本实用新型属于LED灯珠技术领域，具体涉及一种LED灯珠。
背景技术：
发光二极管LED作为新一代半导体发光器件，它具有光效高、寿命长、环保节能等特点，正在不断取代传统照明技术而倍受重视。现有的LED灯珠没有内置LED保护芯片，它由LED支架、LED芯片、金丝连线、荧光粉和透光罩组成。在LED照明和LED背光等应用中，常需要多个LED串联或串并联使用以简化电路、降低成本、和提高驱动电源效率。由于LED损坏时大部分都是自身开路状态，这会使整个串联LED全部失效。LED保护集成电路的作用是保护LED，当一个LED发生开路故障时，LED保护集成电路会使开路的发光二极管正负极形成通路，以保证与之串接的其它LED正常工作，LED自二十世纪六十年代开发至今，其应用领域已经扩大到许多领域。LED主要由发光二级管为主要部件，其利用半导体P-N结的单向通电性而实现发光。在LED中的光电转化中，会有热量产生，而LED的特性是发光效率随着温度的升高而下降。LED的优势在于其使用寿命可以达到60000-100000小时，而普通日光灯或节能灯的使用寿命通常在6000-10000小时之间。然而现有的LED灯珠无法实现其寿命长的明显优势，特别是大功率的LED灯，因此我们需要一款新型的LED灯珠，来满足人们的需求。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种LED灯珠，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种LED灯珠，包括静电去除装置、芯片正极、电压稳定器、芯片、散热片、LED灯珠正电极、透光罩、LED灯珠、LED灯珠负电极、芯片负极、电路板、LED保护芯片、LED灯珠本体，所述透光罩设置在LED灯珠本体的顶部，所述静电去除装置设置在电路板的表面，所述LED灯珠设置在透光罩的内部，所述LED灯珠正电极设置在LED灯珠的左侧，所述LED灯珠负电极设置在LED灯珠的右侧，所述电压稳定器设置在LED灯珠正电极的左侧，所述芯片正极设置在LED灯珠正电极的下方，所述芯片负极设置在LED灯珠负电极的下方，所述芯片设置在LED灯珠的下方，所述LED保护芯片设置在芯片的下方，所述散热片设置在LED保护芯片的下方。
优选的，所述静电去除装置设有2个。
优选的，所述LED灯珠正电极通过金属线与芯片正极电性连接。
优选的，所述LED灯珠负电极通过金属线与芯片负极电性连接。
本实用新型的技术效果和优点：该LED灯珠结构简单，使用方便，造价低，安全高效；静电去除装置能够将静电去除，有利于增加LED灯的使用寿命；电压稳定器的设置能够使电压稳定，避免因为电压的变化使灯珠烧毁；LED保护芯片的设置能够对芯片进行保护作用，延长了灯珠的使用寿命；散热片的设置能够将热量及时的散出，有利于提高灯珠的发光效率，延长灯珠的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中：1、静电去除装置；2、芯片正极；3、电压稳定器；4、芯片；5、散热片；6、LED灯珠正电极；7、透光罩；8、LED灯珠；9、LED灯珠负电极；10、芯片负极；11、电路板；12、LED保护芯片；13、LED灯珠本体。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了如图1所示的一种LED灯珠，包括静电去除装置1、芯片正极2、电压稳定器3、芯片4、散热片5、LED灯珠正电极6、透光罩7、LED灯珠8、LED灯珠负电极9、芯片负极10、电路板11、LED保护芯片12、LED灯珠本体13，所述透光罩7设置在LED灯珠本体13的顶部，所述静电去除装置1设置在电路板11的表面，所述静电去除装置1设有2个，所述LED灯珠8设置在透光罩7的内部，所述LED灯珠正电极6设置在LED灯珠8的左侧，所述LED灯珠负电极9设置在LED灯珠8的右侧，所述电压稳定器3设置在LED灯珠正电极6的左侧，所述芯片正极2设置在LED灯珠正电极6的下方，所述LED灯珠正电极6通过金属线与芯片正极2电性连接，所述芯片负极10设置在LED灯珠负电极9的下方，所述LED灯珠负电极9通过金属线与芯片负极10电性连接，所述芯片4设置在LED灯珠8的下方，所述LED保护芯片12设置在芯片4的下方，所述散热片5设置在LED保护芯片12的下方。
工作原理：该LED灯珠在使用时，电路板11连接芯片4，LED灯珠正电极6与芯片正极2电性连接，所述LED灯珠负电极9与芯片负极10电性连接从而使LED灯珠8进行发光。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。