场发射装置的材料与配置的制作方法

场发射装置的材料与配置的制作方法
【专利摘要】场发射装置被配置为热机。该热机的不同的实施方式可以具有不同的配置，该不同的配置根据特定的实施方式包括按不同的方式布置的阴极、栅极、抑制器和阳极。该热机的不同的实施方式还可以在该阴极、栅极、抑制器和阳极中和/或邻近该阴极、栅极、抑制器和阳极加入不同的材料。
【专利说明】场发射装置的材料与配置 相关申请的交叉引用
[0001] 本申请涉及并要求如下所列申请（"相关申请"）的最早可用的有效申请日的权 益（例如，要求不同于临时专利申请的专利申请的最早可用的 优先权日:期或根据35USC § 119 (e)要求临时专利申请、相关申请的任何及所有的母专利申请、祖专利申请、曾祖专利 申请等的权益）。相关申请以及相关申请的任何及所有的母专利申请、祖专利申请、曾祖专 利申请等的所有主题，包括任何优先权主张，在这样的主题不与本文相矛盾的程度上，都通 过引用并入本文。 相关申请：
[0002] 本申请根据35USC §119(e)主张名称为《场发射装置》、以罗德利克·Α·海德、乔 丁 · Τ ·凯拉、内森· Ρ ·梅偌德、托尼· S ·潘和小劳威尔· L ·伍德作为发明人、于2011年 12月29日提交的美国专利申请No. 61/631，270的优先权利益，该专利申请目前共同待定或 是让目前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。
[0003] 本申请是名称为《场发射装置》、以罗德利克·Α ·海德、乔丁 ·Τ ·凯拉、内森·Ρ ·梅 偌德、托尼· S ·潘和小劳威尔· L ·伍德作为发明人、于2011年12月30日提交的美国专 利申请No. 13/374,545的部分继续申请，该专利申请目前共同待定或是让目前共同待定的 申请享有该申请日的权益的申请。
[0004] 本申请根据35USC §119(e)主张名称为《场发射装置》、以罗德利克·Α·海德、乔 丁 · Τ ·凯拉、内森· Ρ ·梅偌德、托尼· S ·潘和小劳威尔· L ·伍德作为发明人、于2012年 4月26提交的美国专利申请No. 61/638, 986的优先权利益，该专利申请目前共同待定或是 让目前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。
[0005] 本申请是名称为《场发射装置的性能优化》、以罗德利克· A ·海德、乔丁 · T ·凯 拉、内森· P ·梅偌德、托尼· S ·潘和小劳威尔· L ·伍德作为发明人、于2012年7月10日 提交的美国专利申请No. 13/545, 504的部分继续申请，该专利申请目前共同待定或是让目 前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。
[0006] 本申请根据35USC § 119(e)主张名称为《场发射装置的材料和配置》、以杰 茜· R ·奇赛姆三世、菲利普·安德鲁?艾克豪夫、威廉?盖茨、罗德利克· A ·海德、莫瑞 尔· Y ·伊希卡瓦、乔丁 · T ·凯拉、内森· P ·梅偌德、托尼· S ·潘、罗伯特· C ·派托斯奇、 克莱润斯· τ ·泰格林、大卫· B ·塔克曼、查尔斯·威特莫、小劳威尔· L ·伍德和维克特里 拉·Υ·Η·伍德作为发明人、于2012年8月16日提交的美国专利申请13/587,762的优先 权，该专利申请目前共同待定或是让目前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。
[0007] 本申请根据35USC § 119(e)主张名称为《电子装置石墨烯栅》、以罗德利克·Α ·海 德、乔丁 · Τ ·凯拉、内森· Ρ ·梅偌德、托尼· S ·潘和小劳威尔· L ·伍德作为发明人、于 2012年9月12提交的美国专利申请No. 13/612, 129的优先权利益，该专利申请目前共同待 定或是让目前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。
[0008] 本申请根据35USC § 119(e)主张名称为《带有抑制器栅的阳极》、以杰茜*R·奇赛 姆三世、菲利普·安德鲁?艾克豪夫、威廉?盖茨、罗德利克· A ·海德、莫瑞尔· Y ·伊希卡 瓦、乔丁 · τ ·凯拉、内森· P ·梅偌德、托尼· s ·潘、罗伯特· c ·派托斯奇、克莱润斯· τ ·泰 格林、大卫· Β ·塔克曼、查尔斯·威特莫、小劳威尔· L ·伍德和维克特里拉· Υ · Η ·伍德 作为发明人、于2012年11月1日提交的美国专利申请No. 13/666,759的优先权利益，该专 利申请目前共同待定或是让目前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。
[0009] 美国专利局（USPT0)发布效果公告告知，美国专利商标局的计算机程序要求专利 申请人:引用序列号并指明申请是否是母申请的继续申请、部分继续申请、或分案申请。斯蒂 芬*G·库宁，《先前提交的申请的益处》，《美国专利商标局官方公报》，2003年3月18日。本 申请人:实体（以下简称" 申请人:"）在上文特别提及了一个或多个申请，按法律规定要求该 一个或多个申请的优先权。 申请人:理解，法律在其具体的引用语言方面是清楚的，不需要序 列号，也不需要诸如"继续"或"部分继续"之类的任何特征来要求美国专利申请的优先权。 尽管有上述规定，但 申请人:理解，美国专利商标局的计算机程序有一定的数据输入要求，因 此， 申请人:已提供了在本申请与上文所述母申请之间的关系的指定，但明确指出，这样的指 定决不以任何方式解释为对本申请除了其母申请的内容外是否还包含任何新内容的任何 类型的评论和/或认可。


【发明内容】

[0010] 在一实施方式中，一种装置包括：阴极；阳极，其中所述阳极和阴极接受第一功率 源以产生高于阴极电势的阳极电势；栅极，其位于所述阳极和所述阴极之间，所述栅极接受 第二功率源以产生被选择来从所述阴极诱导第一成组的电子的电子发射的栅极电势，该第 一成组的电子具有高于第一阈值能量的能量；以及位于所述栅极与所述阳极之间的抑制 器，所述抑制器接受第三功率源，以产生被选择来从所述阳极诱导电子发射的抑制器电势。
[0011] 在另一实施方式中，一种装置包括：阴极，其具有空间上变化的斜面；阳极，其具 有与阴极的空间上变化的斜面互补的空间上变化的斜面，其中，所述阳极和阴极接受第一 功率源，以产生高于阴极电势的阳极电势；栅极，其位于所述阳极和阴极之间，所述栅极接 受第二功率源以产生被选择来从所述阴极诱导第一成组的电子的电子发射的栅极电势；以 及位于所述栅极与所述阳极之间的抑制器，所述抑制器接受第三功率源，以产生被选择来 从所述阳极诱导电子发射的抑制器电势。
[0012] 在另一实施方式中，一种装置包括：阴极；阳极，其中所述阳极和阴极接受第一功 率源以产生高于阴极电势的阳极电势，并且其中，所述阳极包括金属层和与该金属层接触 的含有负电子亲和性材料的层；以及栅极，其位于所述阳极和所述阴极之间，所述栅极接受 第二功率源以产生被选择来从所述阴极诱导第一成组的电子的电子发射的栅极电势，该第 一成组的电子具有高于第一阈值能量的能量。
[0013] 在另一实施方式中，一种装置包括：阴极；阳极，其中所述阳极和阴极接受第一功 率源以产生高于阴极电势的阳极电势，并且其中，所述阳极包括负电子亲和性材料；以及栅 极，其位于所述阳极和所述阴极之间，所述栅极接受第二功率源以产生被选择来从所述阴 极诱导第一成组的电子的电子发射的栅极电势，该第一成组的电子具有高于第一阈值能量 的能量。
[0014] 在另一实施方式中，一种装置包括：衬底；以及在该衬底上的图案。所述图案形 成：阴极；阳极，其中所述阳极和阴极接受第一功率源以产生高于阴极电势的阳极电势；栅 极，其接受第二功率源以产生被选择来从所述阴极诱导第一成组的电子的电子发射的栅极 电势，该第一成组的电子具有高于第一阈值能量的能量；以及抑制器，其接受第三功率源， 以产生被选择来从所述阳极诱导电子发射的抑制器电势。
[0015] 在另一实施方式中，一种装置包括：具有第一图案的第一衬底；具有第二图案的 第二衬底。所述第一衬底和第二衬底被布置成使得所述第一和第二图案形成：阴极；阳极， 其中所述阳极和阴极接受第一功率源以产生高于阴极电势的阳极电势；栅极，其接受第二 功率源以产生被选择来从所述阴极诱导第一成组的电子的电子发射的栅极电势，该第一成 组的电子具有高于第一阈值能量的能量；以及抑制器，其接受第三功率源，以产生被选择来 从所述阳极诱导电子发射的抑制器电势。
[0016] 在另一实施方式中，一种装置包括：阴极；阳极，其中所述阳极和阴极接受第一功 率源以产生高于阴极电势的阳极电势；以及定位成邻近所述阳极的抑制器，所述抑制器接 受第三功率源，以产生被选择来从所述阳极诱导电子发射以及从所述阴极诱导电子发射的 抑制器电势，并且被配置为产生从所述阴极到所述阳极的净电子流。
[0017] 在另一实施方式中，一种方法包括：施加第一电势以选择性地释放第一区域中的 束缚态的第一成组的电子；施加第二电势以选择性地将不同于所述第一区域的第二区域中 的束缚态的第二成组的电子发射释放，所述第二区域具有大于所述第一区域的阴极电势的 阳极电势；以及将所述第一成组的电子的一部分输送通过充气区且将第一成组的电子的所 通过部分约束在所述第二区域。
[0018] 在另一实施方式中，一种装置包括：阴极；阳极，其中所述阳极和阴极接受第一功 率源以产生高于阴极电势的阳极电势；栅极，其接受第二功率源以产生被选择来从所述阴 极诱导第一成组的电子的电子发射的栅极电势，该第一成组的电子具有高于第一阈值能量 的能量；以及抑制器，所述抑制器接受第三功率源，以产生被选择来从所述阳极诱导电子发 射的抑制器电势。
[0019] 前面所述是概要，因此，可能包含对细节的简化、概括、包含和/或省略；因此，本 领域的技术人员应理解，本概述仅仅是说明性的，并无意于以任何方式进行限制。本文说明 的装置和/或过程和/或其他主题的其它方面、特征以及优点在本文所阐述的教义下将是 显而易见的。

【专利附图】

【附图说明】
[0020] 图1是一种包括阴极、栅极、抑制器和阳极的装置的示意图。
[0021] 图2是对应于图1的装置的实施方式的能级的示意图。
[0022] 图3是一种包括阴极、栅极、抑制器、阳极和屏栅的装置的示意图。
[0023] 图4是一种包括阴极、栅极、抑制器、阳极和电路的装置的示意图。
[0024] 图5-6是说明方法的流程图。
[0025] 图7-8是热机的热力学效率与功率的关系的图。
[0026] 图9是一种包括薄膜的场发射装置的一部分的示意图。
[0027] 图10是一种具有形成大致为互锁结构的阴极和阳极的场发射装置的示意图。
[0028] 图11是一种具有大致为管状的阴极和阳极的场发射装置的示意图。
[0029] 图12是一种其中所述阳极包括薄涂层的场发射装置的示意图。
[0030] 图13是一种在第一衬底上制有栅极和抑制器、在第二衬底上制有阴极和阳极的 场发射装置的示意图。
[0031] 图14是一种具有阴极、阳极和栅极/抑制器的场发射装置的示意图。
[0032] 图15是对应于图14的原理图的电势的示意图。
[0033] 图16是一种背栅（back-gated)场发射装置的示意图。
[0034] 图17是在场发射装置上入射的电磁能量的示意图。
[0035] 在不同的附图中使用相同的符号通常表示是相似项或相同项。

【具体实施方式】
[0036] 在下面的详细说明中，参照了附图，附图形成了其一部分。在附图中，除非上下文 另有规定，否则相似的符号通常表示相似的部件。在详细说明、附图和权利要求中说明的说 明性的实施方式并不意味着是限制性的。可以使用其它的实施方式以及可以进行其它变化 而不偏离在这里提出的本主题的精神或范围。
[0037] 在一个实施方式中，如图1所示，装置100包括阴极102、布置为与阴极102大致 平行的阳极108,其中阳极108和阴极102容易接受第一功率源110,以产生比阴极电势高 的阳极电势202。在此讨论中，惯例是一般参考相对于阴极电势的值的电势，在这样的情况 下，阴极电势的值可以视为零。对于对应于热机的图1的实施方式，对应于图1的装置的阳 极电势202和其它电势示于图2。该装置100还包括设置在所述阳极108和所述阴极102 之间的栅极104,所述栅极104容易接受第二功率源112,以产生栅极电势204,其中，所述 栅极电势204被选择为从阴极102诱导具有高于第一阈值能量208的能量的第一成组的电 子206的电子发射。装置100还包括设置于栅极104和阳极108之间的抑制器106,抑制器 106容易接受第三功率源114,以产生被选择用来阻止来自阳极108的具有低于第二阈值能 量209的能量的第二成组的电子207的电子发射而让所述第一成组的电子206的至少一部 分通过的抑制器电势210。在该实施方式中，阳极108被置为接收所述第一成组的电子206 的所通过部分。在一些实施方式中，阳极输出124可以被电连接，以便为装置提供功率。 [0038] 虽然在传统上阴极被认为是电子发射器，而阳极被认为是电子接收器，但在这里 所介绍的实施方式中，阴极和阳极两者一般都发射和接收电子。在本文所说明的实施方式 中的净电流和热流可以由阴极102和阳极108的温度、阳极电势202和栅极与抑制器的电 势204、210来确定。在本文所说明的一些实施方式中，诸如在将热量从较高温度转移到较 低温度的生电热机中，净电子流和热流是从阴极102移动到阳极108,而在本文所说明的其 它实施方式中，诸如在将热量从较低温度转移到较高温度的耗电热机中，净电子流和热流 是从阳极108移动到阴极102。另外，在本文所说明的实施方式中，阴极102和阳极108都 是电子发射器，阴极102和/或阳极108中的一个或两个可包括场发射增强特征103。
[0039] 图1示出了具有场发射增强特征103的阴极102,但是，在一些实施方式中，阴极可 以是基本平坦的，并且可以不包括场发射增强特征103。在包括一个或多个场发射增强特征 103的一些实施方式中，场发射增强特征103可以包括几何尖端和/或碳纳米管。
[0040] 装置100包括让第一成组的电子206的至少第一部分穿过的、含有气体的至少一 个区域。通常，在阴极102和阳极108之间的区域是让第一成组的电子206的至少第一部 分穿过的、充气的区域（或间隔区）。气体可以由至少一种原子或分子物质、部分电离的等 离子体、完全电离的等离子体、或者它们的混合物组成。气体组分和密度可以被选择为有利 于使电子通过。气体密度可低于大气密度，并且可以足够低，以得到有效的真空度。在一些 实施方式中，这个区域可以是空气或其等同物，其中该区域的压力可以调整或不可以调整。
[0041] 对于与热机对应的图1的一个实施方式，作为沿X方向126的与装置100的阴极 相隔的距离的函数的、所得到的电势215示于图2中。电势215不考虑由于在阴极和阳极 之间所发射的电子而导致的空间电荷电势。它也不考虑由于平板（即，阴极和阳极）的镜 像电荷效应（image charge effects)而导致的镜像电荷的电势。在阴极和阳极之间的电 子所承受的净电势216是作用于电子的、包括空间电荷电势和镜像电荷电势的所有电势的 函数。此外，在这里针对负电荷电子而不是富兰克林-传统正检测电荷定义诸如图2所示 的电势，以使得电子在从高电势移动到低电势时获得动能。
[0042] 应当理解的是，在上面的说明中以及在说明书的其余部分，电子服从量子力学的 规律，因此，给定诸如是在阴极和栅极之间形成的势垒，（即电势216的在阴极和栅极之间 的部分），在势垒的底部和顶部之间的、具有能量的电子有隧穿势垒的一些可能性。例如，具 有高于阈值能量208的能量的一些电子不会从阴极102发射。进一步地，对于从阴极发射 的第一成组的电子206,基于其能量和抑制器电势210,它们将有隧穿在抑制器和阳极之间 形成的势垒（即，电势216的在抑制器和阳极之间的部分）的一些可能性。
[0043] 虽然在图1中所示的第一、第二和第三功率源110、112和114是不同的，但在某些 实施方式中，功率源110、112和114可以被包含在相同的单元中。有很多不同的方式可以 将功率源110、112和114相对于元件102、104、106和108进行配置，本领域的技术人员可 以根据应用来确定配置。
[0044] 在图2中还示出，在电势215、216的曲线图中的左右两侧是用于在阴极102和阳 极108的电子的、费米-狄拉克分布F(E，T)的图。
[0045] 在左侧是对应于阴极的、作为电子能量E。(221)的函数的费米-狄拉克分布图 F。?。，！；）（222)。还示出的是阴极的费米能μ。(214)和阴极功函数

【权利要求】
1. 一种装置，其包括： 阴极； 阳极，其中所述阳极和阴极接受第一功率源以产生高于阴极电势的阳极电势； 栅极，其位于所述阳极和所述阴极之间，所述栅极接受第二功率源以产生被选择来从 所述阴极诱导第一成组的电子的电子发射的栅极电势，该第一成组的电子具有高于第一阈 值能量的能量；和 位于所述栅极与所述阳极之间的抑制器，所述抑制器接受第三功率源，以产生被选择 来从所述阳极诱导电子发射的抑制器电势。
2. 根据权利要求1所述的装置，其中所述栅极和所述抑制器中的至少一个包括薄膜， 所述薄膜包括以下材料中的至少一种：金属和石墨烯。
3. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极和所述阳极中的至少一个包括以下材料 中的至少一种：钨、钍钨、氧化物涂覆的金属、硼化物、钥、钽和铪。
4. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极和所述阳极中的至少一个包括类金刚石 碳。
5. 根据权利要求4所述的装置，其中所述类金刚石碳至少部分地形成所述阴极和所述 阳极中的至少一个上的涂层。
6. 根据权利要求4所述的装置，其中所述类金刚石碳包含氮。
7. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极和所述阳极中的至少一个包括场发射增 强特征，并且其中，所述场发射增强特征包括钥。
8. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极和所述阳极中的至少一个包括场发射增 强特征，并且其中，所述场发射增强特征至少部分地涂覆有类金刚石碳。
9. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极和所述阳极中的至少一个包括金刚石。
10. 根据权利要求9所述的装置，其中所述金刚石掺杂有氢。
11. 根据权利要求9所述的装置，其中所述金刚石是粒状的，且其中所述粒状的金刚石 的晶粒至少部分地形成所述阴极和所述阳极中的至少一个上的场发射增强特征。
12. 根据权利要求9所述的装置，其中所述金刚石包括纳米晶金刚石。
13. 根据权利要求9所述的装置，其中所述金刚石包括η-型掺杂金刚石。
14. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极和所述阳极中的至少一个包括碳纳米 管阵列。
15. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极和所述阳极中的至少一个包括碳纳米 芽。
16. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极和所述阳极中的至少一个包括半导体。
17. 根据权利要求16所述的装置，其中所述半导体包括硅。
18. 根据权利要求16所述的装置，其中所述半导体包括掺杂剂。
19. 根据权利要求18所述的装置，其中所述掺杂剂被选择以产生负电子亲和性材料。
20. 根据权利要求16所述的装置，其中所述半导体被涂覆。
21. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极包括掺杂半导体，以及其中对于所选定 的能量，所述阴极的状态密度比所述阳极的状态密度高。
22. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阳极包括掺杂半导体，以及其中对于所选定 的能量，所述阳极的状态密度比所述阴极的状态密度低。
23. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极和所述阳极中的至少一个包括场发射 增强特征，并且其中，所述场发射增强特征包括硅。
24. 根据权利要求1所述的装置，其还包括： 设置在所述阴极和所述栅极之间的材料，所述材料至少部分地支撑所述栅极。
25. 根据权利要求24所述的装置，其中所述材料包括以下材料中的至少一种：金刚石、 氧化娃、氮化娃、氧化铪、氧化钛、氧化钽、氧化锫、氧化错和氮化硼。
26. 根据权利要求24所述的装置，其中所述栅极包括沉积在所述材料上的至少一个薄 膜。
27. 根据权利要求1所述的装置，还包括： 位于所述阳极和所述抑制器之间的材料，所述材料至少部分地支撑所述抑制器。
28. 根据权利要求27所述的装置，其中所述材料包括以下材料中的至少一种：金刚石、 氧化娃、氮化娃、氧化铪、氧化钛、氧化钽、氧化锫、氧化错和氮化硼。
29. 根据权利要求27所述的装置，其中所述抑制器包括沉积在所述材料上的至少一个 薄膜。
30. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极和所述阳极基本上是管状的，并且其 中，所述阳极的至少一部分基本上由所述阴极的至少一部分包围。
31. 根据权利要求30所述的装置，其还包括被配置为支撑靠近所述阳极的冷却剂流的 结构。
32. 根据权利要求31所述的装置，其中所述结构至少部分地由所述阳极限定。
33. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极和所述阳极基本上是管状的，并且其 中，所述阴极的至少一部分基本上由所述阳极的至少一部分包围。
34. 根据权利要求33所述的装置，其还包括被配置为支撑靠近所述阴极的经加热的材 料流的结构。
35. 根据权利要求34所述的装置，其中所述结构至少部分地由所述阴极限定。
36. 根据权利要求1所述的装置，其中所述栅极和所述抑制器中的至少一个至少部分 地涂覆有绝缘体。
37. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极、阳极、栅极和抑制器中的至少两个是 基本上一维的、共面的、并且由衬底支撑。
38. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极和所述阳极包括衬底上的图案化材料。
39. 根据权利要求38所述的装置，其中所述材料包括金属。
40. 根据权利要求38所述的装置，其中所述衬底是基本上二维的，其具有第一侧和第 二侧，并且其中所述图案化材料是在所述第一侧上，并且其中所述栅极和所述抑制器中的 至少一个被靠近所述第二侧布置。
41. 根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极具有空间上变化的斜面，并且其中所述 阳极具有互补的空间上变化的斜面。
42. 根据权利要求41所述的装置，其中所述阴极的空间上变化的斜面和所述阳极的空 间上变化的斜面形成互锁梳。
43. 根据权利要求1所述的装置，还包括被定向成将电磁能提供至所述阴极的电磁能 源。
44. 根据权利要求43所述的装置，所述电磁能源被配置成产生具有根据所述阴极的材 料成分选择的频率范围的电磁能。
45. 根据权利要求1所述的装置，所述栅极被电连接至所述抑制器。
46. -种装置，包括： 具有在空间上变化的斜面的阴极； 阳极，其具有与所述阴极的空间上变化的斜面互补的在空间上变化的斜面，其中所述 阳极和阴极接受第一功率源以产生高于阴极电势的阳极电势； 栅极，其位于所述阳极和所述阴极之间，所述栅极接受第二功率源以产生被选择来从 所述阴极诱导第一成组的电子的电子发射的栅极电势；和 位于所述栅极与所述阳极之间的抑制器，所述抑制器接受第三功率源，以产生被选择 来从所述阳极诱导电子发射的抑制器电势。
47. -种装置，其包括： 阴极； 阳极，其中所述阳极和阴极接受第一功率源以产生高于阴极电势的阳极电势，且其中 所述阳极包括金属层以及与该金属层接触的含有负电子亲和性材料的层；以及 栅极，其位于所述阳极和所述阴极之间，所述栅极接受第二功率源以产生被选择来从 所述阴极诱导第一成组的电子的电子发射的栅极电势，该第一成组的电子具有高于第一阈 值能量的能量。
【文档编号】H01J1/02GK104160467SQ201280070924
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2012年12月27日 优先权日:2011年12月29日
【发明者】杰西·R·奇塔姆三世, 菲利普·安德鲁·埃克霍夫, 威廉·盖茨, 罗德里克·A·海德, 穆里尔·Y·伊什卡娃, 乔丁·T·卡勒, 内森·P·梅尔沃德, 托尼·S·潘, 罗伯特·C·皮特洛斯基, 克拉伦斯·T·特格雷尼, 大卫·B·塔克曼, 查尔斯·惠特默, 洛厄尔·L·小伍德, 维多利亚·Y·H·伍德 申请人:埃尔瓦有限公司