专利名称：有机发光二极管制造方法
技术领域：
本发明涉及 一 种有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, OLED)制造方法。
背景技术：
近年来，有机发光二极管以其独特的优势，如制造方法简 单、功耗低、颜色丰富、适用于柔性衬底与大面积显示等，备 受业界关注。
请参阅图1，是一种现有技术有机发光二极管的剖视图。该 有机发光二极管IO通常包括一基板11、自下而上依次层叠设置 在该基板ll上的一阳极12、一空穴注入层(Hole Injection Layer, HIL)13、 一空穴传输层(Hole Transfer Layer, HTL) 14、 一有机发 光层15、 一电子传输层(Electron Transfer Layer, ETL)16、 一电 子注入层(Electron Injection Layer, EIL)17与一阴极18。
该有机发光二极管10的工作原理如下所述在该有^几发光 二极管10的阳极12与阴极1 8之间施加正向偏置的电压，该阳 极12的空穴在正向偏压作用下经该空穴注入层13与该空穴传 输层14注入该有才几发光层15,而该阴极18的电子在正向偏压 作用下经该电子传输层16与该电子注入层17注入该有机发光 层15，该阳极12注入的空穴与该阴极1 8注入的电子在该有机 发光层15相结合而激发出光子，该有机发光二极管10向外界 发光。
该阳极12的空穴注入该有机发光层1 5需克服该阳极12与 该有机发光层 15间的能障，通常该阳极12的功函数(Work Function)越高，其空穴注入该有机发光层1 5的能障越低，则该 有机发光二极管10开始发光的启动电压越低。为提高该阳极12 的功函数，业界通常釆用功函数较高的氧化铟锡(Indium TinOxide, ITO)薄层制作该阳极12，并对该阳极12的表面进行氧等 离子或紫外线/臭氧处理，以提高氧化铟锡层的含氧量，进而提 高该阳极12的功函数。
请参阅图2，是图1所示有机发光二极管10的阳极12经处 理后的剖视图。该阳极12包括一第一电极121与一第二电极 122，该第二电极122的厚度远小于该第一电极121的厚度，该 第二电极122是该阳极12的表面经氧等离子或紫外线/臭氧处理 后形成的薄层，其含氧量高于该第一电极121。
然而，利用氧等离子或紫外线/臭氧对该阳极12的表面进行 处理的方法，仅能提高该阳极12表面的含氧量，形成厚度很薄 的第二电极122，所以氧等离子或紫外线/臭氧处理该阳极12表 面的方法对该阳极12功函数的提高有限，且用氧等离子对氧化 铟锡薄层表面处理的均匀度不高，导致该有机发光二极管10第 二电极121的功函数不等，进而导致同 一驱动电压作用下，该 有机发光二极管IO的发光不均匀。
发明内容
为了解决现有制造方法制造的有机发光二极管阳极功函数 较低且发光不均匀的缺点，提供 一 种阳极功函数较高且发光均 匀度较好的有机发光二极管制造方法实为必要。
一种有机发光二极管制造方法，其包括以下步骤提供一 绝缘基板；在该绝缘基板上沉积一导电薄层，作为第一电极； 在该第 一 电极上继续沉积该导电薄层，同时通入含氧的氧化性 气体，形成第二电极，图案化该第 一 电极与第二电极，形成阳 极；在该阳极上形成 一 有机发光层；在该有才几发光层上形成一 阴极。
采用上述制造方法的有机发光二极管，可在该阳极沉积过 程中通入含氧的氧化性气体，使该阳极内部与表面的含氧量皆 增加，进而使形成的有机发光二极管阳极功函数较高。同时， 上述制造方法可控制含氧的氧化性气体的流量，所以可保证有机发光二极管阳极的含氧量均匀，进而使有机发光二极管发光 均匀。
图l是一种现有技术有机发光二极管的剖视图。
图2是图l所示有机发光二极管的阳极经处理后的剖视图。 图3是本发明有机发光二极管制造方法一较佳实施方式的 流程图。
具体实施例方式
请参阅图3，是本发明有机发光二极管制造方法一较佳实施 方式的流程图。该有机发光二极管制造方法包括以下步骤提 供一基板(S1);形成第一电极(S2);形成阳极(S3);形成空穴注 入层与空穴传输层(S4);形成有机发光层(S5);形成电子注入层 与电子传输层(S6);形成阴极(S7)。各步骤详述如下
步骤Sl,提供一基板。提供的基板用于承载有机发光二极 管，其材料可为玻璃、石英等透明绝缘物质。
步骤S2,形成第一电极。在基板上沉积氧化铟锌(Indium Zinc Oxide, IZO)薄层，作为第一电极。该第一电极的厚度可根 据沉积速度与沉积时间来控制，优选的厚度为1.3 x 1 (T7米，其材 料也可氧化铟锡或其它高功函数透明导电物质等，其沉积方法 可为溅镀法。
步骤S3，形成阳极。在该第一电极上继续沉积氧化铟锌薄 层，同时通入富含氧元素且具较强氧化性的气体，如氧气或水 蒸气或二者的混合气，提高氧化铟锌的含氧量。当沉积到预定 厚度时，停止沉积氧化铟锌，并停止通入氧气或水蒸气或二者 的混合气，得到的高含氧量的氧化铟锌薄层作为第二电极，对 该第 一 电极与该第二电极进行图案化处理，形成阳极。该第二 电极优选的厚度2xl0-8米，其形成过程中，通入氧气或水蒸气 或二者的混合气的流量可根据实际需求氧化铟锡薄层的含氧量进行控制。该第一电极为 1.3xl0-7米，而该第二电极的厚度为 2xl0—8米是综合考虑该阳极的导电性能与功函数得出的厚度，该 第一电极与该第二电极的厚度也可根据实际应用中对导电性能 与功函数的要求做出变动。
步骤S4，形成空穴注入层与空穴传输层。对该阳极进行清 洗，通常先用去污水洗涤，再用去离子水与丙酮、乙醇等有机 溶剂进行超声波清洗，经有机溶剂蒸气脱脂处理后，再用去离 子水多次冲洗，在清洗后的阳极表面自下而上依次形成空穴注 入层与空穴传输层。该空穴注入层的材料为铜酞菁(Copper Phthalocyanine， CuPc)，该空穴传输层的材料可为芳香多胺类化 合物，如聚苯胺(Ployaniline)或三芳胺衍生物。该空穴注入层与 该空穴传输层应用于有机发光二极管中， 一方面可降低所形成 有极发光二极管的激活电压，另一方面可提高形成的有极发光 二极管的稳定性。
步骤S5,形成有机发光层。在该空穴传输层的表面沉积一 层有机物质，并图案化该有机物质而形成该有机发光层。该有 机发光层的材料为高分子电致发光化合物或者小分子电致发光 化合物，当其材料为高分子电致发光化合物，如聚苯撑乙烯 (Para-phenylenevinylene, PPV)时，采用旋涂法或喷墨打印法实 现成膜；而当其材料为小分子电致发光化合物，如双胺化合物 (Diamine)时，采用真空蒸镀(Vacuum Vapor Deposition)法实现成 膜。
步骤S6，形成电子注入层与电子传输层。在有机发光层的 表面自下而上依次沉积电子传输层与该电子注入层。该电子传 输层的材料为具较大共扼平面的芳香族化合物。该电子注入层 的材料为具低功函数的碱金属或碱金属化合物，如氟化锂(LiF)、 4丐(Calcium, Ca)、 镁(Magnesium, Mg)等。
步骤S7，形成阴极。在该电子注入层的表面沉积阴极，该 阴极是 一 具低功函数的透明薄层，其厚度通常为 5xl0-9米 30xl0^米，因其厚度很薄，所以具有相当的透过率，不影响有
7机发光二极管的发光效率。该阴极可采用多种金属形成的堆栈
结构，如锂/铝/银(Li/Al/Ag)堆栈结构、钙/铝(Ca/Al)堆栈结构或 镁/银(Mg/Ag)堆栈结构。
釆用上述制造方法的有机发光二极管，在该阳极沉积过程 中通入氧气或水蒸气或二者的混合气，可使该阳极内部与表面 的含氧量皆增加，进而使形成的有机发光二极管阳极功函数较 高。同时因通入氧气或水蒸气或二者的混合气的流量可控制， 可保证氧化铟锡层的含氧量均匀，进而使有机发光二极管阳极
的功函数保持一致，从而使有机发光二极管的发光均匀。
权利要求
1.一种有机发光二极管制造方法，其特征在于包括以下步骤提供一绝缘基板；在该绝缘基板上沉积一导电薄层，作为第一电极；在该第一电极上继续沉积该导电薄层，同时通入含氧的氧化性气体，形成第二电极，图案化该第一电极与第二电极，形成阳极；在该阳极上形成一有机发光层；在该有机发光层上形成一阴极。
2. 如权利要求1所述的有机发光二极管制造方法，其特征在 于该含氧的氧化性气体为氧气、水蒸气或二者的混合气体。
3. 如权利要求1所述的有机发光二极管制造方法，其特征在 于形成的第一电极的厚度为1.3xl0^米。
4. 如权利要求3所述的有机发光二极管制造方法，其特征在 于形成的第二电极的厚度为2xl0-s米。
5. 如权利要求1所述的有机发光二极管制造方法，其特征在 于该第一电极的沉积方法为溅镀法。
6. 如权利要求1所述的有机发光二极管制造方法，其特征在 于该有机发光层采用旋涂法或喷墨打印法实现成膜。
7. 如权利要求1所述的有机发光二极管制造方法，其特征在 于其进一步包括在该阳极与该有机发光层之间自下而上依次形 成一空穴注入层与一空穴传输层的步骤。
8. 如权利要求7所述的有机发光二极管制造方法，其特征在 于该空穴传输层的材料为芳香多胺类化合物、三芳胺衍生物或 聚苯胺。
9. 如权利要求1所述的有才几发光二极管制造方法，其特征在 于其进一步包括在该有机发光层与该阴极之间自下而上依次形 成一电子传输层与一电子注入层的步骤。
10. 如权利要求9所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于该电子传输层的材料为具共扼平面的芳香族化合物。
全文摘要
本发明涉及一种有机发光二极管制造方法，其包括以下步骤提供一绝缘基板；在该绝缘基板上沉积一导电薄层，作为第一电极；在该第一电极上继续沉积该导电薄层，同时通入含氧的氧化性气体，形成第二电极，图案化该第一电极与第二电极，形成阳极；在该阳极上形成一有机发光层；在该有机发光层上形成一阴极。该有机发光二极管制造方法可使形成的有机发光二极管阳极功函数较高。
文档编号H01L51/56GK101295771SQ20071007423
公开日2008年10月29日 申请日期2007年4月27日 优先权日2007年4月27日
发明者王世昌, 黄荣龙 申请人:群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司