专利名称：用于处理系统的自适用处理元件和其制造方法
技术领域：
本发明涉及用于诸如半导体晶片处理装置的真空处理装置的处理元件，具体地涉及诸如保护性室护罩的处理元件，该保护性室护罩保护这样的装置的处理室的内部表面在处理期间免受沉积。本发明更具体地涉及这样的处理元件的表面处理，用于提高在处理期间的膜粘附。
背景技术：
在半导体工业中的集成电路(IC)的制造通常在等离子体反应器中使用等离子体来产生和辅助表面化学反应，而所述化学反应对于从衬底去除材料和将材料沉积到衬底上是必要的。例如，等离子体可以用于物理气相沉积(PVD)，以从靶溅射材料，并且将溅射出的材料沉积在衬底上，而对于化学气相沉积(CVD)，等离子体产生适于在衬底上沉积的化学成分，或者对于干法等离子体刻蚀，等离子体产生适于将特定材料从衬底表面去除的化学成分。
一般来说，在诸如前述工艺中的等离子体处理期间，在PVD系统中多余的溅射出的吸附原子、在CVD系统中多余的沉积化学物质、或者在刻蚀系统中多余的刻蚀化学物质和/或刻蚀残余物可能沉积在处理系统表面上，并且随着处理逐渐累积。因此，这样的系统通常装备有保护性元件或者衬垫，所述保护性元件或者衬垫保护下方的更加昂贵的处理部件的表面，并且可以定期地被没有沉积物、清洁的、经过刷新的或者新的保护性元件更换。通常，元件更换的频率由工艺类型、以及累积在保护性元件的暴露表面上的材料或者膜的特性来决定。因此，以低的成本提供保护性元件是额外必要的。另外必要的是，例如，提供这样的表面，该表面与处理环境接触并易于多余材料的粘附，并及时减少例如通过表面的粒子脱落造成的进一步处理的污染，以及在保护性元件的更换之间提供更长的周期。
此外，在处理系统的使用期限期间遇到处理系统配置的升级(即，处理室、泵吸系统等的尺寸变化)并不是罕见的。通常，处理系统随着制造产品的不断升级已经要求各种保护性元件，每一种元件或者每一组元件专用于特定的配置。因此，提供低成本的、可更换的保护性元件也是必要的，该保护性元件具有足够的灵活性，以用于具有多种配置的处理系统。
发明内容
本发明的目的是提供低成本的元件，以及制造元件的低成本方法，该元件用于保护用于半导体晶片处理的真空处理室的内表面。具体的目的是提供室护罩，以及制造室护罩的方法，该室护罩在处理期间保护处理室和这样的室中的装置的部件的表面免受沉积。
本发明的一个更具体的目的是提供这类元件，该元件具有这样的表面特性，所述表面特性诸如通过防止积累在这些元件上的沉积物的剥落，抵抗将污染在室中进行的处理和正被处理的衬底的粒子的产生。
本发明的另一个目的是提供一种具有各种配置的元件，其将适用于各种不同的装置配置和应用，使得不需要为每一种装置配置或者应用制造和盘存不同尺寸和形状的元件。
本发明提供一种用于处理系统的自适用处理元件和制造该处理元件的方法。
具体地，本发明的某些实施例提供了一种用于具有两个或者多个不同配置或者应用的处理系统中的处理元件，所述处理元件具体地以室护罩和室护罩组件来实现。这样的元件可以包括主要部件；和耦合到所示主要部件的可拆卸部件，其中，当所述可拆卸部件和所述主要部件保留在一起时，所述处理元件被构造来用于所述处理系统的第一配置，并且当所述可拆卸部件被去除时，所述处理元件被构造来用于所述处理系统的第二配置。在所示的实施例中，提供了室护罩，该室护罩具有可从其部件去除的部件，以使护罩适用于不同配置的装置。
此外，根据本发明的某些实施例，处理套件被提供用于处理系统。该套件可用于处理系统，其中所述处理系统包括具有上部室部分和下部室部分的处理室、耦合到所述处理室的靶组件、耦合到所述处理室的用于支撑衬底的衬底支座、泵吸系统、以及将所述泵吸系统耦合到所述处理室的泵吸管道。在所示的实施例中，处理套件包括门护罩，其耦合到所述处理室的所述上部室部分并且构造有可拆卸环。保留所述可拆卸环便于将所述门护罩用于第一靶组件配置，去除所述可拆卸环便于将所述门护罩用于第二靶组件配置。类似地，提供了箱护罩，其可以耦合到所述处理室的所述下部室部分并且构造有耦合到所述箱护罩的右手侧的第一可拆卸气体注入冲出部分和耦合到所述箱护罩的左手侧的第二可拆卸气体注入冲出部分。去除所述第一可拆卸气体注入冲出部分便于将所述箱护罩用于所述处理系统的右手定向，并且去除所述第二可拆卸气体注入冲出部分便于将所述箱护罩用于所述处理系统的左手定向。或者，在装置中没有气体入口环时，两个冲出部分都不被去除。类似地提供泵吸管道护罩，其耦合到所述泵吸管道并且构造有可拆卸护罩伸长部分。保留所述可拆卸护罩伸长部分便于将所述泵吸管道护罩用于第一尺寸的所述泵吸管道，并且去除所述可拆卸护罩伸长部分便于将所述泵吸管道护罩用于第二尺寸的所述泵吸管道。
此外，提供了一种制造用于处理系统的处理元件的方法。该包括通过使薄片金属护罩构造有压印或者激光切割穿孔，或者其他类型的消弱构件，以便于从主要部件去除可去除的部件，从而制造上述的处理元件。
此外，提供了一种将处理元件用于如上所述具有两种或者更多种配置的处理系统的方法。该方法包括提供上述的元件，并且通过保留可去除元件以用于处理系统的某些配置以及去除可去除元件以用于处理系统其他配置，来使用所述元件。该方法包括确定所述处理元件是用于所述处理系统的第一配置还是用于所述处理系统的第二配置；保留所述可拆卸部件，以便于将所述处理元件用于所述处理系统的所述第一配置；以及去除所述可拆卸部件，以便于将所述处理元件用于所述处理系统的所述第二配置。
此外，提供了一种制造用于处理系统的处理元件的方法，所述元件具有一个或者多个在处理期间暴露于所述处理系统中的处理的表面，通过砂带打磨所述一个或者多个表面，来促进在所述处理期间材料在所述一个或者多个表面上的粘附。
此外，通过将一个或者多个这样的处理元件提供在处理系统中，以在处理期间保护所述处理系统，并且由此保护所述处理和衬底免受污染，来提供一种在处理系统中处理衬底的方法。在优选实施例中，提供一个或者多个处理元件，所述一个或者多个处理元件中的一个或者多个暴露于所述处理的表面通过砂带打磨处理被改变。该方法包括将所述衬底置于其中具有经过砂带打磨的处理元件的处理系统中，以及将所述衬底暴露于所述处理。
描述了一种用于处理系统的处理元件，该处理元件具有一个或者多个将在处理期间被暴露于处理系统中的处理环境的表面，所述表面已经通过砂带打磨被改变。在本文所述描述的实施例中，所述元件是护罩，其保护晶片处理装置特别是用于处理半导体的沉积和刻蚀装置的内表面。
特别地，提供了一种制造室护罩元件的方法的实施例。某些这样的方法包括优选地由薄片金属，例如旋转喷涂金属制造护罩，并且可以包括通过将根据本发明粗糙化的薄片金属制成环而制造的护罩，所述环具有通过卷边整片材料所形成的法兰盘区域和凸缘区域。
通过对于附图的详细描述，本发明的这些和其他目的和优点将会更加清楚，其中图1示出了根据本发明的一个实施例的处理系统的简化图；图2A示出了根据本发明的另一个实施例的处理系统的示意性侧视图；图2B示出了图2A所示的处理系统的示意性俯视图；图3A表示耦合到在图2A和2B中出现的处理系统的上部室部分的处理套件的组装图；图3B表示耦合到在图2A和2B中出现的处理系统的下部室部分的处理套件的另一组装图；图4A表示根据本发明的一个实施例的门护罩的俯视图；图4B表示根据本发明的一个实施例的门护罩的侧视图；图4C表示图4A中出现的门护罩的放大的俯视图；图4D表示图4A中出现的门护罩的另一放大的俯视图；图4E表示图4A中出现的门护罩的另一放大的俯视图；图5A表示根据本发明的一个实施例的箱护罩的俯视图；图5B表示根据本发明的一个实施例的箱护罩的侧视图；图5C表示图5A中出现的门护罩的放大的俯视图；图5D表示图5A中出现的门护罩的另一放大的俯视图；图5E表示图6A中出现的门护罩的另一放大的俯视图；图6A表示根据本发明的一个实施例的左手气体喷射环的俯视图；图6B表示根据本发明的一个实施例的左手气体喷射环的侧视图；图6C表示根据本发明的一个实施例的右手气体喷射环的俯视图；图6D表示根据本发明的一个实施例的右手气体喷射环的侧视图；图7A表示根据本发明的一个实施例的泵吸管道护罩的侧视图；图7B表示根据本发明的一个实施例的泵吸管道护罩的俯视图；图7C表示根据本发明的另一个实施例的泵吸管道护罩的俯视图；图8示出了根据本发明的一个实施例在处理元件上的表面处理图案；图9表示根据本发明的一个实施例制造处理元件的方法；图10A表示根据本发明的另一个实施例制造处理元件的方法；图10B表示根据本发明的另一个实施例制造处理元件的方法；图11表示根据本发明的另一个实施例将处理元件安装在处理系统中的方法；图12A表示根据本发明的一个实施例的隐蔽空间护罩的俯视图；图12B表示在12A中绘出的隐蔽空间护罩的横截面视图；图12C表示在12B中绘出的隐蔽空间护罩的横截面视图的放大图；
图13A表示根据本发明的另一个实施例的隐蔽空间护罩的俯视图；图13B表示在图13A中绘出的隐蔽空间护罩的横截面视图；图13C表示在图13B中绘出的隐蔽空间护罩的横截面视图的放大图；图14A表示根据本发明的一个实施例的环护罩的俯视图；和图14B表示图14A中绘出的环护罩的横截面视图。
具体实施例方式
根据本发明的一个实施例，处理系统15被绘制在图1中，其包括处理室16、用于支撑衬底25的衬底支座20、以及泵吸管道40，泵吸管道40被耦合到用于改变处理室16中的处理区域30的压力的泵吸系统45。例如，处理室16可以在高压、大气压或者减压(真空)下方便地处理衬底25。而且，例如，处理室16可以便于在邻近衬底25的处理区域30中形成处理等离子体。处理系统15可以被构造来处理各种衬底(即，100mm的、200mm的衬底，300mm衬底或者更大的衬底)。
令人期望的，处理系统15包括诸如物理气相沉积(PVD)系统之类的沉积系统。在另一实施例中，处理系统15包括化学气相沉积(CVD)系统。在另一个实施例中，处理系统15包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统。或者，处理系统15包括刻蚀系统。
再次参考图1，处理系统15还包括一个或者多个处理元件50，该处理元件50被耦合到处理室16，并且被构造来保护处理室16的一个或者多个有价值的表面60。此外，所述一个或者多个处理元件50包括一个或者多个暴露表面70，该暴露表面70被暴露于或者接触处理区域30中的处理环境。例如，一个或者多个处理元件50可以构成一个处理套件，该套件可以被整体地或者逐部分地定期更换。一个或者多个处理元件50可以由各种材料制成，包括诸如铝、不锈钢等之类的金属和诸如陶瓷(例如，氧化铝、石英、碳化硅等)之类的非金属。此后，一个或者多个处理元件50上的一个或者多个暴露表面70被处理来增大表面粗糙度，以便改善处理期间的材料粘附。在一个实施例中，利用砂带磨床将一个或者多个暴露表面70粗糙化到例如超过Ra＝250密耳(或者6.3微米)的平均粗糙度。砂带打磨可以在卷边薄片金属以形成护罩之前，例如通过沿至少两个方向在其中形成沟槽使得所述沟槽形成交叉的图案来完成。
与诸如喷砂等的传统使用的技术相比，使用砂带打磨来使表面粗糙化以改善粘附，已经使得制造成本明显下降(大于50％的下降)。例如，在组装之前，薄片金属可以被牵引第一次通过砂带磨床，然后被旋转90度并且牵引第二次通过砂带磨床。这样，可以形成网纹图案。砂带磨床可以例如包括一36粒度(碳化硅)的研磨表面。或者，砂带磨床可以例如包括40粒度、50-60粒度、或者80-100粒度的研磨表面。由薄片金属制备处理元件50允许使用砂带打磨，并且允许当薄片金属是平坦的，在其被形成为护罩所需的形状之前应用砂带打磨工艺。对于现有的经加工的护罩，不得不使用更加昂贵的粗糙化工艺。
根据本发明的另一实施例，图2A和2B分别表示物理气相沉积(PVD)处理系统101的侧视图和俯视图，所述处理系统101包括处理室110、用于支撑衬底125的衬底支座120、溅射靶组件135、以及泵吸管道140，所述泵吸管道140被耦合到用于改变处理室110中的处理区域130的压力的泵吸系统145。例如，处理室110可以便于在减压(真空)压力下处理衬底125。而且，处理室110可以便于在邻近衬底125和溅射靶组件135的处理区域130中形成处理等离子体。处理等离子体可以由诸如惰性气体(例如氩)的化学惰性的物质形成，其被构造来与溅射靶相互作用并通过对溅射靶的物理离子轰击将溅射出的吸附原子引入到处理区域130中，以沉积到衬底125上。例如，溅射靶组件可以包括其上施加电偏压(直流，DC；交流，AC，或者RF)的铜靶。溅射靶组件135可以或者可以不进一步包括磁系统。
仍然参考图2A和2B，处理系统101还包括一个或者多个处理元件150，该处理元件150被耦合到处理室110，并且被构造来保护处理室110的一个或者多个有价值的表面160。此外，所述一个或者多个处理元件150包括一个或者多个暴露表面170，该暴露表面170被暴露于或者接触处理区域130中的处理环境。例如，一个或者多个处理元件150可以构成一个处理套件，该套件可以被整体地或者逐部分地定期更换。
例如，处理室110可以包括下部室部分112(或者箱)和上部室部分114(或者箱门)。上部室部分114可以利用例如铰链(没有示出)被耦合到下部室部分112，因此，其可以充当用于打开处理室110并达到其内部的室门。图3A和3B示出了为美国专利No.4,915,564中所述类型的处理装置所构造的类型的室护罩组件形式的处理元件。现有技术和用于该装置的其他护罩被详细地描述于2003年1月23日递交的美国专利申请No.10/349,661中，在此通过引用将其明确地包含于此。如图3A所示，处理套件151可以包括耦合到上部室部分114的处理元件，其中该处理套件151包括门护罩152、接头护罩152A、以及隐蔽空间护罩152B。隐蔽空间护罩152A和接头护罩152B被构造为在箱门中装配用于支撑阴极组件的溅射阴极接头。在美国专利申请No.10/438,304中详细讨论了这样的接头和护罩的构造，在此通过引用将美国专利申请No.10/438,304明确包含于此。而且，现在参考图3B，处理套件151还可以包括耦合到下部室部分112的处理元件，其中所述处理套件151包括箱护罩154、可选的气体注入环155、气体环护罩155A、环护罩155B、衬底支座护罩155C、充气空间护罩155D、(可选的)加热器护罩155E，以及泵吸管道护罩156。上面列出的处理元件中的每一个是可更换的，并且用于保护处理室110的有价值表面160。
图4A和4B分别表示耦合到上部室部分114的门护罩152的俯视图和侧视图。门护罩152可以包括一个或者多个接入特征180，以便允许接入诸如压力传感器件的测量仪器到处理室110中的处理区域130。例如，每一个接入特征可以包括一组三个通孔，其中测量器件可以被定位在该组的中心的后面，因此防止了处理材料在测量器件上的过度沉积。
此外，门护罩152可以被制造来适用被容纳在靶组件135中的靶的不同尺寸。如在图4A中所示的，门护罩152包括适合于第一靶尺寸的主要部件182以及适合于第二尺寸的可拆卸部件184。主要部件182是可拆卸部件184作为其一部分的同一金属薄片的一部分。当可拆卸部件184被去除时，主要部件182包括分离件182a、182b和182c。然而，分离件182a、182b和182c在被安装在室中时保持其空间关系，因为其中每一个被单独地固定到室的结构上。当可拆卸部件184被去除时，主要部件182(在此，统指三个件182a、182b和182c)可以被耦合到上部室部分114，以容纳十二(12)英寸直径靶，并且当可拆卸部件184没有被去除时，带有可拆卸部件184的主要部件182可以被耦合到上部室部分114，以容纳十(10)英寸直径靶。门护罩152还包括用于第一靶尺寸的第一组的安装特征186，用于将门护罩152耦合到上部室部分114；用于第二靶尺寸的第二组的安装特征188，用于将门护罩152耦合到上部室部分114；以及公用于所有靶尺寸的第三组的安装特征190，用于将门护罩152耦合到上部室部分114。例如，每一安装特征186、188和190可以允许诸如螺栓的紧固件穿过，依靠将紧固件接纳在锥形特征中而将门护罩152紧固到处理室110。
图4C表示带有可拆卸部件184的门护罩152的放大视图，图4D和4E表示可拆卸部件184和主要部件182之间的耦合的放大视图。如图4D和4E所示，可以在门护罩152中形成窄切口195，留下一个或者多个附接特征194，由此刻画出主要部件182和可拆卸部件184，可拆卸部件184包括可拆卸环。窄切口195可以例如通过使用激光切割系统获得，切口的宽度可以例如为大致10到80密耳(例如，30密耳)。此外，一个或者多个附接特征可以例如为大致10到160密耳(例如，60密耳)长。保留的一个或者多个附接特征194的细小可以允许简单地将可拆卸部件184从主要部件182分离(例如，手工地弯曲和折断所述两个件)。因此，可以制造单个的处理元件，而提供用于不同大小的靶的灵活性。
图5A和5B分别表示耦合到下部室部分112的箱护罩154的侧视图和俯视图。箱护罩154可以例如由底板部分200和壁部分202制成，其中底板部分200通过使用多个附接元件204被耦合到壁部分202。例如，附接元件204可以包括用于将底板部分200焊接到壁部分202的接片。此外，箱护罩154包括多个安装特征206，用于将箱护罩154耦合到处理室110的下部室部分112。例如，每一安装特征206可以允许诸如螺栓的紧固件穿过，依靠将紧固件接纳在锥形特征中而将箱护罩154紧固到处理室110。
仍然参考图5A和5B，箱护罩154还包括一个或者多个耦合到包括底板部分200和壁部分202的主要部件的可拆卸部件208。例如，所述一个或者多个可拆卸部件208可以包括位于箱护罩154相对两侧的可拆卸气体注入冲出部分210。可拆卸气体注入冲出部分可以方便在其中处理气体在处理室110的右手侧进入处理区域130的右手系统，或者在其中处理气体在处理室110的左手侧进入处理区域130的左手系统上使用箱护罩154。如图5C所示，可以在第二处理元件154的壁部分202内形成窄切口213，留下一个或者多个附接特征212，由此刻画出包括壁部分202和底板部分200的主要部件和可拆卸气体注入冲出部分210。窄切口213可以例如通过使用激光切割系统获得，切口的宽度可以例如为大致10到80密耳(例如，30密耳)。此外，一个或者多个附接特征可以例如为大致10到160密耳(例如，60密耳)长。保留的一个或者多个附接特征212的细小可以允许简单地将可拆卸气体注入冲出部分210从主要部件分离。因此，可以制造单个的处理元件，而提供用于不同处理室定向即气体注入定向的灵活性，如果需要的话。
此外，例如，一个或者多个可拆卸部件208可以包括可拆卸间隙冲出部分214和可拆卸气体注入线间隙冲出部分216，用于容纳可选的气体注入环240，所述气体注入环240被表示在图6A，6B(分别为左手气体注入环的俯视图和侧视图)以及图6C，6D(分别为右手气体注入环的侧视图和俯视图)中。例如，该可选的气体注入环240(240’)包括分配环241(241’)，气体进入端口242(242’)，以及多个安装结构244(244’)。如图5D所示，可以在箱护罩154的底板部分200形成窄切口219，留下一个或者多个附接特征218，由此刻画出包括壁部分202和底板部分200的主要部件和可拆卸间隙冲出部分214。可拆卸间隙冲出部分一旦被去除可以提供用于多个安装结构244的间隙，所述安装结构244用于将气体注入环240，240’固定到衬底支座护罩155C。而且，如图5E所示，可以在箱护罩154的底板部分200形成窄切口221，留下一个或者多个附接特征220，由此刻画出包括壁部分202和底板部分200的主要部件和可拆卸气体注入线间隙冲出部分216。可拆卸气体注入线间隙冲出部分216一旦被去除可以提供用于柔性气体线(没有示出)的间隙，所述柔性气体线用于将气体供应源(没有示出)耦合到气体注入环240、240’的气体进入端口242、242’。窄切口219、221可以例如通过使用激光切割系统获得，切口的宽度可以例如为大致10到80密耳(例如，30密耳)。此外，所述一个或者多个附接特征可以例如为大致10到160密耳(例如，60密耳)长。保留的一个或者多个附接特征218、220的细小可以允许简单地将可拆卸间隙冲出部分214和可拆卸气体注入线间隙冲出部分216从主要部件分离。因此，可以制造单个的处理元件，而提供用于不同可选气体注入环定向的灵活性。
图7A表示耦合到处理系统110的泵吸管道140的泵吸管道护罩156的侧视图。泵吸管道护罩156包括主要部件230和耦合到其上的可拆卸部件232。例如，如图7A中所示，泵吸管道护罩156可以被装配到具有不同尺寸的两个不同泵吸管道(即，不同直径的泵吸管道)中。图7B示出了用于第一尺寸的泵吸管道的构造，其中可拆卸部件232还没有被去除。图7C示出了用于第二尺寸的泵吸管道的构造，其中可拆卸部件232已经被去除。此外，泵吸管道护罩156可以可选地包括一个或者多个接片236，一旦泵吸管道护罩156被装配到泵吸管道140中，每一个接片可以被径向向外弯曲，以将泵吸管道护罩156保持在泵吸管道140中。如图7A所示，可以在泵吸管道护罩156中形成窄切口，留下一个或者多个附接特征234，由此刻画出主要部件230和可拆卸部件232，可拆卸部件232包括可拆卸的护罩伸长部分。窄切口可以例如通过使用激光切割系统获得，切口的宽度可以例如为大致10到80密耳(例如，30密耳)。此外，所述一个或者多个附接特征可以例如为大致10到160密耳(例如，60密耳)长。保留的一个或者多个附接特征234的细小可以允许简单地将可拆卸部件从主要部件分离。因此，可以制造单个的处理元件，而提供用于不同尺寸的泵吸管道的灵活性。
一个或者多个处理元件152，154和156可以由各种材料制造，包括诸如铝等的金属。如上所述，在诸如152、154、156的一个或者多个处理元件150上的一个或者多个暴露表面170被处理来增大表面粗糙度，以便改善材料的粘附。在一个实施例中，利用砂带磨床将一个或者多个暴露表面170粗糙化到例如超过Ra＝250密耳(或者6.3微米)的平均粗糙度。此外，例如，一个或者多个暴露表面的粗糙化处理可以被应用，以形成网纹图案250，如图8所示。例如，在组装之前，薄片金属可以被牵引第一次通过砂带磨床，然后被旋转90度并且牵引第二次通过砂带磨床。这样，可以形成网纹图案。砂带磨床可以例如包括一36粒度(碳化硅)的研磨表面。或者，砂带磨床可以例如包括40粒度、50-60粒度、或者80-100粒度的研磨表面。
图9表示制造用于诸如在图1、2A和2B中所述的处理系统的处理元件的方法。流程图300开始于310，制造处理元件。处理元件可以例如包括室衬垫、沉积护罩、仪器护罩、隔板、导管衬垫等。此外，例如，处理元件可以包括如图4A-4E所述的门护罩、图5A-5E所述的箱护罩、或者图7A-7C所述的泵吸导管护罩。处理元件由薄片金属或者旋转喷涂金属形成。例如，处理元件的制造还可以包括机加工、铸造、抛光、锻造和研磨中的至少之一。上述的每一个处理元件可以根据在机械制图中阐明的规范来制造。
在320，利用砂带打磨技术将处理元件的将在处理期间暴露于处理环境的一个或者多个表面(暴露表面)粗糙化到超过Ra＝250密耳(或者6.3微米)的平均粗糙度。砂带打磨技术可以例如还包括对处理元件的具有网纹图案的一个或者多个暴露表面的粗糙化应用。
每一个处理元件的制造还可以包括如下操作的至少之一在一个或者多个表面上提供表面阳极化、在一个或者多个表面上提供喷射涂层、或者对一个或者多个表面进行等离子体电解氧化。例如，喷射涂层可以包括Al2O3、氧化钇(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3以及DyO3中的至少之一。阳极化铝部件和施加喷射涂层的方法对于表面材料处理领域的技术人员是公知的。
图10A表示制造用于诸如在图1、2A和2B中所述的处理系统的处理元件的方法。流程图400开始于410，制造处理元件，其中处理元件包括主要部件。在420，至少一个可拆卸部件被形成在主要部件中。处理元件可以例如包括室衬垫、沉积护罩、仪器护罩、隔板、导管衬垫等。此外，例如，处理元件可以包括如图4A-4E所述的门护罩、图5A-5E所述的箱护罩、或者图7A-7C所述的泵吸导管护罩。处理元件由薄片金属或者旋转喷涂金属形成。例如，处理元件的制造还可以包括机加工、铸造、抛光、锻造和研磨中的至少之一。上述的每一个处理元件可以根据在机械制图中阐明的规范来制造。
可拆卸部件可以通过一个或者多个附接特征耦合到主要部件上。例如，可以通过提供诸如由激光切割系统形成的沿着刻画出主要部件和可拆卸部件的直线或者曲线的窄切口，来形成附接特征。每一附接特征可以例如窄从10到80密耳(例如30密耳)宽以及10到160密耳(例如60密耳)长的范围。可拆卸部件可以例如被耦合到诸如门护罩的处理元件，以允许灵活地将门护罩用于各种尺寸的靶组件。此外，例如，可拆卸部件可以包括冲出部分(或者脱落部分)，并且可以被耦合到诸如箱护罩的处理元件，以允许将箱护罩灵活地用于不同定向的气体注入系统(即，右手系统和左手系统)。此外，例如，可拆卸部件可以例如被耦合到泵吸管道护罩，用于允许灵活地将泵吸管道护罩用于各种尺寸的泵吸管道。
图10B表示制造用于诸如在图1、2A和2B中所述的处理系统的处理元件的另一种方法。流程图430开始于410，制造处理元件，其中处理元件包括主要部件，并且在420，在主要部件中形成至少一个可拆卸部件。在440，每一个处理元件的制造还可以包括如下操作的至少之一在一个或者多个表面上提供表面阳极化、在一个或者多个表面上提供喷射涂层、或者对一个或者多个表面进行等离子体电解氧化。例如，喷射涂层可以包括Al2O3、氧化钇(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3以及DyO3中的至少之一。阳极化铝部件和施加喷射涂层的方法对于表面材料处理领域的技术人员是公知的。
图11表示在诸如在图1、2A和2B中所述的处理系统中使用处理元件的方法。流程图500开始于510，制造处理元件，其中处理元件包括主要部件和至少一个可拆卸部件。处理元件可以例如包括室衬垫、沉积护罩、仪器护罩、隔板、导管衬垫等。此外，例如，处理元件可以包括如图4A-4E所述的门护罩、图5A-5E所述的箱护罩、或者图7A-7C所述的泵吸导管护罩。
在520，确定是否去除所述至少一个可拆卸部件中的一个或者多个。如果至少一个可拆卸部件中的一个或者多个将被去除，则在530中将它们去除并且放弃，并且在540中将处理元件安装在处理室中。否则，将它们安装在处理室中，而不去除至少一个可拆卸部件中的一个或者多个。
在一个实施例中，处理元件是门护罩(图4A)。如果处理系统包括十(10)英寸直径溅射靶，则在安装之前不去除在图4A-4E中所述的可拆卸部件。但是，如果处理系统包括十二(12)英寸直径溅射靶，则在安装之前去除在图4A-4E中所述的可拆卸部件。在另一个实施例中，处理元件是箱护罩(图5A)。如果处理系统包括具有右手侧定向的气体注入系统，则在安装之前去除位于箱护罩右手侧的可拆卸气体注入冲出部分(图5C)。另一方面，如果处理系统包括具有左手侧定向的气体注入系统，则在安装之前去除位于箱护罩左手侧的可拆卸气体注入冲出部分(图5D)。此外，如果使用可选的气体注入环，则在安装之前去除可拆卸间隙冲出部分(图5D)。此外，如果处理系统包括具有右手侧定向的气体注入系统，则在安装之前去除可拆卸气体注入线间隙冲出部分(图5E)。另一方面，如果处理系统包括具有左手侧定向的气体注入系统，则在安装之前去除可拆卸气体注入线间隙冲出部分。在另一个实施例中，处理元件是泵吸管道护罩。如果泵吸管道护罩将被装配到具有较小直径的泵吸管道，则在安装之前去除可拆卸部件。但是，如果泵吸管道护罩将被装配到具有较大直径的泵吸管道，则在安装之前不去除可拆卸部件。
现在参考图12A和12B，示出了隐蔽空间护罩152B的俯视图和横截面视图。隐蔽空间护罩152B可以是耦合到靶组件的护罩组件的部件，并且被构造来包围和保护被安装在靶组件中的溅射靶的外周缘。如图3A所示，护罩组件可以例如还包括接头护罩152A。隐蔽空间护罩152B包括凸缘区域600和耦合到其上的法兰盘区域610。如图3A所示，隐蔽空间护罩152B利用如图所示的延伸穿过隐蔽空间护罩152B中的紧固孔620的紧固件被耦合到靶组件，并且被构造来包围溅射靶(没有示出)。通过包围溅射靶的外周缘，耦合到溅射靶组件135，间隙空间被形成在隐蔽空间护罩152B的法兰盘区域610的内表面625和靶的外缘之间。此空间可以例如小于1mm，以便防止等离子体穿透该空间并且腐蚀溅射靶的周缘。图12C示出了法兰盘区域610和内表面625的放大视图。
在可选的实施例中，现在参考图13A和13B，示出了隐蔽空间护罩700的俯视图和横截面视图。隐蔽空间护罩700可以是耦合到靶组件的护罩组件的部件，并且被构造来包围和保护被安装在靶组件中的溅射靶的外周缘，由此结合了传统的隐蔽空间护罩和接头护罩两者。隐蔽空间护罩700包括凸缘区域710、耦合到其上的法兰盘区域720以及接头区域730。接头区域730完成单独的接头护罩的功能。隐蔽空间护罩700利用如图所示的延伸穿过隐蔽空间护罩700中的紧固孔740的紧固件被耦合到靶组件，并且被构造来包围溅射靶(没有示出)。通过包围溅射靶的外周缘，耦合到溅射靶组件135，间隙空间被形成在隐蔽空间护罩700的法兰盘区域720的内表面745和靶的外缘之间。此空间可以例如小于1mm，以便防止等离子体穿透该空间并且腐蚀溅射靶的周缘。图13C示出了法兰盘区域720和内表面745的放大视图。
现在参考图14A和14B，示出了环护罩155B的俯视图和横截面视图。环护罩155B可以是用于保护衬底支座的护罩组件的部件。环护罩155B包括凸缘区域630和耦合到其上的法兰盘区域640。如图3B所示，环护罩155B利用如图所示的延伸穿过紧固孔650的紧固件被耦合到衬底支座护罩155C，并且被构造来保护箱护罩154和衬底支座护罩155C。此外，环护罩155B可以还包括间隙切槽655，以允许耦合可选的气体注入环155。
如图12A到12C、13A到13C以及图14A和14B所示，隐蔽空间护罩152B和环护罩155B由旋转喷涂金属制成。金属可以例如包括铝。此制造工艺可以导致成本降低超过50％。上述隐蔽空间护罩或者环护罩中的任意一个可以被制造用于200mm、300mm或者更大直径的系统。此外，隐蔽空间护罩152B和环护罩155B的制造还可以包括如下操作的至少之一在一个或者多个表面上提供表面阳极化、在一个或者多个表面上提供喷射涂层、或者对一个或者多个表面进行等离子体电解氧化。例如，喷射涂层可以包括Al2O3、氧化钇(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3以及DyO3中的至少之一。阳极化铝部件和施加喷射涂层的方法对于表面材料处理领域的技术人员是公知的。
虽然上面仅仅详细地描述了本发明的某些示例性实施例，但是本领域的技术人员将容易理解在这些示例性实施例中的许多修改是可以的，而不会本质上偏离本发明的新颖的教导和优点。所有这类修改被包括在本发明的范围中。
权利要求
1.一种处理元件，用于处理系统的两种或者更多种配置中的任意一种，包括主要部件；和耦合到所述主要部件的可拆卸部件，其中，当所述可拆卸部件和所述主要部件保留在一起时，所述处理元件被构造来用于所述处理系统的第一配置，并且当所述可拆卸部件被去除时，所述处理元件被构造来用于所述处理系统的第二配置。
2.如权利要求1所述的处理元件，其中，所述可拆卸部件通过一个或者多个附接特征耦合到所述主要部件，通过沿着从所述主要部件刻画出所述可拆卸部件的曲线在除所述附接特征的位置以外部位切割所述处理元件，来形成所述附接特征。
3.如权利要求2所述的处理元件，其中，利用激光切割系统进行所述切割。
4.如权利要求2所述的处理元件，其中，所述一个或者多个附接特征包括一定的宽度和长度，所述宽度的范围为10到80密耳，所述长度的范围为10到160密耳。
5.如权利要求1所述的处理元件，其中，所述处理系统包括物理气相沉积系统、化学气相沉积系统和刻蚀系统中的至少一种。
6.如权利要求5所述的处理元件，其中，所述处理系统包括物理气相沉积系统，所述处理系统包括具有上部室部分和下部室部分的处理室、耦合到所述处理室的靶组件、耦合到所述处理室的用于支撑衬底的衬底支座、泵吸系统、以及将所述泵吸系统耦合到所述处理室的泵吸管道。
7.如权利要求6所述的处理元件，其中，所述处理元件包括耦合到所述处理室的所述上部室部分的门护罩、耦合到所述处理室的所述下部室部分的箱护罩和耦合到所述泵吸管道的泵吸管道护罩中的至少一个。
8.如权利要求7所述的处理元件，所述可拆卸部件包括耦合到所述门护罩的可拆卸环，其中在所述门护罩用于第一尺寸的所述靶组件时，所述可拆卸环被保留，在在所述门护罩用于第二尺寸的所述靶组件时，所述可拆卸环被去除。
9.如权利要求8所述的处理元件，其中，所述第一尺寸包括用于衬底直径小于290mm的靶组件，所述第二尺寸包括用于衬底直径大于290mm的靶组件。
10.如权利要求7所述的处理元件，所述至少一个可拆卸部件包括利用至少一个附接特征可去除地耦合到所述箱护罩上的第一可拆卸气体注入冲出部分和第二可拆卸气体注入冲出部分，其中，所述第一可拆卸气体注入冲出部分耦合到所述箱护罩的右手侧，所述第二可拆卸气体注入冲出部分耦合到所述箱护罩的左手侧。
11.如权利要求7所述的处理元件，还包括可选的气体注入环，其中所述至少一个可拆卸部件包括至少一个可拆卸间隙冲出部分，用于提供用于将所述可选的气体注入环安装到所述处理系统的间隙；第一可拆卸气体注入线间隙冲出部分，用于提供用于所述处理系统的以右手侧定向的气体注入线的间隙；以及第二可拆卸气体注入线间隙冲出部分，用于提供用于所述处理系统的以左手侧定向的气体注入线的间隙。
12.如权利要求7所述的处理元件，其中，所述至少一个可拆卸部件包括耦合到所述泵吸管道护罩的可拆卸护罩伸长部分，所述可拆卸护罩伸长部分被保留来将所述泵吸管道护罩用于所述泵吸管道的第一配置，并且所述可拆卸护罩伸长部分被去除来将所述泵吸管道护罩用于所述泵吸管道的第二配置。
13.如权利要求1所述的处理元件，还包括施加到所述处理元件上的至少一个表面的涂层。
14.如权利要求13所述的处理元件，其中，所述涂层包括表面阳极化、喷射涂层和等离子体电解氧化涂层中的至少一种。
15.一种用于处理系统的处理套件，所述处理系统包括具有上部室部分和下部室部分的处理室、耦合到所述处理室的靶组件、耦合到所述处理室的用于支撑衬底的衬底支座、泵吸系统、以及将所述泵吸系统耦合到所述处理室的泵吸管道，所述处理套件包括；门护罩，构造来耦合到所述处理室的所述上部室部分并且包括可拆卸环，其中保留所述可拆卸环便于将所述门护罩用于第一靶组件配置，去除所述可拆卸环便于将所述门护罩用于第二靶组件配置；箱护罩，构造来耦合到所述处理室的所述下部室部分并且构造有利用附接特征耦合到所述箱护罩的右手侧的第一可拆卸气体注入冲出部分和利用附接特征耦合到所述箱护罩的左手侧的第二可拆卸气体注入冲出部分，其中去除所述第一可拆卸气体注入冲出部分便于将所述箱护罩用于所述处理系统的右手定向，并且去除所述第二可拆卸气体注入冲出部分便于将所述箱护罩用于所述处理系统的左手定向；和泵吸管道护罩，构造来耦合到所述泵吸管道并且包括利用附接特征耦合到所述泵吸管道护罩的可拆卸护罩伸长部分，其中保留所述可拆卸护罩伸长部分便于将所述泵吸管道护罩用于第一尺寸的所述泵吸管道，并且去除所述可拆卸护罩伸长部分便于将所述泵吸管道护罩用于第二尺寸的所述泵吸管道。
16.如权利要求15所述的处理套件，还包括耦合到所述处理室的可选气体注入环。
17.如权利要求16所述的处理套件，所述箱护罩还构造有一个或者多个利用至少一个附接装置耦合到所述箱护罩的可拆卸间隙冲出部分；利用至少一个附接装置耦合到所述箱护罩的第一可拆卸气体注入线间隙冲出部分；以及利用至少一个附接装置耦合到所述箱护罩的第二可拆卸气体注入线间隙冲出部分，其中去除所述一个或者多个可拆卸间隙冲出部分便于将所述可选的气体注入环安装到所述处理室，去除所述第一可拆卸气体注入线间隙冲出部分便于使用右手定向的所述可选气体注入环，并且去除所述第二可拆卸气体注入线间隙冲出部分便于使用左手定向的所述可选气体注入环。
18.如权利要求15所述的处理套件，其中，所述门护罩、所述箱护罩、以及所述泵吸管道护罩中的至少一个还包括涂层。
19.如权利要求18所述的处理套件，其中，所述涂层包括表面阳极化、喷射涂层和等离子体电解氧化涂层中的至少一种。
20.一种制造用于处理系统的处理元件的方法，包括制造所述处理元件，所述处理元件包括主要部件和至少一个耦合到所述主要部件的可拆卸部件，其中所述至少一个可拆卸部件可以被保留以便于将所述处理元件用于所述处理系统的第一配置，并且所述至少一个可拆卸部件可以被去除以便于将所述处理元件用于所述处理系统的第二配置。
21.如权利要求20所述的方法，还包括对所述处理元件上的至少一个表面进行涂层。
22.如权利要求21所述的方法，其中，所述涂层包括施加表面阳极化、喷射涂层和等离子体电解氧化涂层中的至少一种。
23.一种将处理元件用于具有两种或者更多种配置的处理系统的方法，包括制造所述处理元件，所述处理元件包括主要部件和至少一个利用附接特征耦合到所述主要部件的可拆卸部件；确定所述处理元件是用于所述处理系统的第一配置还是用于所述处理系统的第二配置；保留所述可拆卸部件，以便于将所述处理元件用于所述处理系统的所述第一配置；以及去除所述可拆卸部件，以便于将所述处理元件用于所述处理系统的所述第二配置。
24.如权利要求23所述的方法，还包括对所述处理元件上的至少一个表面进行涂层。
25.如权利要求24所述的方法，其中，所述涂层包括施加表面阳极化、喷射涂层和等离子体电解氧化涂层中的至少一种。
26.一种用于物理气相沉积系统的门护罩，所述物理气相沉积系统包括具有上部室部分和下部室部分的处理室、耦合到所述处理室的靶组件、耦合到所述处理室的用于支撑衬底的衬底支座、泵吸系统、以及将所述泵吸系统耦合到所述处理室的泵吸管道，所述门护罩包括主要部件，构造来耦合到所述上部室部分，所述主要部件基本为矩形并且包括第一圆角端和第二圆角端，其中所述第二圆角端构造来包围所述靶组件；以及耦合到所述主要部件的可拆卸部件，所述可拆卸部件基本为圆形，并且被构造来利用至少一个附接特征在所述可拆卸部件的周缘处耦合到所述主要部件，其中，当所述门护罩包括所述主要部件和所述可拆卸部件时，所述门护罩构造来用于第一尺寸的所述靶组件，并且当所述门护罩包括所述主要部件时，所述门护罩构造来用于第二尺寸的所述靶组件。
27.如权利要求26所述的门护罩，还包括施加到所述门护罩上的至少一个表面的涂层。
28.如权利要求27所述的门护罩，其中，所述涂层包括表面阳极化、喷射涂层和等离子体电解氧化涂层中的至少一种。
29.如权利要求26所述的门护罩，其中，所述第一尺寸包括用于衬底直径小于290mm的靶组件。
30.如权利要求26所述的门护罩，其中，所述第二尺寸包括用于衬底直径大于290mm的靶组件。
31.一种用于物理气相沉积系统的箱护罩，所述物理气相沉积系统包括具有上部室部分和下部室部分的处理室、耦合到所述处理室的靶组件、耦合到所述处理室的用于支撑衬底的衬底支座、泵吸系统、以及将所述泵吸系统耦合到所述处理室的泵吸管道，所述箱护罩包括主要部件，构造来耦合到所述下部室部分，所述主要部件包括底板部分和耦合到所述底板部分的壁部分，其中所述主要部件的第一端包括构造来与所述泵吸管道耦合的第一开口，并且第二端包括包括构造来与所述衬底支座耦合的第二开口；第一可拆卸部件，利用至少一个附接特征耦合到所述主要部件的所述壁部分，其中当所述第一可拆卸部件保留时，所述箱护罩被构造用于在所述箱护罩的第一侧第一气体注入结构不可接入的情形，并且当所述第一可拆卸部件去除时，所述箱护罩被构造用于在所述箱护罩的所述第一侧所述第一气体注入结构可接入的情形；以及第二可拆卸部件，与所述第一可拆卸部件相对并且利用至少一个附接特征耦合到所述主要部件的所述壁部分，其中当所述第二可拆卸部件保留时，所述箱护罩被构造用于在所述箱护罩的第二侧第二气体注入结构不可接入的情形，并且当所述第二可拆卸部件去除时，所述箱护罩被构造用于在所述箱护罩的所述第二侧所述第二气体注入结构可接入的情形。
32.如权利要求31所述的箱护罩，还包括施加到所述箱护罩上的至少一个表面的涂层。
33.如权利要求32所述的箱护罩，其中，所述涂层包括表面阳极化、喷射涂层和等离子体电解氧化涂层中的至少一种。
34.一种用于物理气相沉积系统的泵吸管道护罩，所述物理气相沉积系统包括具有上部室部分和下部室部分的处理室、耦合到所述处理室的靶组件、耦合到所述处理室的用于支撑衬底的衬底支座、泵吸系统、以及将所述泵吸系统耦合到所述处理室的泵吸管道，所述泵吸管道护罩包括主要部件，所述主要部件基本为矩形；以及可拆卸部件，所述可拆卸部件基本为矩形，其中所述可拆卸部件利用至少一个附接特征耦合到所述主要部件的端部。
35.如权利要求34所述的泵吸管道护罩，还包括施加到所述泵吸管道护罩上的至少一个表面的涂层。
36.如权利要求35所述的处理元件，其中，所述涂层包括表面阳极化、喷射涂层和等离子体电解氧化涂层中的至少一种。
37.一种制造用于处理系统的处理元件的方法，所述处理元件具有一个或者多个在处理期间暴露于所述处理系统中的处理的表面；所述方法包括将材料进行制造以将所述材料形成为其上具有所述一个或者多个表面的所述处理元件的形状；以及砂带打磨所述一个或者多个表面，以促进在所述处理中的材料在所述一个或者多个表面上的粘附。
38.如权利要求37所述的方法，其中，所述一个或者多个表面的所述砂带打磨在将所述材料制成所述处理元件的形状之前进行。
39.如权利要求37所述的方法，其中，所述材料是薄片金属材料，并且所述一个或者多个表面的所述砂带打磨在将所述薄片金属材料制成所述处理元件的形状之前进行。
40.如权利要求37所述的方法，其中，对所述材料施加的所述一个或者多个表面的所述砂带打磨包括在其上磨砂出包括网纹的图案。
41.如权利要求37所述的方法，其中，所述处理元件是可去除的护罩，用于保护所述处理系统的内表面免受来自所述处理的沉积。
42.如权利要求37所述的方法，其中，所述处理系统包括物理气相沉积系统、化学气相沉积系统和刻蚀系统中的至少一种。
43.如权利要求42所述的方法，其中，所述处理系统包括物理气相沉积系统，所述处理系统包括具有上部室部分和下部室部分的处理室、耦合到所述处理室的靶组件、耦合到所述处理室的用于支撑衬底的衬底支座、泵吸系统、以及将所述泵吸系统耦合到所述处理室的泵吸管道。
44.如权利要求43所述的方法，其中，所述处理元件是可去除的护罩，用于保护所述处理系统的内表面免受来自所述处理的沉积。
45.如权利要求44所述的方法，其中，所述处理元件包括耦合到所述处理室的所述上部室部分的门护罩、耦合到所述处理室的所述下部室部分的箱护罩和耦合到所述泵吸管道的泵吸管道护罩中的至少一个。
46.如权利要求37所述的方法，还包括对所述处理元件上的至少一个表面进行涂层。
47.如权利要求46所述的方法，其中，所述涂层包括施加表面阳极化、喷射涂层和等离子体电解氧化涂层中的至少一种。
48.如权利要求37所述的方法，其中，所述砂带打磨包括应用36粒度的研磨表面。
49.如权利要求37所述的方法，其中所述制造包括卷边薄片金属材料以形成所述处理元件，所述处理元件具有环形状，所述环形状具有基本平坦的、圆环状的凸缘区域和基本圆筒状的法兰盘区域，所述法兰盘从所述薄片金属材料紧邻所述凸缘区域的内径而弯折。
50.一种在处理系统中处理衬底的方法，包括将一个或者多个处理元件提供在所述处理系统中，以保护所述处理系统免受所述处理系统中的处理的影响，所述一个或者多个处理元件包括一个或者多个暴露于所述处理的表面，其中所述一个或者多个表面中的至少之一通过砂带打磨处理被改变；将所述衬底置于所述处理系统中；以及将所述衬底暴露于所述处理。
51.如权利要求49所述的方法，其中，所述砂带打磨处理包括一种图案，所述图案包括网纹。
52.如权利要求49所述的方法，其中，所述处理系统包括物理气相沉积系统、化学气相沉积系统和刻蚀系统中的至少一种。
53.如权利要求51所述的方法，其中，所述处理系统包括物理气相沉积系统，所述处理系统包括具有上部室部分和下部室部分的处理室、耦合到所述处理室的靶组件、耦合到所述处理室的用于支撑衬底的衬底支座、泵吸系统、以及将所述泵吸系统耦合到所述处理室的泵吸管道。
54.如权利要求52所述的方法，其中，所述处理元件包括耦合到所述处理室的所述上部室部分的门护罩、耦合到所述处理室的所述下部室部分的箱护罩和耦合到所述泵吸管道的泵吸管道护罩中的至少一个。
55.如权利要求49所述的方法，还包括对所述处理元件上的至少一个表面进行涂层。
56.如权利要求54所述的方法，其中，所述涂层包括施加表面阳极化、喷射涂层和等离子体电解氧化涂层中的至少一种。
57.如权利要求49所述的方法，其中，所述砂带打磨处理包括应用36粒度的研磨表面。
58.一种用于处理系统的经改进的处理元件，所述处理系统包括具有上部室部分和下部室部分的处理室、耦合到所述处理室的靶组件、耦合到所述处理室的用于支撑衬底的衬底支座、泵吸系统、以及将所述泵吸系统耦合到所述处理室的泵吸管道，所述经改进的处理元件包括；一个或者多个在处理期间暴露于所述处理系统中的所述处理的表面，其中所述一个或者多个表面中的至少之一通过砂带打磨处理被改变。
59.如权利要求57所述的元件，其中，所述砂带打磨处理包括一种图案，所述图案包括网纹。
60.如权利要求57所述的元件，其中，所述处理系统包括物理气相沉积系统、化学气相沉积系统和刻蚀系统中的至少一种。
61.如权利要求57所述的元件，其中，所述处理元件包括耦合到所述处理室的所述上部室部分的门护罩、耦合到所述处理室的所述下部室部分的箱护罩和耦合到所述泵吸管道的泵吸管道护罩中的至少一个。
62.如权利要求57所述的元件，还包括所述处理元件上的所述一个或者多个表面中的至少之一上的涂层。
63.如权利要求61所述的元件，其中，所述涂层包括施加表面阳极化、喷射涂层和等离子体电解氧化涂层中的至少一种。
64.如权利要求57所述的元件，其中，所述砂带打磨处理包括应用36粒度的研磨表面。
65.如权利要求57所述的元件，其中，所述元件包括具有法兰盘区域和耦合到所述法兰盘区域的凸缘区域的环，并且所述元件由旋转喷涂金属制造。
全文摘要
提供具有多种配置的自适用处理元件(50，150－156)用于处理系统。处理元件包括主要部件(182，200，202，230)和至少一个可拆卸部件(184，208，232)。可拆卸部件可以被保留而用于一种配置和被去除而用于另一种配置。可拆卸部件可以包括位于例如其右手侧或者左手侧的冲出部分或者脱落部分(210，214，216)，以便分别允许气体供应线接入到右手侧定向或者左手侧定向的处理室。此外，例如可拆卸部件可以被保留或者去除，以允许灵活地用于不同尺寸的处理室。还提供了一种制造具有这些部件的处理元件的方法。该方法可以提供处理元件上的一个或者多个暴露表面的粗糙化，以改善在处理期间材料在这些表面上的粘附。粗糙化过程可以包括砂带打磨一个或者多个暴露表面，以产生表面粗糙度。该粗糙度可以例如为约或者超过Ra＝250密耳。
文档编号C23C14/56GK1798863SQ200480014931
公开日2006年7月5日 申请日期2004年5月3日 优先权日2003年6月4日
发明者约翰·劳森, 罗杰·埃克森, 迈克尔·兰蒂斯 申请人:东京毅力科创株式会社