专利名称：发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光器件。
背景技术：
由于薄膜生长及薄膜器件元件的发展，使用半导体的3-5族或2-6族化合物半导体元素的、包括发光二极管和激光二极管的发光器件(其采用3-5族或2-6族半导体元素的化合物半导体)能够显示出各种颜色，例如红色、绿色和蓝色以及红外射线光。荧光材料的使用或颜色的组合使得发光器件能够呈现出具有以良好的发光效率而显示的白色光。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，该发光器件具有低功耗、半永久性的使用、快速的响应速度、安全及环境友好等若干优点。因此，发光器件已经被广泛应用于光通信装置的传输模块、替代冷阴极荧光灯 (CCFL)来构成液晶显示(LCD)装置的背光的发光二极管背光、替代荧光灯和白炽灯的发光二极管照明器件、汽车的前灯以及甚至是交通灯。
发明内容
相应地，本发明涉及一种发光器件。本发明的目的是为了提高发光器件的欧姆特性。本公开的进一步优点、目的和特征部分地将在随后的说明书中被详细的阐述，并且通过对下文的研究或者对本发明的学习，部分地对本领域技术人员来说是显而易见的。 本实施例的目的及其他优点可以通过撰写的说明书、权利要求书以及所附的附图所指出的具体结构来实现和获得。为了实现这些目的和其他优点以及根据本发明的目的，正如在此实现且广泛描述的那样，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、 有源层以及第二导电类型半导体层；第一欧姆层和第一电极，其设置在第一导电类型半导体层上；以及第二电极，其设置在第二导电类型半导体层上，其中第一导电类型半导体层和第一欧姆层之间的接触区域包括原子比为5%或更多的氧，或者原子比为50%或更多的氮。在此，第一导电类型半导体层的接触区域可以在氧气或氮气气氛中被等离子体处理。第一欧姆层可以由选自由Ti、Cr、Al、V和W组成的组中的材料来形成。此外，第一欧姆层的厚度可以为0. 5纳米至3. 0微米。本发明的另一方面，一种制造发光器件的方法包括在衬底上生长发光结构的步骤，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；在第二导电类型半导体层上形成第二电极；去除该衬底并且向第一导电类型半导体层的表面供应氧或氮；以及在第一导电类型半导体层上形成欧姆层和第一电极。在此，氧或氮供应可以根据等离子体处理方法来执行。等离子体处理可以根据反应离子蚀刻(RIE)、电感耦合等离子体(ICP)和溅射中的一种来执行。此外，根据注入方法来执行氧或氮供应。因此，根据本实施例的发光器件可以提高欧姆特性。可以理解的是，本实施例的在前一般说明以及下文的详细说明都是示例性和说明性的，且其旨在为本实施例的权利要求提供进一步的说明。
附图被包含以提供本公开的进一步解释，且被并入而组成本申请的一部分，该附图示出了本公开发明的实施例且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中图Ia至Ii是示出根据实施例的发光器件的制造方法的示意图；图2是示出根据另一实施例的发光器件的示意图；图3是示出根据实施例的发光器件封装的示意图；图4是示出根据上述实施例的发光器件模块和照明器件的透视图；以及图5示出包括根据上述实施例的发光器件的显示器件。
具体实施例方式如下文，将参照附图来说明本实施例的示例性实施例。将可理解的是，当元件被称为在另一元件“上”或“下”时，其可以是直接在该元件上/下，也可以存在一个或多个插入元件。当元件被称为处于“上”或“下”时，基于该元件， 可以包括“在元件下”以及“在元件上”。在附图中，为了说明及精确，每一层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或者示意性地示出。在附图中所示的每个组件的尺寸可以不完全反映实际尺寸。图Ia至Ii是示出根据第一实施例的发光器件的制造方法。如图Ia所示，制备衬底110，且该衬底110包括导电衬底或绝缘衬底。例如，衬底 110 可以包括蓝宝石(Al2O3)、SiC, Si、GaAs, GaN, Zn。、Si、GaP、InP、Ge 或 Ga2O3 中的至少一种。不平坦的结构可以形成在衬底110上，且本实施例不限于此。可以对衬底110执行湿法清洗,且从衬底110的表面去除杂质。在衬底110上可以形成发光结构120，所述发光结构120包括第一导电类型半导体层122、有源层124以及第二导电类型半导体层126。此时，可以在发光结构120和衬底110之间生长缓冲层(未示出)，以减小材料的晶格失配和热膨胀系数的差。缓冲层可以由3-5族化合物半导体来形成，例如，GaN, InN, AIN、InGaN, AlGaN, InAlGaN或AlInN中的至少一种。在缓冲层上可以形成未掺杂层，而本实施例不限于此。此外，发光结构120也可以根据诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或者氢化物气相外延(HVPE)的气相沉积来生长。第一导电类型半导体层122可以由3-5族化合物半导体来实现，在其上掺杂有第一导电类型掺杂物。在第一导电类型半导体层122为N型半导体层的情况下，第一导电类型掺杂物可以包括Si、Ge、Sn和Te来为N型掺杂物，且本实施例不限于此。第一导电类型半导体层122可以包括具有经验式为AlxInyGa(1_x_y)N(0彡x彡1， 0 ^ y ^ 1,0 ^ x+y ^ I)的半导体材料。第一导电类型半导体122可以由GaN、InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP、AlGaP, InGaP, AlInGaP 和 InP中的一种或多种来形成。N型GaN层可以通过使用CVD、MBE或者溅射或HVPE形成在第一导电类型半导体层122上。此外，第一导电类型半导体层122可以通过向腔室注入包括诸如11 ^、册13、队和 Si的N型杂质的硅烷气体来形成。有源层124是被构造成在经由第一导电类型半导体层122注入的电子与经由随后形成的第二导电类型半导体层126注入的空穴之后，发出具有由形成有源层(发光层)的材料的唯一能带确定的预定能量的光的层。有源层124可以形成为单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。例如，注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和三甲基铟气体(TMIn)来形成MQW结构的有源层124，且本实施例不限于此。有源层130的阱层/势垒层结构可以由一对或多对InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/ AlGaN, InAlGaN/GaN.GaAs (InGaAs) /AlGaAs、GaP (InGaP) /AlGaP 来形成，且本实施例不限于此。阱层可以由具有预定带隙的材料来形成，该预定带隙低于势垒层的带隙。导电类型包覆层(未示出)可以形成在有源层124上和/或下。导电类型包覆层可以由AlGaN基材料来形成，且其可以具有比有源层124的带隙高的带隙。第二导电类型半导体层126可以包括具有在其上掺杂有第二导电类型掺杂物的3-5族化合物半导体，例如具有以下经验式的半导体材料InxAlyGanN(0彡x彡1， 0彡y彡1，0彡x+y彡I)。当第二导电类型半导体层126为p型半导体层时，第二导电类型掺杂物可以包括用作P型掺杂物的Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。在第二导电类型半导体126上，可以通过将具有诸如三甲基镓气体(TMGa)、 氨气(NH3)、氮气(N2)和镁(Mg)的p型杂质的双(乙基环戊二烯基)镁(EtCp2Mg) KMg(Cp2H5C5H4)2)注入到腔室中来形成p型GaN层，且本实施例不限于此。该实施例可以呈现出第一导电类型半导体层122为p型半导体层，且第二导电类型半导体层126为n型半导体层。在第二导电类型半导体层126上，可以形成具有与第二导电类型的极性相反的极性的半导体，例如，当第二导电类型半导体层为P型半导体层时， 其为n型半导体层(未示出)。正因如此，发光结构120可以实现为N-P、N-P-N和P-N-P结结构中的一个。如图Ib所示，第二欧姆层140层叠在第二导电类型半导体层126上，其具有大约 200埃的厚度。第二欧姆层140可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IZO 氮化物(IZON)、Al-Ga ZnO (AGZO)、In-Ga(IGZO)、ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、 Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或Hf中的至少一种，并且本实施例的第二欧姆层不限于这些材料。第二欧姆层140可以根据溅射或电子束气相沉积来形成。如图Ic所示，反射层150形成在第二欧姆层140上，其具有大约2500埃的厚度。 反射层145可以是金属层，该金属层包括Al、Ag、Pt和Rh的合金或Al、Ag、Ni、Pt或Rh的合金。铝或银可以有效地反射由有源层124产生的光，以显著地提高发光器件的光提取效率。如图Id所示，导电支撑衬底170可以形成在反射层150上。导电支撑衬底170可以由选自由Mo、Si、W、Cu和Al或该组的合金组成的组中的材料来形成。导电支撑衬底170可以选择性地包括Au、Cu合金、Ni、Cu-W以及载体晶片(例如，形成导电支撑衬底170的方法可以
是电化学金属沉积或共晶金属结合。在此，为了将反射层150和导电支撑衬底170彼此附着，附着层160可以由选自由 Au、Sn、In、Al、Si、Ag、Ni和Cu或该组的合金组成的组中的材料来形成,或者可以采用反射层150作为附着层。第二欧姆层140、反射层150以及导电支撑衬底170可以用作第二电极。此后，如图Ie所示，衬底110被分离。衬底110可以根据使用准分子层的激光剥离(LLO)或者干法和湿法蚀刻来分离。在激光剥离(LLO)的情况下，具有预定波长的准分子层被朝向衬底110聚焦和照射。此后，热能被集中在衬底110和发光结构120之间的边界表面上，使得边界表面被分为镓粒子和氮粒子，以在激光通过的区域处马上分离衬底110。如图If所示，第一导电类型半导体层122的表面被等离子体处理。此时，等离子体处理可以根据电感耦合等离子体(ICP)、反应离子蚀刻(RIE)和溅射来执行。下面将详细描述等离子体处理。如附图所示，制备两个彼此相对的竖直平行的电极10和20。发光器件(S)安装在两个电极的下电极20上。在此，发光器件(S)为图Ie中已经完成衬底剥离工艺的发光器件。仅第一导电类型半导体层122的表面被等离子体处理，而其他部分可以由掩模等覆盖。等离子体处理装置包括内部提升销(inner lift pin) 30和外部提升棒(outer lift bar)40，其分别地执行将衬底向内和向外传送的工艺。内部提升销30被形成为穿过下电极20的边缘，以竖直地驱动穿过在下电极20中形成的贯通孔22。外部提升棒(未示出)独自地设置在下电极的外部，并且其设置在下电极20的侧面与等离子体处理装置的侧壁之间的空间中，以竖直地驱动。上电极10被设置成与下电极20相对，并且其不仅被用作电极，而且还被用作在两个电极之间注入工艺气体的工艺气体供应器。正因如此，喷头12被耦接到如图所示的上电极10的底部。每个具有极小直径的多个扩展孔14可以形成在喷头12中，使得工艺气体可以在电极10和20之间形成的空间中均匀地扩展。氧气(O2)、氮气(N2)或氩气(Ar)可以被供应到电极之间的空间作为等离子体处理工艺中的工艺气体。一旦高频电功率被施加到电极，则上文提及的气体就变为等离子体，以处理衬底(S)的表面。排气部(未示出)被设置在等离子体处理装置中以排出内部气体。排气部通过采用设置在等离子体处理装置外部的泵(未示出)来吸取以去除等离子体处理装置的内部气体，以将等离子体处理装置的内部保持真空状态。等离子体处理在氧气气氛中执行，例如在等离子体处理工艺中，第一导电类型半导体层122的GaN利用氧气活化以形成Ga203。此后，N空位形成在第一导电类型半导体层 122的表面上，并且可以产生功函数的下降。如图Ig所示，掩模200覆盖在第一导电类型半导体层122的等离子体处理表面上，且形成第一欧姆层180。通过根据溅射或电子束气相沉积沉积选自由Ti、Cr、Al、V和W 或该组的合金组成的组中的材料，形成第一欧姆层180。第一欧姆层180可以具有0.5至 3.0微米的厚度。与其他金属相比，第一欧姆层180的组成元素，特别是钒和钨，可以在以后描述的热处理工艺中保持稳定的状态，并且，即使在高功率驱动时，它们也不具有由高温产生的特性劣化。当第一欧姆层180形成为0. 5纳米或更小的厚度时，器件的操作电压的降低效应可能不充分地工作。在沉积第一欧姆层180之后，在大约350度(°C )或更低的温度下执行后退火工艺，然后可以保持第一欧姆层180的接触特性。此时，在第一导电类型半导体层122和第一欧姆层180之间的接触区域(A)可以具有原子比为5%或更多的氧(0)或者原子比为50%或更多的氮(N)，其为等离子体处理的痕迹。换句话说，在衬底分离工艺之后的第一导电类型半导体层122的表面包括原子比为大约60%或更多的镓(Ga)、原子比为大约30%或更多的氮(N)、原子比为2-3%的氧(0) 以及诸如碳(C)的其他元素。在等离子体处理工艺中提供氧气或氮气，并且可以保留上述提及的量。另外，氧或氮的供给可以通过注入方法来进行。此时，可以对在第一导电类型半导体层122的表面的整个表面区域进行注入工艺。然而，为了仅在将要形成第一欧姆层180的区域制作开口，在光刻和显影工艺中形成光致抗蚀剂图案，且随后进行氧或氮的注入工艺， 从而在其中将要形成第一欧姆层180的区域处形成具有预定厚度的氧层或氮层。如图Ih所示，第一电极形成在第一欧姆层180上。第一电极190由钥、铬(Cr)、镍 (Ni)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、钼(Pt)、钒(V)、钨(W)、铅(Pb)、铜(Cu)、铑(Rh)和铱(Ir) 或这些金属的合金来形成。还可以通过采用设置在第一导电类型半导体层122上的掩模来形成第一电极190。如图Ii所示，钝化层195可以沉积在发光结构120的侧面上。在此，钝化层195 可以由绝缘材料来形成，并且绝缘材料可以是不导电的氧化物或氮化物。例如，钝化层195 可以由硅氧化物层(SiO2)、氮氧化物层和铝氧化物层来组成。图2描述了根据另一个实施例的发光器件。除了在第一导电类型半导体层122的表面中设置有不平坦的形状以外，这个实施例与图Ii所示的实施例相同。该不平坦的形状可以通过在形成掩模之后的PEC或蚀刻来形成。在此，可以控制蚀刻液体(例如K0H)的量、UV的强度和曝光时间、镓极和氮极之间蚀刻速度的差以及基于GaN结晶度的蚀刻速度之间的差。正因如此，可以控制具有微尺寸的不平坦形状。根据采用掩模的蚀刻工艺，在第一导电类型半导体层122上涂覆光致抗蚀剂，并且随后通过采用掩模来执行光刻工艺。当光刻工艺完成时，该工艺被显影并且形成蚀刻图案。根据上文所述的工艺，蚀刻图案形成在第一导电类型半导体层122上。当蚀刻工艺被执行时，不平坦的结构形成在第一导电类型半导体层122上。该不平坦结构被构造成增加第一导电类型半导体层122的表面积。由于顶和槽的数目较大，所以其是更优选的。根据该实施例的发光器件具有通过使用氧气等进行等离子体处理的第一导电类型半导体层的表面。正因如此，可以降低该表面的功函数并且增强其欧姆特性，使得可以在低电压下流过相对高的电流。因此，发光器件的操作电压可以降低。图3是示出根据实施例的发光器件封装的截面图。如图3所示，根据实施例的发光器件封装包括封装主体320、安装在封装主体320 中的第一和第二电极层311和312、安装在封装主体320中的上文提及的根据实施例的发光器件300，该发光器件300与第一和第二电极层311和312电连接、以及在发光器件300周围的填充材料340。封装主体320包括硅材料、合成材料或金属材料。斜面被形成为邻近发光器件 300,并且因此可以提闻光提取效率。第一电极层311和第二电极层312彼此电隔离，且它们为发光器件300提供电力。 此外，第一和第二电极层311和312反射由发光器件300生成的光，以提高发光效率，并且它们可以将发光器件300产生的热向外排出。发光器件300可以安装在封装主体320上，或者安装在第一和第二电极层311和 312中的任一个上。通过引线结合、倒装芯片结合或管芯结合，发光器件300可以与第一和第二电极层311和312电连接。填充材料340包围发光器件300以保护该发光器件300。荧光体设置在填充材料 340中，并且由发光器件发出的光的波长可以通过该荧光体来改变。上文所描述的根据实施例的发光器件中的至少一个或多个可以被安装在发光器件封装上，且本实施例并不限于此。根据实施例的多个发光器件封装被排列在基板上，并且作为光学元件的导光板、 棱镜片以及扩散器片可以布置在发光器件封装的光通路上。该发光器件封装、该基板以及该光学元件可以用作照明单元。另一个实施例可以呈现出显示器件、指示装置和照明系统， 其包括上文描述的实施例所公开的半导体发光器件或发光器件封装。例如，照明系统包括灯和街灯。如下文，照明器件和背光单元将被描述为照明系统的实施例，该照明系统具有被布置在其中的上述发光器件。图4是示出根据实施例的具有根据上述实施例的发光器件模块的照明器件的透视图。根据该实施例的照明器件包括被构造成投射光的光源600、安装光源600的外壳 400、被构造成辐射光源600的热的热辐射部500以及被构造成将光源600和热辐射部500 与外壳400连接的保持器700。
外壳400包括固定到电插座(未示出)的插座固定部410以及与插座固定部410 连接的、在其中安装有光源600的主体部420。单气孔430可以被形成为穿过主体部420。多个气孔430可以形成在外壳400的主体部420中。气孔430可以被构造成单孔， 或者多个气孔可以被布置在如图4所示的径向方向上。在此，多个气孔的各种布置可以是可能的，而不是径向布置。光源600包括基板610和布置在基板610上的多个发光器件封装650。在此，基板 610可以具有预定的形状，其能够被插入到外壳400的开口部，且其可以由具有高热传导率的材料来形成。保持器700可以被设置在光源下方，且其可以包括框架和其他气孔。尽管没有在附图中示出，光学元件可以被设置在光源600下方，并且由发光器件封装650所发出的光可以由此而被扩散、散射或聚集。图5是示出根据实施例的、包括根据实施例的发光器件封装的显示器件。如图5所示，根据该实施例的显示器件800包括光源模块830和835、在底盖810 上设置的反射板820、被布置在反射板820前面上以向前地对来自光源模块的光进行引导的导光板840、被布置在导光板840前面上的第一和第二棱镜片850和860、被布置在第二棱镜片860前面上的面板870以及被布置在面板870的整个区域上的滤色器880。光源模块830包括在基板830上设置的发光器件封装835。底盖810可以支持显示器件800的内部组件。如图所示,反射板820可以是辅助组件,或者由具有高反射率的材料形成的反射片820可以涂覆在底盖810的前表面上。在此，用于具有高反射率的超薄膜类型的材料可以用于反射板820，而聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)可以用作反射板820。导光板840将由发光器件封装发出的光散射，以将光均匀地分布到液晶显示器件的整个屏幕区域。正因如此，导光板830可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯 (PC)或聚乙烯(PE)的、具有良好折射率和透射率的材料来形成。可替选地，可以省略导光板840，并且可以采用空气作为光波导。可替选地，省略导光板840，并且由反射板820反射的光可以直接朝向面板行进， 其是空气引导类型。第一棱镜片850被形成在支撑膜的表面中，并且其由具有透明性和弹性的聚合物来形成。该聚合物可以具有多个棱镜层，所述多个棱镜层具有重复形成的多个尺度结构。在此，多个图案可以是条带类型，所述条带类型具有重复形成的顶和槽，如图所示。在第二棱镜片860中设置的支撑膜的表面中形成的顶和槽的方向可以垂直于在第一棱镜片850中设置的支撑膜的表面中形成的顶和槽的方向。这是因为由光源模块和反射片这两者传输的光必须沿着面板870的方向均匀地分布。尽管没有在图中示出，但是可以在棱镜片中的每个上设置保护片，并且该保护片可以包括在支撑膜的两个表面上设置的光扩散元件以及结合件。棱镜层可以由至少一种聚合物材料来形成，该聚合物材料选自由聚亚胺酯、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯弹性体、聚异戊二烯或多晶硅组成的组。尽管没有在图中示出，扩散器片可以布置在导光板840与第一棱镜片850之间。该扩散器片可以由聚酯/聚碳酸酯基材料来形成，并且从背光单元入射的光可以被折射和散射。正因如此，光投射角可以尽可能地扩大。扩散器片包括具有光扩散剂的支撑层，以及不具有光扩散剂的分别在发光表面 (朝向第一棱镜片)和光入射表面(朝向反射片)中形成的第一和第二层。相对于由甲基丙烯酸-苯乙烯共聚物和甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物混合而成的100重量份的树脂，支撑层可以包括0. I 10重量份的硅氧烷基光扩散剂，其具有I 10微米的平均颗粒尺寸，以及包括0. I 10重量份的丙烯酸基光扩散剂，其具有I 10微米的平均颗粒尺寸。相对于100重量份的甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物树脂，第一和第二层可以包括0. 01 I重量份的紫外射线吸收剂以及0. 0001 10重量份的抗静电剂。在扩散器片中设置的支撑层的厚度可以是100 10000微米，并且第一和第二层中的每一层的厚度可以是10 1000微米。根据该实施例，扩散器片、第一棱镜片850以及第二棱镜片860组成光学片。该光学片可以由例如微透镜阵列、扩散器片与微透镜阵列或者单棱镜片与微透镜阵列的另外组成来构成。面板870可以在其上布置有液晶显示器，并且要求光源的其他类型的显示器件可以被设置，而不是液晶显示面板。在面板870中，液晶位于玻璃主体之间，并且偏光器在玻璃主体上提升以利用光的偏振。该液晶具有液态和固态的中间特性。是有机分子的液晶像晶体一样被规则地排列， 并且通过外部场来改变分子排列的特性被用于显示图像。用在显示器件中的液晶显示器具有有源矩阵类型，其将晶体管用作调整供给每个像素的电压的开关。滤色器880设置在面板870的前表面上，并且其经由像素仅传输由面板870所投射的光的红、绿和蓝光。正因如此，可以呈现图像。在不脱离本实施例的精神或范围的情况下，本实施例的各种修改和变形对本领域技术人员来说都是显而易见的。因此，其意图是如果本实施例的修改和变形落入所附权利要求以及其等效的范围内，则本实施例覆盖本实施例的修改和变形。
权利要求
1.一种发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；第一欧姆层和第一电极，所述第一欧姆层和第一电极设置在所述第一导电类型半导体层上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第二导电类型半导体层上，其中，所述第一导电类型半导体层与所述第一欧姆层之间的接触区域包括原子比为 5%或更多的氧和原子比为50%或更多的氮中的至少一种。
2.如权利要求I所述的发光器件，其中，所述第一导电类型半导体层的接触区域在由氧气或氮气中的至少一种组成的气氛中被等离子体处理。
3.如权利要求2所述的发光器件，其中，所述等离子体处理根据反应离子蚀刻(RIE)、 电感耦合等离子体(ICP)或溅射中的至少一种来执行。
4.如权利要求2或3所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层形成在所述第一导电类型半导体层的经等离子体处理的接触区域上。
5.如权利要求2或3所述的发光器件，其中，在所述第一导电类型半导体层的经等离子体处理的表面上形成掩模之后，所述第一欧姆层形成在所述第一导电类型半导体层的接触区域上。
6.如权利要求I至3中的一项所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层在形成在所述第一导电类型半导体层的接触区域之后被后退火。
7.如权利要求I所述的发光器件，其中，在光致抗蚀剂图案形成在所述第一导电类型半导体层之后，所述第一欧姆层形成在其中执行了氧或氮注入的第一导电类型半导体层的接触区域上。
8.如权利要求I至3以及7中的一项所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层由选自由 Ti、Cr、Al、V或W组成的组中的至少一种材料来构成。
9.如权利要求I至3以及7中的一项所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层的厚度为0.5纳米至3. 0微米。
10.一种发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层包括接触区域，所述接触区域包括原子比为5%或更多的氧或原子比为50%或更多的氮；第一欧姆层，所述第一欧姆层形成在所述第一导电类型半导体层的接触区域上；以及第一电极，所述第一电极形成在所述第一欧姆层上。
11.如权利要求10所述的发光器件，其中，所述第一导电类型半导体层的接触区域在由氧气或氮气中的至少一种组成的气氛中被等离子体处理。
12.如权利要求11所述的发光器件，其中，所述等离子体处理根据反应离子蚀刻 (RIE)、电感耦合等离子体(ICP)或溅射中的一种来执行。
13.如权利要求11或12所述的发光器件，其中，在掩模形成在所述第一导电类型半导体层的经等离子体处理的表面上之后，所述第一欧姆层形成在所述第一导电类型半导体层的接触区域上。
14.如权利要求10所述的发光器件，其中，根据注入方法，所述第一导电类型半导体层的接触区域具备氧或氮中的至少一种。
15.如权利要求14所述的发光器件，其中，在光致抗蚀剂图案形成在所述第一导电类型半导体层上之后，所述第一欧姆层形成在其中执行了氧或氮注入的第一导电类型半导体层的接触区域上。
16.如权利要求10、11、12和14中的一项所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层由选自由Ti、Cr、Al、V或W组成的组中的至少一种材料来形成。
17.如权利要求10、11、12和14中的一项所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层的厚度为0.5纳米至3.0微米。
18.如权利要求10、11、12和14中的一项所述的发光器件，其中，所述第一欧姆层在形成在所述第一导电类型半导体层的接触区域上之后被后退火。
19.一种背光单兀,包括导光板，所述导光板被构造成对从根据权利要求I或10所述的发光器件发出的光进行引导；以及光学片，所述光学片布置在所述导光板的前表面上。
20.—种显不器件,包括电路板；根据权利要求I或10所述的发光器件，所述发光器件设置在所述电路板上；导光板，所述导光板被构造成对从所述发光器件发出的光进行引导；以及液晶显示器，所述液晶显示器被构造成传输通过所述导光板发出的光。
全文摘要
本发明提供一种发光器件。发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；第一欧姆层和第一电极，其被设置在第一导电类型半导体层上；以及第二电极，其被设置在第二导电类型半导体层上，其中，第一导电类型半导体层与第一欧姆层之间的接触区域包括原子比为5％或更多的氧或原子比为50％或更多的氮。
文档编号F21V8/00GK102544292SQ20111034863
公开日2012年7月4日 申请日期2011年8月30日 优先权日2010年8月30日
发明者丁焕熙, 宋俊午, 崔光基, 李尚烈 申请人:Lg伊诺特有限公司