一种高亮度的聚光型发光二极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及微电子元器件领域，尤其是一种高亮度的聚光型发光二极管。
【背景技术】
[0002]发光二极管是一种半导体组件，最初多用作指示灯、显示板等，随着白光LED的出现也被用作照明。随着发光二极管的广泛使用，人们对发光二极管的要求也越来越高，尤其是发光二极管的亮度。现有的发光二极管的电流在15~20mA范围内，亮度一般在6.51m左右，最高也不会超过81m。发光二极管所包括的呈碗杯状的罩壳的内壁是光滑的，会吸收发光二极管芯片的侧面和界面所发出的光，造成出光量的损耗；另外现有的发光二极管开口外大内小，导致，现有的二极管发出的光呈发散状。因此，发光二极管整体的光效率也只能达到100~1101m/W左右，大大影响了发光二极管的光效率。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于针对以上技术不足，提供一种高亮度的聚光型发光二极管。
[0004]本实用新型的技术方案如下所述:
[0005]一种高亮度的聚光型发光二极管，包括二极管芯片、基座和壳体，其特征在于，所述基座呈“凸”字形结构，所述二极管芯片安装于所述基座上，所述二极管芯片的P极通过导线连接第一基片，第一基片下端设有第一引脚，所述二极管芯片的N极通过导线连接第二基片，第二基片下端设有第二引脚；
[0006]所述二极管芯片和导线外侧设有透明的绝缘胶层；
[0007]所述壳体设置与第一基片和第二基片上端，所述壳体与所述基座、第一基片、第二基片围绕形成倒置碗状的聚光腔，所述二极管芯片位于聚光腔的中央部位，所述壳体的内侧设有一圈反射膜，其上端透光处设有透光膜。
[0008]所述第一基片和所述第一引脚为一体式结构。
[0009]进一步的，所述第一基片和所述第一引脚呈“「”形，设置于所述基座左侧。
[0010]所述第二基片和所述第二引脚为一体式结构。
[0011]进一步的，所述第二基片和所述第二引脚呈“H ”形，设置于所述基座右侧。
[0012]所述聚光腔上端设有圆柱形的透光孔。
[0013]基于上述技术方案的本实用新型与现有技术相比，其有益效果是:本实用新型具有成本低廉，生产工艺简单的特点。
[0014]由于壳体的内壁有反射层，而反射层反射的光在聚光腔内聚集后，通过透光膜投射出来，增加了光强度；壳体呈导致的碗状，可以减少二极管发光后散射带来的光损失，因此本实用新型发光后其光效率可达到1423 m/ff以上，亮度也可达到9.11m。
[0015]本实用新型外形整齐，适合批量生产，并方便安装固定。
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型实施例一的结构示意图；
[0017]图2是本实用新型实施例二的结构示意图。
[0018]在图中，1、基座；2、二极管芯片；3_1、第一基片；3_2、第一引脚；4_1、第二基片；4-2、第二引脚；5、壳体；6、绝缘胶层；7、聚光腔；8、反射膜；9、透光膜；10、透光孔。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图和实施过程对本方法作进一步说明。
[0020]如图1所示，本实用新型提供一种高亮度的聚光型发光二极管，主要包括二极管芯片2、基座I和壳体5等部分。
[0021]实施例一
[0022]基座I呈“凸”字形结构，二极管芯片2安装于所述基座I上，二极管芯片2的P极通过导线连接第一基片3-1，第一基片3-1下端设有第一引脚3-2，二极管芯片2的N极通过导线连接第二基片4-1，第二基片4-1下端设有第二引脚4-2，二极管芯片2和导线外侧设有透明的绝缘胶层6。
[0023]壳体5设置与第一基片3-1和第二基片4-1上端，壳体5与基座1、第一基片3_1、第二基片4-1围绕形成倒置碗状的聚光腔7，二极管芯片2位于聚光腔7的中央部位，壳体5的内侧设有一圈反射膜8，其上端透光处设有透光膜9。
[0024]第一基片3-1和第一引脚3-2为“「”形的一体式结构，设置于基座I左侧；第二基片4-1和第二引脚4-2为“π ”形的一体式结构，设置于基座I右侧。
[0025]实施例二
[0026]本实施例与上述实施例最大的不同点在于，聚光腔7上端设有圆柱形的透光孔10。
[0027]应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
[0028]上面结合附图对本实用新型专利进行了示例性的描述，显然本实用新型专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种高亮度的聚光型发光二极管，包括二极管芯片、基座和壳体，其特征在于，所述基座呈“凸”字形结构，所述二极管芯片安装于所述基座上，所述二极管芯片的P极通过导线连接第一基片，第一基片下端设有第一引脚，所述二极管芯片的N极通过导线连接第二基片，第二基片下端设有第二引脚； 所述二极管芯片和导线外侧设有透明的绝缘胶层； 所述壳体设置与第一基片和第二基片上端，所述壳体与所述基座、第一基片、第二基片围绕形成倒置碗状的聚光腔，所述二极管芯片位于聚光腔的中央部位，所述壳体的内侧设有一圈反射膜，其上端透光处设有透光膜。
2.根据权利要求1所述的一种高亮度的聚光型发光二极管，其特征在于，所述第一基片和所述第一引脚为一体式结构。
3.根据权利要求2所述的一种高亮度的聚光型发光二极管，其特征在于，所述第一基片和所述第一引脚呈“「”形，设置于所述基座左侧。
4.根据权利要求1所述的一种高亮度的聚光型发光二极管，其特征在于，所述第二基片和所述第二引脚为一体式结构。
5.根据权利要求4所述的一种高亮度的聚光型发光二极管，其特征在于，所述第二基片和所述第二引脚呈“π ”形，设置于所述基座右侧。
6.根据权利要求1所述的一种高亮度的聚光型发光二极管，其特征在于，所述聚光腔上端设有圆柱形的透光孔。
【专利摘要】本实用新型公开了一种高亮度的聚光型发光二极管，包括二极管芯片、基座和壳体，基座呈“凸”字形结构，二极管芯片安装于所述基座上，二极管芯片的P极通过导线连接第一基片，第一基片下端设有第一引脚，二极管芯片的N极通过导线连接第二基片，第二基片下端设有第二引脚；二极管芯片和导线外侧设有透明的绝缘胶层；壳体设置与第一基片和第二基片上端，壳体与所述基座、第一基片、第二基片围绕形成倒置碗状的聚光腔，二极管芯片位于聚光腔的中央部位，壳体的内侧设有一圈反射膜，其上端透光处设有透光膜。本实用新型亮度高，有聚光的效果，具有成本低廉，生产工艺简单的特点，适合批量生产，并方便安装固定。
【IPC分类】H01L33-60, H01L33-48
【公开号】CN204289521
【申请号】CN201520001012
【发明人】袁志贤
【申请人】袁志贤
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2015年1月4日