专利名称：压模头的制作方法
技术领域：
压模头
技术领域：
本实用新型涉及一种压模头。背景技术：
压模头是半导体封装中必不可少的工具，主要对粘片时焊锡进行整形，起到将焊锡压薄，并使其形状和大小与芯片达到尽可能的一致的目的。压模头广泛应用于各种功率 器件的封装生产中。压模头的整形主要靠其表面的结构，为了不使焊锡流动失控，所以四周高于中间， 为了避免整形时中间气体的影响，所以在中间形成几个较深的气槽。这是目前一般比较常 见的结构。随着对功率器件的应用要求越来越高，为了进一步保证器件性能的一致和质量的 更高标准，对焊锡的平整度和形状有了更加严格的要求，传统的压模头，已经不能满足现有 的生产工艺要求，由于气槽结构的不合理，和气槽尺寸结构的局限性，会造成焊锡太厚，形 状不够标准和规范，更有甚者，焊锡钻进气槽直接影响焊锡质量，严重的会造成大面积空 洞。
实用新型内容有鉴于此，有必要针对传统压模头气槽结构不合理的问题，提出一种气槽结构合 理的压模头。一种压模头，包括中心图案、气槽、通道，所述气槽为环形，中心图案通过通道与气 槽连通。优选地，所述气槽的宽度为0. Imm 0. 5mm。优选地，所述气槽的深度为0. 2mm 0. 5_。优选地，所述中心图案的深度为0. Olmm 0. 05_。优选地，所述中心图案与所述气槽之间的深度为0. 02cm。优选地，所述压模头的宽度为7. 3cm。优选地，所述中心图案和所述气槽之间的台阶深度为0. Olmm 0. 04mm。采用上述结构，气槽结构为环形，节约了材料，提高了锡焊的质量。
图1为压模头的示意图。
具体实施方式
一种压模头，包括中心图案11和气槽13，气槽13通过4个通道15与中心图案11 连通。中心图案11优选为正方形，其宽度优选为1. Scm0为了避免焊锡流动失控，中心图案11低于四周，中心图案的深度较传统的浅，优选为0. Olmm 0. 05mm,中心图案11和气槽 13之间的台阶深0. Olmm 0. 04mm。中心图案11通过四个通道15与气槽13相通，气槽13在中心图案11的四周，为 环形，将中心图案11环绕。气槽13的深度优选为0. 2mm 0. 5mm，气槽13的宽度优选为 0. Imm 0. 5mmο压模头优选为正方形，其宽度优选为7. 3cm。传统的压模头，在中心图案的四面各有一个气槽，并且，尺寸结构太窄，造成锡焊 太厚，浪费了材料，形状不够标准规范，甚至，锡焊钻进气槽直接影响焊锡质量，严重会造成 大面积空洞。本实用新型将气槽做成环形，并且宽度加宽，有效地改进了焊 锡效果。以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细， 但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通 技术人员来说，在不脱离本发使用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都 属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求一种压模头，包括中心图案和气槽，其特征在于还包括通道，所述气槽为环形，中心图案通过通道与气槽连通。
2.如权利要求1所述的压模头，其特征在于所述气槽的宽度为0.Imm 0. 5mm。
3.如权利要求1所述的压模头，其特征在于所述气槽的深度为0.2mm 0. 5mm。
4.如权利要求1所述的压模头，其特征在于所述中心图案的深度为0.01mm 0. 05mmo
5.如权利要求1所述的压模头，其特征在于所述中心图案与所述气槽之间的深度为 0. 02cm。
6.如权利要求1所述的压模头，其特征在于所述压模头的宽度为7.3cm。
7.如权利要求1所述的压模头，其特征在于所述中心图案和所述气槽之间的台阶深 度为 0. Olmm 0. 04mm。
专利摘要一种压模头，包括中心图案、气槽、通道，所述气槽为环形，中心图案通过通道与气槽连通。采用本实用新型的结构，克服了传统压模头气槽结构不合理和气槽尺寸结构的局限性造成焊锡太厚，形状不够标准和规范的缺点。
文档编号B23K3/08GK201609799SQ20092029685
公开日2010年10月20日 申请日期2009年12月30日 优先权日2009年12月30日
发明者谭楠, 赖辉朋, 高燕辉 申请人:深圳市晶导电子有限公司