明 电极组成的单层。
7、 根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于所述防氧化层为银、钯、 铜或铂当中至少2种和所述树脂的混合。
8、 根据权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于所述防氧化层设在非显示 区域的相对的2个水平和垂直部分。
9、 根据权利要求8所述的等离子显示装置，其特征在于所述水平部分的防氧化层 的宽度为lmm 6mm。
10、 根据权利要求8所述的等离子显示装置，其特征在于所述垂直部分的防氧化层 的宽度为4mm 10mm。
全文摘要
本发明公开的等离子显示装置包括包含显示区域及围绕上述显示区域的非显示区域的等离子显示板；和形成在上述等离子显示板前面的第1电极层；及形成在设在上述等离子显示板的上述非显示区域的上述第1电极层上的防氧化层；上述防氧化层包括金属和树脂。本发明的等离子显示装置能够防止第1电极层因空气中湿气活盐分而被腐蚀，从而防止电磁波屏蔽功能降低，因此可以改善等离子显示板的亮度及效率。
文档编号H01J17/49GK101159215SQ20071016970
公开日2008年4月9日 申请日期2007年11月21日 优先权日2006年12月8日
发明者柳 朴, 朴宪建, 林谨洙 申请人:乐金电子(南京)等离子有限公司