1、126的材质为金属，例如银，但并不限于此。在其他实施方式中，下电极121、126为多层结构。举例来说，下电极121、126为由铜和银所构成的双层结构，或者为由铜、钛以及银所构成的三层结构。
[0027]下电极121、126作为反射层，用以反射自垂直式发光二极体200、400射出的光线，以使自垂直式发光二极体200、400射出的光线朝上行进。借由碗形的下电极121、126，自垂直式发光二极体200、400射出的光线将可被确保为向上行进而不会朝向不想要的方向。
[0028]垂直式发光二极体200、400的电力极性(Electrical Polarity)为同向设置。具体而言，垂直式发光二极体400还包含相邻于上透明电极144的第一半导体层410以及相邻于下电极126的第二半导体层420。垂直式发光二极体200还包含远离下电极121的第一半导体层210以及相邻于下电极121的第二半导体层220。垂直式发光二极体200、400的第一半导体层210、410为同种类型，垂直式发光二极体200、400的第二半导体层220、420为同种类型。
[0029]更具体地说，垂直式发光二极体200、400的第一半导体层210、410为N型半导体层，垂直式发光二极体200、400的第二半导体层220、420为P型半导体层，但并不限于此。在其他实施方式中，垂直式发光二极体200、400的第一半导体层210、410为P型半导体层，垂直式发光二极体200、400的第二半导体层220、420为N型半导体层。
[0030]第一半导体层210、410与第二半导体层220、420的材质可为氮化镓(GaN)。应了解到，以上所举的第一半导体层210、410与第二半导体层220、420的材质仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择第一半导体层210、410与第二半导体层220、420的材质。
[0031]垂直式发光二极体200还包含设置于第一半导体层210与第二半导体层220之间的主动层230。垂直式发光二极体400还包含设置于第一半导体层410与第二半导体层420之间的主动层430。具体而言，主动层230、430可为多重量子井(Multiple Quantum Well)的结构。
[0032]下透明绝缘层130、131具有高折射率。具体而言，下透明绝缘层130、131的折射率大于1.5。下透明绝缘层130、131可减少垂直式发光二极体200、400中的全反射，因而增加垂直式发光二极体200、400的出光效率。
[0033]上透明电极144的材质为氧化铟锡(ITO)。应了解到，以上所举的上透明电极144的材质仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择上透明电极144的材质。
[0034]发光二极体照明装置100还包含至少一个垂直式发光二极体300、至少一个垂直式发光二极体500以及上透明电极142。垂直式发光二极体300设置于凹槽113中，并设置于下电极121上，垂直式发光二极体500设置于凹槽116中，并设置于下电极126上。下透明绝缘层130还具有开口 134于其中，用以裸露出至少部分垂直式发光二极体300，下透明绝缘层131还具有开口 138于其中，用以裸露出至少部分垂直式发光二极体500。上透明电极144还透过开口 138电性连接垂直式发光二极体500，且上透明电极142分别透过开口132、134电性连接垂直式发光二极体200、300。下电极121与上透明电极142共同电性连接垂直式发光二极体200、300而使垂直式发光二极体200、300并联。下电极126与上透明电极144共同电性连接垂直式发光二极体400、500而使垂直式发光二极体400、500并联。
[0035]垂直式发光二极体200、300、400、500的电力极性为同向设置。具体而言，垂直式发光二极体300包含相邻于上透明电极142的第一半导体层310以及相邻于下电极121的第二半导体层320，垂直式发光二极体500包含相邻于上透明电极144的第一半导体层510以及相邻于下电极126的第二半导体层520。垂直式发光二极体200、300、400、500的第一半导体层210、310、410、510为同种类型，垂直式发光二极体200、300、400、500的第二半导体层220、320、420、520为同种类型。
[0036]类似地，基板110还可具有其他的凹槽，发光二极体照明装置100还可包含其他的下电极、上透明电极以及垂直式发光二极体。图3A绘示依照本发明一实施方式的发光二极体照明装置100的俯视示意图。举例来说，如图3A所绘示，发光二极体照明装置100还包含下电极191、192、上透明电极146、148以及垂直式发光二极体610、620、630、640。垂直式发光二极体 200、300、400、500、610、620、630、640 借由下电极 121、126、191、192 与上透明电极142、144、146、148而互相电性连接。垂直式发光二极体610、620借由下电极191与上透明电极146而并联，垂直式发光二极体630、640借由下电极192与上透明电极148而并联。
[0037]发光二极体照明装置100还包含分别电性连接于上透明电极142、148的输入电极710与输出电极720，于是使外接电源可以透过输入电极710与输出电极720与发光二极体照明装置100电性连接。输入电极710与输出电极720可为单层或多层结构，且输入电极710与输出电极720的材质为导体。举例来说，输入电极710与输出电极720为由银所构成的单层结构，或者由铜与银构成的双层结构，或者由铜、钛以及银所构成的三层结构。另外，输入电极710、输出电极720与下电极121、126、191、192可借由相同工艺形成。
[0038]具体而言，基板110的形状为长方体，且下电极、上透明电极以及垂直式发光二极体排列成一行，但并不限于此。基板110的形状可为圆柱体、三角柱体、正方体、长方体、六角柱体、八角柱体或者其他多角柱体。图3B绘示依照本发明另一实施方式的发光二极体照明装置100的俯视示意图。举例来说，如图3B所绘示，基板110的形状为圆柱体，下电极、上透明电极以及垂直式发光二极体以环状排列。
[0039]类似地，基板110的形状可为圆柱体、三角柱体、正方体、长方体、六角柱体、八角柱体或者其他多角柱体。下电极121、126、191、192的形状可为圆柱体、正方体、长方体、哑铃形柱体或者其他多角柱体。垂直式发光二极体200、300、400、500、610、620、630、640的形状可为圆柱体、正方体、长方体、六角柱体、八角柱体或者其他多角柱体。上透明电极142、144、146、148的形状可为圆柱体、正方体、长方体、六角柱体、八角柱体或者其他多角柱体。输入电极710与输出电极720的形状可为圆柱体、正方体、长方体、六角柱体、八角柱体或者其他多角柱体。
[0040]如图1所绘示，垂直式发光二极体200还包含图案化介电层240，图案化介电层240设置于第一半导体层210与上透明电极142之间。图案化介电层240覆盖第一半导体层210的边缘部分，且具有开口 242。上透明电极142透过开口 242电性连接垂直式发光二极体200。图案化介电层240的功能为避免垂直式发光二极体200的表面复合现象(SurfaceRecombinat1n)，与避免垂直式发光二极体200的侧面产生漏电流，借此提升垂直式发光二极体200的发光效率。
[0041]具体而言，图案化介电层240的材质为氮化硅(SiN)或二氧化硅(S12)。