专利名称：磁头滑动件的制造方法、磁头滑动件和磁盘装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种磁头滑动件的制造方法、磁头滑动件及一种磁盘装置，其中磁头滑动件包括一个能够对磁盘进行读/写操作的磁头元件。
背景技术：
近年来，在磁盘装置中，人们越来越需要磁盘装置具有大的存储容量。为满足这种要求，提高磁盘的记录密度和减小在一个驱动磁盘的表面上方浮动的磁头滑动件的浮动(flying)量都是有效的方法。
这种浮动量决定于由粘性气流(air viscous flow)在磁头滑动件上产生的浮动力与由加载横梁作用于磁头滑动件上的弹簧载荷之间的平衡，其中粘性气流在磁盘和磁头滑动件之间流动。就是说，磁头滑动件的浮动力是由上述粘性气流来控制的，因此，就需要将磁头滑动件的浮动表面(面向磁盘的那个表面)加工成合适的形状。
因此，已经有人(例如，日本专利公报第2003-323707号)提出了一种磁头滑动件的制造方法，在该方法中，在位于磁头滑动件的浮动表面上的粘性气流的流出侧以高精度加工出一个台阶。
顺便说一下，近年来，有许多磁盘装置被安装到可移动的设备上，而且可以在多种不同的环境下采用这些磁盘装置，这些磁盘装置的应用环境要比从前更多。就此而言，可以说，最重要的内容就是改善在低压环境下例如高原条件下的减压特性，而减压特性是一个用于对可靠性进行评价的特征。滑动件在低压环境下其浮动量的下降是由在低压环境下随着空气密度的下降而使所产生的浮动力下降引起的。在低压环境下，空气密度较低，因此，由于使滑动件浮动的压力变小，因此，浮动量也会变小，同时与处在大气压力条件下时的浮动状态(姿态)和空间相同。
这样，滑动件的浮动状态和浮动空间就会下降，除非能够达到在大气压力条件下时的相同浮动力，这样才能使载荷与浮动力之间达成平衡。因此，对于磁头滑动件而言，能够以低成本将浮动表面加工成合适的形状并改善上述减压特性就变成非常重要的要求。
发明内容
本发明旨在解决上述问题，其目的在于提供能够以低成本改善减压特性的磁头滑动件的制造方法、磁头滑动件和磁盘装置。
为实现上述目的，根据本发明一个方面的磁头滑动件的制造方法包括在滑动件上进行至少三次铣削工序以形成浮动表面，形成多于被铣削操作的铣削工序的数量的深度种类。这里，例如，这些进行三次的铣削工序包括第一铣削工序，该工序在要形成浮动表面的滑动件上形成第一掩膜并以第一深度进行铣削；第二铣削工序，该工序在第一铣削工序后，将第一掩膜更换为第二掩膜，并以第二深度进行铣削；第三铣削工序，该工序在第二工序后，将第二掩膜更换为第三掩膜，并以第三深度进行铣削。
图1为一个透视图，图中示出了安装有一个根据本发明一个实施例的磁头滑动件的磁盘装置；图2为一个平面图，图中示出了包括在图1所示之磁盘装置内的磁头万向节组件(head gimbal assembly)；图3为一个透视图，图中示出了一个磁头滑动件(magnetic headslider)支撑在图2所示之磁头万向节组件的末端部分上；图4是一个透视图，图中示出了图3所示的磁头滑动件当沿浮动表面(ABS空气支承表面)侧进行观察时的状态；图5为图4所示之磁头滑动件的平面图；
图6为一个用于对第一铣削(milling)工序进行说明的视图，该第一铣削工序用于对图5所示的磁头滑动件之滑动件主体的浮动表面进行处理；图7为一个用于对第二铣削工序进行说明的视图，该第二铣削工序用于对图6所示的滑动件主体的浮动表面进行处理；图8为一个用于对第三铣削工序进行说明的视图，该第三铣削工序用于对图7所示的滑动件主体的浮动表面进行处理；图9示出了在第一到第三铣削工序中铣削深度、掩盖区域和铣削区域之间的关系；图10是一个用于对图4所示之磁头滑动件的减压特性进行说明的视图；图11A和11B为用于对在滑动件主体上设置掩膜的位置进行说明的视图；图12A和12B示出了由两个台阶构成的侧垫所产生的力的特性；图13A和13B示出了由三个台阶构成的侧垫所产生的力的特性；图14A和14B示出了由四个台阶构成的侧垫所产生的力的特性。
对本发明的详细说明在下文中，将根据附图对实施本发明的最佳方式加以说明。图1为一个透视图，图中示出了安装有根据本发明一个实施例的磁头滑动件的磁盘装置；图2是一个平面图，图中示出了包括在磁盘装置中的磁头万向节组件；图3是一个透视图，图中示出了一个磁头滑动件支撑在该磁头万向节组件之末端部分上的状态。如图1所示，根据该实施例的磁盘装置包括一个壳体2和一个顶盖(未示出)，其中壳体2为一个矩形箱体并具有一个开口的上表面，而顶盖例如可被拧到该壳体2上，以将壳体2的上表面覆盖起来。
在壳体2内，例如，可以设置作为圆盘形记录介质的两片盘(圆盘)3，该磁盘；一个主轴马达4，该马达作为磁盘驱动机构能够支撑这些磁盘3并使其转动；和一个磁头致动器25。这里，作为磁盘3，例如可以采用一个直径为65毫米(2.5英寸)并在两个表面上设置磁性记录层的磁盘。这些磁盘3与主轴马达4之轮毂(未示出)的外周边相接合并通过一个卡簧11固定到位。就是说，两片磁盘3可以通过驱动主轴马达4整体旋转。
磁头致动器25包括一个托架6，该托架由多个层状磁头支臂组件15构成；一个轴承单元12，该轴承单元可回转地支撑着托架6；和一个对托架6进行驱动的音圈马达8。磁头万向节组件15由一个悬架20和一个在末端部分对悬架20进行支撑的支臂7，其中悬架20包括一个如下所述的磁头滑动件5和一个位于其末端部分上的凸舌23，磁头滑动件5上安装有一个磁头(磁极元件)，该磁头能够从磁盘3上读取信号/将信号写入磁盘3内。
在上述对支架6进行支撑的轴承单元12内，设置有一个支承轴13和一个圆筒形的轮毂14，其中支承轴13沿垂直于壳体2之底壁的方向进行设置，而轮毂14则通过一对轴承可回转地支承在支承轴13上。音圈马达8包括一个音圈17，该音圈被固定在支架16上，而支架16又设置在磁头致动器25的底端部分上；一对轭架18，这对轭架以能够将音圈夹住的方式固定到壳体2上；和一个磁体19，该磁体被固定到其中一个轭架18上。
此外，在壳体2内，还容纳有一个斜道9，当磁头滑动件15移向磁盘3的外周部分时，该斜道9可将磁头保持在一个预定的回退位置上，该回退位置远离与随凸舌23一起滑动的磁盘3；和一个安装有磁头驱动器集成电路的基片单元10；等。此外，在壳体2的部件容纳部分的反面上还可通过螺旋夹(screw cramp)连接有一个印刷电路基片(未示出)，在该基片上安装有一个用于通过基片单元10对主轴马达4、音圈马达8和磁头进行控制的CPU；一个存储器；一个HDD控制器；和其它电路。
下面，将对根据本发明实施例的磁头滑动件5的结构加以说明。图4为一个透视图，图中示出了当从浮动表面侧观察时该实施例的磁头滑动件5的结构；图5为它的平面图。如图所示，在磁头滑动件5的浮动表面(ABS空气支承表面)上，设置有一个前导垫33、两个侧垫和后垫31的四个正压力发生部分。这些正压力发生部分分别由多个区域构成，而且这些区域在不同位置上具有不同的表面深度，目的是提高正压力的发生效率。
就是说，后垫31例如可由一个第一台阶状后垫区域33a和一个第二台阶状后垫区域33b构成，其中第一台阶状后垫区域由一个不会在滑动件的制造过程中受到铣削处理等等的表面(非铣削表面)构成，第二台阶状后垫区域设置在第一台阶状后垫区域33a的流入端侧，而且该表面的高度低于第一台阶状后垫区域33a的高度。
侧垫32由第一台阶状侧垫区域32a、第二台阶状侧垫区域36b和第三台阶状侧垫区域41d构成，其中第一台阶状侧垫由多个非铣削表面及其它等构成，第二台阶状侧垫区域36b设置在第一台阶状侧垫区域32a的流入端侧，而且这些表面的高度低于第一台阶状侧垫区域32a的高度，第三台阶状侧垫区域41d设置在比第二台阶状侧垫区域36b更靠近流入端侧的位置上，而且这些表面的高度低于第二台阶状侧垫区域36b的高度。此外，在侧垫32的后垫31侧(侧垫的流出端侧)，设置有裙部42d，这些裙部设置在与第三台阶状侧垫区域41d具有相同高度的位置上。裙部42d能够增加负压并提高减压特性及耐冲击性。
前导垫33由第一台阶状前导垫区域31a和第二台阶状前导垫区域35b构成，其中第一台阶状前导垫区域由非铣削表面及其它等构成，第二台阶状前导垫设置在第一台阶状前导垫区域31a的流入端侧，而且其表面高度低于第一台阶状前导垫区域31a的高度。
此外，被后垫31、两个侧垫32和前导垫33包围起来的区域是一个比上述各个衬垫区域所在表面的高度更低的区域，而且它还是一个负压发生部分46e，该部分也被叫做负压腔。此外，在负压发生部分46e的前导垫33侧，形成有一个负压死区40c，该负压死区40c形成一个比负压发生部分46e更浅的区域，目的是防止产生负压。该负压死区40c设置在负压腔的流入端侧，这样，负压的发生中心就会移向后侧，因此就可以提高减压特性。
接着，将根据图6至9，对上述的磁头滑动件5的制造方法加以简要说明。其中，图6为一个用于说明在滑动件主体的浮动表面上进行第一铣削工序的视图；图7是一个用于说明第二铣削工序的视图；图8为一个用于说明第三铣削工序的视图；图9示出了在第一至第三铣削工序中的铣削深度、掩盖区域和铣削区域之间的关系。
在该实施例的磁头滑动件的制造方法中，遮蔽、铣削和拆下掩膜的循环操作要进行三次循环，因此就可以加工出具有数个铣削表面(通过铣削工序加工出的表面)的磁头滑动件5，而且在浮动表面上，这些铣削表面具有至少四种或更多种高度。就是说，在第一铣削工序中，如图6和9所示，第一掩膜设置在位于滑动件主体50之要形成浮动表面的表面上的上述区域33a、32a、31a和40c(图6中的非阴影部分)。此外，在从滑动件主体50的被第一铣削覆盖起来的数个部分中露出(敞开)的区域35b、41d、36b、42d、46e和37b(图6中的阴影部分)内，可以第一深度例如126nm执行铣削工序。
接着，在第二铣削工序中，如图7和9所示，在将第一掩膜拆除后，在滑动件主体50的区域35b、31a、32a、37b、33a和36b(图7中的非阴影部分)内设置第二掩膜。此外，在从滑动件主体50的被第二掩膜所覆盖起来的那些部分中露出的区域40c、41d、42d和46e内，(图7中的阴影部分)，以大于第一深度的第二深度例如200nm执行铣削工序。
接着，在第三铣削工序中，如图8和9所示，在将第二掩膜拆除后，在滑动件主体50的区域35b、31a、40c、41d、36b、32a、42d、37b和33a(图8中的非阴影部分)内设置第三掩膜。此外，在由滑动件主体50的已经被第三掩膜覆盖起来的那些部分中露出的区域46e(图8中的阴影部分)，以一个大于第一和第二深度的深度例如1174nm执行铣削操作。
就是说，利用图9中的遮挡图案(masking patlerns(掩膜图案))(a)，就可以加工出非铣削表面(深度0nm)。此外，利用图9的遮挡图案(b)，就可以加工出深度为126nm的铣削表面，利用图9中的遮挡图案(c)，就可以加工出深度为200nm的铣削表面。此外，利用图9中的遮挡图案(d)，就可以加工出深度为326(126+200)nm的铣削表面，此外，利用图9中的遮挡图案(e)，那么就可以加工出深度为1500(126+200+1174)nm的铣削表面(空腔表面)。由此，遮挡、铣削和掩膜拆除操作要执行三次循环，这样，就可以加工出具有至少四种或更多种高度的铣削表面。
此外，通过施加一个不同于图9中的遮挡图案(a)至(e)的遮挡图形，就可以加工出深度为1174nm、1300(126+1174)和1374(200+1174)nm的铣削表面。就是说，通过将铣削工序执行三次，就能够加工出具有8(2的三次方)种高度的表面。这里，当铣削深度之比为1∶2∶4以及其它时，就可以将(2的N次方)选作铣削工序的次数，这样就可以加工出具有成整数相区别的数种不同深度的多种铣削表面，深度比如下通过第一铣削工序形成深度1、深度2和深度4，通过第二铣削工序形成深度3(1+2)、深度5(1+4)和深度6(2+4)，通过第三铣削工序形成深度7(1+2+4)。此外，当通过对滑动件主体50的表面进行铣削加工而形成的最浅铣削表面相对非铣削表面的深度被设定为1，那么当N为自然数时，理想的是将各个铣削工序的铣削深度设定在0.9×2N至1.1×2N的范围内。具体而言，在铣削工序中，要求存在10％的公差，而且当铣削工序的次数为N时，即当以第一、第二、第三到第N深度执行铣削工序，而且最浅空腔深度被设定为1时，就可以按照处于上述0.9×2N至1.1×2N的比率选择铣削深度，例如1∶1.8到2.2∶3.6到4.4，等(其中N＝1，2，等铣削工序次数)。
下面将对两次循环的铣削工序和三个循环的铣削工序加以简要比较。当在滑动件表面上形成所谓的负压腔时，就要求铣削表面的深度至少为1微米到2微米。此外，还可以考虑在台阶状表面上加工出深度为80nm到200nm的铣削表面。作为实例，为了加工出一个滑动件，而且该滑动件具有一个深度为1500nm和150nm的空腔，就需要执行挖出150nm的铣削和挖出1350nm的铣削。例如，150nm的铣削表面是通过第一铣削工序加工出来的，而深度为1500(150+1350)的腔体是通过第二铣削工序加工出来的。此时，选定的腔体深度作为一个整体应该是非铣削表面(0(零)nm)、150nm、1350nm和1500nm，而且高度只能从四个种类中进行选取。介于1350nm和1500nm之间的空腔深度之差可以对滑动件的特性作出些许的改进。
下面，将对磁头滑动件的减压特性加以描述。如图10所示，可以说，减压特性就是吸收干扰元素的特性，干扰元素例如可以是减压时的磁头浮动倾斜量，磁盘的变形量，搜索时的倾斜浮动量，由制造误差产生的离差，余量，等，这些量都反映了理论上的磁头浮动量(例如11nm)以及其它等。当按照与本实施例相同的方式通过三个周期的铣削工序加工出磁头滑动件时，可以按照下述方式对腔体的深度作出多种改变。就是说，加工出负压腔需要一个1微米到2微米的凹槽，这与上述的情况相同。此外，还考虑到在台阶状表面上加工出深度为200nm至400nm的铣削表面。例如，当准备三种分别为150nm、1000nm和350nm的铣削工序时，就可以从下述8种高度中选择所需的高度0(零)nm，150nm，350nm，500nm，1000nm，1150nm，1350nm和1500nm。由此，可以提高要在滑动件上加工的浮动表面的高度设定的灵活性；而且，还可以改善滑动件的浮动特性，包括减压特性等。
下面，将基于图11A和11B对在滑动件主体50的表面上设置掩膜的情况加以说明。如图所示，当出现掩膜偏差时，就要尽可能不在滑动件的浮动表面上形成薄壁60或狭窄的腔体61。如图11A所示，在通过利用两道工序对非铣削表面55进行铣削而形成彼此相邻的铣削表面56、57时，当一个掩膜的开口部分58与另一掩膜的开口部分59相互错开并形成一个间隙时，该间隙部分就不会受到铣削加工，而且保留下来成为薄壁60。如果形成了薄壁60，那么从台阶状表面上方流过的气流就会受阻，这样就会对浮动性能产生负面影响。此外，具体而言，当薄壁60的顶部变成非铣削表面时，它就可能将磁盘擦伤，因为该非铣削表面离磁盘侧面很近。
同时，如图11B所示，在通过利用两道工序对非铣削表面55进行铣削而加工彼此相邻的铣削表面56、57时，当一个掩膜的开口部分63与另一掩膜的开口部分64相互错开并相互重叠时，该重叠部分就会受到更大深度的铣削加工(尽管在正常情况下仅对一个侧面进行铣削加工就已经足够，但却要对两个侧面都进行加工)，这样就会形成一个狭窄的腔体61。在该狭窄的腔体内，可能会积聚尘屑，因为铣削工序和掩膜拆除工序之后该腔体是被隐藏的。此外，即使在将其连接到磁盘装置的主体上之后，还可能由于易于积聚灰尘而使该装置的可靠性下降。
因此，就为掩膜的图案设置了下述规则。就是说，下面将参照图11A对下述内容加以说明在通过对滑动件表面进行处理而加工出具有不同铣削深度的铣削表面设置在彼此相邻的位置上时，利用对铣削表面中较浅铣削表面56所进行的铣削工序加工出将成为铣削表面中深度较大的铣削表面57的区域。这样，就可以防止出现仍然保留薄壁60的问题。
此外，当上述规则没有得到满足时，如图11B所示，将按照下述方式形成掩膜使分别设置在较深铣削表面57和较浅铣削表面56上的掩膜的开口部分64、63相互重叠。这样，至少可以在形成狭窄腔体61的情况下防止形成薄壁60。
下面，将对上述多台阶侧垫32的特性加以说明。图12至14示出了在第二台阶上和第二台阶之后及台阶的多个位置上，随着侧垫区域的深度变化而在不同侧垫上产生的力的计算结果。
用于计算的侧垫就是这样的侧垫，在毫微微((Femtosize)尺寸的)滑动件中该侧垫的流入端自前缘起为265微米并且尺寸为120微米×400微米，其中该毫微微尺寸的滑动件具有一个从非铣削表面起的深度为1.5微米(1.5微米或1.5×10-6米，下同)的负压腔。顺便说一下，圆周速度和斜角(skew angle)为8.8米/秒和0(零)度，这是一个转速为4200rpm、尺寸为2.5英寸的HDD(硬盘驱动器)的中间圆周部分的状态，而且浮动姿态为倾斜角(pitch angle)为150urad(150μrad)，浮动量为10毫米，同样，这也是转速为4200rpm、尺寸为2.5英寸的硬盘驱动器之中间圆周部分的状态。当侧垫完全由非铣削表面构成时，就可以计算出正压为7.23mN。
图12A和12B示出了由两个台阶组成且第二台阶状侧垫区域71b的深度不同且台阶位置也不同的侧垫71所产生的力的计算结果。介于作为非铣削表面的第一台阶状侧垫区域71a和第二台阶状侧垫区域72b之间的边界线位置从侧垫71之流入端起的距离L可在50微米至250微米之间变化，而且第二台阶状侧垫区域72b的从作为非铣削表面的第一台阶状侧垫区域72a的表面起的深度在10nm到200nm的范围内变化。这样，当长度(L)为50微米、第二台阶状侧垫区域72b的深度为150nm时，就会产生15.9mN的最大正压力。
图13A和13B示出了由三个台阶状部分构成的侧垫72所产生的力的计算结果，在这三个台阶状部分中，第二台阶状侧垫72b和第三台阶状侧垫区域72c从非铣削表面(第一台阶状侧垫区域72a)起的深度是不同的。但是，第三台阶状侧垫区域72c被固定作为从侧垫72之流入端起到50微米处的区域，而且第二台阶状侧垫区域72b的范围被设定为从侧垫72的流入端起的从50微米至100微米处。
这样，产生的力就会在很大程度上超过了由两个台阶状部分构成的侧垫71产生的压力并落入近似从16mN到19.3mN的范围内，而且当第二台阶状侧垫区域72b从非铣削表面起的深度为100nm，第三台阶状侧垫区域72c从非铣削表面起的深度为300nm时，就产生了19.3mN的最大力。
图14A和14B为当图13A和13B所示的侧垫72之台阶数量增加一个台阶、从而变成四台阶结构，而且第四台阶侧垫区域73d从侧垫73之流入端起的范围被设定为100微米到150微米的范围内时的实例。在这种情况下，当第二台阶状侧垫区域73b从非铣削表面起的深度为100nm，而且第三台阶状侧垫区域73c从非铣削表面起的深度为300nm，第四台阶状侧垫区域73d从非铣削表面的深度为600nm时，所产生的最大力为19.9mN。
通过上面的分析，可以断定与两台阶侧垫相比，三台阶侧垫的最大发生压力急剧升高，而且当台阶数量增加，而且距流入侧越近、台阶越深时，还可以进一步提高所产生的力。就是说，受铣削处理的最浅的铣削表面设置在从非铣削表面起的深度为50nm到200nm的位置上，而且从非铣削表面起的，次最浅的铣削表面被设置在比最浅的铣削表面深的位置上，而且从非铣削表面起的深度为100nm至700nm。
如上所述，根据该实施例的磁头滑动件5，除了改进减压特性外，还提高了侧垫上滚动力矩(roll moment)误差的坚固性。此外，根据本实施例的磁头滑动件5，还能够通过小面积的浮动表面(ABS)产生所需的压力。此外，例如，安装在节电型移动PC及其它装置等设备上并且圆周速度较低的磁盘驱动器能够使滑动件产生预定的浮动力。
如上所述，根据本发明的实施例，遮挡(设掩膜)、铣削、拆除掩膜的操作循环要至少执行三次，这样，就可以容易地加工出具有数量超过掩膜工序之数量的至少四种高度或更多种高度的铣削表面。因此，根据本发明的实施例，就可以通过掩膜图案和铣削深度的组合从多种方案中选出具有所需高度的铣削表面，这样，就可以改进要在滑动件上设置的浮动表面的高度设定的灵活性，而且滑动件的浮动特性，包括减压特性及其它等，也能够得到改善。此外，根据本发明的实施例，仅通过改变遮挡和铣削工序的组合能够容易地执行加工出具有一定高度的浮动表面，这样，就能够以低成本提高减压特性。
此外，根据本发明之实施例的磁头滑动件制造方法，包括下述工序当通过对滑动件表面进行处理而形成并具有不同铣削深度的铣削表面彼此相邻设置时，在被加工成形时将成为较深铣削表面的那个区域要受到铣削工序的加工处理，其中该铣削工序是在被加工成形后将成为一个较浅铣削表面的区域被加工出来时进行的。
此外，根据本发明之实施例的磁头滑动件制造方法，包括下述工序当通过对滑动件表面进行处理而形成并具有不同铣削深度的铣削表面彼此相邻设置时，按照下述方式设置掩膜使设置在深铣削表面区域和浅铣削表面区域内的掩膜开口部分彼此重叠。
此外，根据本发明之实施例的滑动件制造方法，包括下述工序将通过对滑动件表面进行铣削处理而形成的最浅铣削表面设置在距非铣削表面的深度为50nm至200nm处，接着，从非铣削表面起的次最浅的铣削表面设置在比最浅铣削表面更深的位置上，而且从非铣削表面起的深度为100nm至700nm。
此外，根据本发明之实施例的滑动件制造方法，包括下述工序从非铣削表面起的，通过对滑动件表面进行铣削加工而形成的最浅的铣削表面的深度设定为1，而且N为自然数时，各个铣削工序中的铣削深度就被设定在0.9×2N至1.1×2N的范围内。此外，根据本发明之实施例的磁头滑动件包括利用上述制造方法中的一种制造出来的磁头滑动件。此外，根据本发明之实施例的磁盘装置包括设置有磁头滑动件的磁盘装置。
如上所述，本发明可以提供能够以低成本提高减压特性的磁头滑动件的制造方法、磁头滑动件和磁盘装置。
在上文中，已经通过实施例对本发明作出了具体说明。但是，本发明并非局限于具体的细节和通过附图示出的实施例，应该理解所有落入本发明整体构思范围内的变形和修改都应该包括在本发明中，其中本发明的整体构思由所附权利要求书来限定。例如，在上述的实施例中，并没有对在滑动件表面上挖坑的工序加以详细说明，但是在滑动件表面上挖坑的铣削工序可以是干式蚀刻法，包括离子蚀刻法或RIE(活性离子蚀刻法)，及其它等；或者也可以是湿式蚀刻法。
权利要求
1.一种磁头滑动件的制造方法，该方法包括在滑动件上执行至少三次铣削工序，从而形成浮动表面，形成比被铣削操作的所述铣削工序的数量多的深度种类。
2.根据权利要求1的磁头滑动件制造方法，其特征在于，所述的三次铣削工序包括第一铣削工序，该第一铣削工序在要形成浮动表面的滑动件上形成第一掩膜，以自从不受铣削处理的表面起的第一深度执行铣削操作；第二铣削工序，该第二铣削工序在第一铣削工序之后，将第一掩膜更换为第二铣削并以自所述从不受铣削处理的表面起的第二深度执行铣削操作；第三铣削工序，该第三铣削工序在第二铣削工序之后，将第二掩膜更换为第三掩膜并以自所述从不受铣削处理的表面起的第三深度执行铣削操作。
3.根据权利要求2的磁头滑动件的制造方法，其特征在于当通过对滑动件的表面进行铣削处理而形成并具有不同铣削深度的铣削表面彼此邻近设置时，通过用于加工较浅铣削表面的铣削工序对一个将成为铣削表面中的较深的铣削表面的区域进行铣削加工。
4.根据权利要求2的磁头滑动件制造方法，其特征在于当通过对滑动件的表面进行铣削处理而形成并具有不同铣削深度的铣削表面彼此邻近设置时，掩膜形成为能够使分别形成在较深铣削表面所在区域和较浅铣削表面所在区域内的掩膜的开口部分相互重叠。
5.根据权利要求2的磁头滑动件制造方法，其特征在于通过对滑动件的表面进行铣削处理而形成的最浅铣削表面在自所述从不受铣削处理的表面起50nm至200nm的深度处被加工出来，自所述从不受铣削的表面起的次最浅的表面设置在比所述最浅铣削表面深的位置上并在自所述从不受铣削的表面起100nm至700nm的深度处。
6.根据权利要求2的磁头滑动件的制造方法，其特征在于当通过对滑动件的表面进行铣削加工而形成的最浅铣削表面的自所述从不受铣削加工的表面起的深度被设定为1，而且当N为自然数时，相应铣削工序中的铣削深度被设定在0.9×2N至1.1×2N的范围内。
7.一种磁头滑动件，其是根据权利要求2的制造方法加工出来的。
8.一种磁盘装置，其包括根据权利要求7的磁头滑动件。
9.一种磁头滑动件，其是通过根据权利要求3的制造方法加工出来的。
10.一种磁盘装置，其包括根据权利要求9的磁头滑动件。
11.一种磁头滑动件，其是通过根据权利要求4的制造方法加工出来的。
12.一种磁盘装置，其包括根据权利要求11的磁头滑动件。
13.一种磁头滑动件，其是根据权利要求5的制造方法制造出来的。
14.一种磁盘装置，其包括根据权利要求13的磁头滑动件。
15.一种磁头滑动件，其是根据权利要求6的制造方法制造出来的。
16.一种磁盘装置，其包括根据权利要求15的磁头滑动件。
全文摘要
一种磁头滑动件5的制造方法能够在滑动件主体上至少执行三次铣削工序，从而形成一个浮动表面，这样就可以形成比铣削工序的数量还多的深度。这三次铣削工序例如可包括第一铣削工序，该工序在滑动件主体50上形成一个第一掩膜并以第一深度执行铣削操作；第二铣削工序，该工序在第一铣削工序之后将第一掩膜更换为第二铣削并以第二深度执行铣削操作；第三铣削工序，该工序在第二铣削工序之后将第二掩膜更换为第三掩膜并以第三深度执行铣削操作。就是说，遮挡操作、铣削操作和掩膜拆除操作的循环要执行三个周期，这样，就可以很容易地加工出具有至少四种或更多种高度的铣削表面。
文档编号C23F1/04GK1677498SQ20051005958
公开日2005年10月5日 申请日期2005年3月30日 优先权日2004年3月30日
发明者吉田和弘, 伊藤淳, 高桥干, 羽生光伸 申请人:株式会社东芝