专利名称：等离子处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子处理装置，尤其涉及在半导体装置、液晶显示装置等的制造过程中，用来进行膜堆积、表面重整(reforming)、蚀刻等所需的等离子处理装置。
背景技术：
等离子处理装置是指，将电磁波振荡器产生的电磁波，尤其是微波，由波导管传播并透过电介质窗(dielectric window)导入到等离子体生成容器内，来激发供给到容器内的处理气体分子从而产生等离子体，来对被处理体进行等离子处理的装置。在与等离子体生成容器壁部相对接的波导管的管壁上，以等间隔方式形成有用来将微波导入到等离子体生成容器内的多个孔穴。
在等离子体生成容器内，导入微波后，就生成等离子体。为了使来自各孔穴的电磁波能量的释放量均等，在等离子体生成容器内产生均匀分布的等离子体，例如预先将波导管终端侧的孔穴面积形成得比其它孔穴大，因此，就可以通过电磁波在波导管终端侧的反射来抑制来自各孔穴的电磁波能量的释放量不均匀的情况(请参照例如日本特开平8-111297号公报(第3至6页，第2图))。
但是，实际上即使由各孔穴释放的电磁波能量是相等的量，也会发生等离子体生成容器内的等离子体分布不均匀的问题。这是由于在等离子体生成容器的中心附近的等离子体密度与在其内壁附近的等离子体密度不相等，再加上由于导入到等离子体生成容器的气体元素的种类，使得来自各孔穴的电磁波能量的释放量的变动程度各有不同所导致的。
在等离子体生成容器的内壁附近，与中心附近相比较，其等离子体的消耗量相对于等离子体的产生量较大，而等离子体的密度较小。因此，在等离子体生成容器内的等离子体密度将产生不均匀。而且，这种不均匀的程度，也会由于导入气体元素的种类不同所引起的的各孔穴释放的电磁波能量的变动而有所不同。
为了解决这一问题，必须准备一种具有能够解决等离子体生成容器内的等离子体密度不均匀的特定形状的容器，以及配合导入气体元素的种类的多个专用容器。
发明内容
本发明的目的在于提供一种等离子处理装置，能够不需要具有特定形状的专用容器，就能使生成等离子体的容器内的等离子体密度均匀化的等离子处理装置。
本发明的等离子处理装置包含至少具有一个开口并且可以生成等离子体的容器；以将前述开口予以气密覆盖的方式设置的电介质构件；以一端侧与前述电介质构件相对向的方式设置在前述容器的外部的至少一个波导管；设置在前述波导管的另一端侧的电磁波源；设置在前述波导管的与电介质构件的相对向面的多个孔穴；以及在前述孔穴的至少一个孔穴上设置的用来调整该孔穴开口面积的孔穴面积调整机构。
具有前述孔穴面积调整机构的前述孔穴，其孔穴面积是以大于其它孔穴的孔穴面积为理想空穴面积。
前述孔穴面积最大的孔穴，也可以位于前述波导管的终端侧。
前述波导管由多个波导管构成较为理想。
前述孔穴中的至少一个孔穴，可以位于前述电介质构件的边缘的附近。
前述波导管具有长方形的横剖面形状，前述孔穴具有长方形的四边，而且，前述电介质构件具有长方形的四边，前述孔穴的长边与靠近此长边的电介质构件的一边平行。
前述容器的侧壁面侧的前述孔穴的孔穴面积，以设成最大的孔穴面积，并且在此孔穴设置前述孔穴面积调整机构较为理想。
前述孔穴面积调整机构是以使由金属所构成的板状部往复移动，而设置成可调整前述孔穴的开口面积的孔穴面积调整机构较为理想。
本发明的另一等离子处理装置包含至少具有一个开口并且可以生成等离子体的容器；以将前述开口予以气密覆盖的方式设置且具有长方形的四边的电介质构件；具有长方形的横剖面形状的波导管，并且以与前述电介质构件相对向方式设置在前述容器的外部的至少一个波导管；以及设置在前述波导管与电介质构件的相对向面且具有长方形的四边的多个孔穴；同时，将前述孔穴中前述容器的侧壁面侧的孔穴的面积设成大于另一孔穴的面积。
本发明的又一等离子处理装置包含至少具有一个开口并且可以生成等离子体的容器；以将前述开口予以气密覆盖的方式设置且具有长方形的四边的电介质构件；具有长方形的横剖面形状的波导管，并且以与前述电介质构件相对向的方式设置在前述容器的外部的至少一个波导管；以及为具有长方形的四边的孔穴而形成在前述波导管，并且与前述电介质构件相对向设置的至少一个孔穴；同时，前述孔穴的一边与电介质构件的一边平行。
其中最好包含有位于前述电介质构件的相邻二边中的一边附近的至少一个孔穴；以及位于前述二边的另一边附近的至少一个孔穴；同时，位于前述二边的其中一边附近的孔穴的长边与该边平行，而位于前述二边的另一边附近的孔穴的长边则与该另一边平行。
本发明具有可以使生成等离子体的容器内的等离子体密度均匀化的效果。
图1是概略显示本发明的等离子处理装置的实施例的图，其中图1(a)是主要部分的俯视图，图1(b)是一部分以剖面显示的侧视图。
图2是概略显示本发明的等离子处理装置的第二实施例的图。
图3是概略显示本发明的等离子处理装置的第三实施例的图，其中图3(a)是主要部分的剖视图，图3(b)是主要部分的俯视图。
图4是概略显示本发明的等离子处理装置的第四实施例的图，其中图4(a)是主要部分的剖视图，图4(b)是主要部分的俯视图。
图5是概略显示本发明的等离子处理装置的第五实施例的图。
具体实施例方式
图1(a)以及图1(b)是以标记10来表示本发明的等离子处理装置的整体。等离子处理装置10包含等离子体的生成容器12、电介质构件14、波导管16、以及孔穴面积调整机构18。等离子处理装置10还可以包含电磁波源例如微波振荡器20、气体导入装置22、气体排出装置24、以及被处理件支持装置26。
等离子处理装置10是用来作为由氧等离子体进行灰化(ashing)的装置，所述氧等离子体采用例如氧气作为等离子体的生成用气体。利用生成于生成容器12的氧等离子体，就可以进行例如液晶面板用的基板上的光阻的分解与剥离，也就是进行灰化。此外，等离子处理装置10是用在采用硅甲烷(monosilane)气体、氨气、甲烷气体等等离子体CVD，采用氯气、氟碳化物气体等实施蚀刻等的装置。
作为生成等离子体的容器的生成容器12，是以可以将其内部维持在真空状态较为理想。生成容器12具有将该容器12的壁面例如上盖部作为电磁波窗的至少一个开口28。规定开口28的窗框30是由例如熔接而安装成与生成容器12形成一体。此外，生成容器12具有气体导入用的开口32以及气体排出用的开口34。
电介质构件14安装在窗框30，用来将设置在相当于生成容器12的例如上盖部位置的开口28予以气密地覆盖，使其具有保持将生成容器12维持在真空的气密式密闭性的耐压。电介质构件14，可以采用可透过电磁波的石英、陶瓷等。
波导管可以采用可传送电磁波，尤其是可传送微波的金属制的管。在波导管16的一端侧结合有微波振荡器20，并且波导管16传送由微波振荡器20输出的电磁波。在图1所示的实施例中，波导管16是由铝所构成。此外，波导管16具有例如长方形的横剖面形状。波导管16位于生成容器12的外部，而波导管16的另一端侧则与电介质构件14相对向邻接且与电介质构件14相对。在图1所示的实施例中，波导管16的端部36几乎位于窗框30的上方。波导管16具有比生成容器12的上盖部更狭窄的宽度间隔以及上盖部的长度，并且设置在生成容器12的中央部。
在波导管16中设置有多个孔穴38、40、42、44、46，在与电介质构件14相对面(相对向面)开放。换言之，这些孔穴38、40、42、44、46设置在波导管16的与电介质构件14相对向的面。在图1所示的实施例中，各孔穴38、40、42、44、46具有长方形的四边，并且位于波导管16终端侧的孔穴38的短边比其它孔穴40、42、44、46的各短边长。孔穴38比其它孔穴40、42、44、46具有更大的孔穴面积，而其它孔穴40、42、44、46具有相等的形状。除此以外，也可以将孔穴38、40、42、44、46形成具有长方形以外的多角形、圆形、椭圆形等平面形状。但是，在此情况下，微波供给到生成容器12内的效率较差。孔穴的形状不限定于长方形也可作成其它形状，例如为圆形。
在图1所示的实施例中，波导管16的前述孔穴38、40、42、44、46的开放面，是与波导管16内的电场的波面垂直且与磁场的波面平行的面。孔穴38、40、42、44、46虽然可以将间隔任意设定，但是以每隔微波的半波长的等间隔方式形成的间隔较为理想。孔穴面积调整机构18是通过被调整孔穴来调整传播到生成容器12内的微波传播量的机构，是为了调整所述传播量而调整孔穴的开口面积。
孔穴面积调整机构18用来调整孔穴38的开口面积，具有例如大致矩形的平面形状的板状部18A。前述板状部18A的面积如后述所示，以能够大于孔穴面积调整机构18所适用的孔穴的孔穴面积为佳。前述板状部18A是相对于微波等电磁波非透过性的构件，例如以铝、铜等金属材料为最佳。在图1所示的实施例中，前述板状部与波导管16相同，由铝板所构成。
孔穴面积调整机构18的前述板状部18A安装成可在波导管16中往复移动。前述板状部18A的往复移动机构，例如在板状部18A的侧部一体设置延伸到外侧的操作棒18B，并且将此操作棒18B往复移动操作即可。此操作棒18B是结合在没有画出的电动机上从而可以自动远程操作。
孔穴面积调整机构18的设置位置是以设置在等离子体的均匀性较差的部分例如孔穴38、40、42、44、46的位置为佳。在此实施例中，孔穴面积调整机构18设置在距离微波振荡器20最远位置的孔穴38。孔穴38虽然设置成比其它孔穴的面积大，但也可以是与其它孔穴40、42、46相同的面积。有关孔穴38、40、42、44、46的孔穴面积，在此实施例中只有孔穴38形成较大的面积。
这是由于孔穴38位于终端部，并且存在进行波与反射波，所以包含进行微调所需因而形成较大面积。当生成容器12内放置如大型液晶显示装置用基板较大时的孔穴38、40、42、44、46的大小，是以远离微波振荡器20的孔穴面积作成较大者为佳。
这是由于愈远离微波振荡器20，微波的到达量愈减少，所以通过依序广泛调整各孔穴46、44、42、40、38的开口面积的方式，就可以将产生在生成容器12内的等离子体密度予以均匀化。
在图1所示的实施例中，孔穴面积调整机构18是适用在具有最大面积的孔穴38，并且前述板状部18A具有比孔穴38的长边以及短边更长的长边以及短边。
孔穴面积调整机构18是为了能使板状部18A与孔穴38的短边平行，也就是在图中可以向左右方向往复移动，而通过引导构件(没有画出)支持在波导管16中。
孔穴面积调整机构18的板状部18A的往复移动，在图1所示的实施例中，可以用手操作安装在前述板状部18A且位于波导管16外部的把手来进行。也可以例如采用步进马达以使孔穴面积调整机构18的板状部18A进行往复移动，来代替手动方式。此外，为了对前述板状部18A的移动量进行反馈控制，也可以对从生成容器12内通过孔穴38返回的微波的返回量进行监控，从而通过孔穴38的开口大小来求出前述板状部18A的移动量。如后述所示，由于孔穴的开口面积的调整，所以还可以将孔穴面积调整机构18应用在其它孔穴40、42、44、46的全部或是一部分上，或者是可以应用在孔穴40、42、44、46之一上，来取代孔穴38。
微波振荡器20连接到波导管16的另一端侧的端部，产生导入并传送到波导管16内的前述微波。
气体导入装置22包含收容等离子体生成用气体的储气瓶(gas bomb)48；将气体引导到生成容器12内的导管50；以及安装在导管50中，并且控制从储气瓶48到生成容器12内的气体流入以及流入量的导入控制装置52。导管50安装在生成容器12的壁部，来保持生成容器12内的密闭性。
气体排出装置24控制生成容器12内的气体的排出以及该排出量。
被处理件支持装置26将生成容器12内进行等离子处理的被处理件54予以固定及支持。
在等离子处理装置10中，是通过孔穴面积调整机构18的板状部18A的往复移动来覆盖孔穴38的一部分的方式，调整孔穴38的开口面积的大小，并且以此调整来自孔穴38的电磁波能量的释放量。
其结果是，可以增减生成容器12内的孔穴38下方空间的等离子体密度，并且使生成容器12内的等离子体密度的不均匀程度变小。
而且，通过配合导入到生成容器12的气体元素的种类来调整孔穴38的开口面积大小的方式，可以调整来自孔穴38的电磁波能量释放量的变动程度。
等离子体密度是例如离子或电子般的荷电粒子的密度，它由等离子体的生成量与消耗量来决定。等离子体的生成量是由供给到生成容器12内的电磁波(在附图中为微波)的电场强度即电力所决定，如果将电场强度均匀的电磁波供给到生成容器12内则可以生成均匀的等离子体。另一方面，等离子体的消耗量是以扩散(往等离子体密度较低的空间的移动)、再结合(经等离子分解的粒子再度结合)、表面反应(包含生成容器12内壁的在固体表面上的结合反应)等所决定。因此，等离子体的生成量在生成容器12的内壁附近虽然相同，但等离子体的消耗量，尤其是因表面反应所产生的消耗量将比非内壁附近的中央部空间大，其结果将使等离子体密度变低。
在图1所示的实施例中，由于孔穴38、46接近生成容器12的内壁，以及孔穴38位于距微波振荡器20最远的位置，并且微波传播量为最小的原故，可以通过孔穴面积调整机构18将孔穴38的开口面积增大的方式，来将等离子体在生成容器12的内壁附近的生成量增多以补偿该消耗，由此，就可以将生成容器12中心附近与内壁附近的等离子体密度的差予以缩小。在这里，所谓与生成容器12的内壁接近的孔穴，是指位于由生成容器12的开口面的中央位置偏向生成容器12的4个内壁的其中之一的所在位置的孔穴。前述中央位置是指位于与生成容器12的4个内壁距离相等的位置。
再者，在图1所示的实施例中，由于孔穴38位于波导管16的终端侧，所以可以通过孔穴面积调整机构18来调整孔穴38的开口面积的方式，来抑制因为在波导管16终端侧的电磁波反射所造成的电磁波波形的混乱与变动，以及随此所产生的等离子体生成量的变动，使等离子体密度均匀化。
在参照图1的上述说明中，虽然说明了孔穴面积调整机构18应用在孔穴38的情形，但也可以将孔穴46的孔穴面积设成大于其它孔穴38、42、44、46，来将孔穴面积调整机构18应用在孔穴46。甚至，也可以将孔穴38、46的孔穴面积设成大于其它孔穴42、44、46，而将孔穴面积调整机构18分别应用在孔穴38、46。
此外，孔穴面积调整机构18也可以应用在孔穴40、42以及44的至少一个，或是应用在所有孔穴38、40、42、44、46上。在图1所示的实施例中，由于一支波导管16的宽度相比于生成容器12的大小较窄，所以有时会影响到等离子体密度的均匀性。这时，也可以设置多个波导管而加以均匀化。接下来说明此实施例。
图2显示第二实施例的等离子处理装置56。与图1相同部分具有相同的标记，并且对它们的详细说明因为与前面重复所以不再赘述。图2是俯视图。等离子处理装置56包含3个波导管16。在图2所示的实施例中，相比于图1所示的实施例，差别在于生成容器12增加用来传播微波的波导管以及孔穴的数量，并且由于在生成容器12内全面地传播微波，所以生成于生成容器12内的等离子体的分布将更为均匀。
此外，在图2所示的实施例中，除了孔穴38之外还将孔穴46的孔穴面积设成大于其它孔穴40、42、44，而且将孔穴面积调整机构18分别应用在孔穴38、46，所以所生成的等离子体的分布、等离子体密度将更为均匀。
波导管16的数量并不以上述的实施例为限。也可以依据生成容器12的大小，采用适当数量(在图2中为3个)的波导管16。此外，虽然就同一大小的3支波导管16的实施例进行说明，但也可以配置不同大小的波导管而将等离子体密度予以均匀化。
其次，图3(a)以及图3(b)所示的第三实施例的等离子处理装置58包含安装具有长方形平面形状的3个窗60的窗框62的生成容器64；以及分别在窗框62的3个窗安装成保持密闭性(气密性)的具有长方形四边的3个电介质构件66。另外，窗框62是构成生成容器64的一部分。
在3个电介质构件66上分别配置有相接的3个波导管68。各波导管68具有长方形的横剖面形状。
各波导管68具备具有长方形四边的多个孔穴70。各孔穴70的长边与靠近所述长边的电介质构件66的一边平行。在图3所示的实施例中，波导管68具有长方形的横剖面形状，所以孔穴70的开放面是与波导管68内的电场的波面垂直且与磁场的波面平行的面。因此，可以抑制电磁能量在电介质构件66的边缘附近的损失。在这里，所谓与电介质构件66接近的孔穴，是指位于由电介质构件66的中央位置偏向该四边其中一边位置的孔穴。前述中央位置是指位于电介质构件66的四边即与2个长边以及2个短边分别距离相等的位置。
此外，在接近生成容器64内壁的全部的孔穴70，分别应用图1所说明的孔穴面积调整机构18，来抑制等离子体密度在生成容器64内壁附近的降低。其结果可以使生成于生成容器64内的等离子体的等离子体密度更为均匀化。
图4(a)以及图4(b)显示第四实施例的等离子处理装置72。等离子处理装置72包含安装具有相互平行的3个长方形平面形状的开口74的窗框76的生成容器78；以及分别在窗框76的3个开口74安装成保持密闭性(气密性)的具有长方形四边的3个电介质构件80。另外，窗框76也构成生成容器78的一部分。
在3个电介质构件80上分别配置有相对应的3个波导管82。各波导管82具有长方形的横剖面形状。
各波导管82具备具有长方形四边的多个孔穴84A、84B。各孔穴84A、84B位于电介质构件80的边缘附近，并且各孔穴84A、84B的长边与接近于此长边的电介质构件80的一边平行。在图4所示的实施例中，波导管82是具有长方形的横剖面形状，所以孔穴84A、84B的开放面是与波导管82内的电场的波面垂直而且与磁场的波面平行的面。
因此，由孔穴84A、84B出射的微波的电场与窗框76与电介质构件80间的边界面垂直。而且，在电介质构件80边缘的窗框76所造成的对于微波的吸收影响将会缓和。上述孔穴84A的大小可以在设计时，由图1所示的孔穴面积调整机构，来求出使等离子体密度均匀化的大小。
在图4(a)以及图4(b)所示的实施例中，接近于生成容器78的内壁的全部的孔穴84A，相比于未接近的另一孔穴84B的孔穴面积更大，从而抑制在生成容器78内壁附近的等离子体密度的降低。其结果是，可以使生成于生成容器78内的等离子体的等离子体密度均匀化。
如图5所示，可以作成具有形成格子状的多个开口的第五实施例的等离子处理装置86，来取代具有相互平行的多个开口74的等离子处理装置72。等离子处理装置86与图4所示的实施例相同，包含安装具有长方形平面形状的6个开口88的窗框90的生成容器92；以及分别在窗框90的6个开口安装成保持密闭性(气密性)的具有长方形四边的6个电介质构件94。另外，窗框90构成生成容器92的一部分。
在图5所示的实施例中，配置有将各2个开口88予以邻接在朝这些开口的长边方向延伸的电介质构件94的波导管96。各波导管96具有长方形的横剖面形状。
各波导管96具备具有长方形四边的多个孔穴98。各孔穴98位于电介质构件94的边缘附近，并且各孔穴98的长边与邻接于此长边的电介质构件94的一边平行。因此，就可以缓和因窗框90所造成的对于微波吸收的影响。
孔穴84、98的数量并不以此为限。也可以依据生成容器与前述电介质构件的大小，作成适当的数量。在上述实施例中虽然以调整一个孔穴38、46、70、98的开口面积作为孔穴面积调整机构18的实施例进行说明，但也可以形成多个较小的孔穴，并且通过以孔穴为单位来进行关闭操作的方式来使等离子体密度均匀调整。再者，虽然通过将板状部18A进行往复移动作为孔穴面积调整机构18的实施例进行说明，但该往复移动也包括前后移动、旋转移动等。
依据上述实施例，是针对至少一个孔穴，作成含有供该至少一个孔穴所用的孔穴面积调整机构18，其结果可以调整来自前述至少一个孔穴的电磁波能量的释放量。
因此，就可以增减等离子体生成容器内的一部分空间的等离子体密度，使等离子体生成容器内的等离子体密度的不均匀获得缓和。而且，通过调整等离子体密度的增减程度的方式，就可以配合导入到等离子体生成容器的气体元素的种类而调整来自孔穴的电磁波能量的释放量的变动程度。因此，在本发明中并不需要准备特定形状的专用容器。
当具有孔穴面积调整机构的前述孔穴的孔穴面积大于其它孔穴的孔穴面积时，接近于容器内壁的是面积最大的孔穴，可以由孔穴面积调整机构调整该孔穴的开口面积，来补偿在等离子体生成容器内壁附近的等离子体的消耗，并可以缩小容器中心附近与内壁附近的等离子体密度的差。
通过使前述孔穴面积最大的孔穴位于前述波导管的终端侧的方式，就可以同时抑制在波导管的终端侧因电磁波的反射所造成的影响。
当前述波导管是由多个波导管所构成时，可以进一步缩小等离子体密度的不均匀。
当前述孔穴之中至少一个位于前述电介质构件的边缘附近时，就可以补偿等离子体在电介质构件的边缘附近的消耗。
当前述波导管具有长方形的横剖面形状、前述孔穴具有长方形的四边，而且，前述电介质构件具有长方形的四边、前述孔穴的长边与接近此长边的电介质构件的一边平行时，就可以抑制电磁波能量在电介质构件的边缘附近的损失，并且可以将更多的电磁能量导入到等离子体生成容器内。
当将前述容器的侧壁面侧的前述孔穴的孔穴面积设成最大的孔穴面积，并且在该孔穴设置前述孔穴面积调整机构时，则可以进一步缩小等离子体密度的不均匀。
当孔穴面积调整机构设成使通过金属构成的板状部往复移动来调整前述孔穴的开口面积时，则可以调整孔穴面积来进一步缩小等离子体密度的不均匀。
依据第五实施例，由于孔穴的一边与电介质构件的一边平行，所以可以将由孔穴发射的微波的电场相对于容器与电介质构件间的边界面设成垂直，并且使在电介质构件边缘的容器所造成对于微波的吸收的影响获得缓和。因此，可以将生成等离子体所需充分的微波导入到容器内，在容器内生成均匀稳定的等离子体。
由于这种均匀稳定的等离子体的生成，就可以不论导入到等离子体生成容器的气体元素是何种种类，都可以抑制等离子体状态的变动。
此外，包含位于前述电介质构件的相互邻接的二边的其中一边附近的至少一个孔穴；以及位于前述二边的另一边附近的至少一个孔穴；当位于前述二边的其中一边附近的孔穴的长边与该边平行，而位于前述二边的另一边附近的孔穴的长边与该另一边平行时，就可以进一步缓和在电介质构件边缘的微波吸收的影响。
附图标记说明10、56、58、72、86 等离子处理装置12、64、78、92 生成容器14、66、80、94 电介质构件16、68、82、96 波导管18 孔穴面积调整机构18A 板状部18B 操作棒20 微波振荡器22 气体导入装置24 气体排出装置26 被处理件支持装置28、74、88 开口30、62、76、90 窗框32 气体导入用的开口
34 气体排出用的开口36 端部38、40、42、44、46、70、84、98孔穴48 储气瓶50 导管52 导入控制装置54 被处理件60 窗
权利要求
1.一种等离子处理装置，其特征在于，包含至少具有一个开口并生成等离子体的容器；以将所述开口予以气密覆盖的方式设置的电介质构件；以一端侧与所述电介质构件相对向的方式设置在所述容器外部的至少一个波导管；设置在所述波导管的另一端侧的电磁波源；设置在所述波导管的与所述电介质构件相对向面的多个孔穴；以及在所述孔穴的至少一个孔穴上设置的用来调整所述孔穴的开口面积的孔穴面积调整机构。
2.如权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，其中，具有所述孔穴面积调整机构的所述孔穴，其孔穴面积大于其它孔穴的孔穴面积。
3.如权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，其中，所述孔穴面积最大的孔穴，是位于所述波导管的终端侧。
4.如权利要求1至3中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，其中，所述波导管是由多个波导管构成。
5.如权利要求1至4中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，其中，所述孔穴之中至少一个，是位于所述电介质构件的边缘附近。
6.如权利要求1至5中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，其中，所述波导管具有长方形的横剖面形状，所述孔穴具有长方形的四边，而且，所述电介质构件具有长方形的四边，所述孔穴的长边与靠近此长边的所述电介质构件的一边平行。
7.如权利要求1至6中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，其中，所述容器的侧壁面侧的所述孔穴的孔穴面积，设成最大的孔穴面积，并且在该孔穴上设置所述孔穴面积调整机构。
8.如权利要求1至7中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，其中，所述孔穴面积调整机构设置为使由金属所构成的板状部往复移动，而调整所述孔穴的开口面积。
9.一种等离子处理装置，其特征在于，包含至少具有一个开口并且生成等离子体的容器；以将所述开口予以气密覆盖的方式设置并且具有长方形的四边的电介质构件；具有长方形的横剖面形状的波导管，并且以与所述电介质构件相对向的方式设置在所述容器外部的至少一个波导管；以及设置在所述波导管的与所述电介质构件相对向的面的具有长方形的四边的多个孔穴；同时，将所述孔穴中的所述容器的侧壁面侧的孔穴的面积设成大于其它孔穴的面积。
10.一种等离子处理装置，其特征在于，包含至少具有一个开口并且生成等离子体的容器；以将前述开口予以气密覆盖的方式设置并且具有长方形的四边的电介质构件；具有长方形的横剖面形状的波导管，并且以与所述电介质构件相对向的方式设置在所述容器外部的至少一个波导管；以及形成在所述波导管，并且与所述电介质构件相对向设置的至少一个具有长方形的四边的孔穴；同时，所述孔穴的一边与所述电介质构件的一边平行。
11.如权利要求10所述的等离子处理装置，其特征在于，其中，又包含位于所述电介质构件的相互邻接的二边的其中一边附近的至少一个孔穴；以及位于所述二边的另一边附近的至少一个孔穴；同时，位于所述二边的其中一边附近的孔穴的长边与该边平行，而位于所述二边的另一方附近的孔穴的长边则与该另一边平行。
全文摘要
本发明的目的在于提供一种等离子处理装置，是一种不需要具有特定形状的专用容器，就能使等离子体生成容器内的等离子体密度得以均匀化的等离子处理装置，其中包含至少具有一个开口，并且可以生成等离子体的容器(12)；以将前述开口予以气密覆盖的方式设置的电介质构件(14)；在前述容器外部以一端侧与前述电介质构件以相对向的方式设置至少一个波导管(16)；设置在波导管的另一端侧的电磁波源(20)；设置在前述波导管的与电介质构件相对向面的多个孔穴(38、40、42、44、46)；以及在前述孔穴的至少一个孔穴上设置用来调整该孔穴的开口面积的孔穴面积调整机构(18)。
文档编号H01L21/00GK1497665SQ20031010151
公开日2004年5月19日 申请日期2003年10月9日 优先权日2002年10月9日
发明者後藤真志, 中田行彦, 東和文, 岡本哲也, 也, 彦 申请人:株式会社液晶先端技术开发中心