专利名称：一种平面介质阻挡放电光源的制造方法
技术领域：
本发明属于电真空领域，涉及一种平面介质阻挡放电光源的制造 方法。
背景技术：
(1)近年来，液晶显示LCD技术取得了飞速发展。液晶显示器 一般为透射型，需要在液晶板后配置光源来实现发光显示。LCD的亮 度、对比度、亮度均匀性和功耗等重要性能指标与其背光源的性能有 很大关系。目前平板液晶显示器普遍采用的背光源是冷阴极荧光灯 CCFL，其优点是光效和亮度高，但其缺点是点亮后达到饱和亮度时间 长，点火受环境温度影响大和寿命较短，为使显示器亮度均匀还需配 置导光板、扩散板和棱镜板等部件，使灯管的亮度损失较大，并且冷 阴极荧光灯CCFL需要汞蒸气作为工作气体，因此荧光灯的生产和废 弃都会造成对环境的污染。随着世界各国环境保护意识的增强，各国 政府纷纷制订法律逐步减小工业生产中的用汞量，并积极鼓励采用一 些无汞的新技术。在此背景下，开发新型光源以取代冷阴极荧光灯 CCFL受到世界上许多光源制造厂家和研究机构的重视。平面介质阻 挡放电光源由于具有可实现大面积均匀发光、寿命长、制作成本低等 优点，因此特别适合用作大屏幕液晶显示LCD的背光源。此外，它还 可用作照明光源，如吸顶灯、吊灯、壁灯、光墙等，具有较强的装饰性效果，可广泛应用于家庭、商场、宾馆、会议室、展览馆、机场、 车站等场所。
(2)现在普遍采用的平面介质阻挡放电光源的制作方法，是分 别制作上下基板，然后用封接框将其封接，经过除气、充气、老练等 工艺制作而成。其中下基板是用丝网印刷技术直接在玻璃基板上印刷 电极并烧结，然后再印刷介质和荧光粉层并分别烧结。其中介质的印 刷需要上百微米厚度以保证制作好的光源不易被击穿，因此需要多次 印刷、多次干燥才能达到预期厚度，工艺较繁琐，且厚度越厚越不均 匀；而且在多次印刷过程中要求精确对位来保证图形不偏离，这使得 制作工艺繁琐复杂，不利于大批量的生产。
发明内容
针对现有技术在平面介质阻挡放电光源上下基板的加工中存在的
需要多次印刷、干燥，工艺繁琐且厚度不均匀的技术问题，本发明提
出如下技术方案
一种平面介质阻挡放电光源的制造方法，包括如下步骤 a.下基板的制作
1) 依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对玻璃基板进 行超声波清洗。
2) 在下基板玻璃上涂覆一层20-30微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的 感光胶，通过掩膜版进行曝光、显影，形成电极图形；
3) 用浓度为40%氢氟酸和纯水的重量比为4: 1的混合液对玻璃 基板进行刻蚀处理，再用脱胶液剥离剩余的感光胶，在玻璃基板 上形成和电极图形一致的凹槽；
4) 将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的玻璃基板采用"十字"对位码对位后，将电极印刷在刻蚀好的玻璃基板的凹槽里，将印刷
好电极的玻璃基板进行烧结处理，升温至370'C保温10-20分钟， 再升温至57(TC保温15-20分钟，经烧结处理后电极厚度为5-10 y m;
5) 接着，在玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层，反 射层厚度为25-30 um，介质层厚度为320-340 um，并进行烧结 处理，升温至37(TC保温10-20分钟，再升温至54(TC保温15-20 分钟，烧结后反射层和介质层总厚度约为240-260 y m。
6) 接着在玻璃基板上印刷荧光粉层，荧光粉层覆盖整个放电区域， 厚度为120-140 um;
7) 对印刷荧光粉层的玻璃基板进行烧结处理，升温至370'C保温 10-20分钟，再升温至45(TC保温15-20分钟，烧结后厚度为100-110 y m;
8) 在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子，在柱状隔离子 的一端涂上低玻粉浆料，用隔离子散布装置将其粘在下基板预留的空 白处；
b. 上基板的制作
1) 依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对玻璃基板进 行超声波清洗；
2) 印刷上基板荧光粉涂层，上基板荧光粉涂层要求粉体颗粒《8 ^m,并进行烧结，升温至370摄氏度保温10-20分钟，再升温至 450摄氏度保温15-20分钟，烧结后荧光粉厚度约为7-9 u m
c. 整机封装
1) 封接，将低玻粉桨料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面上， 将玻其粘在上下两个基銜之间，同时在两块基板之间的封接框处 放入一根长4cm直径为0.6mm的排气管；
2) 低玻烧结，升温至370'C保温10-20分钟，再升温至45(TC保 温15-20分钟，完成封装。
3) 除气，将排气管接到等离子显示器PDP封排充气台上，用真空泵进行除气约5-7小时，然后充入惰性混合气体氖气和氙气， 氙气的体积百分比为5%~30%，充气气压控制在80 90 kPa; 4)驱动电路装配及老练，采用额定功率为50W、 220V交流
输入的电源，接通阴阳两极进行老练5-10小时。
本发明中将电极印刷并烧结在刻蚀好的下基板玻璃凹槽里，然后 在玻璃基板上再印刷反射层和介质层，这样，电极槽侧面的玻璃就充 当了厚度为d的介质，因而上面的介质层可以适当薄一些，减少了介 质的印刷次数以及由于对位引起的误差，使得制作工艺简单精确。
图1为刻蚀后下基板的剖面示意图，
图2为印刷电极后下基板的剖面示意图，
图3为图2中下基板刻蚀槽的局部放大示意图
图4为印刷电极后下基板的俯视图，
图中，1为下基板玻璃，2为刻蚀后的凹槽，3为电极(涂黑部
分)
具体实施例方式
下面结合附图对本发明的平面介质阻挡放电光源的制造方法做 进一步说明，包括如下步骤 实施例一
a.下玻璃基板1的制作
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对玻璃基板进 行超声波清洗，酒精和去离子水没有严格的比例要求，经过清洗后的 玻璃表面不留油渍、污渍，表面光滑，水膜要求完好。2) 在下玻璃基板1玻璃上涂覆一层20微米厚的抗玻璃刻蚀液腐 蚀的感光胶，通过掩膜版进行曝光、显影，形成电极图形，如附图3 所示；
3) 用浓度为40%的氢氟酸和纯水的重量配比为4: l的混合液对 下基板玻璃进行刻蚀，再用脱胶液剥离剩余的感光胶，在下玻璃基板 上形成了和电极图形一致的凹槽2，如附图l所示；
4) 将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用"十字" 对位码对位后，将电极印刷在刻蚀好下玻璃基板的凹槽2里，如图2， 图4所示，将印刷好电极的下玻璃基板进行烧结处理，升温至37(TC 保温20分钟，再升温至570'C保温15分钟，经烧结处理后电极厚度 为5 u m;
5) 接着在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层， 反射层厚度为25-30 um，介质层厚度为320-340 li m。并进行烧结升 温至37(TC保温20分钟，再升温至54(TC保温15分钟，烧结后反射 层和介质层总厚度为260 u m;
6) 接着在下玻璃基板上印刷荧光粉层，荧光粉层覆盖整个放电 区域，厚度约为140 um;
7) 对印刷有荧光粉层的下玻璃基板进行烧结，升温至37(TC保
温10分钟，再升温至45(TC保温20分钟，烧结后厚度为100um;
8)在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子，在柱状隔离子 的一端涂上低玻粉浆料，用隔离子散布装置将其粘在下基板1预留的 空白处；
b.上基板的制作1) 依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对上玻璃基板 进行超声波清洗；
2)印刷上基板荧光粉层，上基板荧光粉层要求粉体颗粒《8um， 并进行烧结，升温至370摄氏度保温20分钟，再升温至450摄氏度 保温15分钟，烧结后荧光粉厚度为7 u m; c.整机封装
l)封接，将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面，将 其粘在上下两个基板之间，同时在两块基板之间的封接框处放入一根 长4cm直径为0.6mm的排气管；
2) 低玻烧结升温至37(TC保温20分钟，再升温至45(TC保温15 分钟，完成封装。
3) 除气，将排气管接到PDP封排充气台上，用机械泵和分子 泵进行除气7小时，然后充入惰性混合气体氖气和氙气，氙气Xe的 体积百分比为30%，充气气压控制在90 kPa;
4) 驱动电路装配及老练，采用额定功率为50W、 220V交流输 入的电源，接通阴阳两极进行老练5小时。
实施例二
a.下玻璃基板1的制作
1) 依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对下玻璃基板 进行超声波清洗。
2) 在下玻璃基板1玻璃上涂覆一层30微米厚的抗玻璃刻蚀液腐 蚀的感光胶，通过掩膜版进行曝光、显影，形成电极图形；
3) 用浓度为40%的氢氟酸和纯水的重量配比为4: 1的混合液对下玻璃基板1玻璃进行刻蚀，再用脱胶液剥离剩余的感光胶，在下玻 璃基板上形成了和电极图形一致的凹槽2;
4) 将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用"十字"
对位码对位后，将电极印刷在刻蚀好下玻璃基板的凹槽2里，将印刷 好电极的下玻璃基板进行烧结处理，升温至37(TC保温10分钟，再 升温至570'C保温20分钟，经烧结处理后电极厚度为10um;
5) 接着在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层， 反射层厚度为25-30 u m，介质层厚度为320-340 u m。并进行烧结升 温至37(TC保温10分钟，再升温至54(TC保温20分钟，烧结后反射 层和介质层总厚度为240 n m;
6) 接着在下玻璃基板上印刷荧光粉层，荧光粉层覆盖整个放电 区域，厚度约为120um;
7) 对印刷有荧光粉层的下玻璃基板进行烧结，升温至37(TC保
温20分钟，再升温至450'C保温15分钟，烧结后厚度为llOum;
8)在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子，在柱状隔离子 的一端涂上低玻粉浆料，用隔离子散布装置将其粘在下玻璃基板1预 留的空白处;
b.上基板的制作
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对玻璃基板进 行超声波清洗；
2)印刷上基板荧光粉层，上基板荧光粉层要求粉体颗粒《8um， 并进行烧结，升温至370摄氏度保温10分钟，再升温至450摄氏度 保温20分钟，烧结后荧光粉厚度为9 y mC.整机封装
1) 封接，将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面上， 将其粘在上下两个基板之间，同时在两块基板之间的封接框处放入一
根长4cm直径为0.6mm的排气管；
2) 低玻烧结升温至37(TC保温10分钟，再升温至450"C保温20 分钟，完成封装。
3) 除气，将排气管接到PDP封排充气台上，用机械泵和分子泵 进行除气5小时，然后充入惰性混合气体氖气和氙气，氙气Xe的体 积百分比为5%，充气气压控制在80 kPa;
4) 驱动电路装配及老练，采用额定功率为50W、 220V交流输 入的电源，接通阴阳两极进行老练10小时。
实施例三
a.下玻璃基板l的制作-
1) 依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对下玻璃基板 进行超声波清洗。
2) 在下玻璃基板1玻璃上涂覆一层25微米厚的抗玻璃刻蚀液腐 蚀的感光胶，通过掩膜版进行曝光、显影，形成电极图形。
3)用浓度为40%的氢氟酸和纯水的重量配比为4: l的混合液 对下玻璃基板1玻璃进行刻蚀处理，再用脱胶液剥离剩余的感光胶, 在下玻璃基板上形成了和电极图形一致的凹槽2;
4)将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用"十字" 对位码对位后，将电极印刷在刻蚀好玻璃基板的凹槽2里，将印刷好 电极的下玻璃基板进行烧结处理，升温至370'C保温15分钟，再升温至57(TC保温18分钟，经烧结处理后电极厚度为8nm;
5) 接着在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层， 反射层厚度为25-30 ixm，介质层厚度为320-340 u m。并进行烧结升 温至37(TC保温15分钟，再升温至540。C保温17分钟，烧结后反射 层和介质层总厚度为250 y m;
6) 接着在下玻璃基板上印刷荧光粉层，荧光粉层覆盖整个放电 区域，厚度约为130 ym;
7) 对印刷有荧光粉层的下玻璃基板进行烧结，升温至37(TC保
温15分钟，再升温至450。C保温18分钟，烧结后厚度为115um;
8)在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子，在柱状隔离子 的一端涂上低玻粉浆料，用隔离子散布装置将其粘在下玻璃基板1预 留的空白处；
b. 上基板的制作
1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对玻璃基板进 行超声波清洗；
2)印刷上基板荧光粉层，上基板荧光粉层要求粉体颗粒《8um， 并进行烧结，升温至370摄氏度保温18分钟，再升温至450摄氏度 保温17分钟，烧结后荧光粉厚度为8um
c. 整机封装
1) 封接，将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面， 将其粘在上下两个基板之间，同时在两块基板之间的封接框处放入一 根长4cm直径为0.6mm的排气管；
2) 低玻烧结升温至37(TC保温17分钟，再升温至450"C保温18分钟，完成封装。
3) 除气，将排气管接到PDP封排充气台上，用机械泵和分子 泵进行除气6小时，然后充入惰性混合气体氖气和氙气，氙气Xe的 体积百分比为30%，充气气压控制在85 kPa;
4) 驱动电路装配及老练，采用额定功率为50W、 220V交流输 入的电源，接通阴阳两极进行老练8小时。
为达到减少下玻璃基板1介质印刷次数及对位引起的误差，降低
制作工艺难度的目的，本发明在下玻璃基板1制作之前对玻璃做了预 处理，S卩将清洗好的下玻璃基板l玻璃上贴附一层玻璃刻蚀用的感 光胶，通过掩膜版进行曝光、显影，形成电极图形，然后用重量比为 4: 1的玻璃刻蚀液，浓度为40%的氢氟酸和纯水的混合液进行刻蚀， 之后剥离剩余的感光胶，在玻璃上形成与电极图形一致的凹槽。之后 用电极图形丝网版在下玻璃基板上印刷电极，电极则印刷在之前刻蚀 好的凹槽里，再对电极进行烧结。接着在印有电极的下玻璃基板上印 刷反射层、介质层及荧光粉层，并分别进行烧结，最后在下玻璃基板 上布置隔离子，完成整个下玻璃基板1的制备。
权利要求
1. 一种平面介质阻挡放电光源的制造方法，其特征在于，包括如下步骤a. 下基板的制作1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对下玻璃基板进行超声波清洗；2)在下基板玻璃上涂覆一层20-30微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的感光胶，通过掩膜版进行曝光、显影，形成电极图形；3)用浓度为40％氢氟酸和纯水的重量比为4∶1的混合液对玻璃基板进行刻蚀处理，再用脱胶液剥离剩余的感光胶，在下玻璃基板上形成和电极图形相一致的凹槽；4)将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用对位码对位后，将电极印刷在刻蚀好的下玻璃基板的凹槽里，将印刷好电极的下玻璃基板进行烧结处理，升温至370℃保温10-20分钟，再升温至570℃保温15-20分钟，经烧结处理后电极厚度为5-10μm；5)在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层，反射层厚度为25-30μm，介质层厚度为320-340μm，并进行烧结处理，升温至370℃保温10-20分钟，再升温至540℃保温15-20分钟，烧结后反射层和介质层总厚度为240-260μm；6)在下玻璃基板上印刷荧光粉层，荧光粉层覆盖整个放电区域，厚度为120-140μm；7)对印刷有荧光粉层的下玻璃基板进行烧结处理，升温至370℃保温10-20分钟，再升温至450℃保温15-20分钟，烧结后厚度为100-110μm；8)在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子，在柱状隔离子的一端涂上低玻粉浆料，用隔离子散布装置将其粘在下基板预留的空白处；
2.根据权利要求1所述的平面介质阻挡放电光源的制造方法，其特 征在于，包括如下步骤 a.下基板的制作1) 依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对下玻璃基板 进行超声波清洗；2) 在下基板玻璃上涂覆一层20微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的感 光胶，通过掩膜版进行曝光、显影，形成电极图形；3) 用浓度为40%氢氟酸和纯水的重量比为4: 1的混合液对玻璃基板进行刻蚀处理，再用脱胶液剥离剩余的感光胶，在下玻璃基板上 形成和电极图形相一致的凹槽;4) 将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用对位码对 位后，将电极印刷在刻蚀好的下玻璃基板的凹槽里，将印刷好电极的 下玻璃基板进行烧结处理，升温至37(TC保温20分钟，再升温至570"C保温15分钟，经烧结处理后电极厚度为5 u m;5) 在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层，反射层 厚度为25 u m，介质层厚度为340 u m，并进行烧结处理，升温至370 t:保温20分钟，再升温至54(TC保温15分钟，烧结后反射层和介质 层总厚度约为260um;6) 在下玻璃基板上印刷荧光粉层，荧光粉层覆盖整个放电区域， 厚度为140 um;7) 对印刷荧光粉层的下玻璃基板进行烧结处理，升温至370。C保 温10分钟，再升温至45(TC保温20分钟，烧结后厚度为100 P m;8) 在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子，在柱状隔离子 的一端涂上低玻粉浆料，用隔离子散布装置将其粘在下基板预留的空 白处；b. 上基板的制作1) 依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对上玻璃基板 进行超声波清洗；2) 印刷上基板荧光粉涂层，上基板荧光粉涂层要求粉体颗粒《8 um，并进行烧结，升温至370摄氏度保温20分钟，再升温至450 摄氏度保温15分钟，烧结后荧光粉厚度约为7um;c. 整机封装1) 封接，将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面上， 将其粘在上下两个基板之间，同时在两块基板之间的封接框处放入一 根长4cm直径为0.6mm的排气管；2) 低玻烧结，升温至370'C保温20分钟，再升温至45(TC保温 15分钟，完成封装；3) 除气，将排气管接到等离子显示器PDP封排充气台上，用真 空泵进行除气7小时，然后充入惰性混合气体氖气和氙气，氙气的体 积百分比为30%，充气气压控制在90 kPa;4) 驱动电路装配及老练，采用额定功率为50W、 220V交流输入 的电源，接通阴阳两极进行老练5小时。
3.根据权利要求1所述的平面介质阻挡放电光源的制造方法，其特征在于，包括如下步骤a.下基板的制作1) 依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对下玻璃基板 进行超声波清洗；2) 在下基板玻璃上涂覆一层30微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的感 光胶，通过掩膜版进行曝光、显影，形成电极图形；3) 用浓度为40%氢氟酸和纯水的重量比为4: 1的混合液对下玻 璃基板进行刻蚀处理，再用脱胶液剥离剩余的感光胶，在下玻璃基板 上形成和电极图形一致的凹槽；4) 将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用"十字" 对位码对位后，将电极印刷在刻蚀好的下玻璃基板的凹槽里，将印刷 好电极的下玻璃基板进行烧结处理，升温至370'C保温10分钟，再 升温至570。C保温20分钟，经烧结处理后电极厚度为10ym;5) 在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层，反射层 厚度为30um，介质层厚度为320um，并进行烧结处理，升温至370 'C保温10分钟，再升温至54(TC保温20分钟，烧结后反射层和介质 层总厚度约为240um;6) 在下玻璃基板上印刷荧光粉层，荧光粉层覆盖整个放电区域， 厚度为120um;7) 对印刷荧光粉层的下玻璃基板进行烧结处理，升温至37(TC保温20分钟，再升温至45(TC保温15分钟，烧结后厚度为110um;8) 在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子，在柱状隔离子 的一端涂上低玻粉浆料，用隔离子散布装置将其粘在下基板预留的空 白处；b.上基板的制作1)依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对上玻璃基板 进行超声波清洗；2)印刷上基板荧光粉涂层，上基板荧光粉涂层要求粉体颗粒《8 um，并进行烧结，升温至370摄氏度保温IO分钟，再升温至450 摄氏度保温20分钟，烧结后荧光粉厚度约为9um;c.整机封装1) 封接，将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面上， 将其粘在上下两个基板之间，同时在两块基板之间的封接框处放入一 根长4cm直径为0.6mm的排气管；2) 低玻烧结，升温至37(TC保温10分钟，再升温至45(TC保温 20分钟，完成封装；3) 除气，将排气管接到等离子显示器PDP封排充气台上，用真 空泵进行除气5小时，然后充入惰性混合气体氖气和氙气，氙气的体 积百分比为5%，充气气压控制在80kPa;4)驱动电路装配及老练，采用额定功率为50W、 220V交流输 入的电源，接通阴阳两极进行老练10小时。
4.根据权利要求1所述的平面介质阻挡放电光源的制造方法，其特征在于，包括如下步骤a.下基板的制作1) 依次采用去污粉2 g、分析纯的酒精、去离子水对下玻璃基板 进行超声波清洗；2) 在下基板玻璃上涂覆一层25微米厚的抗玻璃刻蚀液腐蚀的感 光胶，通过掩膜版进行曝光、显影，形成电极图形；3) 用浓度为40%氢氟酸和纯水的重量比为4: 1的混合液对下玻 璃基板进行刻蚀处理，再用脱胶液剥离剩余的感光胶，在下玻璃基板 上形成和电极图形一致的凹槽；4) 将具有电极图形的丝网版和刻蚀后的下玻璃基板采用"十字" 对位码对位后，将电极印刷在刻蚀好的下玻璃基板的凹槽里，将印刷 好电极的下玻璃基板进行烧结处理，升温至37(TC保温15分钟，再 升温至57(TC保温18分钟，经烧结处理后电极厚度为8um;5) 在下玻璃基板的电极之上再多次印刷反射层和介质层，反射层厚度为27um，介质层厚度为330um，并进行烧结处理，升温至370 "C保温15分钟，再升温至54(TC保温17分钟，烧结后反射层和介质 层总厚度约为250um;6) 在下玻璃基板上印刷荧光粉层，荧光粉层覆盖整个放电区域， 厚度为130 um;7) 对印刷荧光粉层的下玻璃基板进行烧结处理，升温至37(TC保 温15分钟，再升温至45(TC保温18分钟，烧结后厚度为115um;8) 在下玻璃基板上布置起支撑作用的柱状隔离子，在柱状隔离子 的一端涂上低玻粉浆料，用隔离子散布装置将其粘在下基板预留的空 白处；b. 上基板的制作1) 依次采用去污粉2g、分析纯的酒精、去离子水对上玻璃基板 进行超声波清洗；2) 印刷上基板荧光粉涂层，上基板荧光粉涂层要求粉体颗粒《8 P m，并进行烧结，升温至370摄氏度保温18分钟，再升温至450 摄氏度保温17分钟，烧结后荧光粉厚度约为8 li m;c. 整机封装1) 封接，将低玻粉浆料均匀地涂覆在透明封接框上下两底面上， 将低玻粉浆料粘在上下两个基板之间，同时在两块基板之间的封接框 处放入一根长4cm直径为0.6mm的排气管；2) 低玻烧结，升温至37(TC保温17分钟，再升温至45(TC保温 18分钟，完成封装；3) 除气，将排气管接到等离子显示器PDP封排充气台上，用真 空泵进行除气约6小时，然后充入惰性混合气体氖气和氙气，氙气的 体积百分比为15%，充气气压控制在85 kPa;4) 驱动电路装配及老练，采用额定功率为50W、 220V交流输入 的电源，接通阴阳两极进行老练8小时。
全文摘要
本发明属于电真空领域，涉及一种平面介质阻挡放电光源的制造方法。本发明中将电极印刷并烧结在刻蚀好的下玻璃基板玻璃凹槽里，然后在下玻璃基板上再印刷反射层和介质层。a.下玻璃基板的制作在下基板玻璃上涂覆感光胶，形成电极图形；对下玻璃基板进行刻蚀处理，在下玻璃基板上形成和电极图形一致的凹槽；经烧结处理后再多次印刷反射层和介质层。b.上基板的制作对上玻璃基板进行超声波清洗；印刷上基板荧光粉涂层；c.整机封装，低玻烧结，除气，然后充入惰性混合气体氖气和氙气，驱动电路装配及老练。减少了介质的印刷次数以及由于对位引起的误差，使得制作工艺简单精确。
文档编号H01J9/00GK101447380SQ200810232770
公开日2009年6月3日 申请日期2008年12月11日 优先权日2008年12月11日
发明者军 李 申请人:彩虹集团公司