专利名称：场发射显示器的阴极结构的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种场发射显示器，且特别是有关于一种场发射显示器的阴极结构。
背景技术：
场发射显示器(Field Emission Display, FED)是一种新型的平板显示器。该显示器采用场发射体作为电子源。如果对场发射体施加一很强的电场，由于隧道效应，电子可由发射体逸出至真空，产生场发射。从电子源发射出的电子经过聚焦后轰击到荧光粉，激发荧光粉发光，实现图象显示。由于场发射显示器件的图象显示机理与传统的阴极射线管 (Cathode Ray Tube)非常接近，因此场发射显示器件可以达到与CRT相同的图像显示质量。现有的场发射显示器，其结构一般包括阳极和阴极，其中，对于阴极结构，一般包含有一电阻层，而对于电阻层，其材料一般采用碳化硅(SiC)，且该电阻层是将原材料碳化硅靶材通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)来形成，但是，采用碳化硅靶材来形成电阻层，其阻抗值难以控制，且采用PVD方法，由于受PVD机台的功率与载体传输速度的限制而影响产能，另，使用碳化硅靶材将增加成本，再，碳化硅靶材粒子非常不稳定。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出了一种场发射显示器的阴极结构，包括基板；阴极层位于所述基板之上；电阻层，位于所述阴极层上，其材料为非晶硅(a-Si)；层间介电层，位于所述电阻层上，所述层间介电层具有一第一开口暴露出所述电阻层的部分上表面； 以及场发射尖端，位于所述第一开口内的电阻层的部分上表面上并与之电性连接。优选地，所述基板为玻璃基板。优选地，上述电阻层通过化学气相沉积(CVD)形成。优选地，上述电阻层通过将气体硅烷(SiH4)、氢气(H2)经电浆(Plasma)解离而形成。优选地，所述阴极层的材料为钼、铷、钡、饴、铌、钨、硅、碳化钛、钨硅双层或铯钼双层。优选地，所述场发射尖端的材料是纳米碳管。优选地，所述阴极结构更包括聚焦极位于所述层间介电层之上。优选地，所述聚焦极具有第二开口环绕所述场发射尖端。优选地，所述聚焦极的材料为金属。优选地，所述聚焦极的材料与阴极层的材料相同。本发明所提出的一种场发射显示器的阴极结构，其电阻层的材料采用非晶硅 (a-Si)，取代了现有的碳化硅(SiC)，并通过化学气相沉积(CVD)形成，即，通过将气体硅烷 (SiH4)、氢气(H2)经电浆(Plasma)解离而形成电阻层(a_Si膜)，使得本发明至少具有如下优点
1)降低成本；2)改善电阻层粒子不稳定情形；3)获得稳定的阻抗值；4)提高产能。为让本发明之上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
读者在参照附图阅读了本发明的具体实施方式
以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，图1所绘示为本发明一实施例之场发射显示器的阴极结构的结构示意图。
具体实施例方式参照图1，图1所绘示为本发明一实施例之场发射显示器的阴极结构的结构示意图。如图1所示，场发射体显示器的阴极结构100，包括基板105、阴极层110、电阻层120、 层间介电层130、场发射尖端140、聚焦极150和支撑结构160。其中，支撑结构160位于基板 105之上以定义出一个发光单元，面板(未绘示)位于支撑结构160的上方，面板具有荧光粉和电极，是作为场发射显示器的阳极。阴极层110位于基板105之上，电阻层120位于阴极层110上，层间介电层130位于电阻层120上，层间介电层130具有开口 135并暴露出电阻层120的部分上表面。场发射尖端140位于层间介电层130的开口 135内的电阻层120 的部分上表面并与电阻层120电性连接，场发射尖端140用于发射电子。聚焦极150位于层间介电层130上并具有开口 155环绕场发射尖端140。在本实施例中，基板105为玻璃基板。电阻层120的材料，为非晶硅(a_Si)，特别地，电阻层120通过化学气相沉积(CVD)形成。在本发明的一实施方式中，使用CVD通入制程气体硅烷(SiH4)与氢气(H2)经电浆(Plasma)解离而形成电阻层，也即非晶硅膜。阴极层110的材料可以为钼(Mo)、铷(Rb)、钡(Ba)、饴(Hf)、铌(Nb)、钨(W)、硅 (Si)、碳化钛(TiC)、钨硅双层(W on Si)、铯钼双层(Cs on Mo)等等。场发射尖端140的材料则是採用纳米碳管。聚焦极150的材料金属，一般而言，可以使用与阴极层110相同的材料。本发明所提出的一种场发射显示器的阴极结构，其电阻层的材料采用非晶硅 (a-Si)，取代了现有的碳化硅(SiC)，并通过化学气相沉积(CVD)形成，即，通过将气体硅烷 (SiH4)、氢气(H2)经电浆(Plasma)解离而形成电阻层(a_Si膜)，使得本发明至少具有如下优点1)降低成本；幻改善电阻层粒子不稳定情形；幻获得稳定的阻抗值；4)提高产能。虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作些许之更动与润饰，故本发明之保护范围当视后附之权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种场发射显示器的阴极结构，其特征在于，包括 基板；阴极层位于所述基板之上；电阻层，位于所述阴极层上，其材料为非晶硅(a-Si)；层间介电层，位于所述电阻层上，所述层间介电层具有一第一开口暴露出所述电阻层的部分上表面；以及场发射尖端，位于所述第一开口内的电阻层的部分上表面上并与之电性连接。
2.如权利要求1所述的阴极结构，其特征在于，所述基板为玻璃基板。
3.如权利要求1所述的阴极结构，其特征在于，所述电阻层通过化学气相沉积(CVD)形成。
4.如权利要求2所述的阴极结构，其特征在于，所述电阻层通过将气体硅烷(SiH4)、氢气(H2)经电浆(Plasma)解离而形成。
5.如权利要求1所述的阴极结构，其特征在于，所述阴极层的材料为钼、铷、钡、饴、铌、 钨、硅、碳化钛、钨硅双层或铯钼双层。
6.如权利要求1所述的阴极结构，其特征在于，所述场发射尖端的材料是纳米碳管。
7.如权利要求1所述的阴极结构，其特征在于，所述阴极结构更包括聚焦极位于所述层间介电层之上。
8.如权利要求7所述的阴极结构，其特征在于，所述聚焦极具有第二开口环绕所述场发射尖端。
9.如权利要求7所述的阴极结构，其特征在于，所述聚焦极的材料为金属。
全文摘要
本发明提出了一种场发射显示器的阴极结构，包括基板；阴极层位于所述基板之上；电阻层，位于所述阴极层上，其材料为非晶硅(a-Si)；层间介电层，位于所述电阻层上，所述层间介电层具有一第一开口暴露出所述电阻层的部分上表面；以及场发射尖端，位于所述第一开口内的电阻层的部分上表面上并与之电性连接。其中，电阻层通过化学气相沉积(CVD)形成。本发明具有如下优点1)降低成本；2)改善电阻层粒子不稳定情形；3)获得稳定的阻抗值；4)提高产能。
文档编号H01J29/04GK102201317SQ201110092518
公开日2011年9月28日 申请日期2011年4月8日 优先权日2011年4月8日
发明者吴德钧, 吴欣桓, 张庆明, 李仁智, 赖颖辉, 郭柏佑, 黄瀚毅 申请人:友达光电股份有限公司