直下式背光模组的制作方法
【专利摘要】一种直下式背光模组，包括基板、设置于基板一侧的发光二极管、位于发光二极管上方的扩散板，所述扩散板包括主体部及自主体部朝向发光二极管凸设的导光部，所述导光部位于所述发光二极管的正上方；所述导光部的外表面中部、沿其周缘方向设置向内凹陷的弧状的折射面，发光二极管发出的光线经由导光部的折射面折射后自主体部射出。
【专利说明】直下式背光模组
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种背光模组，尤其涉及一种出光均匀的直下式背光模组。
【背景技术】
[0002]现有的直下式背光模组包括基板、设置于基板上的若干发光二极管、位于发光二极管上方的扩散板以及位于扩散板上方的光学膜片。所述扩散板为一平整的板体，其包括一入光面及与该入光面相对的一出光面；该扩散板将发光二极管发出的光线进行散射扩散，从而改善该直下式背光模组出光的均匀度。
[0003]然而，由于发光二极管中部的光强较强，侧向的光强较弱，以及发光二极管与背光模组的扩散板之间的配置关系，扩散板的入光面正对发光二极管的区域上光线较强，而远离发光二极管的区域上光线较弱，因此扩散板的出光面上容易出现明暗不均的现象，从而影响背光模组的出光均匀度。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，有必要提供一种出光均匀度较高的直下式背光模组。
[0005]一种直下式背光模组，包括基板、设置于基板一侧的发光二极管、位于发光二极管上方的扩散板，所述扩散板包括主体部及自主体部朝向发光二极管凸设的导光部，所述导光部位于所述发光二极管的正上方；所述导光部的外表面中部、沿其周缘方向设置向内凹陷的弧状的折射面，发光二极管发出的光线经由导光部的折射面折射后自主体部射出。
[0006]与现有技术相比，本发明提供的直下式背光模组，发光二极管发出的光线在入射至扩散板之前，经由扩散板与发光二极管正对的导光部的折射发散，均匀地射出扩散板，从而提高了直下式背光模组的出光均匀度。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本发明一较佳实施例中的直下式背光模组的侧视图。
[0008]图2为图1所示的扩散板的立体图。
[0009]图3为图1所示的光学透镜的放大图。
[0010]图4为图3所示的光学透镜的沿IV-1V线的剖视图。
[0011]图5为本发明一较佳实施例中的直下式背光模组的光路不意图。
[0012]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种直下式背光模组，包括基板、设置于基板一侧的发光二极管、位于发光二极管上方的扩散板，其特征在于:所述扩散板包括主体部及自主体部朝向发光二极管凸设的导光部，所述导光部位于所述发光二极管的正上方；所述导光部的外表面中部、沿其周缘方向设置向内凹陷的弧状的折射面，发光二极管发出的光线经由导光部的折射面折射后自主体部射出。
2.如权利要求1所述的直下式背光模组，其特征在于:所述导光部呈漏斗状，其直径自所述主体部朝向所述发光二极管方向逐渐减小。
3.如权利要求1所述的直下式背光模组，其特征在于:所述弧状折射面的曲率为0.5至 1.5。
4.如权利要求1所述的直下式背光模组，其特征在于:所述发光二极管包括发光二极管晶粒，所述发光二极管晶粒与所述主体部与导光部连接的一侧表面之间的距离介于15mm至40mm之间。
5.如权利要求1所述的直下式背光模组，其特征在于:所述主体部连接导光部的一侧表面与发光二极管晶粒之间的距离为30mm。
6.如权利要求1所述的直下式背光模组，其特征在于:所述扩散板远离发光二极管的一侧表面上设置有扩散膜。
7.如权利要求1所述的直下式背光模组，其特征在于:所述发光二极管与导光部之间设有光学透镜，且所述发光二极管发出的光线经由所述光学透镜扩散后射向扩散板。
8.如权利要求7所述的直下式背光模组，其特征在于:所述光学透镜为菲涅尔透镜。
9.如权利要求7所述的直下式背光模组，其特征在于:所述光学透镜包括贴设部及自贴设部顶端向上凸设的发散部；所述发散部为若干连续的锯齿，且这些锯齿自贴设部的上表面的中心沿径向向外围均匀分布，并关于光学透镜的中心中心对称设置。
10.如权利要求7所述的直下式背光模组，其特征在于:所述锯齿包括所述自贴设部斜向上延伸的斜面以及自贴设部垂直向上延伸且与该斜面相交的竖直面；该斜面自靠近所述光学透镜中心的方向向远离光学透镜中心的方向倾斜向上向外延伸。
【文档编号】F21V13/12GK103672568SQ201210321710
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月4日 优先权日:2012年9月4日
【发明者】张超雄, 陈滨全, 陈立翔 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司