交流电直接驱动的半导体发光系统的制作方法
【专利摘要】本实用新型的交流电驱动的半导体发光系统，包括：至少两个半导体发光单元，至少一个移相器；半导体发光单元分别与移相器连接，使得通过不同的半导体发光单元的交流电的相位不同，因此，不同的半导体发光单元发出的光叠加后，光的总亮度的振荡的频率增加，而振荡的振幅减小，使得频闪对人眼的影响降低。其中，半导体发光单元是从一组半导体发光单元中选出，该组半导体发光单元包括：LED发光单元，OLED发光单元，LED和OLED混合的发光单元。
【专利说明】交流电直接驱动的半导体发光系统
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及应用于照明的交流电直接驱动的半导体发光系统，包括：移相器和发光单元；发光单元包括，LED发光单元，OLED发光单元，LED和OLED混合的发光单元。
【背景技术】
[0002]快速降低照明灯具成本的方法之一是采用交流电直接驱动，但是，会面临频闪的问题。
[0003]需要一种能减轻频闪问题的采用交流电直接驱动的半导体发光系统。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的是提供一种能解决频闪问题的采用交流电直接驱动的半导体发光系统。减轻频闪问题的方案包括两个方面：一方面，加大频闪的频率；另一方面，减小売度振荡的振幅。
[0005]本实用新型的交流电驱动的半导体发光系统，包括：至少两个交流电驱动的半导体发光单元，至少一个移相器；交流电驱动的半导体发光单元分别与移相器连接，使得通过不同的交流电驱动的半导体发光单元的交流电的相位不同，因此，不同的交流电驱动的半导体发光单元发出的光叠加后，光的总亮度的振荡的频率增加，而振荡的振幅减小，使得频闪对人眼的影响降低。
[0006]交流电驱动的半导体发光单元是从一组半导体发光单元中选出，该组半导体发光单元包括：交流电驱动的LED发光单元，交流电驱动的OLED发光单元，交流电驱动的LED和OLED混合的发光单元。其中 ，交流电驱动的LED和OLED混合的发光单元中的LED包括交流电驱动的LED芯片，交流电驱动的LED封装和交流电驱动的LED模组；交流电驱动的LED和OLED混合的发光单元中的OLED包括交流电驱动的OLED芯片，交流电驱动的OLED封装和交流电驱动的OLED模组。
[0007]交流电驱动的LED发光单元是从一组交流电驱动的LED发光单元中选出，该组交流电驱动的LED发光单元包括：
[0008](I)具有至少一个交流电驱动的LED芯片的半导体发光单元；
[0009](2)具有至少两个直流电驱动的LED芯片的半导体发光单元，其中，直流电驱动的LED芯片分为两组，每组中的直流电驱动的LED芯片互相串联，两组串联的直流电驱动的LED芯片再反向并联，使得可以直接采用交流电驱动半导体发光单元；
[0010](3)具有多个直流电驱动的LED芯片的半导体发光单元，其中，直流电驱动的LED芯片形成桥式连接，使得可以直接采用交流电驱动半导体发光单元；
[0011]在上述（I)、（2)、(3)的实施实例中，交流电驱动的半导体发光单元是在芯片水平，移相器与半导体发光单元在芯片水平连接；
[0012](4)具有至少一个交流电驱动的LED封装的半导体发光单元，其中，交流电驱动的LED封装包括交流电驱动的单芯片封装或交流电驱动的多芯片的集成封装；[0013](5)具有至少两个直流电驱动的LED封装的半导体发光单元，其中，直流电驱动的LED封装分为两组，每组中的直流电驱动的LED封装互相串联，两组串联的直流电驱动的LED封装反向并联，使得可以直接采用交流电驱动半导体发光单元，其中，直流电驱动的LED封装包括直流电驱动的单芯片封装或直流电驱动的多芯片的集成封装；
[0014](6)具有多个直流电驱动的LED封装的半导体发光单元，其中，直流电驱动的LED封装形成桥式连接，使得可以直接采用交流电驱动半导体发光单元，其中，直流电驱动的LED封装包括直流电驱动的单芯片封装或直流电驱动的多芯片的集成封装；
[0015]在上述 （4)、（5)、(6)的实施实例中，半导体发光单元是在封装水平，移相器与半导体发光单元在封装水平连接；一个集成封装包括多个LED芯片；
[0016](7)具有至少一个交流电驱动的LED模组的半导体发光单元，其中，交流电驱动的LED模组包括多个交流电驱动的单芯片封装或多个交流电驱动的多芯片的集成封装；
[0017](8)具有至少两个直流电驱动的LED模组的半导体发光单元，其中，直流电驱动的LED模组分为两组，每组中的直流电驱动的LED模组互相串联，两组串联的直流电驱动的LED模组反向并联，使得可以直接采用交流电驱动半导体发光单元，其中，直流电驱动的LED模组包括多个直流电驱动的单芯片封装或多个直流电驱动的多芯片的集成封装；
[0018](9)具有多个直流电驱动的LED模组的半导体发光单元，其中，直流电驱动的LED模组形成桥式连接，使得可以直接采用交流电驱动半导体发光单元，其中，直流电驱动的LED模组包括多个直流电驱动的单芯片封装或多个直流电驱动的多芯片的集成封装；
[0019]在上述（7)、（8)、(9)的实施实例中，半导体发光单元是在模组水平，移相器与半导体发光单元在模组水平连接；一个模组包括多个单芯片的封装和/或多个集成封装。
[0020]交流电驱动的OLED发光单元是从一组OLED发光单元中选出，该组交流电驱动的OLED发光单元包括：
[0021](I)具有至少一个交流电驱动的OLED芯片的OLED发光单元；
[0022](2)具有至少两个直流电驱动的OLED芯片的OLED发光单元，其中，直流电驱动的OLED芯片分为两组，每组中的直流电驱动的OLED芯片互相串联，两组串联的直流电驱动的OLED芯片反向并联，使得可以直接采用交流电驱动OLED发光单元；
[0023](3)具有多个直流电驱动的OLED芯片的OLED发光单元，其中，直流电驱动的OLED芯片形成桥式连接，使得可以直接采用交流电驱动OLED发光单元；
[0024](4)具有至少一个交流电驱动的OLED封装的OLED发光单元，其中，交流电驱动的OLED封装包括交流电驱动的单芯片封装或交流电驱动的多芯片的集成封装；
[0025](5)具有至少两个直流电驱动的OLED封装的OLED发光单元，其中，直流电驱动的OLED封装分为两组，每组中的直流电驱动的OLED封装互相串联，两组串联的直流电驱动的OLED封装反向并联，使得可以直接采用交流电驱动OLED发光单元，其中，直流电驱动的OLED封装包括直流电驱动的单芯片封装或直流电驱动的多芯片的集成封装；
[0026](6)具有多个直流电驱动的OLED封装的OLED发光单元，其中，直流电驱动的OLED封装形成桥式连接，使得可以直接采用交流电驱动OLED发光单元，其中，直流电驱动的OLED封装包括直流电驱动的单芯片封装或直流电驱动的多芯片的集成封装；
[0027](7)具有至少一个交流电驱动的OLED模组的OLED发光单元，其中，交流电驱动的OLED模组包括多个交流电驱动的单芯片封装或多个交流电驱动的多芯片的集成封装；[0028](8)具有至少两个直流电驱动的OLED模组的OLED发光单元，其中，直流电驱动的OLED模组分为两组，每组中的直流电驱动的OLED模组互相串联，两组串联的直流电驱动的OLED模组反向并联，使得可以直接采用交流电驱动OLED发光单元，其中，直流电驱动的OLED模组包括多个直流电驱动的单芯片封装或多个直流电驱动的多芯片的集成封装；
[0029](9)具有多个直流电驱动的OLED模组的OLED发光单元，其中，直流电驱动的OLED模组形成桥式连接，使得可以直接采用交流电驱动OLED发光单元，其中，直流电驱动的OLED模组包括多个直流电驱动的单芯片封装或多个直流电驱动的多芯片的集成封装。
[0030]交流电驱动的LED和OLED混合的发光单元是从一组LED和OLED混合的发光单元中选出，该组LED和OLED混合的发光单元包括：
[0031](I) LED和OLED串联的混合的发光单元；⑵LED和OLED并联的混合的发光单元；
(3)LED和OLED组成桥式连接的混合的发光单元；(4) LED和OLED串联和并联相结合的混合的发光单元。
[0032]交流电驱动的LED和OLED混合的发光单元中的LED包括，交流电驱动的LED芯片，交流电驱动的LED封装和交流电驱动的LED模组；交流电驱动的LED和OLED混合的发光单元中的OLED包括，交流电驱动的OLED芯片，交流电驱动的OLED封装和交流电驱动的OLED模组；交流电驱动的LED和OLED混合的发光单元包括，交流电驱动的LED芯片、交流电驱动的LED封装和交流电驱动的LED模组中的至少一个与交流电驱动的OLED芯片、交流电驱动的OLED封装和交流电驱动的OLED模组中的至少一个。
[0033]不同的半导体发光单元的发光亮度可以相同，也可以不同。
[0034]移相器是从一组移相器中选出，该组移相器包括，被动移相器，主动移相器。被动移相器和主动移相器包括：阻容移相器，整流移相器，变压移相器，整流变压移相器，可调移相器，开关线移相器（不同的电支路有不同的电长度），电感移相器，等。阻容移相器中的电阻也可以是半导体发光单元。移相器是从一组移相器中选出，该组移相器包括，N位移相器，其中，N≤I。
[0035]不同的移相器产生不同的相移角度，选择不同的移相器，即，选择不同的电阻、电容、电感的参数，或选择不同的电支路的电长度，使得移相器产生的相移角度是从一组相移角度中选出，该组相移角度包括：90° ,80° ,72° ,60° ,48° ,45° ,40° ,36° ,30°，
24。,22. 5° ,20° ,18° ,16° ,15° ,12° ,10°，9。，8。，6。，等。
[0036]一个实施实例：半导体发光系统包括一个移相器，以及2个半导体发光单元，半导体发光单元分别与移相器的输入端和输出端相连接，使得通过不同的半导体发光单元的交流电的相位不相同，提高了频闪的频率和降低了频闪的振幅。优选的，通过第一个半导体发光单元与通过第二个半导体发光单元的交流电的相位差为90°。
[0037]—个实施实例：半导体发光系统包括至少两个移相器，以及至少3个半导体发光单元，3个半导体发光单元分别与2个移相器连接，使得通过不同的半导体发光单元的交流电的相位不同，提高了频闪的频率和降低了频闪`的振幅。优选的，通过第一个半导体发光单元的交流电的相位与通过第二个半导体发光单元的交流电的相位相差60°，通过第一个半导体发光单元的交流电的相位与通过第三个半导体发光单元的交流电的相位相差120°。
[0038]一个实施实例：半导体发光系统包括一个3位移相器，以及4个半导体发光单元，4个半导体发光单元分别与3位移相器连接，使得通过不同的半导体发光单元的交流电的相位不同，提高了频闪的频率和降低了频闪的振幅。优选的，通过第一个半导体发光单元的交流电的相位与通过第二个半导体发光单元的交流电的相位相差45°，通过第一个半导体发光单元的交流电的相位与通过第三个半导体发光单元的交流电的相位相差90°，通过第一个半导体发光单元的交流电的相位与通过第四个半导体发光单元的交流电的相位相差135。。
[0039]下述的定义适用于本实用新型的所有实施实例：
[0040]直流电驱动的芯片：只能采用直流电驱动的芯片；直流电驱动的芯片包括：直流电驱动的LED芯片和直流电驱动的OLED芯片。
[0041]交流电驱动的芯片：可以采用交流电直接驱动的芯片；交流电驱动的芯片包括：交流电驱动的LED芯片和交流电驱动的OLED芯片。
[0042]单芯片的封装：在一个封装支架中只封装一个芯片；芯片包括：交流电驱动的LED芯片，直流电驱动的LED芯片，交流电驱动的OLED芯片，直流电驱动的OLED芯片。
[0043]多芯片的集成封装：在一个封装支架中封装多个芯片；芯片包括：交流电驱动的LED芯片，直流电驱动的LED芯片，交流电驱动的OLED芯片，直流电驱动的OLED芯片。
[0044]复合半导体发光单元：包括多个半导体发光单元。
[0045]模组：模组包括：（I)由多个单芯片的封装组成的器件，（2)由多个多芯片的集成封装组成的器件；（3)由至少一个单芯片的封装和至少一个多芯片的封装组成的器件；模组包括：LED模组和OLED模组；LED模组包括多个LED单芯片的封装组成的器件，多个LED芯片的集成封装组成的器件，至少一个LED单芯片的封装和至少一个多个LED芯片的集成封装组成的器件；0LED模组包括多个OLED单芯片的封装组成的器件，多个OLED芯片的集成封装组成的器件，至少一个OLED单芯片的封装和至少一个多个OLED芯片的集成封装组成的器件。
[0046]移相器：使得输出的交流电的相位发生变化的器件，即，输出的交流电的相位与输入的交流电的相位不同。
【专利附图】
【附图说明】
[0047]图Ia展示在先的交流电驱动的半导体发光系统的实施实例的示意图。
[0048]图Ib展示图Ia的半导体发光系统的发光亮度周期性振荡的模拟图。
[0049]图2a展示本实用新型的交流电直接驱动的半导体发光系统的一个实施实例的示意图。
[0050]图2b展示图2a的半导体发光系统的发光亮度周期性振荡的模拟图。
[0051]图2c展示本实用新型的交流电直接驱动的半导体发光系统的一个实施实例的示意图。
[0052]图2d展示图2c的半导体发光系统的发光亮度周期性振荡的模拟图。
[0053]图3a展示本实用新型的交流电直接驱动的半导体发光系统的一个实施实例的示意图。
[0054]图3b展示图3a的半导体发光系统的发光亮度周期性振荡的模拟图。
[0055]图4a、图4b、图4c分别展示不同的复合半导体发光单元的实施实例的电路图。
[0056]图5a、图5b、图5c、图5d、图5e和图5f分别展示不同的无源移相器的实施实例的电路图。
[0057]图6展示有源移相器的一个实施实例的电路图。
[0058]图7a、图7b和图7c分别展示LED和OLED混合的发光单元的实施实例的电路图。
[0059]图中的数字符号代表的含义如下：
[0060]101、101a、101b、101c、IOld分别表示半导体发光单元；
[0061]lll、llla、lllb分别表示移相器；
[0062]120表示外界交流电源；
[0063]311表不移相器,3位移相器；
[0064]401a、401b、401c、401d、401e、401f 分别表示半导体发光单元。
[0065]511表不移相器；
[0066]501、501a、501b 分别表不电阻；
[0067]502,502a,502b 分别表示电容；
[0068]503表不电感；
[0069]520表不外界交流 电源；
[0070]601a、601b、601c、601d 分别表示电阻；
[0071]602a,602b分别表示电容；
[0072]610a、610b、610c分别表不半导体IC器件；
[0073]611表示可变电阻；
[0074]701表示LED发光单元；
[0075]702a,702b,702c 分别表示 OLED 发光单元。
【具体实施方式】
[0076]为使本实用新型的实施实例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型的实施实例中的附图，对本实用新型的实施实例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施实例是本实用新型的一部分实施实例，而不是全部的实施实例。基于本实用新型中的实施实例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施实例，都属于本实用新型保护的范围。
[0077]注意：在下面所有的实施实例中，半导体发光单元包括LED发光单元、OLED发光单元、LED和OLED混合的发光单元。
[0078]图Ia展示在先的交流电直接驱动的半导体发光系统的一个实施实例的示意图。外界交流电源120与半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlb串联，通过半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlb的交流电具有相同的相位，发光的亮度互相叠加，使得频闪比较明显。
[0079]图Ib展示图Ia的半导体发光系统的发光亮度周期性振荡的模拟图。一个实施实例：半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlb具有相同的随着电流强度变化的发光的亮度。
[0080]进行归一化处理，最大发光的亮度是1，最小发光的亮度是O。在没有移相器的情况下，半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlb的最大发光的亮度与最小发光的亮度的差别是I。半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlb的亮度的波峰的总和是单一个半导体发光单元的亮度的波峰的两倍。在720°相位内，叠加后的亮度振荡的频率为4次，共出现4次波峰和4次波谷。频闪明显。
[0081]注意：图Ib中展示的两个半导体发光单元IOla和IOlb具有相同的随着电流强度变化的发光的亮度。但是，不同的半导体发光单元可以有不同的发光的亮度。
[0082]图2a展示本实用新型的交流电直接驱动的半导体发光系统的一个实施实例的示意图。外界交流电源120与半导体发光单元IOla连接，半导体发光单元IOla与移相器111的输入端连接，移相器111的输出端与半导体发光单元IOlb连接。
[0083]图2b展示图2a的半导体发光系统的发光亮度周期性振荡的模拟图。一个实施实例：半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlb具有相同的随着电流强度变化的发光的亮度。移相器111是90°移相器。通过半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlb的交流电具有90°的相位差。
[0084]进行归一化处理,把半导体发光单兀IOla和半导体发光单兀IOlb发光的亮度互相叠加，最大发光的亮度与最小发光的亮度的差别是0. 21，而在没有移相器的情况下，半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlb的最大发光的亮度与最小发光的亮度的差别是I。
[0085]在720°相位内，半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlb的发光的亮度叠加后的变化的频率为8. 5次。
[0086]米用50赫兹的交流电,对于没有移相器的半导体发光单兀IOla和半导体发光单元IOlb的发光的亮度叠加后的变化的频率为100赫兹，对于分别与一个90°移相器相连的的半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlb的发光的亮度叠加后的变化的频率为212. 5赫兹。
[0087]因此，一方面，频 闪的频率变大，另一方面，频闪的振幅变小，因此，移相器使得频闪比较不明显，即，降低频闪对人眼的影响。
[0088]图2c展示本实用新型的交流电直接驱动的半导体发光系统的一个实施实例的示意图。外界交流电源120与半导体发光单元IOla连接，半导体发光单元IOla与移相器Illa的输入端连接，半导体发光单兀IOlb分别与移相器Illa的输出端和移相器Illb的输入端连接，半导体发光单元IOlc与移相器Illb的输出端连接。
[0089]图2d展示图2c的半导体发光系统的发光亮度周期性振荡的模拟图。一个实施实例：半导体发光单元101a、半导体发光单元101b、半导体发光单元IOlc具有相同的随着电流强度变化的发光的亮度。移相器Illa和移相器Illb是60°移相器。通过半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlb的交流电具有60°的相位差，通过半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlc的交流电具有120°的相位差。
[0090]进行归一化处理，把半导体发光单元101a、半导体发光单元IOlb和半导体发光单元IOlc发光的亮度互相叠加，最大发光的亮度与最小发光的亮度的差别是0. 09，而在没有移相器的情况下，半导体发光单元101a、半导体发光单元IOlb和半导体发光单元IOlc的最大发光的亮度与最小发光的亮度的差别是I。
[0091]在720°相位内，半导体发光单元101a、半导体发光单元IOlb和半导体发光单元IOlc的发光的亮度叠加后的变化的频率为12. 25次。而没有移相器的半导体发光单元101a、半导体发光单元IOlb和半导体发光单元IOlc的亮度叠加后的变化的频率为4次。。
[0092]米用50赫兹的交流电,对于没有移相器的半导体发光单兀101a、半导体发光单元IOlb和半导体发光单元IOlc的发光的亮度叠加后的变化的频率为100赫兹；对于分别与两个60°移相器相连的半导体发光单元101a、半导体发光单元IOlb和半导体发光单元IOlc的发光的亮度叠加后的变化的频率为312. 5赫兹。
[0093]因此，一方面，频闪的频率变大，另一方面，频闪的振幅变小，因此，移相器使得频闪比较不明显，即，降低频闪对人眼的影响。
[0094]图3a展示本实用新型的交流电直接驱动的半导体发光系统的一个实施实例的示意图。外界交流电源120与半导体发光单元IOla连接，半导体发光单元IOla与移相器311的输入端连接，移相器311有3个输出端,是3位移相器。移相器311的上述3个输出端分别与半导体发光单元101b、半导体发光单元IOlc和半导体发光单元IOld连接。
[0095]图3b展示图3a的半导体发光系统的发光亮度周期性振荡的模拟图。一个实施实例：半导体发光单元101a、半导体发光单元101b、半导体发光单元IOlc具有相同的随着电流强度变化的发光的亮度。3位移相器311有3个输出端：一个是45°相位差，一个是90°相位差，一个是135°相位差。通过半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlb的交流电具有45°的相位差，通过半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOlc的交流电具有90°的相位差，通过半导体发光单元IOla和半导体发光单元IOld的交流电具有135°的相位差。
[0096]进行归一化处理,没有移相器的半导体发光单兀101a、半导体发光单兀101b、半导体发光单元IOlc和半导体发光单元IOld的最大发光的亮度与最小发光的亮度的差别是
I。而与3位移相器311分别相连接的半导体发光单兀10la、半导体发光单兀10lb、半导体发光单元IOlc和半导体发光单元IOld的发光的亮度互相叠加，最大发光的亮度与最小发光的亮度的差别是0.05，即亮度振幅降低到只有没有移相器时的振幅的5%。
[0097]在720°相位内，与3位移相器311分别相连接的半导体发光单元101a、半导体发光单元101b、半导体发光单元IOlc和半导体发光单元IOld的发光的亮度叠加后的变化的频率为16次。而没有移相器的半导体发光单元101a、半导体发光单元101b、半导体发光单元IOlc和半导体发光单元IOld的亮度叠加后的变化的频率为4次。
[0098]米用50赫兹的交流电,对于没有移相器的半导体发光单兀101a、半导体发光单兀101b、半导体发光单元IOlc和半导体发光单元IOld的发光的亮度叠加后的变化的频率为100赫兹；对于分别与3位移相器相连的半导体发光单元101a、半导体发光单元101b、半导体发光单元IOlC和半导体发光单元IOld的发光的亮度叠加后的变化的频率为400赫兹。
[0099]因此，一方面，频闪的频率变大，另一方面，频闪的振幅变小，因此，移相器使得频闪比较不明显，即，降低频闪对人眼的影响。
[0100]图4a展示复合半导体发光单元的一个实施实例的电路图。复合半导体发光单元包括，直流电驱动的半导体发光单元401a和401b反向并联，使得复合半导体发光单元可以采用交流电直接驱动。
[0101]图4b展示复合半导体发光单元的一个实施实例的电路图。复合半导体发光单元包括，直流电驱动的半导体发光单元40Ia和40Ib串联组成第一组串联，直流电驱动的半导体发光单元401c和401d串联组成第二组串联，第一组串联和第二组串联反向并联，使得复合半导体发光单元可以采用交流电直接驱动。
[0102]注意：第一组串联和第二组串联中可以包括多个半导体发光单元。[0103]图4c展示复合半导体发光单元的一个实施实例的电路图。复合半导体发光单元包括，直流电驱动的半导体发光单元401a、401b、401c、401d、401e和401f组成桥式电路，使得复合半导体发光单元可以采用交流电直接驱动。
[0104]注意：半导体发光单元401b和401c之间可以包括多个半导体发光单元。
[0105]—个实施实例：半导体发光单兀401b和401c是OLED发光单兀,半导体发光单兀401a、401d、401e 和 401f 是 LED 发光单元。
[0106]图5a展示无源移相器的一个实施实例的电路图。无源移相器511包括电阻501和电容502。交流电源520与无源移相器511输入端连接,输入电压Vi,移相器的输出电压Vo。
[0107]图5b展示无源移相器的一个实施实例的电路图。其电路图与图5a展示的移相器的结构相同，但是，电阻501是一个半导体发光单元。
[0108]图5c展不无源移相器的一个实施实例的电路图。无源移相器511包括电感503和电容502，移相器的输入电压Vi，移相器的输出电压Vo。交流电源520与无源移相器511输入端连接。
[0109]图5d展不无源移相器的一个实施实例的电路图。无源移相器511包括电感503和电阻501，移相器的输入电压Vi，移相器的输出电压Vo。交流电源520与无源移相器511输入端连接。
[0110]图5e展示无源移相器的一个实施实例的电路图。无源移相器511包括电阻501和电容502，移相器的输入电压Vi，移相器的输出电压Vo。交流电源520与无源移相器511输入端连接。
[0111]图5f展示无源移相器的一个实施实例的电路图。无源移相器511包括互相连接的电阻501a和501b以及电容502a和502b，形成X型无源移相器。交流电源520与无源移相器511输入端连接,输入电压Vi与移相器的输出电压Vo大小相等。对于一个固定的电容值，当电阻从0到⑴变化时，输出电压Vo的相位从0到-180°变化。
[0112]图6展不有源移相器的一个实施实例的电路图。电阻601a、电阻601b、电阻601c、电阻601d、可变电阻611、电容601a、电容601b、半导体IC器件610a、半导体IC器件610b和半导体IC器件610c相互连接如图6所示。电阻601b、电阻601d和电容602a接地。
[0113]图7a展示LED和OLED混合的发光单元的一个实施实例的电路图。半导体发光单元是由LED发光单元701和OLED发光单元702组成。LED发光单元701和OLED发光单元702串联。
[0114]图7b展示LED和OLED混合的发光单元的一个实施实例的电路图。半导体发光单元是由LED发光单元701和OLED发光单元702组成。LED发光单元701和OLED发光单元702并联。
[0115]图7c展示LED和OLED混合的发光单元的一个实施实例的电路图。半导体发光单元是由LED发光单元701和OLED发光单元702a串联，OLED发光单元702b和OLED发光单元702c串联，两串串联的发光单元并联。
[0116]注意：LED发光单元和OLED发光单元的连接方式可以是桥式连接。
[0117]最后应说明的是：以上实施实例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施实例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当6fcsic##ífc,
【权利要求】
1.一种交流电驱动的半导体发光系统,包括： 至少两个交流电驱动的半导体发光单元，至少一个移相器；所述的交流电驱动的半导体发光单元分别与所述的移相器连接，使得通过不同的所述的交流电驱动的半导体发光单元的交流电的相位不同。
2.根据权利要求1的交流电驱动的半导体发光系统，其特征在于，所述的交流电驱动的半导体发光单元是从一组半导体发光单元中选出，该组半导体发光单元包括：交流电驱动的LED发光单元，交流电驱动的OLED发光单元，交流电驱动的LED和OLED混合的发光单元；其中，所述的交流电驱动的LED和OLED混合的发光单元中的LED包括，交流电驱动的LED芯片，交流电驱动的LED封装和交流电驱动的LED模组；所述的交流电驱动的LED和OLED混合的发光单元中的OLED包括，交流电驱动的OLED芯片，交流电驱动的OLED封装和交流电驱动的OLED模组；所述的交流电驱动的LED和OLED混合的发光单元包括，所述的交流电驱动的LED芯片、所述的交流电驱动的LED封装和所述的交流电驱动的LED模组中的至少一个与所述的交流电驱动的OLED芯片、所述的交流电驱动的OLED封装和所述的交流电驱动的OLED模组中的至少一个的混合。
3.根据权利要求2的交流电驱动的半导体发光系统，其特征在于，所述的交流电驱动的LED发光单元是从一组LED发光单元中选出，该组LED发光单元包括：（I)具有至少一个交流电驱动的LED芯片的LED发光单元；(2)具有至少两个直流电驱动的LED芯片的LED发光单元，其中，所述的直流电驱动的LED芯片分为两组，每组中的所述的直流电驱动的LED芯片互相串联，两组串联的直流电驱动的LED芯片反向并联，使得可以直接采用交流电驱动所述的LED发光单元；（3)具有多个直流电驱动的LED芯片的LED发光单元，其中，所述的直流电驱动的LED芯片形成桥式连接，使得可以直接采用交流电驱动所述的LED发光单元；(4)具有至少一个交流电驱动的LED封装的LED发光单元，其中，所述的交流电驱动的LED封装包括交流电驱动的单芯片封装或交流电驱动的多芯片的集成封装；（5)具有至少两个直流电驱动的LED封装的LED发光单元，其中，所述的直流电驱动的LED封装分为两组，每组中的所述的直流电驱动的LED封装互相串联，两组串联的直流电驱动的LED封装反向并联，使得可以直接采用交流电驱动所述的LED发光单元，其中，所述的直流电驱动的LED封装包括直流电驱动的单芯片封装或直流电驱动的多芯片的集成封装；(6)具有多个直流电驱动的LED封装的LED发光单元，其中，所述的直流电驱动的LED封装形成桥式连接，使得可以直接采用交流电驱动所述的LED发光单元，其中，所述的直流电驱动的LED封装包括直流电驱动的单芯片封装或直流电驱动的多芯片的集成封装；（7)具有至少一个交流电驱动的LED模组的LED发光单元，其中，所述的交流电驱动的LED模组包括多个交流电驱动的单芯片封装或多个交流电驱动的多芯片的集成封装；(8)具有至少两个直流电驱动的LED模组的LED发光单元，其中，所述的直流电驱动的LED模组分为两组，每组中的所述的直流电驱动的LED模组互相串联，两组串联的直流电驱动的LED模组反向并联，使得可以直接采用交流电驱动所述的LED发光单元，其中，所述的直流电驱动的LED模组包括多个直流电驱动的单芯片封装或多个直流电驱动的 多芯片的集成封装；(9)具有多个直流电驱动的LED模组的LED发光单元，其中，所述的直流电驱动的LED模组形成桥式连接，使得可以直接采用交流电驱动所述的LED发光单元，其中，所述的直流电驱动的LED模组包括多个直流电驱动的单芯片封装或多个直流电驱动的多芯片的集成封装；所述的OLED发光单元是从一组OLED发光单元中选出，该组OLED发光单元包括：（1)具有至少一个交流电驱动的OLED芯片的OLED发光单元；(2)具有至少两个直流电驱动的OLED芯片的OLED发光单元，其中，所述的直流电驱动的OLED芯片分为两组，每组中的所述的直流电驱动的OLED芯片互相串联，两组串联的直流电驱动的OLED芯片反向并联，使得可以直接采用交流电驱动所述的OLED发光单元；(3)具有多个直流OLED芯片的OLED发光单元，其中，所述的多个直流电驱动的OLED芯片形成桥式连接，使得可以直接采用交流电驱动所述的OLED发光单元；(4)具有至少一个交流电驱动的0LED封装的0LED发光单元，其中，所述的交流电驱动的OLED封装包括交流电驱动的单芯片封装或交流电驱动的多芯片的集成封装；（5)具有至少两个直流电驱动的OLED封装的OLED发光单元，其中，所述的直流电驱动的OLED封装分为两组，每组中的所述的直流电驱动的OLED封装互相串联，两组串联的直流电驱动的OLED封装反向并联，使得可以直接采用交流电驱动所述的OLED发光单元，其中，所述的直流电驱动的OLED封装包括直流电驱动的单芯片封装或直流电驱动的多芯片的集成封装；（6)具有多个直流电驱动的OLED封装的OLED发光单元，其中，所述的直流电驱动的OLED封装形成桥式连接，使得可以直接采用交流电驱动所述的OLED发光单元，其中，所述的直流电驱动的OLED封装包括直流电驱动的单芯片封装或直流电驱动的多芯片的集成封装；（7)具有至少一个交流电驱动的OLED模组的OLED发光单元，其中，所述的交流电驱动的OLED模组包括多个交流电驱动的单芯片封装或多个交流电驱动的多芯片的集成封装；(8)具有至少两个直流电驱动的OLED模组的OLED发光单元 ，其中，所述的直流电驱动的OLED模组分为两组，每组中的所述的直流电驱动的OLED模组互相串联，两组串联的直流电驱动的OLED模组反向并联，使得可以直接采用交流电驱动所述的OLED发光单元，其中，所述的直流电驱动的OLED模组包括多个直流电驱动的单芯片封装或多个直流电驱动的多芯片的集成封装；(9)具有多个直流电驱动的OLED模组的OLED发光单元，其中，所述的直流电驱动的OLED模组形成桥式连接，使得可以直接采用交流电驱动所述的OLED发光单元，其中，所述的直流电驱动的OLED模组包括多个直流电驱动的单芯片封装或多个直流电驱动的多芯片的集成封装；所述的LED和OLED混合的发光单元是从一组LED和OLED混合的发光单元中选出，该组LED和OLED混合的发光单元包括：(I)LED和OLED串联的混合的发光单元；(2) LED和OLED并联的混合的发光单元；(3) LED和OLED组成桥式连接的混合的发光单元；(4) LED和OLED串联和并联相结合的混合的发光单元。
4.根据权利要求1的交流电驱动的半导体发光系统，其特征在于，不同的所述的半导体发光单元可以具有相同的发光的亮度，或者不同的发光的亮度。
5.根据权利要求1的交流电驱动的半导体发光系统，其特征在于，所述的移相器是从一组移相器中选出，该组移相器包括，无源移相器，有源移相器。
6.根据权利要求5的交流电驱动的半导体发光系统，其特征在于，所述的无源移相器和有源移相器是从一组移相器中选出，该组移相器包括：阻容移相器，整流移相器，变压移相器，整流变压移相器，可调移相器，开关线移相器，电感移相器。
7.根据权利要求1的交流电驱动的半导体发光系统，其特征在于，所述的移相器是从一组移相器中选出，该组移相器包括，N位移相器，其中，N ^ I。
8.根据权利要求1的交流电驱动的半导体发光系统，其特征在于，不同的所述的移相器产生不同的相移角度，选择不同的所述的移相器，使得所述的移相器产生的相移角度是从一组相移角度中选出，该组相移角度包括：90° ,80° ,72° ,60° ,48° ,45° ,40°，`36。 ,30° ,24° ,22.5° ,20° ,18° ,16° ,15° ,12° ,10° ，9。 ，8。 ，6。。
9.根据权利要求1的交流电驱动的半导体发光系统，其特征在于，所述的半导体发光系统是从一组半导体发光系统中选出，该组半导体发光系统包括，（I) 一个半导体发光系统，包括，一个所述的移相器，以及2个所述的半导体发光单元，所述的半导体发光单元分别与所述的移相器的输入端和输出端相连接，使得通过不同的所述的半导体发光单元的交流电的相位差为90° ;(2) —个半导体发光系统，包括，两个所述的移相器，以及3个所述的半导体发光单元，3个所述的半导体发光单元分别与2个所述的移相器连接，使得通过第一个所述的半导体发光单元与通过第二个所述的半导体发光单元的交流电的相位差为60°，使得通过第一个所述的半导体发光单元与通过第三个所述的半导体发光单元的交流电的相位差为120° ； (3) 一个半导体发光系统,包括,一个3位移相器，以及4个所述的半导体发光单元，4个所述的半导体发光单元分别与所述的3位移相器连接，使得通过第一个所述的半导体发光单元与通过第二个所述的半导体发光单元的交流电的相位差为45°，使得通过第一个所述的半导体发光单元与通过第三个所述的半导体发光单元的交流电的相位差为90°，使得通过第一个所述的半导体发光单元与通过第四个所述的半导体发光单元的交流电的相位差为135°。
10.根据权利要求1的交流电驱动的半导体发光系统，其特征在于，所述的阻容移相器中的电阻包括所述的半导体发光单元。
【文档编号】F21S2/00GK203378083SQ201320182092
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2013年3月31日 优先权日:2013年3月31日
【发明者】彭晖 申请人:张涛, 彭晖