专利名称：控制mocvd淀积的pcmo组成的先驱物溶液和方法
技术领域：
本发明涉及一种金属氧化物薄膜、有机金属先驱物、和有机金属化学气相生成(MOCVD)，特别是，形成电阻型存储器材料。
背景技术：
本说明书中，称作电阻型存储器材料的新型材料如今可按照电阻的变化生成非易失性存储器。具有钙钛矿构造的材料，其中超巨大磁阻(CMR)材料也是可能因为外部影响而改变电阻特性的材料。
例如，具有钙钛矿构造的材料(特别是CMR)的性质，可通过给薄膜或块状材料施加一个以上的短的电脉冲加以改变。随着由脉冲(单个或多个)加上的电场强度或电流密度，能够充分转换材料的物理状态改变材料的性质。为了使脉冲不会破坏或大幅度损伤材料，其能量充分地低。对材料施加多个脉冲，可以产生使材料性质增量性变化。作为可变化的性质之一，有材料的电阻。使用与为发生初始变化所用脉冲相反极性的脉冲，或同极性而振幅小宽度大的脉冲，该变化可以是至少部分地可逆的。
至于其用途，作为有希望的材料之中的一种，有PrxCa1-xMnO3。该材料也称作PCMO。因为PCMO淀积中有效的MOCVD先驱物的蒸发温度很高，蒸气压低热稳定性不良，难以控制淀积后的PCMO膜的组成物。并且，也难以保证所生成的PCMO膜的再现性。
发明内容
就采用对每种有机金属化合物准备先驱物溶液的现有MOCVD法的PrxCa1-xMnO3(PCMO)淀积来说，因为高的蒸发温度、低的蒸气压、和PCMO先驱物的热不稳定性，难以控制PCMO膜的组成。进而，也难以保证PCMO膜的再现性。
为了淀积PCMO，提供一种包含溶解于有机溶剂中的Pr(tmhd)3先驱物Mn(tmhd)3先驱物和钙先驱物的单一溶液MOCVD先驱物。钙先驱物例如可以是Ca(tmhd)2或Ca(hfac)2。
并且，还提供MOCVD工艺。衬底可配置在室内，能控制衬底温度的托盘上面。将氧气输入室内，与有机金属先驱物反应，生成PCMO。将衬底加热到规定的衬底温度为止。安装在室内的蒸发器也加热到规定的蒸发器温度。将有机溶剂中溶解有规定摩尔比金属的有机金属先驱物单一溶液导入蒸发器，在蒸发器里进行蒸发。而后，蒸发后的先驱物借助于运载气体送到室内。这样，在衬底上淀积PCMO膜。所获得的膜组成首先按有机金属先驱物的摩尔比进行概算。随着衬底温度和蒸发器温度而使有机金属先驱物的淀积速度变化，可以调节最终的PCMO材料内的金属比，因而最终的组成进而采用对这些温度决定适合值的办法来控制。
本发明的淀积PCMO的单一溶液MOCVD先驱物包含溶解于有机溶剂中的Pr(tmhd)3先驱物、Mn(tmhd)3先驱物和钙先驱物，因此达成上述目的。
所述钙先驱物也可以是Ca(tmhd)2。
所述钙先驱物也可以是Ca(hfac)2。
所述有机溶剂也可以包含丁基醚。
所述有机溶剂也可以包含四甘醇二甲醚(tetraglyme)。
所述有机溶剂也可以按约2∶1～5∶1之间的容量比包含丁基醚和四甘醇二甲醚。
所述有机溶剂也可以按3∶1容量比包含丁基醚和四甘醇二甲醚。
所述有机溶剂也可以包含由包括辛烷、THF、醋酸丁酯、和异丙醇构成的组中选择的溶剂。
也可以淀积0.05～0.5M/L之间的金属地提供所述Pr(tmhd)3先驱物、所述Mn(tmhd)3先驱物和所述钙先驱物。
也可以淀积约0.1M/L的金属地提供所述Pr(tmhd)3先驱物、所述Mn(tmhd)3先驱物和所述钙先驱物。
本发明的淀积PCMO的MOCVD工艺包括a)向MOCVD室内提供衬底的工序；b)把氧气输入该MOCVD室内的工序；c)把该衬底加热到规定的衬底温度的工序；d)把安装于该MOCVD室上的蒸发器加热到规定的蒸发器温度的工序；e)是把包含按规定的摩尔比溶解于有机溶剂中的Pr先驱物、Ca先驱物、和Mn先驱物的单一溶液先驱物导入该蒸发器的工序，使该先驱物蒸发形成先驱物蒸气的工序；以及f)是使用运载气体把该先驱物蒸气送到该室的工序，包含该先驱物蒸气在该衬底上面淀积PCMO薄膜的工序，因此达成上述目的。
所述衬底也可以包括重叠在硅上面的白金或铱所述MOCVD室也可以是约1～5托之间的压力。
所述MOCVD室也可以具有约20％～30％之间的氧分压。
所述规定的衬底温度也可以是约400℃～500℃之间。
所述规定的蒸发器温度也可以是约240℃～280℃之间。
所述单一溶液先驱物也可以包含溶解于有机溶剂中的Pr(tmhd)3、Ca(tmhd)2、和Mn(tmhd)3。
所述单一溶液先驱物也可以包含溶解在以2∶1～5∶1之间的容量比混合丁基醚和四甘醇二甲醚的有机溶剂中的，按(0.7～1.0)∶(0.4～0.7)∶1的范围内的摩尔比的Pr(tmhd)3、Ca(tmhd)2、和Mn(tmhd)3。
所述单一溶液先驱物也可以包含溶解在以3∶1的容量比混合丁基醚和四甘醇二甲醚的有机溶剂中的，按0.9∶0.6∶1的摩尔比的Pr(tmhd)3、Ca(tmhd)2、和Mn(tmhd)3。
所述单一溶液先驱物也可以具有混合有Pr、Ca、Mn的金属约为0.05M/L～0.5M/L之间的总浓度。
所述单一溶液先驱物也可以具有混合有Pr、Ca、Mn的金属具有约0.1M/L的总浓度。
所述单一溶液先驱物也可以包含溶解于有机溶剂中的Pr(tmhd)3、Ca(hfac)2、和Mn(tmhd)3。
也可以还包含，对于各固体有机金属先驱物，调制各自先驱物溶液，在衬底温度和蒸发器温度范围内，通过对各先驱物决定淀积速度，决定所述Pr先驱物、所述Ca先驱物和所述Mn先驱物的摩尔比工序；和为生成各金属成分具有要求浓度的最终材料，规定需要的各先驱物量的工序。
也可以还包含通过利用固定的蒸发器温度，试验不同衬底温度下PCMO材料的组成，决定所述规定衬底温度的工序。
也可以还包含通过利用固定的衬底温度，试验不同蒸发器温度下PCMO材料的组成，决定所述规定蒸发器温度的工序。
按照本发明，成膜后的膜的组成大致由单一溶液先驱物中的有机金属的摩尔比决定，由衬底温度或蒸发器温度的调整最终决定。如与在现有的有机金属化合物后准备先驱物的MOCVD法比较，容易控制PCMO膜的组成和淀积速度。
图1是与单一先驱物溶液一起使用的CVD腔室的示意图。
图2是表示衬底温度对Pr淀积速度的影响图。
图3是表示蒸发器温度对Pr淀积速度的影响图。
图4是表示衬底温度对Ca淀积速度的影响图。
图5是表示蒸发器温度对Ca淀积速度的影响图。
图6是表示衬底温度对Mn淀积速度的影响图。
图7是表示蒸发器温度对Mn淀积速度的影响图。
图8是表示衬底温度为500℃，蒸发器温度为270℃时使用EDX的PCMO的组成图。
图9是表示衬底温度为500℃，蒸发器温度为275℃时使用EDX的PCMO的组成图。
图10是表示衬底温度为400℃，蒸发器温度为275℃时使用EDX的PCMO的组成图。
图11是表示衬底温度为450℃，蒸发器温度为275℃时使用EDX的PCMO的组成图。
图12是表示衬底温度为500℃，蒸发器温度为275℃时使用EDX的PCMO的组成图。
具体实施例方式
作为在电阻型存储器用途上使用的材料中最有希望的材料之一，有PCMO。因此，提供一种有机金属化学气相生长(MOCVD)工艺中使用的先驱物，和调制并使用这些先驱物，淀积PCMO的方法。
MOCVD工艺的先驱物包含固体有机金属化合物和液体有机溶剂。液体先驱物采用把固体有机金属化合物溶解于有机溶剂中的办法生成。
理想的有机溶剂不会与溶解中的固体有机金属化合物反应。理想的有机溶剂以高溶解度使溶解中的固体有机金属化合物溶解。理想的是所得的液体先驱物仅在适度时间内是稳定的。也就是，在适度保管期间内，大体没有固体物析出，或者全都没有析出是理想的。液体先驱物可包含不同的有机金属化合物。该不同的有机金属化合物互相不反应是理想的。在MOCVD工艺所用的温度和压力下，理想的是液体先驱物中溶解后的有机金属化合物为挥发的。为了生成液体先驱物，通过用有机溶剂，在适度保管期间的时间内，不会使溶解于其中的固体有机金属化合物挥发性质恶化是理想的。适度的保管期间最好大约比两个星期还长。虽上述的性质是理想的，但也可以生成没有上述全部理想性质的适当先驱物。就适当有机溶剂的实例来说，包含辛烷、THF、醋酸丁酯、四甘醇二甲醚和异丙醇。
在PCMO的MOCVD淀积中使用的理想固体有机金属先驱物中包含Mn(tmhd)3、Pr(tmhd)3、和Ca(tmhd)2、也可以是Ca(hfac)2来代替Ca(tmhd)2。
先驱物溶液的实施例中，固体有机金属先驱物Mn(tmhd)3、Pr(tmhd)3、和Ca(tmhd)2在丁基醚和四甘醇二甲醚的化合物中进行溶解。丁基醚能以良好的溶解度使有机金属化合物溶解，四甘醇二甲醚不会阻碍输送管路，在高温下，稳定地送达先驱物。先驱物溶液可按0.1摩尔/升的浓度调制各有机金属先驱物。不希望存在氟的场合，Ca(tmhd)2是理想的。
在先驱物溶液的其它实施例中，使用Ca(hfac)2代替Ca(tmhd)2。这是因为，Ca(hfac)2在更低的温度下有更大挥发性，对部分工艺可能要求这种性质。Ca(hfac)2的挥发性相对于Mn(tmhd)3和Pr(tmhd)3的挥发性更是适合的，将会更适合部分工艺。
图1是用于使用液体先驱物40进行MOCVD工艺的CVD腔室10示意图。衬底12位于CVD腔室10内。衬底12可通过输送装置14送入腔室10内，配置在托盘16上。一般地说，托盘16具有加热器，以便能够控制托盘和衬底温度。液体先驱物40通过微型泵44，或者液体流量计或其它液体输送系统注入蒸发器42。液体先驱物在蒸发器里蒸发成气体状态，借助于运载气体46送到室10。运载气体最好是氮气或氩气。蒸发器42与输送管路48一起加热到控制的温度，使先驱物蒸发，有益于减少或消除输送管路内的淀积。为控制运载气体流向蒸发器的流量，可使用气体阀门30。为控制运载气体流向室10的流量，可使用第2阀门32。进而，为了进一步调整流向室10的流量，可根据场合，通过喷头或气体分配器23，使用质量流量控制器34。氧气源56通过阀门58、质量流量控制器(MFC)60和第2阀门62供应到室10。在室10内，氧气送到环形器70。环形器70是位于比气体分配器23稍低的环形管，采用使氧气向着环形管中心的办法，使氧可在衬底12表面上同先驱物蒸气反应。在MOCVD工艺期间，氧被衬底上的PCMO薄膜吸收。
因为淀积PCMO薄膜材料的MOCVD先驱物蒸发温度越高，蒸气压越低，热稳定性低的原因，PCMO薄膜材料的组成是不容易控制的。并且，PCMO薄膜材料的再现性也是困难的。
在MOCVD工艺的实施例中，单一先驱物溶液是通过生成单一先驱物溶液地使有机金属先驱物溶解到有机溶剂的混合物中而生成的。而后，使用该先驱物溶液以便淀积PCMO薄膜材料。通过调节工艺条件，例如蒸发器温度或衬底外度等，进一步控制PCMO薄膜材料的组成。各元素的淀积速度因为受到这些温度的影响，所以互相相对的金属比不仅通过选择有机金属先驱物的比，而且通过调节这些工艺参数进行控制。因此，就可以细致调整淀积比。
为了判定蒸发器温度和衬底温度的变化给不同先驱物的淀积速度带来的影响，按照该记述教导内容，可由本领域技术人员进行实验。例如，在分别以3∶1的容量比混合的丁基醚和四甘醇二甲醚的溶剂中溶解各固体有机金属先驱物Mn(tmhd)3、Pr(tmhd)3和Ca(tmhd)2，关于Pr、Mn和Ca的各金属可分别生成浓度约0.05～0.5M/L之间的溶液。而后，将这些先驱物溶液使用在MOCVD腔室内，判定蒸发器温度和衬底温度对各先驱物溶液的淀积速度的影响。例如，向MOCVD室10内提供衬底12。该例的衬底是例如重叠在下面硅衬底上的SiO2绝缘层上面的，例如Ti、TiN、或TaN等阻挡层上的白金，这个可用Pt/(Ti、TiN、或TaN)/SiO2/Si表示。作为它的代替例，使用铱代替白金，也可以提供Ir/(Ti、TiN、或TaN)/SiO2/Si的衬底构造。
例如，将与衬底温度对应的淀积温度设定为在压力约1～5托之间，约400℃～500℃之间。在腔室内维持约20％～30％之间的氧分压。蒸发器与输送管路一起维持约240℃～280℃之间的温度。将具有0.1M/L的所要求的金属Pr、Ca、或Mn的先驱物溶液以约0.1ml/min～0.5ml/min之间的输送速度送达室10。淀积时间约为20分钟到60分钟之间，取决于膜厚。
图2表示在蒸发器温度固定的状态下，把Pr的淀积速度作为衬底温度的函数。为进行该测定，将蒸发器温度固定在275℃。Pr的淀积速度随着衬底温度的升高，大致线性增大。并且，虽Pr的淀积速度随着蒸发器温度而变化，但在考虑的温度范围内，不是象增加的衬底温度的Pr淀积速度那样是非线性的。图3表示在衬底温度固定的状态下，把Pr的淀积速度作为蒸发器温度的函数。关于图3所示的测定，将衬底温度固定在500℃。
采用Ca(tmhd)2的Ca淀积速度，作为衬底温度和蒸发器温度的函数，同样进行试验。如图4所示，Ca的淀积速度作为试验范围内的温度函数，表示大体上没有变化。但是，如图5所示，Ca的淀积速度随着蒸发器温度的升高大致线性增大。
Mn相对于衬底和蒸发器温度的淀积速度与有关Pr所示的淀积速度比较，可看到同样的变动，如图6所示，Mn的淀积速度作为衬底温度的函数大致是线性的。图7表示蒸发器温度对Mn淀积速度的影响。该变动和图3中有关Pr所示的变动非常类似。
在先驱物溶液的其它实施例中，将固体有机金属先驱物Mn(tmhd)3、Pr(tmhd)3和Ca(tmhd)2溶解于丁基醚和四甘醇二甲醚的混合物中，生成Pr∶Ca∶Mn之比固定的单一先驱物溶液。与图2～图7所示的测定值类似，按照淀积速度作为衬底温度和蒸发器温度函数的结果，规定先驱物成分的摩尔比，以便获得具有所希望的范围内的组成的PCMO薄膜。例如，可以判定，关于Pr(tmhd)3、Ca(tmhd)2、Mn(tmhd)3理想的比为0.7∶0.4∶1和1.0∶0.7∶1之间的摩尔比，并生成PrxCa1-xMnO3材料(这里，x取0.9-0.5之间所希望的值)。而后，在按2∶1～5∶1之间的容量比混合的丁基醚和四甘醇二甲醚的混合溶剂中溶解固体有机金属先驱物，使得PCMO金属的浓度在0.05M/L～0.5M/L之间。
这里以提供实施例为目的，x的目标值约为0.7，生成Pr0.7Ca0.3MnO3。于是，关于Pr(tmhd)3、Ca(tmhd)2、Mn(tmhd)3，设定成摩尔比为0.9∶0.6∶1。在衬底温度和蒸发器温度的范围内，摩尔比要由各金属的淀积速度来决定。这可以利用温度范围内的平均淀积速度，或者通过采取温度范围内的中央淀积速度进行规定。最终的组成可通过进一步调整衬底温度和蒸发器温度，然后细致进行调节。将固体有机金属先驱物溶解于以容量比3∶1混合的丁基醚和四甘醇二甲醚的混合溶剂中。所得的先驱物溶液用于PCMO淀积，具有0.1M/L浓度的金属。该单一溶液先驱物在约240℃～280℃的温度范围内，用微型泵44以约0.2ml/min～0.4ml/min之间的速度注入蒸发器42，形成先驱物蒸气。供给管路维持在约240℃～280℃之间的温度。将衬底温度固定在约400℃～500℃之间的温度范围内。采用固定衬底温度，选择蒸发器温度的办法，就能细致调节Ca∶(Pr+Mn)之比。所得的PCMO薄膜的组成可使用能量分散型X射线(EDX)进行测定。
(例1)将衬底固定在500℃，选定蒸发器温度为270℃。因此，生成图8中表示的具有根据EDX所示组成的PCMO薄膜。
(例2)将衬底固定在500℃，选定蒸发器温度为275℃。因此，生成图9中表示的具有根据EDX所示组成的PCMO薄膜。
把图8的结果和图9的结果比较的话，就很清楚Ca和Pr与Mn之比改变了。所以，采用固定衬底温度，调节蒸发器温度的办法，能够获得理想的组成或所希望的组成。可以通过控制有机金属先驱物之比以及衬底温度和蒸发器温度，能够重复获得该组成。并且，可以不必改变先驱物溶液本身，就能够对组成进行细致调节。
并且，通过使用单一溶液，固定蒸发器温度，选择衬底温度，就能够调节组分。
(例3)将蒸发器温度固定在275℃，选定衬底温度为400℃。因此，生成图10中表示的，具有根据EDX所示组成的PCMO薄膜。
(例4)将蒸发器温度固定在275℃，选定衬底温度为450℃。因此，生成图11中表示的，具有根据EDX所示组成的PCMO薄膜。
(例5)将蒸发器温度固定在275℃，选定衬底温度为500℃。因此，生成图12中表示的，具有根据EDX所示组成的PCMO薄膜。
比较图10～图12的话，很清楚，在固定蒸发器温度的状态下，利用衬底温度，能够调节所得的PCMO薄膜的组成。因此，提供使用相同单一溶液先驱物，控制所得膜中Pr∶Ca∶Mn之比的机构。
本发明虽然特别表示并记述了例示的实施例和最佳实施例，但是应该理解可对形式和细节做出变更而不会脱离本发明的范围。本发明不限定于任意例示的实施例或最佳实施例，而仅由权利要求书来限定。
如以上那样，虽然利用本发明的最佳实施例说明了本发明，但是不应解释本发明限定于本实施例。本发明只能按照权利要求书的范围解释其范围。应该认为，本领域技术人员从本发明具体的最佳实施例记载出发，根据本发明记载和技术常识能够实施等效的范围。本说明书中引用的专利、专利申请和文献，应该认为其内容本身与具体地记载于本说明书的内容同样，其内容应用作对本说明书的参考。
权利要求
1.一种淀积PCMO的单一溶液MOCVD先驱物，包含溶解于有机溶剂中的Pr(tmhd)3先驱物、Mn(tmhd)3先驱物和钙先驱物。
2.按照权利要求1所述的先驱物，其特征是所述钙先驱物是Ca(tmhd)2。
3.按照权利要求1所述的先驱物，其特征是所述钙先驱物是Ca(hfac)2。
4.按照权利要求1所述的先驱物，其特征是所述有机溶剂包含丁基醚。
5.按照权利要求1所述的先驱物，其特征是所述有机溶剂包含四甘醇二甲醚。
6.按照权利要求1所述的先驱物，其特征是所述有机溶剂按约2∶1～5∶1之间的容量比包含丁基醚和四甘醇二甲醚。
7.按照权利要求1所述的先驱物，其特征是所述有机溶剂按3∶1的容量比包含丁基醚和四甘醇二甲醚。
8.按照权利要求1所述的先驱物，其特征是所述有机溶剂包含由包括辛烷THF、醋酸丁酯、和异丙醇构成的组中选择的溶剂。
9.按照权利要求1所述的先驱物，其特征是提供所述Pr(tmhd)3先驱物、所述Mn(tmhd)3先驱物和所述钙先驱物，淀积0.05～0.5M/L之间的金属。
10.按照权利要求1所述的先驱物，其特征是提供所述Pr(tmhd)3先驱物、所述Mn(tmhd)3先驱物和所述钙先驱物，淀积约0.1M/L的金属。
11.一种淀积PCMO的MOCVD工艺，包括a)向MOCVD室内提供衬底的工序；b)把氧气输入该MOCVD室内的工序；c)把该衬底加热到规定的衬底温度的工序；d)把安装于该MOCVD室上的蒸发器加热到规定的蒸发器温度的工序；e)是把包含按规定的摩尔比溶解于有机溶剂中的Pr先驱物、Ca先驱物、和Mm先驱物的单一溶液先驱物导入该蒸发器的工序，使该先驱物蒸发形成先驱物蒸气的工序；以及f)是使用运载气体把该先驱物蒸气送到该室的工序，该先驱物蒸气在该衬底上面淀积PCMO薄膜的工序。
12.按照权利要求11所述的MOCVD工艺，其特征是所述衬底包括重叠在硅上面的白金或铱。
13.按照权利要求11所述的MOCVD工艺，其特征是所述MOCVD室是约1～5托之间的压力。
14.按照权利要求11所述的MOCVD工艺，其特征是所述MOCVD室具有约20％～30％之间的氧分压。
15.按照权利要求11所述的MOCVD工艺，其特征是所述规定的衬底温度约为400℃～500℃之间。
16.按照权利要求11所述的MOCVD工艺，其特征是所述规定的蒸发器温度约为240℃～280℃之间。
17.按照权利要求11所述的MOCVD工艺，其特征是所述单一溶液先驱物包含溶解于有机溶剂中的Pr(tmhd)3、Ca(tmhd)2、和Mn(tmhd)3。
18.按照权利要求11所述的MOCVD工艺，其特征是所述单一溶液先驱物包含在2∶1～5∶1之间的容量比混合丁基醚和四甘醇二甲醚的有机溶剂中，按(0.7～1.0)∶(0.4～0.7)∶1的范围内的摩尔比溶解的Pr(tmhd)3、Ca(tmhd)2、和Mn(tmhd)3。
19.按照权利要求11所述的MOCVD工艺，其特征是所述单一溶液先驱物包含在以3∶1的容量比混合丁基醚和四甘醇二甲醚的有机溶剂中，按0.9∶0.6∶1的摩尔比溶解的Pr(tmhd)3、Ca(tmhd)2、和Mn(tmhd)3。
20.按照权利要求19所述的MOCVD工艺，其特征是所述单一溶液先驱物具有混合有Pr、Ca、Mn的金属约为0.05M/L～0.5M/L之间的总浓度。
21.按照权利要求20所述的MOCVD工艺，其特征是所述单一溶液先驱物具有混合有Pr、Ca、Mn的金属约为0.1M/L的总浓度。
22.按照权利要求11所述的MOCVD工艺，其特征是所述单一溶液先驱物包含溶解于有机溶剂中的Pr(tmhd)3、Ca(tmhd)2、和Mn(tmhd)3。
23.按照权利要求11所述的MOCVD工艺，其特征是还包含，对于各固体有机金属先驱物，调制各自先驱物溶液，在衬底温度和蒸发器温度范围内，通过对各先驱物决定淀积速度，决定所述Pr先驱物、所述Ca先驱物和所述Mn先驱物的摩尔比工序；和为生成各金属成分具有要求浓度的最终材料，规定需要的各先驱物量的工序。
24.按照权利要求11所述的MOCVD工艺，其特征是还包含通过利用固定的蒸发器温度，试验不同衬底温度下PCMO材料的组成，决定所述规定衬底温度的工序。
25.按照权利要求11所述的MOCVD工艺，其特征是包含通过利用固定的衬底温度，试验不同蒸发器温度下PCMO材料的组成，决定所述规定蒸发器温度的工序。
全文摘要
提供一种单一溶液MOCVD先驱物，以便淀积PCMO。提供采用决定先驱物溶液内各金属分成的淀积速度，根据在衬底温度和蒸发器温度的温度范围内各自的淀积速度和淀积的PCMO的组成决定金属的摩尔比，控制PCMO的组成的MOCVD工艺。PCMO的组成通过调节衬底温度，蒸发器温度或其两者而进一步控制。
文档编号C23C16/42GK1532303SQ20041003029
公开日2004年9月29日 申请日期2004年2月27日 优先权日2003年2月27日
发明者李廷凯, 庄维佛, L·J·查内斯基, D·R·埃文斯, 许胜籐, 埃文斯, 查内斯基 申请人:夏普株式会社