专利名称：在真空中涂覆基底的方法和设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及材料涂覆，尤其涉及一种在真空中对基底涂覆沉积材料的方法和装置。
(2)背景技术对基底涂覆沉积材料的方法通常包括在真空中蒸发沉积材料，使蒸发的沉积材料在比蒸发的沉积材料的温度要低的温度下凝结在基底上。
在有机基装置的生产中，薄的、平的、薄膜状的基底在其至少一侧涂覆通常是有机基化学涂层。基底材料可以是玻璃或塑料/聚合体材料，尽管通常是平面结构，但也可以由弯曲的或非平面的表面构成。基底涂覆尺寸由于目前材料源的技术能力的限制而一般限制在几个平方英寸。
在制造诸如有机基LED显示器、有机基激光器、有机基光电屏面和有机基集成电路的大部分有机基装置时，通常用如
图1所示的点源坩埚(point sourcecrucible)A或修正的点源坩埚将化学品或沉积材料在真空中施加于基底。当化学品被加热时，化学品蒸发并以通常的余弦形状散发烟流C经出口B辐射离开点源坩埚A。然后通常是将基底D保持在一固定位置或使基底D的平的一侧E面对点源坩埚A在散发烟流C内转动。一定量的蒸发化学品沉积在基底D的平的一侧E，形成薄膜涂层。
在某些应用中，用修正的点源产生高斯(不均匀的)通量分布。修正的点源的例子包括R.D.Mathis型船、Knudsen单元或感应炉源。但是，点源或修正的点源坩埚的一般的缺陷在于它们的设计上。首先，控制化学品的蒸发速度的能力包括对低热容量和导热性较差的材料温度和温度梯度进行敏感的、精确的控制。点源/高斯材料源通常使用辐射反射体、绝缘和障碍，以在1,000-2,000℃的高温对金属和盐形成良好的蒸发速度。但是，这些材料源对于在100-600℃较低温度蒸发有机基化学品是不合适的。施加于许多有机基化学品的过分的热量会使化学品溅到材料源的外面，从而破坏了正在基底上生成的任何薄膜，并且需要停止使用真空系统以便进行清洁和再加载。另一问题是蒸发的化学品频频凝结在点或修正的点源坩埚的出口。蒸发化学品的凝结开始改变或或堵塞出口，使化学品落回到坩埚的被加热的内部，并溅到基底上。这种喷溅破坏化学薄膜的同质分布，因为具有喷溅缺陷的薄膜表面粗糙度值较高，使整个沉积层具有针孔缺陷。源出口冷凝还通过改变了通量散发分布降低了沉积薄膜的均匀性。
点源和修正的点源坩埚的另一缺点是，没有通量均匀分布的轴线。点源和修正的点源坩埚只有当通量角(flux angle)保持较小时才能产生相当均匀的薄膜。如图2所示，通量角度α、β-和γ由从点源坩埚的出口延伸的法向轴线N计量到线L1、L2和L3，这些线代表图1中余弦形烟流C的边缘。保持通量角度较小例如图2所示的角度α的唯一途径是大大增加点源坩埚A与诸如用标记D1、D2和D3表示的那些基底的平的一侧E之间的分离距离或喷射距离(throw distance)。例如，基底D2需要移动到基底D3的距离才可被完全涂覆，同时保持通量角度α不变。这样一种移动将形成从TD2到TD3的喷射距离。类似地，如果基底D3移动到基底D1的位置，即从TD3到TD1，则只有基底D3的小部分被涂覆，沉积涂层极少均匀。薄膜均匀度是用于光子和电子应用的有机层的一个很重要的特征，因为如果有机基薄膜均匀性不能保持在95％或更高，制造的装置将不能正常工作。
为了获得95％或更高的均匀薄膜，可预计喷射距离。如果这种均匀要求应用于一例如6英寸正方形基底，那么需要一约 英尺的喷射距离。作为比较，一24英寸正方形基底需要 英尺的喷射距离。这种喷射距离的增加破坏了发展生产过程的能力，因为薄膜生长率与坩埚和基底之间的距离平方成反比。
有机基材料的薄膜生长速率通常以埃/秒为单位表示。例如，对12英寸基底涂覆95％均匀薄膜、涂覆1000埃厚，则一英尺或更小的喷射距离是比较理想的。在一英尺喷射距离，典型的化学沉积率是每秒18埃，相当于约55秒的涂覆时间。反之，在 英尺的喷射距离，导致 小时的沉积时间。
除了增加薄膜生长速率之外，增加喷射距离，则显著增加生产成本。首先，真空室必须大到足以容纳增大的喷射距离，需要较大的真空沉积室和较大功率的真空泵。第二，昂贵的化学品有很大的浪费，因为喷射距离的增加降低了沉积效率。第三，由于蒸发的未到达基底的有机材料沉积在真空室的内壁上，真空室必须较频繁地从生产作业中取出进行清洁。清洁是昂贵的，因为诸如用于生产有机液体电子显示器的一些化学品是有毒的和昂贵的。因为点或修正点源坩埚仅保持1至10立方厘米之间的化学品，使成本又进一步扩大。因此，每次只能有少量基底可进行涂覆，然后真空室必须被连到大气、对真空室进行清洁、坩埚再装料和真空室再抽空。
因此，本发明的一个目的是提供在真空中涂覆基底的方法和设备，当基底的宽度增大时，允许较大的基底在不增加喷射距离的情况下涂覆，在涂覆过程中，允许较多的沉积材料沉积在基底上，减少加料停工时间和减少清洁时间。
发明概要为了有助于解决与已有技术有关的问题，本发明总的包括一对基底涂覆沉积材料的真空沉积系统。真空沉积系统包括一真空室和一位于真空室内的材料源。材料源具有一本体，该本体沿纵向轴线延伸，具有一基本纵向的散发构件，从而构成一内腔和一流体连接于该内腔的出口。一热源靠近材料源的本体定位。
一要涂覆的、其宽度平行于本体纵向轴线测量的基底可放置在真空室内，其中在基底的一侧与出口之间测量的喷射距离随基底宽度的增加而保持不变。最好是，材料源本体的基本纵向部分等于基底的宽度或小于基底宽度。
将沉积材料加到材料源本体的内腔中。从包括有机基化学品和有机基化合物的材料组中选择沉积材料。沉积材料被热源所加热，并通过沿材料源本体的基本纵向散发构件的出口喷射出来。
材料源可有一敞开槽形状的本体，本体具有两个纵向延伸的侧壁和一对端壁，其中纵向延伸的侧壁和端壁构成了本体的内腔。材料源的本体可进一步构成靠近出口定位的上端和一基部，热源是一加热线圈，位于本体上端的加热元件的数量比在本体基部的要大。出口可沿本体的基本纵向散发构件连续延伸，若干突肋位于由材料源本体构成的内腔中。
材料源还可有一第一管道，该管道构成一内腔和一流体连接于内腔的第一出口，其中本体是一容纳在第一管道内腔中的第二管道。由第一管道构成的第一出口可与由第二管道构成的出口对齐，或，由第一管道构成的第一出口以非重合的构造与由第二管道构成的出口对齐。不管本体类型如何，一过程控制装置连接于材料源的本体。
用一材料源和一真空室涂覆基底的一个方法包括如下步骤a.将材料源定位在真空室中，材料源具有一沿纵向轴线延伸的本体，本体具有一基本纵向的散发构件并构成一内腔和一流体连接于内腔的出口；b.将一基底定位在真空室中，与由材料源本体构成的出口相对；c.将沉积材料加到由材料源本体构成的内腔中；d.抽空真空室以形成真空；
e.加热在材料源本体的内腔中的沉积材料；f.蒸发的沉积材料沿本体的基本纵向的构成喷射；以及g.移动基底通过蒸发的沉积材料。
基底以恒速移动通过蒸发的沉积材料。当基底涂覆完成时，基底移动到另一工序，或打开真空室，取出已涂覆的基底，放入新的基底，再排空真空室，然后重复上述的步骤。
用于将沉积材料涂覆在基底表面上真空沉积的一类材料源包括诸如一点源坩埚、一修正点源坩埚或组合的两个本体，每一个本体构成一内腔和至少一个流体连接于内腔的出口，一加热元件放置在各本体附近，其中两个本体沿一公共纵向轴线对齐以形成一基本纵向的散发构件。一过程控制装置连接于材料源的两本体之一，两本体的内腔构造成容纳从包括一有机基化学品和一有机基化合物的材料组中选择的沉积材料。
用于将沉积材料涂覆在基底表面上真空沉积的另一类材料源包括一本体，该本体沿一纵向轴线延伸，具有一基本纵向的散发构件，并构成一内腔和至少一个流体连接于内腔的出口，一加热源放置在材料源的本体附近。出口可沿本体的基本纵向散发构件连续延伸，若干突肋位于由材料源本体构成的内腔中。材料源可有一敞开槽形状的本体，本体具有两个纵向延伸的侧壁和一对端壁，其中纵向延伸的侧壁和端壁构成了本体的内腔。
材料源还可包括一第一管道，该管道构成一内腔和一流体连接于内腔的第一出口，其中本体是一容纳在第一管道内腔中的第二管道。热源放置在第一管道或第二管道附近，热源包括热传导电绝缘的第一层、传导材料的第二层和热传导电绝缘的第三层。由第一管道构成的第一出口可与由第二管道构成的出口对齐，或，由第一管道构成的第一出口以非一致的构造与由第二管道构成的出口对齐。
本发明的这些和其它的优点在与附图相关联的较佳实施例的详细说明中会更清楚，在所有的附图中相同的编号表示相同的元件。
附图简要说明图1是已有技术单个点源坩埚的侧视图；图2是图1所示的已有技术单个点源坩埚的侧视图，靠近坩埚置放有逐个增大的基底；图3是本发明一个实施例的材料源的剖开的立体图4是图3所示材料源的剖开的端视图；图5是图3和4所示的材料源的剖开的侧视图；图6是沿图3-5所示的材料源的基本纵向部分轴向延伸的散发烟流的俯视立体图；图7是图5所示的两个材料源定位在真空室内的俯视图；图8是图5-7所示的四个材料源以偏斜角定位在真空室内的侧视图；图9是本发明第二实施例的多个材料源的俯视图；图10是本发明第三实施例的材料源的立体图；图11是具有一电阻加热元件的第一管道的立体图，该元件设在毗连第一管道的外表面；图12是图10-11所示的第一管道和定位在第一管道内的第二管道的剖开的端视图；以及图13是图10所示第三材料源的剖开的侧视图。
较佳实施例的详细说明图3-6示出本发明材料源10的一个实施例。图3示出一槽形坩埚12类型的材料源10，用于蒸发沉积材料14，诸如有机化学品或有机化合物或其它合适的材料。槽形坩埚12总的包括一细长的顶部敞开的绕纵向轴线L延伸的本体16。如图3和6所示，本体16最好包括相对的纵向侧壁18、相对的端壁20和一基部22，它们一起形成一整体的结构。侧壁18和端壁20最好具有相同的宽度W，如图3所示，但侧壁18最好有较端壁20的长度EL长的长度SL。由于侧壁18延伸的长度SL较端壁20的长度EL长，本体16具有约等于侧壁长度SL的主要的纵向散发部分和约等于端壁20长度EL的较小的侧向散发部分。此外，槽形坩埚12的侧壁18较好的是较要涂覆的基底24长，如图7所示，诸如使用15英寸长度侧壁18涂覆12英寸的正方形基底24。
参阅图3-4，本体16的侧壁18、端壁20和基部22构成了一个内腔26和一出口27，本体16的基部22进一步构成了如图5和7所示突肋28，这些突肋28邻近内腔26和基部22的第一表面30，最好在侧壁18之间延伸。这些突肋28可通过诸如机加工与本体16一体形成，以便进一步有助于将沉积材料14均匀装到槽形坩埚12以及进一步校准槽形坩埚12的垂直通量。如图5和6所示，即使较佳地装上约为50立方厘米至100立方厘米的沉积材料14，诸如有机材料的突肋28中的沉积材料14能够使整个槽形坩埚12可绕轴线L2略微转动。本体16和突肋28由导热材料最好是产生均匀热分布的材料所形成。陶瓷是较可取的，但金属或其它合适材料也可接收。可对本体16施加不同的涂层，以便增强本体16的耐用性和性能。
如图8所示，槽形坩埚12也可绕纵向轴线L略微转动。这使得多个槽形坩埚12(每一个装有诸如有机基化学品的不同沉积材料14)沿公共沉积轴线32散发蒸发的化学品。不同的蒸发沉积材料14可在混合区域34混合，并较均匀的分布在基底24上。可使用孔36对准在混合区域34的沉积材料14，并限制到基底24的沉积材料14的通道。
如图3-4和7-8所示，加热元件38邻近本体1定位，较佳地是靠近侧壁18的外表面，较集中的加热元件38邻近每一侧壁18的靠近出口27的上边缘40定位。靠近侧壁18上边缘40的较集中加热元件38有助于防止蒸发沉积材料14的再结晶化。类似地，通过引入一在槽形坩埚12的基部22具有较低温度的垂直温度梯度，由基部22附近引起的喷发减少了喷溅。加热元件38最好是通过表面安装，但也可嵌入安装，或者靠近侧壁18定位。或者，热量由加热灯(未示出)提供，加热元件38据槽形坩埚12的侧壁18一定的距离定位，或通过感应加热。
如图3所示，电源线42连接于加热元件38。热电偶温度传感探头44靠近槽形坩埚12、较佳地是靠近基部22定位。热电偶传感探头44连接于控制涂覆工序的传感设备和其它工序控制装置45。
有了合适的功率控制，沉积材料14的温度可升(ramp)至预定数值。有了合适的沉积材料14散发监控，诸如石英晶体马达，就可对沉积材料14进行节流，以预定沉积或散发的速度。有了较智能化的功率控制器和晶体传感器，就可预编制热量程序，以迅速地除气和抽真空，准备纯沉积材料14，以使槽形坩埚12型的材料源10快速周转。
在如图9所示的本发明的第二实施例中，材料源10’包括多个沿在真空室48内的线性阵列中的纵向轴线L’设置的点源坩埚46，以形成一基本上是纵向的散发构件，该构件约等于线性阵列的总长LA。如同第一实施例的材料源10，第二实施例提供一材料源，其基本纵向的散发构件大于材料源的横向构件。每一点源坩埚46有一形成一出口27的本体16’、一加热元件38’、电源线42’和热电偶温度传感探头44’。线性阵列样式大约模仿图3-8所示的槽形坩埚12，因此可用于涂覆宽度W2大于若干英寸的基底24。但是，这些好处被已知的缺陷诸如喷溅和分离的电源、温度显示、晶体头和反馈和控制回路的多个要求所抵消。
图10-13总的示出了本发明的第三实施例的材料源10″。如图10所示，第三实施例的材料源10″包括第一管道56或其它基本是空心的部分被覆盖在可选择的挡热罩94中的结构。第一管道56有两个相对的端部58、60，构成了至少一个出口27″。第一管道56由连接于基座64的立柱62或类似的支承固定装置或金属构件(hardware)所支承。如图11所示，一诸如栅格样式的电阻加热元件74靠近第一管道56的外表面76定位。
如图12所示，第二管道66或构成流体地连接于一出口的内腔的其它结构容纳在由第一管道56构成的内腔68中。构成容纳诸如有机基或其它化学品的沉积材料14的第二管道66总的构成一流体连接于第二出口27’″的第二内腔70。第一管道56和第二管道66都由陶瓷或其它合适的材料制成。第一管道56的中心轴线C1可与第二管道66的中心轴线C2重合地或偏心地定位。第二出口27″’可与第一管道56构成的出口27″对齐，或选择，出口27″、27″’以非重合对齐构造对齐，由第一和第二管道56、66构成的出口27″、27″’不代表容纳在第二管道66的沉积材料14与基底24之间的一条视觉通道SP的线。为了使第一管道56和第二管道66对齐，由石英或其它合适材料制成的可选择的支承杆72在第一管道56的相对端部58、60之间延伸。附加的第二管道66也可容纳在第一管道56内，以允许多个化学品的散发。
图13较详细地示出了本发明的第三实施例，其中栅格式或电阻式加热元件74替换为电阻式加热元件74’。电阻式加热元件74’包括热传导电绝缘的诸如氧化铝的第一层78，随后是NiCr或其它合适的电阻式传导材料的第二电阻式层80，随后是热传导电绝缘的第三层78’。如前所述，挡热罩94和绝缘按钮96靠近热传导电绝缘的第三层定位。
继续参阅图13，第一和第二管道56、66套在一起。第一管道56的相对端部之一58可取下地连接于第二管道66的相对的端部84，其中第二管道的端部84可取下地连接于第二管道66。被一轴套90包围的杆88穿过第一管道56的端部58和第二管道66的相应相对端部84延伸。也是被轴套90’包围的第二杆88’穿过第一管道56的另一相对端部60和第二管道66的另一相对端部86延伸。第二杆88’由一连接于基部64的有凹口的支承臂92支承。挡热罩92和用于定位挡热罩92的绝缘按钮94前面已经讨论过。
至少一个电极98穿过第三实施例的材料源10″的基部64延伸，通过诸如陶瓷或其它合适材料的绝缘材料100与基部64电绝缘。电极98使电阻式加热元件74″连接于电源线42。诸电接触夹紧件102将第一管道56可取下地连接于电极98。
本发明的任何实施例的材料源用于涂覆一基底24，其中槽形坩埚12或空心的管道56″的材料源10、10″是较佳的。为清楚起见，除另有说明之外，只描述第一在如图7-8所示的第一操作方法中，涂覆操作是通过将沉积材料14定位在材料源10中然后将一个或更多的材料源10和一个或更多的基底24定位到真空室48中开始的。材料源10应彼此平行地定位，每一基底24的基底轴线50大约垂直于平行的材料源10的纵向轴线L定位。
另一可选择的步骤是，为材料源10、真空室48和预定量的沉积材料14除气。例如，加入槽形坩埚12的沉积材料14总的是70立方厘米至100立方厘米，但可根据材料源10的尺寸而可增加或减少。
下一步是，将真空室48排到所需的真空压力，最好是小于1·10(-3)乇，通常小于9·10(-6)乇，或其它合适的真空压力。一旦合适的真空建立，下一步是加热装在材料源10中的一个或更多个中的沉积材料14，直到沉积材料14蒸发并传播烟流状52的蒸发的沉积材料14。一旦蒸发开始，下一步是，使基底24以恒速v移动通过线性形状的烟流52，如图7和8所示。薄膜沉积的特征通常是生长率＞＝每秒10埃，薄膜均匀度＞95％。基底24可通过任何合适的运动装置而运动，高架传送装置(未示出)是较佳的。
在本发明的第三实施例材料源10″的操作中，沉积材料14装到第二管道56，并由来自第一管道56的内表面82的辐射热加热。沉积材料14被蒸发并通过第二管道66构成的一个或若干出口27″和第一管道56构成的一个或多个出口27″’，然后进入真空室48。由第二管道66构成的出口27″’与由第一和第二管道56、66构成的出口27″’、27″重合，也可不重合地对齐，其中第一和第二管道56、66的出口27″’、27″不在沉积材料14与基底24之间呈现一视觉线SP。
如图7和8所示，但总的可适用于所有的实施例，材料源10的线性设计有助于保证当基底24经过蒸发沉积材料14的烟流52时，薄膜均匀度到基底24的真正边缘处54。但是，如果使用槽形坩埚12或空心管道式材料源10，将侧壁18(或管道)的纵向SL制造成比基底24的宽度W2要长，均匀性就很容易达到。这是由于存在可用于增强从材料源10的端壁20的散发的积分高斯通量散发角的缩减数。可变出口或孔径的使用可弥补这种效果，并产生一横过材料源散发的更均匀的散发。
显而易见，本发明可使大的基底24涂覆沉积材料14。在取得该结果的同时，总的减少了沉积材料14的浪费、对潜在危险的材料中的暴露、对较大真空室48、涂覆时间和操作成本的要求。由于本发明产生一与一个单个点或修正点源产生的烟流相比在更长纵向构件的材料源上总的是线性的蒸发烟流，从点源观察的非均匀性和它们的有关余弦分布烟流消除了或被大大地减少了。此外，不是将喷射距离增加到几个英尺以获得95％均匀程度，而是喷射距离可小于一英尺，这与要涂覆的基底侧表面面积的尺寸无关。
本发明的另一特征是，可用有效的高斯散发角的大部分对以恒定速度在一个或多个材料源上经过的基底进行沉积。这导致直接在基底上沉积百分比较大的化学品，而不是在真空室的内表面进行不必要的涂覆。这减少了停工时间，大大降低了每一要涂覆的基底的有机化学品成本。有关的好处是，由于材料源具有比点源或修正点源较长的纵向构件，更多的化学品装入材料源中，当材料源可在再加料周期之间涂覆更多的基底，导致在商业应用中节省停工时间。
由于材料源具有标准的引线连接(feedthrough)和电源连接，所以还提高了灵活性。任何目前能够接收线性喷溅材料源的真空系统都可在该位置重新装配该材料源。配有6英寸至12英寸的圆形喷溅源的真空系统也可接收类似或相同尺寸的材料源。因此，不需要构造新的真空系统，就可获得本发明的有机沉积能力。材料源还能在一有限空间尺寸内将自己布置成若干列或阵列。可为一个真空系统准备若干材料源，使得当一个材料源用完沉积材料时，可使用下一个材料源。此外，实际上由于较低的热量梯度和坩埚工作温度而消除了槽形坩埚式或管道式材料源的材料喷溅。
已结合较佳实施例描述了本发明。本领域的技术人员在阅读和理解前面的详细的说明时可作些显而易见的变异和改变。要将本发明解释成包括所有的变异和改变，这些均包括在所附的权利要求书的范围或其等效物内。
权利要求
1.一种为基底涂覆沉积材料的真空沉积系统，它包括一真空室；一位于所述真空室内的材料源，所述材料源具有一本体，该本体沿纵向轴线延伸，具有一基本纵向的散发构件，并构成一内腔和一流体连接于所述内腔的出口；以及一热源，靠近所述材料源的所述本体定位。
2.如权利要求1所述的真空沉积系统，其特征在于，还包括一基底，该基底有一平行于所述本体纵向轴线测量的宽度，其中在所述基底的一侧与所述出口之间测量的喷射距离随所述基底的所述宽度的增加而保持不变。
3.如权利要求1所述的真空沉积系统，其特征在于，还包括一基底，该基底有一平行于所述本体纵向轴线测量的宽度，其中所述材料源的所述本体的所述基本纵向部分等于所述基底的所述宽度。
4.如权利要求1所述的真空沉积系统，其特征在于，还包括一基底，该基底有一平行于所述本体纵向轴线测量的宽度，其中所述材料源的所述本体的的所述基本纵向部分小于所述基底的所述宽度。
5.如权利要求1所述的真空沉积系统，其特征在于，还包括加到所述材料源的所述本体的所述内腔中的沉积材料。
6.如权利要求5所述的真空沉积系统，其特征在于，所述沉积材料从包括有机基化学品和有机基化合物的材料组中选择。
7.如权利要求5所述的真空沉积系统，其特征在于，所述沉积材料被所述热源所加热，并通过沿所述材料源的所述本体的所述基本纵向散发构件的出口喷射出来。
8.如权利要求7所述的真空沉积系统，其特征在于，所述材料源的所述本体进一步构成靠近所述出口定位的上端和一基部，所述热源是一加热线圈，位于所述本体所述上端的加热元件的数量比在所述本体所述基部的要多。
9.如权利要求1所述的真空沉积系统，其特征在于，还包括一连接于所述材料源的所述本体的过程控制装置。
10.如权利要求1所述的真空沉积系统，其特征在于，所述出口沿所述本体的所述基本纵向散发构件连续延伸。
11.如权利要求1所述的真空沉积系统，其特征在于，还包括若干位于由所述材料源的所述本体构成的所述内腔中的突肋。
12.如权利要求1所述的真空沉积系统，其特征在于，所述本体为一敞开槽形状，具有两个纵向延伸的侧壁和一对端壁，其中所述纵向延伸的侧壁和所述端壁构成了所述本体的所述内腔。
13.如权利要求1所述的真空沉积系统，其特征在于，还包括一第一管道，该管道构成一内腔和一流体连接于所述内腔的第一出口，其中所述本体是一容纳在所述第一管道所述内腔中的第二管道。
14.如权利要求13所述的真空沉积系统，其特征在于，由所述第一管道构成的所述第一出口与由所述第二管道构成的所述出口对齐。
15.如权利要求13所述的真空沉积系统，其特征在于，由所述第一管道构成的所述第一出口以非重合的构造与由所述第二管道构成的所述出口对齐。
16.一种用一材料源和一真空室涂覆基底的方法，该方法包括如下步骤将所述材料源定位在所述真空室中，所述材料源具有一沿纵向轴线延伸的本体，本体具有一基本纵向的散发构件并构成一内腔和一流体连接于所述内腔的出口；将一基底定位在所述真空室中，与由所述材料源的所述本体构成的所述出口相对；将一沉积材料加到由所述材料源的所述本体构成的所述内腔中；抽空所述真空室以形成真空；加热在所述材料源的所述本体的所述内腔中的所述沉积材料；蒸发的沉积材料沿所述本体的基本纵向部分散发；以及移动所述基底通过所述蒸发的沉积材料。
17.如权利要求16所述的用一材料源和一真空室涂覆基底的方法，其特征在于，所述基底以恒速移动通过所述蒸发的沉积材料。
18.一种用于在基底表面上的沉积材料的真空沉积的材料源，所述材料源包括两个本体，每一个本体构成一内腔和至少一个流体连接于所述内腔的出口；一加热元件，放置在所述两个本体附近；其中所述两个本体沿一公共纵向轴线对齐以形成一基本纵向的散发构件。
19.如权利要求18所述的材料源，其特征在于，所述两个本体之一是点源坩埚。
20.如权利要求18所述的材料源，其特征在于，所述两个本体之一是修正的点源坩埚。
21.如权利要求18所述的材料源，其特征在于，还包括一连接于所述材料源的所述两本体之一的过程控制装置。
22.如权利要求18所述的材料源，其特征在于，所述两本体的所述内腔构造成容纳从包括一有机基化学品和一有机基化合物的材料组中选择的沉积材料。
23.一种用于在基底表面上的沉积材料的真空沉积的材料源，所述材料源包括一本体，该本体沿一纵向轴线延伸，具有一基本纵向的散发构件，并构成一内腔和至少一个流体连接于所述内腔的出口；一加热源，放置在所述材料源的所述本体附近。
24.如权利要求23所述的材料源，其特征在于，所述出口沿所述本体的所述基本纵向散发构件连续延伸。
25.如权利要求23所述的材料源，其特征在于，还包括若干突肋，这些突肋位于由所述材料源的所述本体构成的所述内腔中。
26.如权利要求23所述的材料源，其特征在于，所述本体有一敞开槽的形状，该本体具有两个纵向延伸的侧壁和一对端壁，其中所述纵向延伸的侧壁和所述端壁构成了所述本体的所述内腔。
27.如权利要求23所述的材料源，其特征在于，还包括一第一管道，该管道构成一内腔和一流体连接于所述内腔的第一出口，其中所述本体是一容纳在所述第一管道的所述内腔中的第二管道。
28.如权利要求27所述的材料源，其特征在于，所述热源放置在所述第一管道附近，所述热源包括热传导电绝缘的第一层、传导材料的第二层和热传导电绝缘的第三层。
29.如权利要求27所述的材料源，其特征在于，所述热源放置在所述第二管道附近，所述热源包括热传导电绝缘的第一层、传导材料的第二层和热传导电绝缘的第三层。
30.如权利要求23所述的材料源，其特征在于，由所述第一管道构成的所述第一出口与由所述第二管道构成的所述出口对齐。
31.如权利要求23所述的材料源，其特征在于，由所述第一管道构成的所述第一出口以非重合的构造与由所述第二管道构成的所述出口对齐。
全文摘要
本发明涉及在一真空室中为一基底涂覆沉积材料的方法和设备，其中使用一具有基本纵向的沉积散发构件的材料源形成一基本纵向的材料沉积散发烟流，在不增加基底与材料源之间的喷射距离的情况下该烟流涂覆基底的一个表面。
文档编号C23C14/12GK1402800SQ00816326
公开日2003年3月12日 申请日期2000年10月20日 优先权日1999年10月22日
发明者G·L·史密斯 申请人:寇脱J·莱斯克公司