电子束光刻装置以及光刻方法

电子束光刻装置以及光刻方法
【专利摘要】本发明形成间隔为波束尺寸整数倍的二维平面内的正方形格栅矩阵波束群，通过位映像信号打开/关闭待光刻的元件的网格，修整希望的波束形状，将波束偏向于需要位置，波束状态稳定后，打开全体遮光器，通过照射波束而获得高精度且高速的光刻图案。提供给各波束的打开/关闭信号和向量扫描信号，在波束稳定后，解除全体遮光器，并且从而以少数数据量进行高精度、高速的光刻。当全体拍摄数量超过一定值时，修改图案数据并且实现高速光刻。半导体反偏压PN结技术被优选地用于个别遮光电极。
【专利说明】电子束光刻装置以及光刻方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及在电子束光刻装置和光刻方法的改进。
[0002]本申请要求日本专利申请2011-219530和日本专利申请2012-120130的的优先权，所述两个申请的内容通过引用合并于此。
【背景技术】
[0003]电子束光刻技术已经被用于在半导体(LSI)制作工艺中曝光电路图案的光刻领域中。
[0004]电子束光刻方法包括各种方法，其中一种方法是多波束光刻方法，在该方法中使用大量波束在一个方向上执行连续扫描以进行绘制。
[0005]专利文献I和非专利文献I披露了一种将遮光器孔阵列(BAA)用于多波束光刻方法中的BAA系统。如图3示出的，该BAA系统采用了首先将波束分割成大量离散的个别要素波束的光刻方法，使得大量的个别要素波束在被独立地打开和关闭的同时在一个方向上被连续地扫描。因此，通过大量离散的个别要素波束以重叠的方式对抗蚀剂上单个绘制点进行曝光。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献I JP06-132203A
[0009]非专利文献
[0010]非专利文献I:H.Yasuda, S.Arai, J.Kai, Y.0oae, T.Abe, Y.Takahashi, S.Fueki,
S.Maruyama, and T.Betsu1: Jpn.J.App1.Phys.32 (1993): 6012。

【发明内容】

[0011]技术问题
[0012]在上文所述的BAA系统中，因为相同的波束在扫描方向上描绘并且因此对同一图案多重曝光，并且还因为扫描也重叠，所以绘制包含了许多不必要的时间。进一步，由于在扫描方向上执行多重曝光，因此难以识别错误拍摄的状况。此外，因为扫描方向与非扫描方向的波束边缘的锐度不同，所以图案精度不足。
[0013]进一步，因为在扫描的同时打开或关闭个别要素波束，所以难以维持高的波束位
置精确。
[0014]问题的解决方案
[0015]根据本发明，提供了 一种电子束光刻方法，其中电子束光刻装置被用于在样本上扫描多条个别要素波束以用于光刻，所述电子束光刻设备包括:电子枪，其在Z轴方向上射出电子束；屏蔽板，具有在X和Y方向上以预定的布置节距布置的多个开口，所述屏蔽板从自所述电子枪射出的电子束中获得具有限制为所述开口的尺寸的波束尺寸的多条个别要素波束；多个个别遮光器(blanker)，其配置为通过个别地打开(ON)/关闭(OFF)由所述屏蔽板获得多条个别要素波束；全体遮光器，其配置为全体地打开/关闭从多个个别遮光器射出的多条个别要素波束；以及偏向器，其使通过多个个别遮光器及全体遮光器的多条个别要素波束全体以预定节距逐渐偏向，从而关于所述样品，步进式地扫描多条个别要素波束；其中在从所述全体遮光器射出多条个别要素波束被关闭的状态下，通过所述偏向器确定多条个别要素波束的射出方向，并且按照显示从在各射出方向上每一个拍摄所产生的各个别遮光器射出个别要素波束的打开/关闭的位映像，来控制所述多个个别要素遮光器，以控制从各个别要素遮光器射出的个别要素波束的打开/关闭，在从各个别遮光器射出个别要素波束的处理稳定后，从全体遮光器射出多条个别要素波束被打开，对所述样本射出来自处于打开状态的多个个别遮光器的个别要素波束所形成的一个拍摄，并且，通过所述偏向器重复由多条个别波束形成的所述一个拍摄射出同时反复移动多条个别要素波束的位置，而将依照作为光刻目标的所述图案数据的图案绘制于所述样本上，并且所述位映像基于所述图案数据以及依照所述屏蔽板中开口的布置节距而确定的多条个别要素波束对样本的照射位置之间的比较而产生，并且，在产生该位映像时，计算用于进行对应于所述图案数据的光刻所需要的拍摄数量，当计算出的所需要的拍摄数量超过预定数量时，变更所述图案数据。
[0016]进一步，在一个方案中，所述个别遮光器包括一对电极，其将个别要素波束偏向，并且所述一对电极使用被设置在P型或N型半导体基板的个别要素波束通过的位置处并且其中掺杂有与所述半导体基板的类型相反类型的N型或P型杂质的半导体层而形成于开口的侧表面上。
[0017]有益效果
[0018]根据本发明，能够提供高精度、超高速电子束光刻装置及方法。
【专利附图】

【附图说明】
[0019][图1]是示出了用于多轴的PSA(可编程成形孔系统(ProgrammableShapingAperture system))的电子光学筒柱的图，并且是示出了具有多个筒柱的剖面的图。
[0020][图2]是示出了常规示例中的BAA(遮光器孔阵列(Blanker Aperture Array))筒柱的剖面的图。
[0021][图3]是示出了常规示例的BAA的各个别要素波束的阵列的图。
[0022][图4]是用于说明常规示例的BAA图案光刻方法的图。
[0023][图5]是示出了波束尺寸为20nm且节距为SOnm的正方形格栅矩阵波束群A的阵列的图。
[0024][图6]是示出了如何通过正方形格栅矩阵波束群A的阵列来对以16nm网格切断的图案数据进行绘制的图。
[0025][图7]是用于说明30nm线路及空间图案的绘制的图。
[0026][图8]是用于说明25nm线路及空间图案的绘制的图。
[0027][图9]是示出传送位图数据的方法的图。
[0028][图10]是用于说明到达PSA-BBA(可编程成形孔遮光器阵列(ProgrammableShaping Aperture Blanker Army))基板的位映像数据流的图。
[0029][图11]是用于说明图案光刻的转移的图。[0030][图12]是用于说明线路及空间的绘制的图。
[0031][图13]是用于说明整个阵列的绘制的图。
[0032][图14]是用于说明具有同为20nm的网格尺寸的第一图案网格和第二图案网格彼此在X方向上与Y方向上移位IOnm的情况的图。
[0033][图15]是用于说明在图14的第一图案网格上绘制第一图案，并且在第二图案上绘制第二图案，并且这些图案在X方向与Y方向上彼此移位IOnm的情况的图。
[0034][图16]是用于说明在20nm的第一图案网格上绘制第一图案并且在16nm的第二图案网格上绘制第二图案的图，第一图案与第二图案之间的间隙为8nm至16nm。
[0035][图17]是用于说明电子枪部的图。
[0036][图18]是PSA-BA基板的平面图。
[0037][图19]是PSA-BA基板的剖面图，其说明了波束的成形与个别遮光器的结构。
[0038][图20]是PSA-BA基板的剖面图，其说明了对应于波束的位置。
[0039][图21]是PSA-BA的电极的配线图。
[0040][图22]是描述能够形成矩阵波束的1、2、3和4的PSA-BA孔的图。
[0041][图23]是当选择了图22示出的矩阵波束1、2、3和4中的一个波束时筒柱的说明图。
[0042][图24]是用于说明当用线扫描来绘制20nm孔时的邻近效应修正电子强度分布的图。
[0043][图25]是用于说明涂满图案中的波束强度分布的图。
[0044][图26]是用于说明邻近效应修正中的曝光强度分布的图。
[0045][图27]是用于说明邻近效应修正中的曝光强度分布的图。
[0046][图28]是示出了根据本实施例的用于形成正方形格栅矩阵波束群的孔与电极的图。
[0047][图29]是示出了根据本实施例的用于形成正方形格栅矩阵波束群的孔与用于控制的各种类型电极的图。
[0048][图30]是示出了根据本实施例的用于形成正方形格栅矩阵波束群的孔与用于控制的PSA的剖面的图。
[0049][图31]是示出了根据本实施例的正方形格栅矩阵波束群的阵列、控制电极与配线线路之间的关系的图。
[0050][图32]是用于示出根据本实施例的个别遮光器元件和配线线路之间的绝缘以及半导体基板之间的贴合关系的图。
[0051][图33]是用于说明包括IOX10个别遮光器的小区域中的电极配线的图。
[0052][图34]是用于说明将全体的个别遮光器分割成5X5的配线区域群以便引出的图。
[0053][图35]是用于更详细地说明将全体的个别遮光器分割成5X5的配线区域群以便引出的图。
[0054][图36]是示出了根据现有技术的PSA的电极的剖面的图。
【具体实施方式】[0055]以下，将说明本发明的实施例。
[0056]如图1所示，根据本实施例的光刻装置是多筒柱型光刻装置，其中布置有预定数量的筒柱，每个筒柱由从单个电子枪21在Z轴方向上射出的电子束来产生多条正方形波束(个别要素波束)，并且以此正方形波束照射样本。
[0057]一个筒柱包括一个电子枪21，从电子枪21射出的电子束均匀地照射于PSA-BA基板4上。PSA-BA基板4包括电子屏蔽板11和电子屏蔽板12，其中以正方形格栅状安置多个正方形开口，并且通过电子屏蔽板11和电子屏蔽板12，能够从来自电子枪21的电子束获得以预定的布置节距在X方向和Y方向上布置成正方形格栅状形状的多条正方形的个别要素波束。在该示例中，能够获得4X4=16条个别要素波束。在电子屏蔽板11和电子屏蔽板12之间设有个别遮光器13。通过控制施加于该个别遮光器13的一对电极上的电压,如图1中的虚线所示，个别要素波束偏向，因此打开/关闭个别要素波束。进一步，在一个筒柱中设置有全体遮光器16,使一个筒柱中的多条个别要素波束全体偏向。圆孔14在其中心部设有开口。通过上述个别遮光器13或全体遮光器16而偏向的个别要素波束无法通过圆孔14，并且被关闭。没有被个别遮光器13以及全体遮光器关闭的个别要素波束通过圆孔14并且在Z轴方向上射出。
[0058]进一步，通过圆孔14的个别要素波束通过偏向装置(主偏向器17和辅偏向器18)以预定步进移动，而扫描多条个别要素波束，以执行预定图案的绘制。
[0059]在本实施例中，随着全体遮光器16关闭来自一个筒柱的所有个别要素波束，在此状态下，对应于图案数据所确定的位映像来确定各个别遮光器13的打开/关闭，在该操作稳定后，打开全体遮光器16，从而将打开/关闭受控制的对应于一个筒柱的个别要素波束射出于样本上。而后，步进式移动个别要素波束的照射位置，基于在各位置的位映像，反复照射个别要素波 束，从而在预定范围内进行图案的绘制。
[0060]在本实施例中，并非照原样绘制目标光刻图案，而是以上述光刻装置通过与可照射波束的区域比较来适当变更目标光刻图案。更特别地，通过电子屏蔽板11、电子屏蔽板12的开口的排列来确定个别要素波束的布置节距。因此，每一次拍摄的个别要素波束的打开/关闭(位映像)，是通过图案数据与由电子屏蔽板11和12的开口排列获得的个别要素波束对样本的照射位置的排列而确定的。取决于图案数据，用于实现照射的拍摄数量可能很庞大。因此，在本实施例中，如果拍摄数量超过预定值，则修正图案数据，从而将拍摄数量(使用的位映像数量)抑制在预定数量以下。
[0061]如上文所述，根据本实施例的光刻装置，因为通过打开/关闭静止状态下的正方形波束而进行绘制，所以不能以期望尺寸绘制任意尺寸的图案。因此，不管对图案的形状及尺寸施加的轻微限制，可同时达到高精度化及高生产量。在此，根据本实施例，通过使用相应于装置的图案规则的波束形成器来形成波束。
[0062]在以下的说明中，通过在行与列上均匀设置具有波束尺寸S的自然数个正方形波束射出部并且将波束射出部以预定的节距移动而绘制的图案，将被称为能够用正方形格栅网格绘制的图案。
[0063]在本实施例中，将设定作为目标的图案形状(目标图案形状)，变形成由在矩阵中布置具有一侦!|长度为 20nm, 18nm, 16nm, 14nm, 12nm, IOnm, 8nm, 6nm, 4nm, 3nm, 2nm, Inm 中的
任意一个的正方形要素区域的图案网格形成的图案数据。更特别地，将要形成的目标图案形状与图案网格比较，并且关于图案网格的各正方形区域，产生将相应于目标图案形状的要素区域(网格)指定为“I”且将不相应于目标图案形状的要素区域指定为“O”的位映像。
[0064]然后，关于位映像的对应于“I”的要素区域射出波束，使得目标被波束照射。从而能够绘制接近目标图案形状的图案。
[0065]如上文所述，根据本实施例，并非使用目标图案形状如其原样地作为绘制用的数据，而是将作为绘制目标的目标图案形状与网格图案比较并且变换成位映像，其然后使用映像作为用于波束控制的数据。
[0066]在本实施例中，图案的网格节距与正方形格栅矩阵波束相匹配，以产生效率良好的打开/关闭数据，即位映像，并且通过基于位映像进行绘制，同时达到高的光刻精度与高的光刻速度。
[0067]这表示如果光刻装置适合于要绘制的装置规则，就能够实现有效绘制。例如，通过对于具有尺寸S=20nm的网格的通过打开/关闭而绘制的图案，通过80nm节距的正方形格栅矩阵波束的打开/关闭而执行图案绘制。在波束的位置扫描稳定并且波束的打开/关闭状态置于一定状态后，操作全体遮光器以将全体波束拍摄于被曝光物上。
[0068]将参照附图来说明本发明的实施例。
[0069]图1中使用的基板是PSA-BA基板4，PSA-BA是可编程成形孔遮光器阵列(Programmable Shaping Aperture Blanker Array)的简称。
[0070]如图1所示，PSA-BA基板4优选为例如IOmm的矩形芯片，并且将通过包括关于具有300mm直径的晶圆布置的87个筒柱的全体多筒柱,逐一附贴于300ι?πιΦ或以上的由陶瓷等所形成的基板上的各筒柱中的中间部而使用。通过从图1的电子枪21射出的电子束1，以大致均匀的电子束强度照射PSA-BA基板4。
[0071]如图5所示，PSA-BA基板4包括用于波束形成的孔40，其以具有波束尺寸41整数倍大小的节距43(在X方向上)和节距46(在Y方向上)被布置成正方形格栅状，并且允许正方形波束(或圆波束)通过。在优选的实例中，X方向上的节距43与Y方向上的节距46相同。
[0072]虽然在本实施例中，PSA-BA基板4是具有高电阻的碳化硅(SiC)基板，也可以是硅
(Si)基板。例如，孔40是边长4μπι的正方形，并且以16 μ m的节距布置在矩阵中。由此，通过PSA-BA基板4的波束具有4 μ m的尺寸(4 μ m □)以及16 μ m的节距。例如，在横方向上布置40个波束并且在纵方向上也布置40个节距为16 μ m的波束。因而，40X40=1600个正方形波束布置成正方形格栅矩阵波束的形式。全体波束定位于边长640 μ m的正方形区域中。
[0073]具有640 μ m边长的区域通过具有0.1%或以下的波动率的均匀性的电子束照射。
[0074]参照图1，被各孔40成形的个别波束(个别要素波束)通过个别遮光器13的电极之间，并且进一步通过设置在下部的矩形开口，并且随后，通过电子透镜聚焦于由包括形成于其中的微小开口的孔板形成的圆孔14的开口。
[0075]如下文将描述的，当对个别遮光器13的电极施加电压时，波束偏向，并且电子枪的交叉影像无法通过圆孔14的开口，并且被圆孔14屏蔽，并且不被照射到样本表面上。当未对个别遮光器13的电极施加电压时，波束通过圆孔14的开口并且表示为打开状态，反之，当施加电压时，波束偏向并且无法通过圆孔14，其是关闭状态。[0076]如图所示，电子屏蔽板11、个别遮光器13、以及电子屏蔽板12由使用诸如碳化硅的半导体所形成的PSA-BA基板4而形成。如此，在1600条个别要素波束的打开/关闭状态稳定后，控制对全体遮光器16的电极的电压施加以允许打开的个别要素波束通过圆孔14的开口并且照射样本，从而使样本的光刻胶层感光。
[0077]在此，通过圆孔14的电子束，例如借助于缩小透镜20a与投影透镜20b，波束缩小成1/200倍的大小而成像于样本表面上。
[0078]在成像时，个别要素波束的尺寸是20nm，波束的节距是80nm。当上述的波束布置为40X40=1600条时，全体波束具有内部包含细微正方形波束的3.2μ m的正方形拍摄尺寸。
[0079]当一次拍摄的照射结束时，对全体遮光器16施加电压，以使得全体矩阵波束不能通过孔且不照射样本面。形成所谓波束的关闭状态。
[0080]之后，对主偏向器17与辅偏向器18分别施加不同的电压。同时,将关于1600条个别要素波束用于遮光信号的打开/关闭信息的新位映像数据加载到寄存器，从而更新全部位映像数据。在加载新的位映像数据的同时，由于用于个别遮光器13的遮光电极的信号变化,并且电流流入PSA-BA基板4的配线线路中，因此配线线路周围的磁场变化。由于应当通过各开口的波束的位置不稳定，因此避免从全体遮光器16射出波束。
[0081]当位映像数据的加载结束时，用于个别要素波束的遮光器的信号停止变化，并且然后个别要素波束的打开/关闭被确定。在此，为了进行波束的扫描，主偏向器17和辅偏向器18的偏向信号也变化。在该波束偏向稳定结束后，解除全体遮光器16,从而在样本表面上的光刻胶层上拍摄波束。
[0082]在来自电子枪21的电子束通过PSA-BA基板4后，穿过缩小透镜20a、主偏向器17、投影透镜20b和辅偏向器18，并且照射样本。这样形成单个筒柱2。
[0083]如上文所使用，在本方法中，在位映像数据被确定并且全部正方形矩阵要素波束的打开/关闭状态稳定并且波束拍摄的偏向位置也稳定后，解除全体遮光器16并进行绘制。
[0084]因此，波束始终在稳定的状态下照射至光刻胶层。将上述的用于实现多波束光刻功能的全体机构，作为PSA-BA功能部3而示出。
[0085]进一步，用于12寸晶圆(300_晶圆)的电子束光刻装置优选地包括87个多轴筒柱。这是由于晶圆的性能(即，生产量)满足装置批生产工程师要求的每小时10片的值。在此，全部的87个筒柱为相同的筒柱。
[0086]每一个筒柱在筒柱的最上部包括电子枪21。电子枪21是具有LaB6的平坦顶端部的电子枪，其能够均匀照射PSA-BA基板4并且能够达到高亮度。温度为1600K至1700K的较低温度。在顶端表面施加强电场以用于引出电子。通常电子枪阴极的电位为-50KV，而在引出电极上施加-45KV至-40KV的电位，使得对电子枪阴极施加引出电场而引出电子。
[0087]由于阳极的电位为0KV，从电子枪21射出的电子加速成50KV的能量。将电子前进方向指定为Z轴方向。
[0088]电子通过撞击具有用于形成具有尺寸S (—边的长度为S)的正方形波束的开口的电子屏蔽板11或电子屏蔽板12而被成形。例如，S=4ym。电子屏蔽板11或电子屏蔽板12包括大量开口群。前述开口群在与Z轴正交的XY平面内包括正方形矩阵状的开口群，使得能够形成节距是S的整数倍的L的完全正方形格栅状排列的波束。在与电子屏蔽板11或电子屏蔽板12平行的平面内，可以存在与电子屏蔽板11或电子屏蔽板12不同的多个电子屏蔽板。该情况下，不同电子屏蔽板的开口群的尺寸S’能够比S稍大。
[0089]以电子屏蔽板11、电子屏蔽板12成形为尺寸S并且在XY平面内成形为构成正方形矩阵的波束群的各波束，通过将波束分别独立地偏向的个别遮光器13的两片电极之间。由于个别遮光器13的电极是平行平板，并且如果两片极板都为0V，电子不偏向而直线前进，因此电子在透镜19上被聚集后，并且随后行进通过圆孔14的开口。该情况下，波束处于打开状态。
[0090]当个别遮光器13的两电极的电压彼此不同时，通过两电极之间行进的电子偏向，并且无法通过圆孔14而被遮蔽。以此种方式无法行进通过的波束处于关闭状态。
[0091]在个别遮光器13的各电极上施加来自电压放大器的输出。显示个别要素波束的打开/关闭状态的数据，从对应的位映像传送而存储在对应的寄存器中，该数据是“O”或“I”的信号。
[0092]通过该“O”或“I”信号来控制波束的打开/关闭。“O”或“I”信号称为位映像。
正方形格栅矩阵波束群一般包括在X方向上布置的N (整数)条波束和在Y方向上布置的M(整数)条波束，全体布置有匪条波束。在此，N可以等于M。该情况下，正方形格栅矩阵波束群成为完全正方形的波束群。
[0093]在个别要素波束行进通过个别遮光器13之后，电子屏蔽板11还起到防止大量个别遮光器13干扰电场的电场干扰防止板的功能。电场干扰防止板接近个别遮光器13而设置，是为了避免个别遮光器13的电压干扰相邻波束的轨道。
[0094]然后，波束行进通过透镜19，使得电子枪的交叉影像形成于圆孔14上。
[0095]进一步，个别遮光器13与全体遮光器16将波束偏向，使波束从圆孔14的开口偏向且置为关闭状态。
[0096]当对于上文所述的正方形格栅矩阵波束群确定全部位映像数据时，释放全体遮光器16，波束行进通过圆孔14的开口(圆孔)并且照射于样本表面上。特别地，波束通过缩小透镜20a与投影透镜20b并且成像于样本表面上。
[0097]首先，由于在X方向上布置具有4μπι尺寸的40个孔且在Y方向以12 μ m的间距也布置40个孔，节距为16 μ m,而在一个边长为640 μ m的正方形区域射出总数为1600条的波束。
[0098]波束全体通过缩小透镜20a与投影透镜20b被缩小，并且波束以原始尺寸的1/200倍投影于样本表面上。因此，在一个边长为3.2nm的正方形区域中，布置有尺寸为20nm的40X40=1600个正方形波束，间距为600nm，节距为80nm。
[0099]前述3.2nm的波束通过主偏向器17扫描。该扫描的宽度为±25.6 μ m,并将一次拍摄的图框作为全体来扫描。
[0100]进一步，波束通过辅偏向器18每20nm逐渐偏向，使得具有SOnm尺寸的正方形区域能够通过16次拍摄涂满。
[0101]将计算晶圆全体的曝光时间。光刻胶灵敏度为40με/(:πι2，电流密度为400A/cm2，拍摄为100ns，辅偏向器跳越等待时间为50ns，拍摄周期为150ns，6.5MHz，当执行26mm/33mm绘制时,曝光时间为206s。假设合计包括载台返回时间、晶圆的变更及晶圆的校准的300s是晶圆所需时间，在300mm晶圆的情况下可以以12片/小时的晶圆处理量来执行绘制。
[0102]辅偏向器18的偏向宽度可允许80nmX80nm的正方形区域的偏向。基本上，通过X方向上的辅偏向器18将尺寸为20nm的波束偏向在-30nm、-10nm、+10nm、+30nm的四个点上，Y方向上的辅偏向器18将尺寸为20nm的波束偏向在-30nm、-10nm、+10nm、+30nm的四个点上，使得通过16次的偏向与拍摄而涂满80 μ m的正方形区域。
[0103]同时，如果射出1600条的波束，通过辅偏向器18的偏向而涂满3.2nm的正方形区域的整个表面。此时，如果基于合意的打开/关闭的位映像数据对各个别遮光器13施加3.3V至5V的电压，波束无法通过图1的圆孔14的圆开口，因此波束不会照射于晶圆上。由此，通过选择是否应涂满3.2 μ m正方形区域中的各20nm尺寸的小区域，能够绘制出以20nm的网格分割的合意图案。更特别地，还可绘制包括方格图案、线及空间图案、一对一的孔阵列及如图11示出的不规则的配线图案的图案。
[0104]在本实施例中，多个筒柱执行一个晶圆的绘制。因此，适用于多轴(Multi Axis:MA)方法。而且，在本实施例中，通过使用一个筒柱内的可变电性、静态固定的波束形状可编程地变化的波束，以向量扫描执行绘制。在这点上，适用于PSB(可编程成形波束(ProgrammableShaped Beam))方法。因此，将本实施例中的方法称为MA-PSB方法。
[0105]此处，在图1中示意地示出控制装置10。该控制装置10控制个别遮光器13、全体遮光器16、偏向装置(主偏向器17和辅偏向器18)，并且还接收关于光刻图案的图案数据，以便基于所接收到的光刻图案来形成用于确定各拍摄中个别遮光器的打开/关闭的位映像。例如，如下文将描述地，控制装置10依照图案数据与电子屏蔽板11、电子屏蔽板12中的开口的布置节距而产生位映像。进一步，当必要时，期望的是控制装置10还可执行变更图案数据的操作。
[0106]图2是BAA(遮光器孔阵列(Blanker Aperture Array)系统的图。从LaB6电子枪21射出的电子流在Z方向上行进，通过矩形孔22，使得电子流被修整为矩形波束。然后，波束经由电子透镜照射BAA，并行进通过BAA23从而形成1024条个别要素波束。个别地通过独立的小遮光器电极对与圆孔24控制这些个别要素波束打开/关闭。在BAA23中，还设置遮光器26，在通过BAA23的连续扫描执行的每一列绘制结束之后，遮光器起动从而切断波束，并且遮光器26不具有对于个别要素波束的各位移启动遮光器的功能。
[0107]通过主偏向器25与辅偏向器27中的每一个连续地在一个方向上扫描波束。在此，执行绘制的样本是晶圆28。
[0108]图3是BAA(遮光器孔阵列(Blanker Aperture Array))的波束配置图。同时还是电子屏蔽板的开口配置图。BAA的开口群形成为水平细长形状。在纵方向上布置有A至H的8个矩形开口，在横方向上布置有I至128的128个矩形开口。
[0109]形成标记为诸如1，3，5等的奇数号的波束的矩形开口，在横方向上以对应于两个开口的量彼此偏移。因此，当将这些波束在纵方向扫描时，保留对应于一个矩形的间隙不绘制。因此，标记为诸如2，4，6等偶数号的波束可填满该间隙以填满该区域。
[0110]然而，当波束以常规的BAA光刻方法布置时，在横方向(X方向)上仅能够绘制个别要素波束尺寸的整数倍的图案。
[0111]通过将A列的波束与对应的B列的波束错开半节距等方式，而将波束相互间的配置略微地错开，从而在控制略微改变波束的打开/关闭时间来进行绘制，可能进行波束尺寸整数倍的图案以外的图案的绘制。进一步，使用在扫描方向连续的锯齿状波形进行扫描，并微妙地控制波束遮光器的时序，可微妙地调整扫描方向上的图案尺寸。
[0112]然而如以下所述，有很多问题。
[0113]1、在Y方向与X方向之间(B卩，在扫描方向与非扫描方向之间)的图案边缘的锐度不同。
[0114]2、由于扫描方向上的数据容量变得庞大，无法落入适合于存储且验证全体光刻数据的数据容量限度内。在试图将用于记述各绘制点的打开/关闭的位映像数据记述至0.1nm的尺寸的情况下，300mm晶圆全体需要1020以上的数据容量。因此，极可能的是提出这样一种装置:其仅存储作为图案数据的矩形区域的数据，不考虑存储了全部的位映像数据,并且在执行绘制的同时产生位映像数据。
[0115]然而，该类型的装置，因为无法存储或保持作为中间数据的位映像数据，所以光刻图案中有异常时，无法指明异常的原因，因此成为可靠性非常低的装置。
[0116]3、因为BAA装置中的配线长度对全部的要素波束不同，所以全部要素波束的波束打开/关闭信号的时序也不同。因而，无法控制波束的打开/关闭时序，使得光刻图案的精度非常不好。
[0117]4、由于BAA装置在X方向上的尺寸与Y方向上的尺寸彼此不同，形状并非正方形，一个方向较长，因此无法执行从电子枪均匀照射电子束。因而，多个要素波束具有不均匀的电子束强度。
[0118]下面将说明图4。因为由BAA形成的波束群(BAA的影像34)，在X方向上较长，并且在Y方向上较短，因此连续扫描在Y方向上的图框33。当到达Y方向上的预定位置而且同时执行连续扫描时，通过打开/关闭驱动波束的个别遮光器来绘制所期望的图案。该方法的特征是连续扫描，并且个别遮光器以任意的时序反复打开/关闭驱动。
[0119]图框33的长度是100 μ m，当执行扫描至Y方向上的最后一个点时，扫描点返回到100 μ m的子域32的下端。在条带绘制结束后直到下一个图框的绘制开始之前的期间内，遮光器26切断波束，以避免射出波束。
[0120]下一步，对新的图框在+Y方向上连续扫描并进行绘制。以此种方式，扫描连续图框以在100 μ m的子域的正方形内进行绘制。
[0121]进一步，晶圆上的芯片图案的区域是通过作为多个子域32的集合体的并且在X方向上例如具有2mm长度的主偏向范围31而构成的。将100 μ m的子域，在X方向上例如在右方向上逐次绘制20个之后，由于载台的移动方向为Y方向，因此在Y方向上移一阶，并且然后在X方向上向左逐一绘制子域，从而绘制主偏向范围31。以此种方式，对晶圆28绘制各芯片29中在Y方向上的相同条带30。
[0122]如上文所述，在BAA方法和诸如MAPPER方法和PML2的大规模平行(Mass iveParallel)方法中，在个别要素波束的拍摄间不使用全体遮光器，仅高速地打开/关闭控制个别要素波束的遮光电极，并且在与载台连续移动方向垂直的方向上执行高速波束扫描，从而高速执行波束的打开/关闭以执行绘制。因此，该方法具有在一次长的扫描中，可以以0.1nm单位的细微度打开/关闭个别要素波束的特性。然而，此优势只能结合保持庞大数据容量并且牺牲了图案绘制精度的缺点而实现。[0123]因为上述原因，导致忽略了当高速的多数个波束遮光器驱动时，电流流入配线线路而造成电子束波动的可能性的结果。
[0124]进一步，BAA等中使用的装置，是诸如使用硅氧化膜或硅氮化膜的绝缘物，由于散射波束储蓄电荷，并且发生由于电子束而造成的绝缘膜破坏。在本实施例中，由于使用本征半导体、非晶态半导体、PN结，并且利用半导体的耗尽层的绝缘手段，因此，能够减少散射波束储蓄电荷以及因电子线造成的绝缘膜破坏的情况。
[0125]图5是说明根据本实施例的PSB (可编程成形波束(ProgrammabIe ShapingBeam))拍摄状态的图。
[0126]网格中的波束40尺寸是20nm，节距是波束尺寸的4倍。特别地，具有尺寸S=20nm的正方形波束以节距4倍的80nm节距布置成正方形格栅。在图中，41表示X方向上的波束尺寸，42表示X方向上的波束间隙，43表示X方向上的波束节距，44表示Y方向上的波束尺寸，45表不Y方向上的波束间隙,46表不Y方向上的波束节距。
[0127]尽管图5仅示出3X3=9个波束，不过实际上配置了 40X40=1600条波束40。由于S=20nm，因此在波束间有20nmX3=60nm的间隙。波束的节距在X方向、Y方向上均为20nm X 4=80nm。在一般图案中，按照适当的位映像数据对波束进行打开/关闭控制，在个别要素波束在打开状态或关闭状态稳定后，以全体波束进行一次拍摄曝光。随后，启动全体遮光器，以将所有波束置为关闭状态，将下一次拍摄的位映像数据放入寄存器中，并且在波束的打开/关闭状态处于恒定状态之后，且辅偏向器朝向80nm正方形的预定位置的偏向稳定后，解除全体遮光器，进行下一次拍摄曝光。
[0128]当如上文所述以16次拍摄绘制80nm正方形时，通过1600次拍摄完成3.2μπι正方形的绘制。之后，可以将主偏向器偏向，从而转移到下一个3.2μπι正方形的绘制。
[0129]依图案数据，超过16次拍摄时，可执行额外地拍摄，或通过3.2μπι作为任意的中间值而执行绘制。
[0130]本实施例的特征是通过位映像来确定同时拍摄的波束的打开/关闭状态，以及该波束的拍摄在波束的位置、强度稳定之后进行的。特别地，具有同一尺寸的多个正方形波束被定位在正方形格栅矩阵的格栅点处，并且同时在稳定于要在预定时间段内执行绘制的基板上的状态下贡献于光刻。由于依照位映像，波束可以处于打开状态或关闭状态，因此特定的波束是打开或关闭取决于图案数据。
[0131]图6是显示使用图5所示的网格尺寸20nm的正方矩阵波束群，能够绘制具有网格尺寸16nm，以及节距为16nm的5倍即80nm的正方形格栅矩阵图案的图。特别地，当绘制16nm的网格时，全体波束遮光器打开的时间降低为0.8X0.8=0.64倍，辅偏向器每隔16nm移动，通过位映像数据来控制个别要素波束的打开/关闭进行绘制，从而能够绘制出16nm的网格图案。图中的47表示X方向上的网格尺寸，48表示Y方向上的网格尺寸。
[0132]绘制16nm网格图案的情况与20nm网格图案的绘制情况不同，辅偏向器的前进的节距从20nm变成16nm，以及涂满80nm正方形需要25次拍摄，而并非16次拍摄。进一步，如果光刻胶灵敏度相同，则每个波束的照射时间减少到64%。假设辅偏向器的等待时间没有大幅变化，总光刻时间将稍微延长。然而，非常重要的是，能够通过使用20nm的正方格栅矩阵波束群的光刻装置作为替代来绘制16nm网格额图案。
[0133]参照图7，将对如下方法进行说明:使用20nm尺寸以及SOnm节距的网格的正方格栅矩阵波束群，绘制在Y方向上具有直线、在X方向上具有30nm的线与30nm的空间反复(30nm的线以及空间)的图案。图中的61a，61b-61j表示本示例中的线及空间的图案。
[0134]一般而言，当使用SOnm节距的正方格栅矩阵波束时，假设待绘制的线及空间设为T，求出T=60nm时的正方格栅矩阵波束的节距80nm的最小公倍数，此时为240nm。
[0135]由于原来80nm节距的正方格栅矩阵波束中，在自起点240nm距离的部位也存在波束，所以当在X方向上绘制30nm的线及空间时，能够在打开状态下使用该240nm距离的波束。
[0136]当绘制30nm的线及空间时，图7第一条线中的(I)、( 4)与(7 )处的波束可以同时打开。待绘制的30nm线及空间的位置，是通过主偏向器将SOnm节距的正方格栅矩阵波束向右方向错开5nm，且将曝光量从20nm线宽增大为30nm线宽来获得的。可替换地，还可将(I )、(4)与(7)处的波束少许错开并且将曝光量分为两份，从而将波束分成重心被定位在待绘制的30nm线及空间中心的2次拍摄。
[0137]然而，如在该图上以虚线标记的，用于绘制通常的20nm的网格的(2)与(3)处的波束被关闭。
[0138]类似地，在第二条线中，通过将(I)、(4)与(7)处的波束错开65nm来进行绘制。
[0139]类似地，在第三条线中，通过将(I)、(4)与(7)处的波束错开135nm来进行绘制。
[0140]类似地，在第四条线中，通过将(I)、(4)与(7)处的波束错开I95nm来进行绘制。
[0141]虽然在第五条线中应通过(I)、(4)与(7)处的波束错开245nm来进行绘制，由于第一条线中待绘制波束打开，因此不需要绘制第五条线。
[0142]由于在Y方向需要以相同偏向器数据执行绘制，仅比较X方向上的拍摄数量。特别地，虽然在涂满情况下，能够随辅偏向器的移动而通过四次拍摄实现绘制，在线以及空间的情况下也可以随主偏向器的移动通过四次拍摄实现绘制。由于偏向器的等待时间长，能够假设有些许的拍摄时间延迟，虽不能达到相对加速，但是绘制速度没有显著降低。
[0143]参照图8，绘制通过使用尺寸20nm，80nm节距的网格的正方格栅矩阵波束群，绘制在Y方向上具有直线，在X方向上具有25nm的线与空间的图案的方法。图中的62a，62b_621表示本示例的线及空间的图案。
[0144]由于80nm与50nm的最小公倍数为400nm,因此可同时射出(I)与(6)处的波束从而实现绘制。如此，需要第一条线、第二条线、第三条线、第四条线、第五条线、第六条线、第七条线、第八条线的拍摄，并且不需要第九条线的拍摄。在该情况下，尽管涂满图案需要4次拍摄，但是需要8次拍摄，虽然绘制速度降低，但是效率没有显著劣化。
[0145]如上文所述，即使当图案数据的节距与硬件具有的正方形格栅矩阵波束的SOnm节距不一致时，通过有效地修正光刻方法，仍可在某种程度上避免产量降低，从而无须显著增加拍摄次数。
[0146]然而，与SOnm的最小公倍数特别大情况下，由于能够同时给予绘制的波束数量显著变小，所以全体图案的拍摄次数变得庞大。
[0147]例如，在基本波束尺寸为20nm的正方形格栅矩阵波束的情况下，当待绘制图案的基本网格是与20nm为质数的19nm、21nm或23nm等时,最小公倍数是巨大的值。这表示同时可使用的波束数量显著变少，诸如1600的1/20至1/40以下，作为多波束的效率显著降低。[0148]例如，在由20nm的4倍的80nm节距上纵向与横向各配置由40个波束形成的PSB波束的情况下，当待绘制的组件图案仅具有1600nm节距的光刻图案时，仅能够使用9次波束照射的拍摄。该情况下，由于只有9/1600的拍摄贡献于波束照射，因此效率非常差。
[0149]因此必要的是，在组件图案的设计规则中，图案网格尺寸不应必要地大于预定值。
[0150]该情况下，使对应区域的图案规则尽可能变化，局部地将图案规则逐渐变宽松或严格，使得与20nm的最小公倍数不致超过预定值，因此在组件的速度、面积等没有明显恶化并且在不会不利地影响组件功能的范围内修正图案数据，从而实现获得适当缩小与20nm的最小公倍数并且同时可使用的多波束的波束数量变大的修改图案数据的目标。
[0151]以此种方式，可高效地使用多波束以减少拍摄次数，从而有助于提高光刻的产量。
[0152]图9示出了将正方格栅矩阵波束全体的位映像数据(例如1600个数量的I与O形成的位映像数据)作为信号传送至PSA-BA基板用的电路。
[0153]晶圆上的全部半导体组件芯片的光刻数据，在允许多个位尺寸S的情况下，可分成与每个预定尺寸S的正方格栅矩阵一致的位映像数据以及全体波束矩阵的绘制位置坐标数据。
[0154]首先，将全部光刻图案数据如前述分割成位映像数据和绘制位置坐标数据，事先存储于存储装置102中。参照图9的说明将仅描述位映像数据的传送方法。
[0155]根据来自光刻顺序控制电路101的信号，从存储装置102读取位映像数据，并且经由数据重排装置103，传送至串联器104，在串联器104中数据变形成高速传送的连续的位串。来自串联器104的信号经由驱动器105,在光传送的情况下被导入激光器106。在该情况下，激光传送电路在2Gbps至IOGbps的速度下执行高速传送。
[0156]光二极管107接收光，并且光经由放大器108变成电压信号。其后，解串器109将数据传送至并联的寄存器111至寄存器118的8个寄存器。寄存器111至寄存器118中每一个的寄存器长度是208位。进一步，解串器109的速度是62.5MHz。而且，寄存器111-118中每一个的信号通过相应的放大器121?128放大并且输出。
[0157]存储来自8个寄存器的合计1600位的位映像。由于在最高绘制频率IOMHz光刻的用于光刻的全体位映像被消耗，因此包括从串联器至解串器的电路110至少需要并联化保有8个或以上。
[0158]如果光传送组件(即激光器周围的组件)是高速组件，可减低该并联程度。
[0159]进一步，在图9的上述说明中，描述了使用基于光传送的串联器、解串器的构造，光传送部分可以替换为电传送电路。在此，有意于通过使用串联器与解串器而减少数据信号数量，并且在数据传送的中间部执行高速处理。
[0160]来自寄存器的数据通过放大电路进行电压放大并且连接于对PSA-BA基板的信号配线线路。
[0161]图10示出了从光数据通信串并联传送电路141通过寄存器142、通过寄存器143、通过放大器,连接于对PSA-BA(可编程成形孔-遮光器阵列(Programmable ShapingAperture-Blanker Array))基板的配线的图。在本示例中，使用了寄存器的两段，即寄存器142与寄存器143，因为即使对于一些寄存器而言锁存时序不匹配，通过同时将全部寄存器锁存，除了少量配线延迟外，能够基本上使1600条波束的时序匹配。
[0162]假设将寄存器143的输出作为放大器144的输入，当位映像是〈1> (即，波束打开)时，放大器输出为OV，并且相对电极为OV，所以波束打开。当位映像是〈O〉(即，波束关闭)时，放大器144的输出为+5V并且相对电极为OV,所以波束关闭。
[0163]图10示出了 PSA-BA基板与各种功能组件的安装，其对应于多筒柱之中的一个筒柱。
[0164]各筒柱单元以PSA的一个群形成。从外周部向PSA中心，PSA被配置为包括在外周部中的包括光纤140与光检测器的光数据通信电路141。光数据通信电路主要由光化合物半导体形成。
[0165]关于串联数据变换/并联数据变换的寄存器142，143由硅的裸芯片而形成。这些寄存器可配置成两段或三段。用于驱动PSA的个别遮光器的放大器144由硅的裸芯片形成。
[0166]BAA的本体的基板(PSA-BA基板)145主要由碳化娃、重金属膜及导热性金属膜形成。
[0167]前述四个元件安装在单独的例如陶瓷制的基板146上，并且配线线路形成于其上，并且以球状闸极147的阵列结合，或是在基板上附加焊垫而联线焊接。
[0168]进一步，形成于同一半导体基板上的寄存器142、寄存器143及放大器144还可一体形成。
[0169]在本示例中，PSA-BA基板以铜配线而形成于碳化硅基板上。绝缘膜主要为高电阻碳化硅、非晶态碳化硅、高电阻硅或非晶态硅。
[0170]放大器区域板为硅基板，其通过CMOS制程制作。寄存器142、寄存器143也为硅基板，并且通过CMOS制程制作·。光数据通信串并联传送电路多为由包含砷化镓(GaAs)的第II1-V族构成的光半导体而制作，并且这些基板和制程完全相同的可能性极小。该情况下，切断的各种基板被结合于陶瓷或环氧树脂制成的基板上，通过球状闸极阵列进行配线连接，或是通过基板贯穿孔进行配线连接。可替换地，还可以使用联线焊接等，不过其是劳动力密集型的。
[0171]关于这些PSA-BA基板及各种组件，通过使这些基板及组件与适当冷却的基板进行热接触以执行冷却，来确保温度稳定性很重要，同时要注意电绝缘。
[0172]为了避免PSA-BA基板的波束轴附近或全部光传送组件的波束储蓄电荷并且避免由波束照射导致的电击穿，重要的是将散射波束的范围仅限定于PSA-BA基板的中心附近。
[0173]在此，只要满足功能需求，就可替换各种组件的材料。
[0174]图11示出了用于绘制随机的配线图案的正方形格栅矩阵波束全体的动作。
[0175]待绘制的配线图案对应于灰色区域，并且经过切边部分的内部对应于需要涂满的区域。在正方形格栅矩阵波束中，涂满区域的内部的个别要素波束的位映像数据为打开，并且涂满区域外部的个别要素波束的位映像数据为关闭。
[0176]通过辅偏向器以20nm节距纵向与横向扫描波束，在稳定状态下，全体波束遮光器打开，以执行光刻。一般而言，16次拍摄即可绘制任何图案。波束扫描的方法并非光栅扫描，并且通过向量扫描来执行向相邻拍摄位置的偏向。进一步，扫描波形是歩进状，并且在扫描波形的上升沿处全体遮光器关闭。在扫描波形稳定到固定值之后，解除全体遮光器并且进行曝光。
[0177]通过图11示出的波束配置，在第一次拍摄通过辅偏向器朝向乂=-4011111，￥=+2011111的位置进行发射之后，关闭全体遮光器，重写位映像数据，辅偏向器在X=_20nm，Y=+20nm的位置将波束偏向后，解除遮光以执行第二次拍摄的绘制。
[0178]类似地，第三次拍摄在重写位映像数据之后，由辅偏向器在X=0nm，Y=+20nm的位置处进行发射。
[0179]第四次拍摄在X=+20nm，Y=+20nm的位置进行发射。
[0180]第五次拍摄在X=+20nm，Y=+0nm的位置进行发射。
[0181]第六次拍摄在X=0nm，Y=Onm的位置进行发射。
[0182]第七次拍摄在X=_20nm，Y=Onm的位置进行发射。
[0183]第八次拍摄在X=_40nm，Y=Onm的位置进行发射。
[0184]第九次拍摄在X=_40nm，Y=20nm的位置进行发射。
[0185]第十次拍摄在X=-20nm，Y=_20nm的位置进行发射。
[0186]第^^一次拍摄在X=0nm，Y=_20nm的位置进行发射。
[0187]第十二次拍摄在X=+20nm，Y=_20nm的位置进行发射。
[0188]第十三次拍摄在X=+20nm, Y=-40nm的位置进行发射。
[0189]第十四次拍摄在X=0nm，Y=_40nm的位置进行发射。
[0190]第十五次拍摄在X=-20nm，Y=_40nm的位置进行发射。
[0191]第十六次拍摄在X=-40nm，Y=_40nm的位置进行发射。
[0192]辅偏向器的正常偏向范围匹配波束的尺寸，是X=±40nm，Y=±40nm，其全体为80nm的矩形区域，并且以16次拍摄完成一次涂满扫描。然而，只要当扫描是向量扫描并且在X=±40nm，Y=±40nm的范围时，辅偏向器就可偏向任意位置。正常图案以16次拍摄完成曝光。
[0193]随后，将主偏向器在+X方向增加3.2 μ m偏向后，再次使用辅偏向器执行16次拍摄来进行绘制。如此反复进行，使载台在Y方向上移动，以51.2μπι宽进行偏向的方式，将3.2μπι的正方形区域在X方向上绘制16个。一旦完成了在X方向上的一行的绘制，在Y方向上朝向载台的移动方向前进3.2 μ m，重启主偏向器，再次反复进行X方向上的绘制。
[0194]其后，主偏向器的偏向电压改变到+X方向，例如主偏向器在相邻的+X方向上跳越3.2 μ m，对新的绘制区域，类似地执行3.2 μ m正方形的绘制。
[0195]关于载台位置，以通过从激光干扰仪读取载台位置的值并且加上距离理想位置的差值施加于主偏向器，实际上如同载台未移动的方式，来执行行载台位置的跟踪方法从而执行在样本表面上的同一部位处的波束的偏向控制。
[0196]本例中，载台在Y方向上移动。
[0197]通过激光干扰仪在约IOMHz读取搭载了被曝光对象物晶圆的载台的在X轴方向上与Y轴方向上的位置。
[0198]将作为目标的光刻位置与激光干扰仪读取的位置之差施加于主偏向器以追踪载台位置，使得如同被曝光晶圆相对于波束为静止而进行绘制。
[0199]X方向上的扫描宽度为51.2μπι，以16次3.2 μ m正方形的曝光，完成X方向上的一行的曝光。
[0200]此时，可以说在Y方向上曝光了具有51.2 μ m图框宽度的图框。
[0201]在X方向上，绘制-25.6μπι至+25.6μπι宽的条带。主偏向器的中心朝-24 μ m，-20.8 μ m，-17.6 μ m，-14.4 μ m，_1L 2 μ m，_8 μ m，-4.8 μ m，-1.6 μ m，L 6 μ m，4.8 μ m，8 μ m，11.2 μ m, 14.4 μ m, 17.6 μ m, 20.8 μ m, 24 μ m 的 16 个部位偏向波束。
[0202]图11示出了各个别要素波束的尺寸均为20nm的实例，但是在本绘制中个别要素波束可以为16nm、12nm、8nm或4nm。
[0203]在此情况下，为了不使产量降低，需要增加正方形格栅矩阵要素波束的数量，从而将全体电子束量大致保持固定值。
[0204]下面将说明图12。待绘制的图案是在横方向长的1:1的线及空间。
[0205]关于如绘制的左端部示出的正方形格栅矩阵波束，形成第一条线为7个连续的波束打开，第三条线为8个连续的波束打开，第五条线为8个连续的波束打开，第七条线、第九条线和第示十一条线为7个连续的波束打开而其他的相邻波束关闭的位映像。
[0206]首先，切断全体遮光器，按照前述的位映像使个别要素波束打开/关闭，将主偏向器与辅偏向器以向量扫描方式偏向于预定位置。然后，解除全体遮光器，将编号I的波束群曝光。
[0207]下一步，全体遮光器被操作以切断波束，加载新的编号2的波束群的位映像。然而，在图12中，编号1，2，3，4，5，6，7，8的位映像在示出的范围内完全相同。相同的位映像可作为新的位映像寄存并且将其重新加载。
[0208]然而，位映像完全相同时，也可采取新的位映像不加载的方法。此种布置是一种数据压缩的方法。在此，对应于要素数量的1600位的全部位映像不总是全部相同，除非所有位映像全部一致，否则即使仅一部分位映像相同，数据压缩方法也变得复杂，全部数据量变多，反而无法达成数据压缩的真正目的。因此，作为有效的数据压缩，如果通过将1600位分割为十六等份所获得的近似100位一致，照样使用之前数据的压缩方法可能会有效。
·[0209]将编号2的位映像加载后，使辅偏向器在X方向移动+20nm，解除全体遮光器，以正方形格栅矩阵波束进行曝光。当曝光时间结束时，使全体遮光器动作以切断波束。
[0210]以同样的方式执行编号3,4的波束曝光。由此,完成第一条线、第三条线、第五条线、第七条线、第九条线及第十一条线的绘制。
[0211]编号4的波束曝光结束之后,使辅偏向器在Y方向上移动_40nm。然后,编号5的波束进行曝光，继续使辅偏向器在X方向上移动_20nm，并以编号6，7，8的波束进行曝光，由此，完成第二条线、第四条线、第六条线、第八条线、第十条线及第十二条线的线绘制。
[0212]对于图12示出的1:1线及空间图案，通过使用向量扫描以8次拍摄完成全体的曝光。当与需要16次拍摄绘制而全部区域涂满图案时相比较时，仅需要一半的绘制时间。
[0213]参照图13，说明孔与空间安排为1:1的图案的绘制。
[0214]在正方形格栅矩阵波束中，关于在第一条线中从(1，1)持续到(1，6)的波束，第三条线中从(2，I)持续到(2，7)的波束，第五条线中从(3，I)持续到(3，7)的波束，第七条线中从(4，I)持续到(4，6)的波束，第九条线中从(5，I)持续到(5，6)的波束，第十一条线中从(6，I)持续到(6，6)的波束，波束在位映像中是打开的。
[0215]首先，在辅偏向器处于编号I的孔的状态下，解除全体遮光器，以执行波束的照射曝光。在全体遮光器将波束变为关闭状态后，辅偏向器在X方向上移动+40nm，对编号2的孔曝光。然后，在全体遮光器将波束变为关闭状态后，辅偏向器在Y方向上移动_40nm,对编号3的孔曝光。然后，在全体遮光器将波束变为关闭状态之后，辅偏向器在X方向上移动_40nm，对编号4的孔曝光。[0216]如上文所述，由于在孔与空间为1:1的图案绘制中，以4次拍摄能够绘制3.2μπι的正方形区域，所以仅需要用于绘制需要16次拍摄而完全涂满的时间的0.25倍的曝光时间。因而产量极可能达到4倍。
[0217]图14示出了发生网格移位时的格栅图。特别地，正方形格栅矩阵为20nm网格多被认为是粗糙的。然而，尽管波束布置为20nm的4倍即SOnm节距的正方格栅矩阵波束，由于可通过偏向器实现向量偏向，即使关于实线所表不的网格151纵向与横向偏差IOnm的格栅点仍可执行绘制。此以虚线的网格152来表示。还可使用以其它方式移位的波束来进行绘制。同样地，通过允许拍摄数量的某种程度的增大，在相同区域可绘制以各种方式移位的网格图案。
[0218]图15示出了通过网格移位来执行绘制的实例。在图15中，关于图14的网格，以位映像数据限定了打开/关闭图案，而形成图案数据。第一图案161通过对20nm的网格使用打开/关闭的位映像而进行绘制。第二图案162在X方向与Y方向分别移位IOnm的网格，通过使用打开/关闭的位映像进行绘制。因此，第一图案与第二图案的空间163为10nm。图15进一步显示使用相同的正方形格栅矩阵波束能够将具有不同网格的图案混合在同一区域进行绘制。
[0219]图16示出了由网格移位所形成的示例图案2。图案171是20nm网格的图案。图案172是在以16nm向前移动辅偏向器的同时减少曝光量而绘制的图案。由此，可绘制出在五条横线的上下设置16nm的空间173中的图案。另外，空间174位于横线的左右侧的每一侧。
[0220]图17说明了本系统使用的电子枪周围的结构。阴极电极200是热场放射型(TFE)电子枪，其设计成可从顶端部均匀照射电子。
[0221]从TFE电子枪对引出电极202施加电压，该电压相对于阴极电极200是正电压从而引出电子。通常向阴极电极200施加大约-50KV的负电位。引出电极202的电位是-45KV至-40KV。附图符号201表 示抑制器。
[0222]进一步，以阳极电极203(电位OV)将电子加速。在电子光学筒柱的下部中，流入臭氧以清洁筒柱内部。由于臭氧浓度通常为10%至20%，因此流入了 90%至80%的氧。为了避免氧与臭氧吸附于电子枪表面上的LaB6或氧化导致劣化，通过使用双重节流孔204，205，将中间空间208，209以涡轮分子泵等抽空，使得朝电子枪迅速形成良好的真空度。由于节流孔是具有直径约100 μ m的小孔，因此为了允许电子容易通过两个节流孔，需要在阳极电极附近，以双重对准线圈206将电子束偏向，以允许其通过节流孔。容易振动的涡轮分子泵理想地设置有隔振功能或振动修正功能。
[0223]通过离子泵或涡轮分子泵将储存阴极电极及引出电极的电子枪室207抽成真空。
[0224]参照图18，将会说明前述PSA-BA基板的核心技术。并说明用于形成正方形格栅矩阵波束群的方式。
[0225]通过均匀的电子束照射电子屏蔽板。在具有4μ m的正方形形状的孔220中成形波束，从而射出具有4μπ?的正方形剖面的波束。具有4μπι的正方形形状的孔220以16μL?节距布置以形成正方形矩阵。特别地，在X轴方向(横方向)以16 μ m的节距布置孔220，在Y轴方向(纵方向)以16 μ m的节距布置孔220。X轴方向与Y轴方向彼此正交。
[0226]在4μπι的波束通过轴的各自侧设置个别遮光器的两片的一对电极221，222。个别遮光器的两片的一对电极221，222以全部个别要素波束被设置在两片电极221，222之间的方式而布置。
[0227]而图18中，全部电极群布置在同一方向上以构成平行电极群，只要可将波束个别偏向，它们就可以布置在不同方向上。进一步，4μπι的尺寸可以是不同的数值。
[0228]参照图19，将会说明PSA-BA基板的剖面技术。PSA-BA基板具有成形和偏向从图19的上部发射的波束的功能。
[0229]在最上部，设置有由金属或半导体，或半导体非晶态基板形成的电子屏蔽板242。在图19中，矩形孔的尺寸为6 μ m，这是因为本实施例的电子屏蔽板242被配置为具有不将波束完全成形并且阻止大部分电子束的功能。而且，实际上设置于图19中央部的半导体基板的电子屏蔽板241的4 μ m尺寸的孔起到波束成形的主要功能，通过设置在最上部中的电子屏蔽板241 (242)吸收大约90%或以上的电子束的总热量。
[0230]电子屏蔽板242例如由碳化娃半导体形成,具有例如为10 μ m至20 μ m厚度。碳化硅具有与铜类似的热传导率。
[0231]当具有波束孔的区域的尺寸是640 μ m的正方形时，通过将具有优选导热性的高熔点金属板，厚度为数百μ m至2或3mm以上，且孔为大小为640 μ m或以上的正方形的散热板251设置于电子屏蔽板242之上，而能够排出来自电子枪的热量。
[0232]如上文所述，为了将大于电子屏蔽板242的640 μ m正方形区域的部分的温度保持在常温(例如,大约23°C)，在ΙΟμπι至20μπι的薄膜区域全体尺寸的640 μ m正方形区域内部的，由碳化硅构成的电子屏蔽板242的温度上升能够被抑制在1°C至5°C的范围内。
[0233]配线244的电绝缘膜243由本征半导体构成。
·[0234]虽然在图19最下部还设置有6 μ m正方形的孔的电子屏蔽板242，由于该电子屏蔽板242，除非其不与配线区域及电极接触，否则电子屏蔽板242可以使用一般金属或低电阻的半导体的其它材料的基板。
[0235]如果电子屏蔽板242与图19中的配线区域及电极接触，则电子屏蔽板242需要使用高电阻的半导体基板或非晶态半导体。
[0236]在此情况下，具有4μπι的孔的正方形的电子屏蔽板241由碳化硅的高电阻或绝缘性的半导体基板构成，并且厚度约为2 μ m。
[0237]具有厚度2 μ m的半导体基板以相当精密地方式执行用于形成4 μ m正方形的孔的加工。4μπ?正方形的孔对在通过6μπ?的正方形的孔的电子束的边缘部分进一步修整。在电子屏蔽板241的上表面上，形成用于从图19的外部施加电压至作为个别遮光器的偏向电极的电极221，222的配线244。此处的配线材料使用铜。但是也可以使用低电阻的高熔点金属的其它材料。
[0238]配线的厚度为I μ m,宽0.5 μ m,并且配线间隔约为0.1 μ m至0.5 μ m。在该情况下，配线244之间与配线244下部的配线部的电绝缘膜243由非晶态的碳化硅构成，也可以使用其它任意的允许配线244绝缘的高电阻半导体材料。
[0239]从配线244在电子屏蔽板241中通过贯穿孔，由铜形成电镀孔245，在电子屏蔽板241的下方形成个别遮光器的两片的一对电极221，222。个别遮光器的两片的一对电极221,222厚度为2 μ m并且高度为20 μ m至100 μ m。虽然因为电子通过孔部而使得在电子屏蔽板241的4μ m的孔部露出个别遮光器的两片的一对电极221，222，但是将相邻的个别要素波束的个别遮光器的两片的一对电极221，222的背面，以背靠背的方式经由碳化硅的电极支撑半导体223而固定，从而维持机械结构强度。个别遮光器的两片的一对电极由铜形成。
[0240]由图19示出的结构的特征是个别要素波束通过的4μπι至6μπι正方形的孔周边及全体不使用绝缘物。
[0241]在现有技术BAA专利公布文件(JP06-132203B)中，为了实现配线等的绝缘而使用绝缘物。
[0242]常规的BAA组件的致命性缺陷是使用绝缘膜以在组件内部的电极上施加电压。用于将配线金属膜绝缘的绝缘物有以下两个方面的害处。
[0243]在此，绝缘膜指的是硅氧化膜、硅氮化膜、铝氧化膜(即氧化铝)、蓝宝石以及氧化组月吴等。
[0244]通常，不论如何巧妙地使用绝缘膜，使用绝缘膜从而使得从波束通过轴完全看不到绝缘膜是有困难的。因此，在此情况下，散射的电子束照射并且使绝缘膜上带电而储蓄电荷，因而发生波束漂移。而且，因为储蓄电荷漂移反复充电和放电，并且因此无法获得波束的位置稳定性，所以无法高精度地执行图案绘制。
[0245]第二个缺陷是绝缘膜的破坏。当以波束照射绝缘膜时，绝缘膜带电并且还具有放射线损伤，并且，电流通过绝缘膜内部的细微孔和细微龟裂，而发生绝缘膜破坏。当发生绝缘膜破坏时，无法在配线上施加电压。所以，无法施加波束消隐需要的5V等的电压，导致执行波束消隐操作的功能的损害。因此，难以选择用于遮光器孔阵列(BAA)的绝缘物。
[0246]在本实施例中，为了克服上述困难，可提出以下两个主要方法。
[0247]在第一个方法中，使用带隙大的半导体或高电阻半导体进行绝缘。
[0248]然而，需要注意以下事项。如果半导体作为含有非常少量杂质的本征半导体使用，可以使用这种半导体作为不储蓄电荷的材料，从而防止绝缘破坏的发生，并且可作为充分取得绝缘性的材料来使用。此种本征半导体包括硅、碳化硅、BN(硼氮化物)、GaP(镓磷)、GaN (氮化镓)、钻石、氮化铝、锗、砷化镓、磷化镓等。
[0249]然而，在诸如硅等的具有1.1eV的相对较小带隙的半导体中，只要有少许杂质混入，就会形成具有N型导电性或P型导电性的基板，而且，当金属制成配线时，不容易在金属上表面再次生长本征硅结晶。
[0250]在第二种方法中，使用半导体的P型N型结，以提供耐绝缘性。
[0251]由于半导体并非绝缘体，因此通过放射线产生绝缘破坏的临限值远比绝缘物大，并且非常地耐放射。半导体不致遭受放射线破坏。形成电子与空穴的对并且彼此被施加电压的电极牵引，从而使电子与空穴消失。由于在结晶内部无电性瑕疵残留，因此不致因放电而发生绝缘破坏。
[0252]该实施例将在下文中说明。
[0253]图20是PSA-BA基板的缩小剖面图。在PSA-BA基板的上部，设置有散热板251，散热板251包括比波束群行进通过的640 μ m的正方形区域大的开口，并且具有导电性且高导热性，从而通过使用外部水冷等方法将温度保持为固定。
[0254]图21示出了用于本实施例的从外部向1600条个别要素波束的遮光器的电极的配线图案301。[0255]由于遮光器电极对中的一个接地，所以考虑不需要配线。虽然这个配线图案包括40X40=1600条线，但是可将这些配线分割成四个区域，并且确定从20X20个遮光器的一侧电极配线，然后确定上下和/或左右反转的图案。因此只须确定20X20=400条配线。为了避免制程复杂化，尽量不使用两层配线，因此将考虑单层配线。虽然显示的是，由于外周部有20+20=40条线，因此仅需要选取平均10条配线，由于在对角线附近的配线彼此相遇，绘制配线图时发现，在一个开口与另一个开口之间，优选地最高可通过14条配线。本发明用于说明具有波束尺寸20nm，1600条波束的波束系统,还可以使用波束尺寸16nm，2500条波束的系统，波束尺寸12nm的4500条波束的系统，波束尺寸IOnm的6400条波束的系统，波束尺寸8nm的10000条波束的系统,波束尺寸8nm的18000条波束的系统,波束尺寸6nm的18000条波束的系统，波束尺寸5nm的25600条或4nm的40000条波束的系统。
[0256]图22示出了 PSA-BA基板，其配置为形成正方形格栅矩阵波束群并且从正方格栅矩阵波束群中选择正方格栅的波束尺寸与节距不同的四种矩阵波束。
[0257]在PSA-BA基板145的中心，布置用于形成四种不同矩阵波束的四种PSA-BA功能单元145a, 145b, 145c和145d。放大器144a至144d被用于PSA-BA功能单元145a至145d。四种正方形格栅矩阵波束群具有不同波束的尺寸、不同节距及不同数量的个别要素波束。
[0258]例如，以下可提供四种正方形格栅矩阵波束群。本实施例中，将说明缩小率固定为1/500的示例。
[0259]关于矩阵波束145a，波束尺寸为8nm并且波束之间的节距为32nm，个别要素波束的数量为100X 100=10000个。PSA-BA基板上的开口尺寸为4 μ m，并且节距为16 μ m，并且用于矩阵波束145a的全体尺寸为1600 μ mX 1600 μ m。
[0260]关于矩阵波束145b，波束尺寸为12nm并且波束间的节距为48nm，并且个别要素波束的数量为64X64=4096个。PSA-BA基板上的开口尺寸为6 μ m，并且节距为24 μ m,并且用于矩阵波束145b的全体尺寸为1536 μ mX 1536 μ m。
[0261]关于矩阵波束145c，波束尺寸为16nm并且波束间的节距为64nm，并且个别要素波束的数量为50 X 50=2500个。PSA-BA基板上的开口尺寸为8 μ m，并且节距为32 μ m,并且用于矩阵波束145c的全体尺寸为1600 μ mX 1600 μ m。
[0262]关于矩阵波束145d，波束尺寸为20nm并且波束间的节距为80nm，个别要素波束的数量为40X40=1600个。PSA-BA基板上的开口尺寸为10 μ m，并且节距为40 μ m，并且用于矩阵波束145d的全体尺寸为1600 μ mX 1600 μ m。
[0263]根据使用四种矩阵波束的其中一个，切换用于控制需要的个别要素波束的遮光器信号。
[0264]图23是使用用于包括图22示出的多种选择用PSA-BA基板的光刻装置的光刻装置的说明图。选择具有不同波束尺寸与不同节距的正方形格栅矩阵波束。为此，波束首先通过用于将波束修整成矩形的矩形孔310。进一步，透镜311用于在被配置为允许形成四种矩阵波束的PSA-BA基板145上形成矩形波束的影像。驱动多种矩阵波束选择偏向器312，来选择指定种类的矩阵波束。
[0265]上述情况需要处理。首先，为了避免电流密度变化，需要进行控制不使交叉点移动。因而，需要将多种矩阵波束选择偏向器312分离成两段并且确定对应段的偏向效率比，使得交叉位置固定在圆孔14的位置。[0266]进一步需要驱动用于多种矩阵波束选择偏向的位置偏差修正用偏向器314与多种矩阵波束选择偏向器313同步，并且将两者的偏向效率比保持一固定比例，从而使选择的波束位置固定并且防止电流密度变化。选择的矩阵波束可以整体上不同的尺寸，因此需要提供全体波束的偏向器的坐标数据，使得左下角位置是固定点。
[0267]进一步，共用的全体遮光器16能够设置为用于四种全体矩阵波束遮光器。
[0268]图24示出了当以线扫描绘制涂满图案时的曝光量的分布。
[0269]为了证明连续扫描型曝光方法的产量比本实施例低，将提供以下说明。
[0270]关于连续扫描型的曝光方法，为了进行邻近效应修正，其通过间疏曝光时间并且通过使用遮光器进行扫描而实现。然而，其结论是，例如在涂满图案的情况下，连续扫描型的光刻方法的产量降低为本实施例的一半。
[0271]此处，假设电子的加速电压是50KV。当涂满面积比为100%时，入射波束的能量与反射电子束的总能量彼此相等。
[0272]在上述情况下，由于在100%涂满区域的曝光能量是在孤立的点的曝光能量的正好两倍并且被过度曝光，所以需要将入射电子的总量减少为50%。为了使孤立点D处的曝光量形成所需的值，根据以相同扫描速度光刻的连续扫描型曝光方法，在涂满面积比100%的图案内部，50%的时间不应射出波束。当沿着包含D点的实线进行扫描时，遮光器整体的波形(在固定速度连续扫描模式下的遮光器波形)如波形320显示，并且涂满区域的波形(涂满面积比100%的部位)如波形321显示，50%处于关闭状态，并且其显示正在执行包括无效时间的曝光。波形322是在D点附近的遮光器波形。由此，产量降低一半。
[0273]将参照图25进行说明。在本实施例中，由于，当波束被偏向于其它位置时，全体遮光器16总是将波束关闭，并且然后通过偏向器执行波束偏向，所以，不会发生连续地随着偏向而射出波形的情况。然而，在通过BAA的常规的连续扫描曝光以及通过光栅扫描的一般的多波束光刻方法中，持续波束扫描而且同时连续地射出波束。当进行光刻图案330的绘制时，打开波束，并且曝光量分布如实线333所示，以某个倾斜角度线性地增加。然后，在达到固定值后，曝光量再以一定的倾斜角度减少。
[0274]然而，当对两个点331与332照射预定时间时，电子束照射强度形成如虚线的阶段函数334所示。虽然不明确哪个分布更优选，但是在任一情况中，光刻图案边缘的锐度都比在一个孤立点处进行绘制时时更恶化，并且无法实现期望电子量分布335所示的照射。
[0275]在此，应该注意的是，当以连续扫描执行波束曝光情况下，在扫描方向与非扫描方向的全部图案边缘的锐度完全不同，并且从而无法以相同的方式执行绘制。
[0276]在本实施例中，提出了能够进行邻近效应修正以及产量不降低的方法。
[0277]参照图26，为了说明用于修正邻近效应的方法，将描述在正方形曝光量区域中以曲线方式提供曝光量分布的方法。特别地，在40X40=1600个正方格栅矩阵波束340中，关于曲线341所示的边界部，将位映像关闭的波束部342指定为〈0>，将位映像打开的波束部343指定为〈1>。
[0278]简单示出于图26的部分图344将此加以简化，其在曲线341的反向侧以〈0>和
<1>来显示。
[0279]如图27所示，将考虑图案的涂满仅涂满在XY坐标系统的第2象限的情况。图上点O是原点。在该图中，将对3.2μπι正方形区域的(_1，2)的区域作说明。[0280]前述(-1，2)区域定位在关于O点，相应于3.2 μ m正方形，在-X方向上向左移一位(例如，向左平移一个)，并且还在+Y方向平移两位(例如，向上平移两个)的位置处。为了正确执行邻近效应修正，如部分图345所示，必须依照被分离成四个区域(例如，绘制时间=tl的区域、绘制时间=tl+t2的区域、绘制时间=tl+t2+t3的区域、绘制时间=tl+t2+t3+t4的区域)的三条等高线来改变曝光强度。
[0281]首先，关于以345a的状态显示的位映像，将全体正方形矩阵要素为I的位映像提供于波束，以在绘制时间tl执行波束绘制。其后，如图345b示出的，在关于最左侧曲线的左上部分为O且在右下部分为I的位映像，于绘制时间t2执行波束绘制。其后，如图345c示出的，关于最左侧起第二条曲线的左上部分为O且右下部分为I的位映像，于绘制时间t3执行波束绘制。其后，如图345d示出的，关于左侧起第三条曲线的左上部分为O且右下部分的I的位映像，于绘制时间t4执行波束绘制。
[0282]如上文所述，在主偏向器、辅偏向器的同一偏向位置处，通过以不同位映像执行重叠绘制，对各波束要素可改变曝光量。如此，当执行向量扫描并且还在波束处于静止状态时，可执行邻近效应修正或曝光量修正。
[0283]此方法可提供的优点在于，与连续扫描曝光的于曝光时间中放入间疏来控制曝光量的方法比较，光刻图案的边缘位置不移动。
[0284]进一步，由于在需要邻近效应修正的区域附近，有图案宽松并且绘制时间通常短，因此不致降低产量而可作修正。
[0285]如上文所述，当与连续扫描型曝光方法比较时，产量增加到约两倍，此为本实施例的优点。
[0286]本实施例可看成采用通过正方形格栅矩阵波束群进行光刻的特殊的光刻方法，并且从而会顾虑本实施例的光刻方法与一般多波束光刻方法比较而缺乏融通性。然而，在使用电子屏蔽板形成多条波束情况下，布置成正方形格栅矩阵波束群状而形成多波束是最简单的。
[0287]根据将多波束光刻复杂化的各种提议，波束的布置多为形成交错状或是少许逐步向XY方向偏移的波束群，并且使用这些波束群精密控制全体的偏向位置与曝光照射量，并且重叠以达到多重光刻，基本上会使得光刻精度恶化以及绘制时间的增加。进一步，波束群的各个别要素波束以不同时序进行遮光器的打开/关闭的时间控制，从而光刻微妙图案的方法，会导致图案数据爆炸性增加，并且因为图案光刻的复杂性，所以光刻图案失去可靠性。
[0288]根据本实施例，通过保持简单的光刻法，通过使用简单的正方形格栅矩阵波束群，对位映像执行打开/关闭控制，在全部模拟信号稳定后，照射全体波束，可同时实现图案数据量的最小化、光刻精度的确保及光刻速度高速化。
[0289]关于正方格栅矩阵波束群的节距，以匹配最细密的组件区域进行绘制。在组件图案的其它区域细密度降低情况下，经常发生拍摄数量增大的情况。然而，通过朝向用于细密度最细密的图案光刻的节距而变更组件图案的形状，使得绘制能够在需要的绘制时间内实现从而使图案变形，可增加光刻精度并且使光刻高速化，而不致失去组件的功能，从而综合性地使组件的生产效率最大化。
[0290]在正方形格栅矩阵波束群中，可以改变纵向与横向节距，或可以改变纵向与横向布置的波束数量，从而形成矩形格栅矩阵波束群。
[0291]个别要素波束可以是具有圆形或矩形剖面的波束，而不是具有正方形剖面的波束。
[0292]一旦决定待制造的组件的图案规则，并且确定生产计划后，重新安装装置的PSA-BA基板从而匹配图案规则。特别地，与板金加工铸模和半导体微影术的掩模相似，根据制造计划进行组件的制造和安装。然而，在相同尺寸的图案规则的设计种类中，可以平滑的方式连续地绘制不同图案而不致制作不同的掩模或更换掩模。
[0293]还可采用提供个别要素正方波束的尺寸分别为20nm，16nm，12nm，8nm的四种PSA-BA基板并且选择一种正方形格栅矩阵波束群进行绘制的方法。
[0294]依照待绘制的组件图案规则而形成正方形格栅矩阵波束群并且进行绘制，是兼顾精度与高速光刻的最有效方法。
[0295]“个别遮光器电极的绝缘上使用PN结”
[0296]现有的PSA因为使用硅半导体制程来制作，所以遭受以下问题:
[0297]1、因为通过使用硅的氮化膜、氧化膜、聚酰亚胺等绝缘物而实现电极间的绝缘，所以在通过50kV的电子线照射产生的散射波束照射下形成的绝缘物的瑕疵部有电流流入，在预定时间段后破坏绝缘性，导致发生介电击穿以防止在电极间或配线间施加电压。如此，PSA寿命有限，并且这种情况下不能使用该方法。
[0298]2、因为电极通过将厚膜光刻胶图案化并且在光刻胶除去部进行金电镀等而制作，所以无法获得具有预定纵横比或者更高纵横比的电极。
[0299]因此，装置无法以充分效率使电子线偏向，并且使用50kV的1/10即5kV等的加速电压，导致不能获得足够分辨率的问题。进一步，提出一种50kV的电子束光刻装置，当电压通过个别遮光器时减速至5kV，当通过个别遮光器后加速至50kV。然而，此种装置需要在个别遮光器周边施加_45kV的高电压，在装置构成上有诸如放电问题的许多困难。
[0300]3、进一步，从个别遮光器的电极引出配线时，从中心部至周边部，有2500条至10000条配线需要自动配置或进行配线，其欠缺规则性并且配线层的制作时可视度不如预期的好。因此，在故障检测时可视度也比预期的差。
[0301 ] 根据本实施例，可以获得以下优点。
[0302]1、因为PSA的绝缘膜使用PN结的反二极管特性，所以不会因50kV的电子线照射，通过散射波束的照射而形成绝缘物瑕疵，不会在预定时间发生介电击穿，其使得PSA寿命格外长。因此，能够提供实际可使用的技术。
[0303]2、因为电极形成时，在半导体结晶的开口侧面使用掺杂与基板相反类型的杂质的半导体层，所以纵横比显著增加。
[0304]更特别地，当基板为P-型的半导体时，提供了表面为掺杂N-型杂质的半导体，并且在掺杂N-型杂质的半导体层上施加+5V电位，相对电极接地，而形成偏向电场。
[0305]当基板为N-型的半导体时，提供了表面为掺杂P-型杂质的半导体，并且在掺杂P-型杂质的半导体层上施加-5V电位，相对电极接地，而形成偏向电场。
[0306]再者，在上下面形成与孔侧面的半导体层相同类型的半导体层，使其上进一步生长金属层。
[0307]3、将上述半导体的孔侧表面作为波束偏向电极的多片基板相互重叠，将金属膜通过热、压力、振动或前述三者合并加以贴合，从而形成纵横比更高的电极。(例如，贴合五片10 μ m的基板,能够形成厚度为50 μ m,电极间距离为4 μ m的高纵横比的电极。)
[0308]4、为了引出全体格栅点的个别遮光器的电极配线，使用多层配线层，并且全体数量除以整数，以将整数分离成多个独立的小群，并且相应群的配线在纵方向与横方向上在同一层上执行。
[0309]全体格栅点的电极的配线在一个层内进行，通过使用硅贯穿孔(TSV:Through-Silicon Via)而连接于其它层。
[0310]5、当配线使用配线电阻很小的铜等金属时，因为不能够使用围绕配线的绝缘物，所以使用PN结的反向二极管包住金属配线。
[0311]将在下文中详细说明本实施例。
[0312]图28示出了根据本实施例的PSA的个别遮光器的形成方法。本实施例使用半导体基板的PN结形成电极。
[0313]例如，假设基板56为P型，并且在矩形孔52的左右侧表面上扩散N型杂质从而形成一对N型杂质掺杂层(遮光电极51、接地电极53)。因此，遮光电极51、接地电极53是个别遮光器的一对电极。于是，当在左电极上施加+5V与OV时,产生电场。基板56接地成OV0右侧的施加OV的接地电极53 (N型杂质掺杂层)与周边的地具有相同电位。左侧的施加OV的遮光电极51 (N型杂质掺杂层)成为与周边P型的基板56相反方向的二极管连接，因为无电流流入，所以以稳定的方式施加+5V。
[0314]因为该PSA的个别遮光器不使用硅氧化膜及氮化膜，所以寿命很长。
[0315]在此图中，由附图标记54显示的部分示意性示出了用于在矩形中成形电子波束的矩形波束成形分离板(硅隔膜)。电子波束穿过不存在分离板54的在矩形孔52中的部分。
[0316]进一步,可以在遮光电极51、接地电极53的孔侧表面上设置金属层。
[0317]此处，参照图36，将会说明根据现有技术的PSA。在硅基板541的图中下侧上，形成硅氧化膜542，543，并且在硅氧化膜542，543之间设置配线544。遮光电极545与接地电极546由在光刻胶上形成孔并且通过电镀使金属附着于此处而形成。在此，在该电镀工艺后，除去光刻胶。此种电极形成方法，由于电极厚度薄并且纵横比不足，偏转波束的效率不佳，在关闭状态下无法彻底切断波束。更特别地，因为即使在关闭状态下，仍有少许波束漏射至样本表面，所以仅能够执行无法取反差的光刻。
[0318]图29示出了本实施例的PSA的个别遮光器的形成方法。
[0319]不需要在P型基板的孔的两侧侧壁上形成电极，由于一侧始终接地，因此不需要在该侧上掺杂N型杂质。进一步，不需要在该侧施加电压。
[0320]进一步，如图29的左侧所示，N型杂质掺杂层的遮光电极51a可以通过掺杂杂质形成，使得其长度在纵方向较短。本例中，垂直方向的长度基本上与矩形孔52的长度相同。
[0321]此外，如图29的中央所示，可以将N型杂质掺杂层(遮光电极)51b形成为纵方向较长。此外，如图29的右侧所示，可以将N型杂质掺杂层(遮光电极)51c形成为覆盖左侧的矩形孔52的半周。
[0322]图30示出了根据本实施例的PSA。在最上部有将波束分离成多条波束的矩形波束成形分离板(硅隔膜)68。图28和图29中的分离板54，显示图30的矩形波束成形分离板(娃隔膜)68的位于孔上方的部分。[0323]在本例中，由贴合多个晶圆而形成的贴合晶圆使用在PSA上。晶圆贴合时使用贴合用氧化膜66，如图所示，为了防止储蓄电荷，除了通过设置在左右侧的厚膜硅基板P型半导体65支撑的部分以外，优选的除去贴合用氧化膜66。
[0324]在个别要素波束遮光电极的基板(P型半导体)56的至少一侧，在纵方向上形成N型掺杂层，以形成遮光电极51。
[0325]在该基板56的上部与下部，形成N型杂质扩散层从而从孔侧扩大成凸缘状。进一步，在该N型杂质扩散层上，形成诸如金等贴合用的金属图案58。
[0326]将多片个别要素波束遮光电极的基板(P型半导体)56对准，使得彼此的金属图案58重叠，并且通过高温、高压力或振动等贴合在一起。同样地，将多片个别要素波束遮光电极的基板56贴合在一起。因此,将各基板的遮光电极51电连接于孔的一侧表面上。
[0327]本实施例中，对于4 μ m的矩形孔52的尺寸，个别要素波束遮光电极的基板65的厚度是10 μ m,并且将五片基板贴合在一起。
[0328]配线64进一步设置在最下级，并且通过与前述同样的技术使多层基板贴合。配线64为了形成低电阻，而使用电阻率低的铜等金属63作为配线64。为了在配线64之间建立绝缘，设置个别要素波束遮光电极的基板(P型半导体)56并且将配线周边部设定为N型半导体55，对于5V的配线电位，在N型半导体55与周边部中的个别要素波束遮光电极的基板56 (P型半导体)之间形成反偏压PN结，从而实现绝缘。
[0329]各配线基板在图30中所见的厚度较薄，实际上设为约10 μ m。
[0330]图31是用于说明PSA基板内部来自个别要素的遮光电极的配线的图。
[0331]图中有3X3=9个孔以及个别要素遮光电极51。从各遮光电极51引出铜配线59。在配线59周边存在N型半导体55。
[0332]图32是为PSA基板内部来自个别要素的遮光电极的配线的剖面图，并且是沿着图31的A-A’线57截取到的剖面图。在中心部中，纵方向上有波束通过的孔。孔的右侧是P型基板，其用作接地电极。孔的左侧是N型杂质掺杂层，其是遮光电极。
[0333]连线配线使得配线在上下两基板之间对准。N型半导体设置成围绕配线59。贴合用的金属图案58形成于半导体层及配线59之上，并且彼此通过加热、高压力或振动而贴
八
口 ο
[0334]图33是说明小区域71所示的来自IOX 10=100个矩形开口的个别要素的遮光电极配线的图。在图中，作为个别的筒柱，示出个别要素的遮光电极73和矩形孔72。
[0335]由于个别要素布置成正方形矩阵，因此从内部朝向外部引出配线，并且可以考虑四种对称的布置。图33示出了分别从100个个别要素遮光电极，将100条配线向上部引出的配线群75a至75 j与向左部引出的配线群74a至74j被连线的一种示例。
[0336]对于100条配线，上部与左部合计有20个间隙，因此可以考虑的是可通过矩形孔间的每个间隙引出平均五条线。然而，可知的是，实际上左上部仅有少数配线通过。因而，经过慎重考虑，最少通过配线数量都是6条。特别地，通过矩形孔之间间隙的配线条数为平均配线通过数量增加20%至30%的配线数量。
[0337]图34是说明通过多层互连引出配线的系统的图。
[0338]在该图中，将五层配线基板贴合在一起而形成全体配线。由于通过五层引出总共为100X100=10000条配线，因此每层引出2000条就够了。[0339]由于该布置在四个方向对称，因此从左上的包括25个个别要素的小区域引出500条线即可。图34示出了将50条配线捆束的线。在图34中的小区域(1，1)至(4，4)中的400条配线未示出，而示出包括小区域(5，5)的小区域82中的线。特别地，示出设置于第5行、第5列的朝向上方的50条线、朝向左方的50条线的合计100条配线。配线全部通过第5层引出。
[0340]关于小区域(5，5)，50条配线通过通孔84到达第5层，并且然后通过配线群85而引出至左方。进一步，小区域(5，5)的另外50条配线，通过通孔87到达第5层，并通过配线群88引出至上方。在此，图34在左上部示出平面图，在右下部示出剖面图。
[0341]图35是说明通过多层互连引出配线的系统的图。实际配线需要10000条。除非系统地确定，通过一层至五层引出全部配线，预期效果提供了差的可视性。因此，首先将10000条线以四个方向对称分成2500条线，进一步，将2500条线分成对应于25个小区域的25组，每组100条线。这些区域用(n，m)来表示。
[0342]在此，η和m表示为I至5的整数。在此情况下，如下述存在25个小区域。
[0343]在小区域(5，5)中，将100条线分割为50条线的两组，在第5层中向上引出一组的50条线，在第5层中向左引出另一组的50条线。
[0344]在小区域(5，4)中，将100条线分割为50条线的两组，在上部以第4层引出一组的50条线，在第5层引出另一组的50条线。
[0345]在小区域(5，3)中，将100条线分割为50条线的两组，在第3层中引出一组的50条线，在第5层向左引出另一组的50条线。
[0346]在小区域(5，2)中，将100条线分割为50条线的两组，在第2层中向上引出一组的50条线，在第5层向左引出另一组的50条线。
[0347]在小区域(5，I)中，将100条线分割为50条线的两组，在第I层中向上引出一组的50条线，在第5层向左引出另一组的50条线。
[0348]在小区域(4，5)中，将100条线分割为50条线的两组，在第5层向上引出一组的50条线，在第4层向左引出另一组的50条线。
[0349]在小区域(4，4)中，将100条线分割为50条线的两组，在第4层引出一组的50条线，在第4层拉出另一组的50条线。
[0350]在小区域(4，3)中，将100条线分割为50条线的两组，在第3层引出一组的50条线，在第4层向左引出另一组的50条线。
[0351]在小区域(4，2)中，将100条线分割为50条线的两组，在第2层向上引出一组的50条线，在第4层向左引出另一组的50条线。
[0352]在小区域(4，I)中，将100条线分割为50条线的两组，在第I层向上引出一组的50条线，在第4层向左引出另一组的50条线。
[0353]在小区域(3，5)中，将100条线分割为50条线的两组，在第5层向上引出一组的50条线，在第3层向左引出另一组的50条线。
[0354]在小区域(3，4)中，将100条线分割为50条线的两组，在第4层引出一组的50条线，在第3层引出另一组的50条线。
[0355]在小区域(3，3)中，将100条线分割为50条线的两组，在第3层引出一组的50条线，在第3层向左引出另一组的50条线。[0356]在小区域(3，2)中，将100条线分割为50条线的两组，在第2层向上引出一组的50条线，在第3层向左引出另一组的50条线。
[0357]在小区域(3，I)中，将100条线分割为50条线的两组，在第I层向上引出一组的50条线，在第3层向左引出另一组的50条线。
[0358]在小区域(2，5)中，将100条线分割为50条线的两组，在第5层向上引出一组的50条线，在第2层向左引出另一组的50条线。
[0359]在小区域(2，4)中，将100条线分割为50条线的两组，在第4层引出一组的50条线，在第2层引出另一组的50条线。
[0360]在小区域(2，3)中，将100条线分割为50条线的两组，在第3层引出一组的50条线，在第2层向左引出另一组的50条线。
[0361]在小区域(2，2)中，将100条线分割为50条线的两组，在第2层向上引出一组的50条线，在第2层向左引出另一组的50条线。
[0362]在小区域(2，I)中，将100条线分割为50条线的两组，在第I层向上引出一组的50条线，在第2层向左引出另一组的50条线。
[0363]在小区域(1，3)中，将100条线分割为50条线的两组，在上部以第3层引出一组的50条线，在第I层向左引出另一组的50条线。
[0364]在小区域(1，2)中，将100条线分割为50条线的两组，在第2层向上引出一组的50条线，在第I层向左引出另一组的50条线。
[0365]在小区域(1，1)中，将100条线分割为50条线的两组，在第I层向上引出一组的50条线，在第I层向左引出另一组的50条线。
[0366]以各自的小区域分割配线来减少数量，并且层间的连接通过TSV使用铜配线来进行的。进一步，TSV的周边通过N型半导体杂质掺杂层来绝缘。
[0367]在此，图35示出了向左方向配线的平面图1、向上方向配线的平面图2、平面图1，2的横方向剖面、以及平面图2的纵方向剖面。
[0368]目前所述的半导体基板，涉及硅、碳化硅、锗、镓砷、氮化镓等。
[0369]上述的N型半导体杂质一般包括砷和磷。P型半导体杂质通常是硼。
[0370]因为上述配线及电极的绝缘使用PN结的反偏压二极管，所以对于50kV的电子线照射，在有限的时间内不致发生介电击穿。
[0371]进一步，也可将基板形成N型并且将电极及配线周围设置P型杂质掺杂层。在该情况下，遮光电位是-5V。
[0372]由在个别遮光器的侧壁掺杂杂质而形成的电极，可以形成于孔的侧壁上或沟槽的侧壁上。
[0373]产业上的可利用性
[0374]通过根据本实施例的电子束光刻方法，由于可高速执行8nm或更细微的图案光亥IJ，因此可实现例如高速MPU、人工智能MPU等未来基干产业的6nm以下尺寸的组件的高速曝光，对产业界的贡献颇大。
[0375]附图标记表
[0376]I电子束
[0377]2 筒柱[0378]3PSA-BA 功能部
[0379]4PSA-BA 基板
[0380]10控制装置
[0381]11，12电子屏蔽板
[0382]13个别遮光器
[0383]14 圆孔
[0384]16全体遮光器
[0385]17主偏向器
[0386]18辅偏向器
[0387]19 透镜
[0388]20a缩小透镜
[0389]20b投影透镜
[0390]21电子枪
[0391]22矩形孔
[0392]23BAA
[0393]24 圆孔
[0394]25主偏向器
[0395]26遮光器
[0396]27辅偏向器
[0397]28 晶圆
[0398]29 芯片
[0399]30 条带
[0400]31主偏向范围
[0401]32 子域
[0402]33 图框
[0403]34BAA 的影像
[0404]40 波束
[0405]41波束尺寸
[0406]42波束间隙
[0407]43波束节距
[0408]44波束尺寸
[0409]45波束间隙
[0410]46波束节距
[0411]47X方向上的网格尺寸
[0412]48Y方向上的网格尺寸
[0413]51，51a、51b、51c 遮光电极
[0414]52矩形孔
[0415]53接地电极
[0416]54 配线[0417]55N型半导体
[0418]56P型半导体
[0419]57A-Af 线
[0420]58贴合用金属膜(金)
[0421]59 铜线
[0422]61a,61b-61j30nm的线及空间图案
[0423]62a，62b_62j25nm的线及空间图案
[0424]63 金属
[0425]64 配线
[0426]65P型半导体
[0427]66贴合用氧化膜
[0428]68矩形波束成形分离板(硅构件)
[0429]71小区域
[0430]72矩形孔
[0431]73遮光电极
[0432]74a-74j 配线群
[0433]75a-75j 配线群
[0434]82小区域
[0435]84 通孔
[0436]85配线群
[0437]87 通孔
[0438]88配线群
[0439]101绘制顺序控制电路
[0440]102位映像储存装置
[0441]103资料重排装置
[0442]104串联器
[0443]105驱动器
[0444]106激光器
[0445]107光电二级管
[0446]108放大器
[0447]109解串器
[0448]110从串联到解串的电路
[0449]111，112-118 寄存器
[0450]121，122-128 放大器
[0451]140 光纤
[0452]141光资料通信串并联传送电路
[0453]142 寄存器 A
[0454]143 寄存器 B
[0455]144放大器[0456]144a 放大器 a
[0457]144b 放大器 b
[0458]144c 放大器 c
[0459]144d 放大器 d
[0460]145PSA-BA 基板
[0461]145a PSA-BA 基板 a
[0462]145b PSA-BA 基板 b
[0463]145c PSA-BA 基板 c
[0464]145d PSA-BA 基板 d
[0465]146 基板
[0466]147球状闸极
[0467]15120nm 网格
[0468]15220nm 网格
[0469]161 第一图案
[0470]162 第二图案
[0471]163 空间
[0472]171 图案
[0473]172 图案
[0474]173 空间
[0475]174 空间
[0476]200 阴极
[0477]201抑制器
[0478]202引出电极
[0479]203 阳极
[0480]204，205双重节流孔
[0481]206双重对准线圈
[0482]207电子枪室
[0483]208中间空间
[0484]209中间空间
[0485]220 波束开口
[0486]
[0487]21个别遮光器的两片的一对电极
[0488]222个别遮光器的两片的一对电极
[0489]223电极支撑半导体
[0490]241电子屏蔽板
[0491]242电子屏蔽板
[0492]243配线部的电绝缘膜
[0493]244 配线
[0494]245电镀孔[0495]251散热板
[0496]301配线图案
[0497]310矩形孔
[0498]311 透镜
[0499]312多种矩阵波束选择偏向器
[0500]313多种矩阵波束选择偏向器中的位置偏差修正用偏向器
[0501]314多种矩阵波束选择偏向器中的位置偏差修正用偏向器
[0502]320固定速度连续扫描模式中的遮光器波形
[0503]321100%涂满区域部分的遮光器波形
[0504]322D点附近的遮光器波形
[0505]330光刻图案
[0506]331 图形
[0507]332 图形
[0508]333显示曝光量分布的实线
[0509]334显示曝光量分布的虚线
[0510]335期望的电子量分布
[0511]340正方格栅矩阵波束
[0512]341 曲线
[0513]342位映像关闭的波束部
[0514]343位映像开启的波束部
[0515]344部分图
[0516]345部分图
[0517]345a显示位映像状态的状态图
[0518]345b显示位映像状态的状态图
[0519]345c显示位映像状态的状态图
[0520]345d显示位映像状态的状态图
[0521]541硅基板
[0522]542硅氧化膜
[0523]543硅氧化膜
[0524]544 配线
[0525]545遮光电极
[0526]546接地电极
【权利要求】
1.一种电子束光刻方法,其中电子束光刻装置被用于在样本上扫描多条个别要素波束以用于光刻， 所述电子束光刻装置包括: 电子枪，其在Z轴方向上射出电子束； 屏蔽板，其具有在X方向和Y方向上以预定的布置节距布置的多个开口，所述屏蔽板从自所述电子枪射出的电子束中获得具有限制为所述开口的尺寸的波束尺寸的多条个别要素波束； 多个个别遮光器，其配置为个别地打开/关闭通过所述屏蔽板而获得的多条个别要素波束； 全体遮光器，其配置为全体地打开/关闭从多个个别遮光器射出的多条个别要素波束；以及 偏向器，其使通过多个个别遮光器及全体遮光器的多条个别要素波束全体以预定节距逐渐偏向，从而关于所述样品步进式地扫描所述多条个别要素波束， 其中 在从所述全体遮光器射出多条个别要素波束被关闭的状态下，通过所述偏向器来确定多条个别要素波束的射出方向，并且，依照显示从各射出方向上每一个拍摄所产生的各个别遮光器射出个别要素波束的打开/关闭的位映像，来控制所述多个个别要素遮光器，以控制从各个别要素遮光器射出的个别要素波束的打开/关闭， 在从各个别遮光器射出个别要素波束的处理稳定后，从全体遮光器射出多条个别要素波束被打开，对所述 样本射出来自处于打开状态的多个个别遮光器的个别要素波束所形成的一个拍摄，并且，通过所述偏向器重复由多条个别波束形成的所述一个拍摄射出同时反复移动多条个别要素波束的位置，将依照作为光刻目标的所述图案数据的图案绘制于所述样本上，并且 所述位映像基于所述图案数据以及依照所述屏蔽板中开口的布置节距而确定的多条个别要素波束对样本的照射位置之间的比较而产生，并且，在产生该位映像时，计算用于进行对应于所述图案数据的光刻所需要的拍摄数量，当计算出的所需要的拍摄数量超过预定数量时，变更所述图案数据。
2.根据权利要求1所述的电子束光刻方法，其中 假设多个个别遮光器的布置节距为P并且图案数据中的图案的反复节距为L，选择适当的L，使得P与L的最小公倍数除以L或P所获得的值不超过预定值，并基于选择的L值来修正待绘制的图案数据。
3.根据权利要求1所述的电子束光刻方法，其中 设置所述多组屏蔽板和个别遮光器，使各组中的X方向和Y方向上的布置节距彼此不同，并且依照所述图案数据来选择所述多组中的一个用于光刻。
4.根据权利要求1所述的电子束光刻方法，其中 从外部经由并串联数据变换电路供给所述位映像数据,并且通过解串器作为并联数据而存储于寄存器中。
5.根据权利要求4所述的电子束光刻方法，其中 在从外部经由并串联数据变换电路供给所述位映像数据，并通过解串器作为并联数据而存储于寄存器中的过程中，采用使用光纤的激光光学通信。
6.—种电子束光刻装置,用于根据权利要求1所述的电子束光刻方法，其中 所述个别遮光器具有使个别要素波束偏向的一对电极，并且 在所述一对电极中，使用包括SiC、Si等的本征半导体层或半导体的耗尽层作为绝缘膜。
7.一种电子束光刻装置，用于根据权利要求1所述的电子束光刻方法，所述电子束光刻装置包括: 控制装置，其执行控制，使得在从所述全体遮光器射出多条个别要素波束被关闭的状态下，通过所述偏向器来确定多条个别要素波束的射出方向，并且依照显示从各射出方向上每一个拍摄所产生的各个别遮光器射出个别要素波束的打开/关闭的位映像，并且基于作为光刻目标的图案数据和依照所述屏蔽板中的开口的布置节距确定的多个个别要素波束向样本上的照射位置的比较而产生位映像，控制所述多个个别遮光器，以控制从各个别遮光器射出的个别要素波束的打开/关闭；并且，在从各个别遮光器射出个别要素波束的处理稳定后，从全体遮光器射出多条个别要素波束被打开，对所述样本射出来自处于打开状态的多个个别遮光器的个别要素波束所形成的一个拍摄，并且，通过所述偏向器重复由多条个别波束形成的所述一个拍摄射出而且反复移动多条个别要素波束的位置，而将依照作为光刻目标的所述图案数据的图案绘制于所述样本上， 其中 所述个别遮光器包括用于使个别要素波束偏向的一对电极，并且 所述一对电极使 用设置于P型或N型的半导体基板的个别要素波束通过的位置处并且掺杂有与所述半导体基板的类型相反类型的N型或P型杂质的半导体层，而形成于开口的侧表面上。
8.根据权利要求7所述的电子束光刻装置，其中 将多个半导体基板贴合在一起以形成在波束行进方向上伸长的遮光电极。
9.根据权利要求7所述的电子束光刻装置，其中 为了将连接于所述遮光电极的配线金属相互绝缘，以PN结二极管覆盖所述配线金属，并且PN结二极管具有反偏压特性，从而当除O电压以外的电压施加于配线金属时，阻止电流流入周边的半导体基板中。
10.根据权利要求7所述的电子束光刻装置，其中 在连接于各个别遮光器的遮光电极的配线线路中使用多层配线基板，并且 个别遮光器的总数除以整数以将个别遮光器分离成多个小群，其中在各群中，在纵方向与横方向上以同一层进行配线。
11.根据权利要求7所述的电子束光刻装置，其中 连接于各个别遮光器的遮光电极的配线在一个层内进行，并且通过使用通孔来进行与另一层的连接。
【文档编号】H01J37/305GK103858211SQ201280048943
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2012年9月27日 优先权日:2011年10月3日
【发明者】安田洋 申请人:株式会社Ｐａｒａｍ