广角型发光二极管灯泡的制作方法
【专利摘要】本实用新型是有关于一种广角型发光二极管灯泡，包括：一灯帽；一散热座，可设置于该灯帽上；一灯架，可设置于该散热座顶部；一发光单元，可设置于该灯架表面并电性连接至该灯帽，且该发光单元可由一基板及一发光二极管所组成；以及一灯罩，可罩设于该灯架及该发光单元外侧。
【专利说明】广角型发光二极管灯泡
【技术领域】
[0001]本实用新型是关于一种广角型发光二极管灯泡，尤指一种通过于基板两侧设置发光二极管以提高照度的全向性广角型发光二极管灯泡。
【背景技术】
[0002]公元1962年，通用电气公司的尼克?何伦亚克(Nick Holonyak Jr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管(Light Emitting Diode, LED),而随着科技日益更新,相关发光二极管应用也应蕴而生。而对于现今人类所追求永续发展为前提的情形下，发光二极管的低耗电量以及长效性的发光等优势下，已逐渐取代日常生活中用来照明或各种电器设备的指示灯或光源等用途。尤其是，发光二极管朝向多色彩及高亮度的发展，已应用在大型户外显示广告牌或交通号志。
[0003]然而，相较于白炽灯，因发光二极管所发射的光线具有指向性，其出光照度是随着出光角度而逐渐降低，是以发光二极管灯泡一直有照度不均的问题。虽已有许多已知技术尝试设计各种改良方式，企图达到如白炽灯般的全向性照明，例如提高发光二极管的功率以补强照度不足，但此种设计必须搭配合适的散热设计以避免发光二极管灯泡因散热不良而损毁。另一方面其他已知技术则多以复杂的结构设计来改善发光二极管灯泡照度不均，但此种改善方式并无益于相关产业的发展，仅造成成本增加。因此，目前亟需一种不需复杂结构设计的新型发光二极管灯泡，以彻底改善因发光二极管灯泡照度不均所衍生的问题。
[0004]有鉴于此，本实用新型是提出一种具全向性照明的广角型发光二极管灯泡，以有效克服上述所述问题。
实用新型内容
[0005]本实用新型的主要目的是在提供一种广角型发光二极管灯泡，以便能通过简易的结构设计，彻底改善已知发光二·极管灯泡照度不均及其衍生的问题。
[0006]为达成上述目的，本实用新型是提供一种广角型发光二极管灯泡，包括:一灯帽；一散热座，设置于该灯帽上；一灯架，设置于该散热座顶部；
[0007]—发光单元，设置于该灯架表面并电性连接至该灯帽，且该发光单元是由一基板及一发光二极管所组成；以及一灯罩，罩设于该灯架及该发光单元外侧。
[0008]其中，该基板为一单层基板，且该发光二极管设置于该单层基板的两侧。
[0009]其中，该基板为一双层基板，且该发光二极管设置于该双层基板的外侧。
[0010]其中，该双层基板由两个成对的单层基板通过一结合层或一机械结构使其相互背对结合而形成。
[0011]其中，该发光单元设置于该灯架顶部，且该发光单元垂直于该灯架。
[0012]其中，该发光单元设置于该灯架侧面，且该发光单元平行于该灯架。
[0013]其中，该基板为一透明基板。
[0014]其中，该基板为玻璃基板、陶瓷基板、或招基板。[0015]其中，该灯架侧面为一曲面外型，且该曲面外型为一柱状结构、一锥状结构、或一具有多个延伸部的分支结构。
[0016]其中，该发光单元由I个至10个该基板所组成。
[0017]其中，该发光二极管含有I个至20个发光二极管芯片。
[0018]其中，该发光二极管芯片发射介于200纳米至800纳米波长的光线。
[0019]其中，该散热座为一金属、一陶瓷、或一导热塑料。
[0020]其中，该灯罩为一透光玻璃或一塑料外壳。
[0021]其中，该散热座还包括一黑体辐射层，其是涂布于该散热座的表面。
[0022]其中，该黑体辐射层为一扭曲非晶碳，且基于Sp3及Sp2键结的总数量，该扭曲非晶碳的SP3键结数量为50至100%。
[0023]其中，该黑体辐射层的厚度为0.1微米至100微米。
[0024]其中，该黑体辐射层的厚度为0.5微米至5微米。
[0025]其中，该黑体辐射层具有一纳米级粗糙化表面。
[0026]本实用新型的有益效果是，其可彻底改善已知发光二极管灯泡照度不均及其衍生的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]为便审查员能对本发明目的、技术特征及其功效，做更进一步的认识与了解，以下结合实施例及附图，详细说明如下，其中:
[0028]图1A是本实用新型实施例1的广角型发光二极管灯泡立体示意图。
[0029]图1B是本实用新型实施例2的广角型发光二极管灯泡立体示意图。
[0030]图2是本实用新型实施例3的广角型发光二极管灯泡剖视图。
[0031]图3是本实用新型实施例4的广角型发光二极管灯泡立体示意图。
[0032]图4是本实用新型实施例5的广角型发光二极管灯泡剖视图。
[0033]图5是本实用新型实施例6的广角型发光二极管灯泡立体示意图。
【具体实施方式】
[0034]本实用新型是提供一种广角型发光二极管灯泡，包括:一灯帽；一散热座，可设置于该灯帽上；一灯架，可设置于该散热座顶部；一发光单兀，可设置于该灯架表面并电性连接至该灯帽，且该发光单元可由一基板及一发光二极管所组成；以及一灯罩，可罩设于该灯架及该发光单元外侧。
[0035]于上述本实用新型的广角型发光二极管灯泡中，只要能达到改善发光二极管灯泡照度不均问题的目的，本实用新型并不特别限制基板及发光二极管芯片的相对配置方式。举例而言，于本实用新型的一态样中，该基板可为一单层基板，且该发光二极管可设置于该单层基板的两侧。于本实用新型的另一态样中，该基板可为一双层基板，且该发光二极管可设置于该双层基板的外侧。于本实用新型的另一态样中，双层基板可以是两个成对的单层基板通过一结合层或机械结构使其相互背对结合而形成，其中，结合层可以为树脂结合剂、金属结合剂、或陶瓷结合剂、或其类似物、或其组合，此外，机械结构可以为螺丝固定、组合卡榫、或类似方式，本实用新型并未局限于此。于本实用新型的另一态样中，在前述的单层基板或双层基板可具有多个通孔，使单层基板或双层基板外侧的发光二极管可通过所述通孔而进行电性连通。
[0036]于上述本实用新型的广角型发光二极管灯泡中，只要能达到改善发光二极管灯泡照度不均问题的目的，本实用新型亦不特别限制发光单元及灯架的相对配置方式。举例而言，于本实用新型的一态样中，该发光单元可设置于该灯架顶部，且该发光单元可垂直于该灯架，因此，使发光单兀可以同时产生一远离散热座方向及一朝向散热座方向的光线照射。于本实用新型的另一态样中，该发光单元可设置于该灯架侧面，且该发光单元可平行于该灯架，因此，使发光单元可以同时产生一朝向灯罩方向及一背向灯罩另一方向的光线照射。
[0037]于上述本实用新型的广角型发光二极管灯泡中，只要能达到改善发光二极管灯泡照度不均问题的目的，本实用新型并不特别限制发光单元的基板及发光二极管芯片的数量。举例而言，该发光单元可由I个至10个该基板所组成；而该发光二极管则可含有I个至20个发光二极管芯片，且发光二极管可设置于基板的表面。此外，本实用新型亦不特别限制基板的种类，较佳地，该基板可为一透明基板，以获得一全向性照明的发光二极管灯泡。另一方面，只要能提高该发光二极管灯泡的照度，本实用新型亦不特别限制基板的材质。举例而言，于本实用新型的一态样中，该基板可为玻璃基板、陶瓷基板(例如，蓝宝石基板)、或铝基板。再者，只要能提供发光二极管灯泡所需的光线，本实用新型亦不特别限制发光二极管芯片所发射的光线的波长，本领域的技术人员可根据其所需选择该发光二极管芯片发射的光线波长范围，例如，于本实用新型的一态样中，该广角型发光二极管芯片可发射介于200纳米至800纳米波长的光线。此外，所述发光二极管芯片上可包括一含有荧光粉的封装树脂，据此，可通过所述发光二极管芯片所发射的光线激发所述荧光粉产生荧光，从而获得一混合波长的光线，但本实用新型并不以此为限。于本实用新型的一态样中，该广角型发光二极管的发光单元可以为I个透明的玻璃单层基板，且具有10个I瓦特的发光二极管分别排列设置于该玻璃单层基板两侧，此外，该基板可垂直于该灯架，使发光单元可以同时产生一远离散热座方向及一朝向散热座方向的10瓦特光线照射。于本实用新型的另一态样中，该广角型发光二极管的发光单元可以为I个透明的蓝宝石单层基板，且具有20个
0.5瓦特的发光二极管分别排列设置于该蓝宝石单层基板两侧，此外，该基板可垂直于该灯架，使发光单兀可以同时产生一远离散热座方向及一朝向散热座方向的10瓦特光线照射。于本实用新型的另一态样中，该广角型发光二极管的发光单元可以为2个透明的蓝宝石基板组成的双层基板，且具有100个0.1瓦特的发光二极管分别排列设置于该蓝宝石双层基板两侧，此外，该基板可垂直于该灯架，使发光单元可以同时产生一远离散热座方向及一朝向散热座方向的10瓦特光线照射。又于本实用新型的另一态样中，该广角型发光二极管的发光单元更可以视需要为I个不透明基板(例如，铝基板)组成两侧发光的单层基板，或为2个不透明基板组成两侧发光的双层基板，或为多个不透明基板组成两侧发光的多层基板，本实用新型并未局限于此。再者，只要发光二极管可适当地排列设置于该基板表面，且该基板可容易设置于该灯架上，本领域技术人员可视其需求选择适合的基板形状，本实用新型并不特别以此为限。举例而言，于本实用新型的一态样中，该基板的形状可为方形、矩形、椭圆形、圆形、多角形，但本实用新型并不局限于此。较佳地，于本实用新型的一具体态样中，该基板的形状可为圆形。
[0038]于上述本实用新型的广角型发光二极管灯泡中，灯架的外型并无特别限制，只要其能够改善该发光二极管灯泡的照度即可。例如，于本实用新型的一态样中，该灯架侧面可为一曲面外型，且该曲面外型可为一柱状结构、一锥状结构、或一具有多个延伸部的分支结构。于本实用新型的一具体态样中，该灯架可为一柱状结构。于本实用新型的另一具体态样中，该灯架可为一锥状结构，且该底部的截面积实质上大于该顶部的截面积。于本实用新型的再一态样中，该灯架更可为一具有多个延伸部的分支结构，其是用以设置多个发光单元，以提高发光二极管灯泡的照度及发光角度。再者，该灯架的表面可为一反射面，从而达到提高该发光二极管灯泡照度的目的。该灯架的材质亦不特别限制，只要其能够有效地传导发光单元产生的废热至散热座即可。于本实用新型的一态样中，该灯架可由铜、铝、银、铬、锆、或其合金所制成。于本实用新型的一具体态样中，该灯架可由铝所制成，从而同时兼具反射光线提高照度及高热导率的目的。
[0039]于上述本实用新型的广角型发光二极管灯泡中，散热座的材质并不特别限制，只要其能够有效地传导发光单元产生的废热即可。于本实用新型的一态样中，该散热座可为一金属、一陶瓷、或一导热塑料，其中，该金属可至少一选自由铜、铝、银、铬、锆、及其合金所组成的群组；该陶瓷可至少一选由氧化铝、氮化铝、及其混合物所组成的群组。于本实用新型的一较佳态样中，该散热座可由铝所制成。此外，为优化传导发光单元所产生的废热至该散热座，本领域技术人员亦可将该散热本体及该灯架制成一体成型。
[0040]再者，由于发光二极管灯泡的发光单元所产生的热主要是为传导热，因此，于上述本实用新型的广角型发光二极管灯泡中，该散热座还包括一黑体辐射层，其是涂布于该散热座的表面，从而提高该发光二极管灯泡的散热效率。于本实用新型的一态样中，该黑体辐射层可为一扭曲非晶碳(amorphous),例如,石墨、金刚石、类金刚石等。而为使该黑体福射层可较佳地发挥快速散热的功能，且基于SP3及SP2键结的总数量，该扭曲非晶碳的SP3键结数量是为50至100%。较佳地，该黑体辐射层可为一类钻碳。
[0041]此外，由于该黑体辐射层兼具高热导率及高热发射率的特性，其仅需涂布于该散热座表面就可达到其功效。是以，于本实用新型的一态样中，该黑体辐射层的厚度可为0.1微米至10微米，较佳可为0.5微米至5微米，更佳可为2微米。再者，可通过预先以如喷砂处理(sand blasting)等的方法处理该散热座表面,使得该散热座表面形成一粗糙化表面，从而使得涂布于该散热座表面的该黑体辐射层可具有一纳米级的粗糙化表面。据此，该黑体辐射层便能够通过尖端放热的方式加速移除发光二极管灯泡所产生的废热，从而于提高发光二极管灯泡照度的同时，改善其散热问题。
[0042]于上述本实用新型的广角型发光二极管灯泡中，各种电性连接该发光单元及该灯帽的方式皆可使用，只要其能使该发光单元可导通至该灯帽且不造成短路或漏电的问题，本实用新型并不特别以此为限。更详细地说，该发光单元可通过设置于该灯架及该散热座中的线路电性连接至该灯帽。
[0043]于上述本实用新型的广角型发光二极管灯泡中，该灯罩可为一透光玻璃或一塑料外壳。此外，灯罩表面亦可经过雾化处理，从而达到柔和光线的效果，本实用新型亦不特别限制。
[0044]以下是通过特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟习此技术的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型亦可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不悖离本实用新型的精神下进行各种修饰与变更。
[0045]本实用新型的实施例中的附图均为简化的示意图。惟所述图标仅显示与本实用新型有关的元件，其所显示的元件非为实际实施时的态样，其实际实施时的元件数目、形状等比例为一选择性的设计，且其元件布局型态可能更复杂。
[0046]实施例1
[0047]请参考图1A，是实施例1的广角型发光二极管灯泡I立体示意图，其包括:一灯帽11 ;一散热座12,是设置于该灯帽11上；一灯架13,是设置于该散热座12顶部；一发光单元14，是设置于该灯架13表面并电性连接至该灯帽11，且该发光单元14是由一基板141及一发光二极管142所组成；以及一灯罩15,是罩设于该灯架13及该发光单兀14外侧,其中，该发光单元14是通过一固定件(图未显示)设置于该灯架13顶部且垂直于该灯架13 ；该基板141为一单层且透明的蓝宝石基板；该发光二极管142是含有10个发射波长为200纳米至800纳米光线的I瓦特发光二极管芯片，且发光二极管142是设置于基板141的表面，其中，4个发光二极管芯片是位于该基板141连接该灯架13的一侧(即朝向散热座12的方向)，而剩余6个发光二极管芯片则位于基板141的相对一侧(即背向散热座12的方向)。再者，于此实施例1中，该灯架13是为一柱状结构，且表面是为反射面，以提高广角型发光二极管灯泡I的照度。该灯架13及该散热座12是由铝所制成，以利于将发光二极管142所产生的热量传导至散热座12。此外，本领域技术人员更可依据其所需，于散热座12表面设置一黑体辐射层(图未显示)，以提高该广角型发光二极管灯泡I的散热效率。
[0048]实施例2
[0049]请参考图1B，是实施例2的广角型发光二极管灯泡I’立体示意图。实施例2的结构与实施例1大致类似，其差异仅在于，实施例2的基板141’是为2个蓝宝石基板组成单层两侧发光的多层基板，因此，实施例2能通过提供更多的发光单元14’以提高该广角型发光二极管灯泡I’的照度。
[0050]据此，此实施例2的发光二极管灯泡I’是包括:一灯帽11’ ；一散热座12’，是设置于该灯帽11’上；一灯架13’，是设置于该散热座12’顶部；一发光单元14’，是设置于该灯架13’表面并电性连接至该灯帽11’，且该发光单元14是由一基板141’及一发光二极管142’所组成；以及一灯罩15’，是罩设于该灯架13’及该发光单元14’外侧，其中，该基板141’是为2个蓝宝石基板组成单层两侧发光的多层基板，且所述基板141’是垂直于该灯架23 ;所述基板141’是各自独立含有10个发射波长为200纳米至800纳米光线的0.5瓦特发光二极管芯片，且发光二极管142是设置于基板141’的表面，其中，8个发光二极管芯片亦位于所述基板141’连接该灯架13’的一侧(即朝向散热座12’的方向)，而剩余12个发光二极管芯片则位于所述基板141’的相对一侧(即背向散热座12’的方向)。再者，此实施例2中，该灯架13’是为一柱状结构，且表面是为反射面，以提高广角型发光二极管灯泡I’的照度。该灯架13’及该散热座12’是由铝所制成，以利于将发光二极管142’所产生的热量传导至散热座12’。此外，本领域技术人员更可依据其所需，于散热座12’表面设置一黑体辐射层(图未显示)，以提高该广角型发光二极管灯泡I’的散热效率。
[0051]然而，于上述实施例2中，基板141’除了可采用蓝宝石基板组成多个单层两侧发光的多层基板外，亦可使用铝基板组成多个双层两侧发光的多层基板，本实用新型并不仅限于此。[0052]实施例3
[0053]请参考图3，是实施例3的广角型发光二极管灯泡2的剖视图。实施例3的结构与实施例1大致类似，其差异仅在于，实施例3的灯架23是为一锥状结构，且该底部的截面积实质上大于该顶部的截面积，因此，实施例3的灯架23能提供更多反射面以提高该广角型发光二极管灯泡2的照度。
[0054]据此，此实施例3的发光二极管灯泡2是包括:一灯帽21 散热座22，是设置于该灯帽21上；一灯架23，是设置于该散热座22顶部；一发光单元24，是设置于该灯架23表面并电性连接至该灯帽21，且该发光单元24是由一基板241及一发光二极管242所组成；以及一灯罩25，是罩设于该灯架23及该发光单元24外侧，其中，该发光单元24是通过一固定件(图未显示)设置于该灯架23顶部且垂直于该灯架23 ;该基板241是为一单层且透明的蓝宝石基板；该发光二极管242是含有10个发射波长为200纳米至800纳米光线的I瓦特发光二极管芯片，且发光二极管242是设置于基板241的表面，其中，4个发光二极管芯片亦位于该基板241连接该灯架23的一侧(即朝向散热座22的方向)，而剩余6个发光二极管芯片则位于基板241的相对一侧(即背向散热座22的方向)。再者,此实施例3中，该灯架23则为一锥状结构，且该底部的截面积实质上大于该顶部的截面积，以提高广角型发光二极管灯泡2的照度。该灯架23及该散热座22是由铝所制成，以利于将发光二极管242所产生的热量传导至散热座22。此外，本领域技术人员更可依据其所需，于散热座22表面设置一黑体辐射层(图未显示)，以提高该广角型发光二极管灯泡2的散热效率。
[0055]实施例4
[0056]请参考图3，是实施例4的广角型发光二极管灯泡3立体示意图。实施例4的结构与实施例1大致类似，其差异仅在于，实施例4的发光二极管342是包括20个发射波长为200纳米至800纳米光线的0.5瓦特发光二极管芯片，且发光二极管342是设置于基板341的表面，其中，8个发光二极管芯片是位于该基板341连接该灯架33的一侧(即朝向散热座32的方向)，而剩余12个发光二极管芯片则位于基板341的相对一侧(即背向散热座32的方向)，从而改善其照度。
[0057]据此，此实施例4的广角型发光二极管灯泡3是包括:一灯帽31 散热座32，是设置于该灯帽31上；一灯架33，是设置于该散热座32顶部；一发光单元34，是设置于该灯架33表面并电性连接至该灯帽31，且该发光单元34是由一基板341及一发光二极管342所组成；以及一灯罩35，是罩设于该灯架33及该发光单元34外侧，其中，该发光单元34是通过一固定件(图未显示)设置于该灯架33顶部且垂直于该灯架33 ;该基板341是为一单层且透明的蓝宝石基板；该发光二极管342是含有20个发射波长为200纳米至800纳米光线的0.5瓦特发光二极管芯片，且发光二极管342是设置于基板341的表面,且其中8个发光二极管芯片是位于该基板341连接该灯架33的一侧(即朝向散热座32的方向)，而剩余12个发光二极管芯片则位于基板341的相对一侧(即背向散热座32的方向)。再者,于此实施例4中，该灯架33是为一柱状结构，且表面是为反射面，以提高广角型发光二极管灯泡3的照度。该灯架33及该散热座32是由铝所制成，以利于将发光二极管342所产生的热量传导至散热座32。此外，本领域技术人员更可依据其所需，于散热座32表面设置一黑体辐射层(图未显示)，以提高该广角型发光二极管灯泡3的散热效率。
[0058]实施例5[0059]请参考图4，是实施例5的广角型发光二极管灯泡4剖视图。实施例5的结构与实施例I大致类似，其差异仅在于，实施例5的发光单元44的基板441是为一双层的铝基板且发光二极管442是设置于该双层铝基板的外侧。于此实施例5中，是以一结合层443接合两个设有发光二极管442的单层铝基板，从而形成该发光单元44。然而，应了解的是，只要能将发光单元44固定于灯架43上，本领域技术人员亦可不使用该结合层443而直接通过一固定件(图未显示)将两个设有发光二极管442的单层铝基板固定于该灯架43上。
[0060]据此，此实施例5的广角型发光二极管灯泡4，包括:一灯帽41 ;一散热座42，是设置于该灯帽41上；一灯架43，是设置于该散热座42顶部；一发光单元44，是设置于该灯架43表面并电性连接至该灯帽41，且该发光单元44是由一基板441及一发光二极管442所组成；以及一灯罩45，是罩设于该灯架43及该发光单元44外侧，其中，该发光单元44是通过一固定件(图未显示)设置于该灯架43顶部且垂直于该灯架43 ;该基板441是为一双层的铝基板，其中，双层铝基板是由两个成对的单层铝基板通过一结合层或机械结构使其相互背对结合而形成，其中，结合层可以为树脂结合剂、金属结合剂、或陶瓷结合剂、或其类似物、或其组合，此外，机械结构可以为螺丝固定、组合卡榫、或类似方式，在此实施例5中，双层铝基板是由两个成对的单层铝基板通过一树脂结合剂使其相互背对结合而形成，而本实用新型并未局限于此。此外，在前述的双层铝基板可具有多个通孔，使双层铝基板外侧的发光二极管可通过所述通孔而进行电性连通。于此实施例5中，该发光二极管442是含有10个发射波长为200纳米至800纳米光线的I瓦特发光二极管芯片，且发光二极管442是设置于基板441的表面，其中，4个发光二极管芯片是位于该基板441连接该灯架43的一侧(即朝向散热座42的方向)，而剩余6个发光二极管芯片则位于基板441的相对一侧(即背向散热座42的方向)。再者,于此实施例5中，该灯架43是为一柱状结构,且表面是为反射面，以提高发光二极管灯泡4的照度。且该灯架43及该散热座42是由铝所制成，以利于将发光二极管442所产生的热量传导至散热座42。此外，本领域技术人员更可依据其所需，于散热座42表面设置一黑体辐射层(图未显示)，以提高该广角型发光二极管灯泡4的散热效率。
[0061]实施例6
[0062]请参考图5,是实施例6的广角型发光二极管灯泡5的立体示意图。此实施例6的结构与实施例1大致类似，其差异仅在于实施例6的广角型发光二极管灯泡5的灯架是为一具有3个延伸部531的分支结构,且该发光单兀54是设置于该延伸部531的两侧。
[0063]据此，此实施例6的广角型发光二极管灯泡5，包括:一灯帽51 散热座52，是设置于该灯帽51上；一灯架53，是设置于该散热座52顶部；一发光单元54，是设置于该灯架53表面并电性连接至该灯帽51,且该发光单兀54是由一基板541及一发光二极管542所组成；以及一灯罩55,是罩设于该灯架53及该发光单兀54外侧,其中，该灯架53是为一具有3个延伸部531的分支结构，且该发光单元54是设置于该延伸部531的两侧并平行于该延伸部531 ;该基板541是为单层铝基板；该发光二极管542是设置于该基板541的外侧，且每一发光单元54的发光二极管542是含有8个发射波长为200纳米至800纳米光线的
0.5瓦特发光二极管芯片，因此，使发光单兀54可以同时产生一朝向灯罩方向55及一背向灯罩55另一方向的光线照射。再者，于此实施例6中，该灯架53及该散热座52是由招所制成，以利于将发光二极管542所产生的废热传导至散热座52。此外，本领域技术人员更可依据其所需，于散热座52表面设置一黑体辐射层(图未显示)，以提高该广角型发光二极管灯泡5的散热效率。
[0064]上述实施例仅是为了方便说明而举例而已，本实用新型所主张的权利范围自应以权利要求范围所述为准，而非仅限于上述实施例。
【权利要求】
1.一种广角型发光二极管灯泡，包括: 一灯帽； 一散热座，设置于该灯帽上； 一灯架，设置于该散热座顶部； 一发光单元，设置于该灯架表面并电性连接至该灯帽，且该发光单元是由一基板及一发光二极管所组成；以及 一灯罩，罩设于该灯架及该发光单元外侧。
2.根据权利要求1所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该基板为一单层基板，且该发光二极管设置于该单层基板的两侧。
3.根据权利要求1所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该基板为一双层基板，且该发光二极管设置于该双层基板的外侧。
4.根据权利要求3所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该双层基板由两个成对的单层基板通过一结合层或一机械结构使其相互背对结合而形成。
5.根据权利要求1所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该发光单元设置于该灯架顶部，且该发光单元垂直于该灯架。
6.根据权利要求1所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该发光单元设置于该灯架侧面， 且该发光单元平行于该灯架。
7.根据权利要求1所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该基板为一透明基板。
8.根据权利要求1所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该基板为玻璃基板、陶瓷基板、或铝基板。
9.根据权利要求1所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该灯架侧面为一曲面外型，且该曲面外型为一柱状结构、一锥状结构、或一具有多个延伸部的分支结构。
10.根据权利要求1所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该发光单元由I个至10个该基板所组成。
11.根据权利要求1所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该发光二极管含有I个至20个发光二极管芯片。
12.根据权利要求11所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该发光二极管芯片发射介于200纳米至800纳米波长的光线。
13.根据权利要求1所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该散热座为一金属、一陶瓷、或一导热塑料。
14.根据权利要求1所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该灯罩为一透光玻璃或一塑料外壳。
15.根据权利要求1所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该散热座还包括一黑体辐射层，其是涂布于该散热座的表面。
16.根据权利要求15所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该黑体辐射层为一扭曲非晶碳，且基于SP3及SP2键结的总数量，该扭曲非晶碳的SP3键结数量为50至100%。
17.根据权利要求15所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该黑体辐射层的厚度为0.1微米至100微米。
18.根据权利要求17所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该黑体辐射层的厚度为0.5微米至5微米。
19.根据权利要求15所述的广角型发光二极管灯泡，其中，该黑体辐射层具有一纳米级粗糙化表面。
【文档编号】F21S2/00GK203413381SQ201320285235
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年5月3日 优先权日:2013年4月16日
【发明者】黄世耀, 甘明吉, 宋健民 申请人:铼钻科技股份有限公司