专利名称：晶圆片承载模组的制作方法
技术领域：
本实用新型是有关一种晶圆片承载模组，尤指一种应用在至少一晶圆片(Wafer)的表面沉积(Deposition)金属层的承载模组，通过该承载模组的至少一环形圈盖(Cover Ring)设置，可使该等晶圆片的表面在沉积金属层后，其表面周缘留有一环形边框未被沉积该金属层，以解决已知该等晶圆片表面周缘的该金属层容易产生一剥离(Peeling)薄膜层的缺点，同时该环形边框将沉积有至少一位置处的金属层作为该等晶圆片的一电极点。
背景技术：
按，近年来，由于半导体产业的蓬勃发展，各式各样的金属氧化物半导体(MOS)晶体管的结构及其制造方法，不断地被研究与开发出来，此一发展趋势，不仅加速了信息流通的速度及效率，亦为人们在生活及工作上带来极大的便利性。
目前业界在对一晶圆片(Wafer)的表面进行沉积(Deposition)金属层的作业时，是在一处理机中进行，该处理机中是分别设有不同的工作室，该等工作室依处理程序是分别包括有一机械手臂(Robot Arm)室、一承载盘(Tray Plate)室、一蚀刻(Etch)室及一沉积(Deposition)室；其中该机械手臂室中是设有至少一机械手臂，该等机械手臂是用以自他处抓取该晶圆片至该机械手臂室中，并将该晶圆片放置该承载盘室中；该承载盘室中是设有至少一承载盘，该等承载盘是用以承载该晶圆片于其中并定位后，再将载有该晶圆片的该等承载盘一并送至该蚀刻室中，进行该晶圆片的表面氧化、预热与蚀刻作业后，再将蚀刻后的该晶圆片及该等承载盘送至该沉积室中，进行该晶圆片的表面沉积一金属层，待完成后，再依前述程序返回，进而完成该晶圆片的表面沉积(Deposition)该金属层的作业。
然而，已知该晶圆片承载盘结构，请参阅图1所示，是由至少一环形盘体10组成，相邻的该等环形盘体10之间是通过一连接部11连接在一起，并于该等环形盘体10的承载面周缘环设有一凸缘12，及该等环形盘体10的承载面上设有复数个间隔一定距离的贯穿孔13，该等贯穿孔13中可供一针脚(图中未示)伸缩出入；当一晶圆片(图中未示)被如前述的机械手臂送至该等环形盘体10的承载面上时，该等针脚会伸出承接该晶圆片，再缩入该等贯穿孔13中将该晶圆片定位在该等环形盘体10凸缘12内的承载面上，并依照前述处理程序，在该处理机的沉积室中进行该晶圆片的表面沉积该金属层。
惟，该晶圆片在通过前述该承载盘结构所完成表面的沉积该金属层作业后，却产生有如以下几项缺点
1、该针脚在伸出承接该晶圆片，再缩入将该晶圆片定位在该等环形盘体10凸缘12内的承载面上的动作中，由于该晶圆片在垂直下降时，会产生一向下压挤的气流，该气流因受到该等环形盘体10凸缘12及承载面的影响无法有效导出，进而导致该晶圆片定位无法准确，相对造成沉积该金属层的位置偏差，甚至在该等环形盘体10凸缘12内的承载面上亦有沉积该金属层的存在。
2、由于该承载盘结构关系将使得该晶圆片的整体表面沉积该金属层，导致无法在该晶圆片的表面上找出一电极点，如此，即必须在下一制程中进行处理，进而增加整体制程与费时。
3、由于该晶圆片是在其整体表面沉积该金属层，而该晶圆片表面周缘的该金属层却往往容易产生一剥离(Peeling)薄膜层。
基于此，由前述第1、2及该第3项缺点可知，该晶圆片的表面在经由前述处理机中完成的金属层，其良率始终无法提高，进而达不到业者所期望的要求，且前述的作法与结构却是目前所采用，故有必要对该承载盘结构作新的设计以解决前述的缺点。
有鉴于上述的介绍，我们不难得知已知晶圆片的承载盘结构，对于该晶圆片在其表面进行沉积金属层的良率上，具有一定程度的影响性，因此，创作人以从事该行业多年的经验，乃经过长久努力研究与实验，终于开发设计出本实用新型的一种「晶圆片承载模组」，以期藉由本实用新型的巧思，提高该晶圆片在处理制作上的良率。
实用新型内容本实用新型的目的，在提供一种晶圆片承载模组，通过该承载模组可确保至少一晶圆片的表面沉积金属层后，该等晶圆片的良率可提高，而采用该承载模组有下列的优点(1)会在该等晶圆片的表面在沉积金属层后，其表面周缘留有一环形边框未被沉积该金属层，该环形边框可有效解决已知该等晶圆片表面周缘的该金属层容易产生一剥离(Peeling)薄膜层的缺点。
(2)会在该等晶圆片的表面在沉积金属层后，其表面周缘留有该环形边框的至少一位置处沉积有该金属层，该等金属层可作为该等晶圆片的一电极点，有效解决已知该等晶圆片表面周缘全部沉积有该金属层，而无法找出该电极点，进而须在下一制程中进行处理的缺点。
(3)该承载模组的至少一环形盘体(Tray Plate)的承载面上，是设有复数条沟槽(如格子状)，该等沟槽可使该等晶圆片垂直下降时所产生向下压挤的气流，沿着该等沟槽导出，进而使该等晶圆片准确地定位在该等环形盘体的承载面上。
为达成前述的目的及优点，本发明的技术手段是在设计出一种晶圆片承载模组，其特征在于，包括至少一环形盘体，其相邻之间通过一连接部连接在一起，其一承载面上供放置至少一晶圆片，该承载面设有复数间隔一定距离的贯穿孔，各该环形盘体外周缘设有复数间隔一定距离的定位部；及至少一环形圈盖，是盖设在各该环形盘体的承载面周缘上，其相邻之间通过另一连接部连接在一起，其中央呈镂空状，其一盖设环圈面内设有复数间隔一定距离的另一定位部，各该另一定位部恰可与各该环形盘体的该等定位部嵌卡定位，该盖设环圈面一端内缘环设有一凸缘，该凸缘周缘上设有复数间隔一定距离的缺口。
其中各该环形盘体的承载面上设有复数条用以将气流自其上导出的沟槽。
其中各该环形圈盖的盖设环圈面呈一使该等环形圈盖更容易导入该等环形盘体的承载面上及导正该晶圆片的倾斜面。
其中该等沟槽呈一格子状。
其中该等定位部为一定位凸体。
其中该等另一定位部为一定位凹槽，该定位凹槽的形状及大小恰与该定位凸体吻合，可相互嵌卡在一起。
本实用新型的有益效果是本实用新型的晶圆片承载模组，通过该承载模组可确保至少一晶圆片的表面沉积金属层后，该等晶圆片的良率可提高，而采用该承载模组有下列的优点
(1)会在该等晶圆片的表面在沉积金属层后，其表面周缘留有一环形边框未被沉积该金属层，该环形边框可有效解决已知该等晶圆片表面周缘的该金属层容易产生一剥离(Peeling)薄膜层的缺点。
(2)会在该等晶圆片的表面在沉积金属层后，其表面周缘留有该环形边框的至少一位置处沉积有该金属层，该等金属层可作为该等晶圆片的一电极点，有效解决已知该等晶圆片表面周缘全部沉积有该金属层，而无法找出该电极点，进而须在下一制程中进行处理的缺点。
(3)该承载模组的至少一环形盘体(Tray Plate)的承载面上，是设有复数条沟槽(如格子状)，该等沟槽可使该等晶圆片垂直下降时所产生向下压挤的气流，沿着该等沟槽导出，进而使该等晶圆片准确地定位在该等环形盘体的承载面上。
为便于审查员能对本实用新型的技术手段及运作过程有更进一步的认识与了解，以下列举实施例及配合附图，详细说明如后，其中图1是已知晶圆片承载盘结构的示意图；图2是本实用新型的晶圆片承载模组分解示意图；图3是本实用新型的晶圆片承载模组盖合示意图；及图4是使用该晶圆片承载模组后的该晶圆片表面沉积金属层的示意图。
具体实施方式
本实用新型是一种“晶圆片承载模组”，其是应用在至少一晶圆片(Wafer)的表面沉积(Deposition)金属层处，请参阅图2所示，是本实用新型的一较佳实施例，该承载模组是由至少一环形盘体20(Tray Plate)及至少一环形圈盖21(CoverRing)所组成，其中各该环形盘体20相邻之间是通过一连接部201连接在一起，各该环形盘体20的承载面上是恰可供一晶圆片30放置其上，且该承载面上是设有复数个间隔一定距离的贯穿孔202，该等贯穿孔202中可供一针脚(图中未示)伸缩出入；又，于各该环形盘体20的外周缘是设有复数个间隔一定距离的定位部203，在该较佳实施例中，该等定位部203是为一定位凸体。
再者，各该环形圈盖21相邻之间是通过另一连接部211连接在一起，其中央是呈镂空状，且各该环形圈盖21的一盖设环圈面内是设有复数个间隔一定距离的另一定位部212，该等另一定位部212恰可与各该环形盘体20的该等定位部203嵌卡定位，在该较佳实施例中，该等另一定位部212是为一定位凹槽，该定位凹槽的形状及大小恰与该定位凸体吻合，可相互嵌卡在一起；又，各该环形圈盖21的盖设环圈面一端内缘是环设有一凸缘213，该凸缘213周缘上是设有复数个间隔一定距离的缺口214。
由上述的构件，可清楚得知，请参阅图2、图3及图4所示，当至少一该环形盘体20的承载面上被放置该晶圆片30后，其上会再盖设该环形圈盖21(如图3所示)，此时，该环形圈盖21盖设环圈面内的该等另一定位部212恰可与各该环形盘体20的该等定位部203嵌卡定位，该环形圈盖21盖设环圈面内周缘的该等凸缘213及复数个缺口214恰可贴合在该晶圆片30的表面周缘，当该晶圆片30在一处理机(图中未示)中完成其表面的沉积金属层301(如图3、图4所示)，且各该环形圈盖21被拿起后，该晶圆片30的表面周缘会留有一环形边框302(即为原先被各该环形圈盖21盖设环圈面的该等凸缘213贴合处)，仅在该环形边框302部分位置处沉积有该金属层301(即为原先该等凸缘213的复数个缺口214所造成)，该等位置处的该金属层301即可作为该晶圆片30的一电极点303(如图4所示)。
再者，为使该等环形圈盖21更容易导入该等环形盘体20的承载面上及导正该等晶圆片30，该等环形圈盖21的盖设环圈面是设置呈一倾斜面215(如图2所示)。
由此，通过本实用新型该承载模组可确保该晶圆片30的表面在沉积金属层301后，该晶圆片30的良率可大幅提高，由于该晶圆片30的表面上的该环形边框302的留设可有效解决已知其表面周缘的金属层301容易产生一剥离(Peeling)薄膜层的缺点，同时该等电极点303的留设，亦有效解决已知该晶圆片30表面周缘全部沉积有该金属层301，而无法找出该电极点303的缺点。
除此之外，复请参阅图2所示，为使该晶圆片30在垂直下降置入该等环形盘体20的承载面上时，其向下压挤的气流得以有效导出，不致影响该晶圆片30置入该等环形盘体20的承载面上的正确位置，是在该晶圆片30置入该等环形盘体20的承载面上设有复数条沟槽204，在该较佳实施例中，该等沟槽204是呈一格子状，使得该气流得以有效地自该等沟槽204导出，同时达到使该晶圆片30准确地定位在该等环形盘体20的承载面上。
按，以上所述，仅为本实用新型最佳的一具体实施例，惟本实用新型的技巧特征并不局限于此，凡任何熟悉该项技术者在本实用新型领域内，可轻易思及的变化或修饰，应均被涵盖在以下本案的申请专利范围内。
权利要求1.一种晶圆片承载模组，其特征在于，包括至少一环形盘体，其相邻之间通过一连接部连接在一起，其一承载面上供放置至少一晶圆片，该承载面设有复数间隔一定距离的贯穿孔，各该环形盘体外周缘设有复数间隔一定距离的定位部；及至少一环形圈盖，是盖设在各该环形盘体的承载面周缘上，其相邻之间通过另一连接部连接在一起，其中央呈镂空状，其一盖设环圈面内设有复数间隔一定距离的另一定位部，各该另一定位部恰可与各该环形盘体的该等定位部嵌卡定位，该盖设环圈面一端内缘环设有一凸缘，该凸缘周缘上设有复数间隔一定距离的缺口。
2.如权利要求1所述的晶圆片承载模组，其特征在于，其中各该环形盘体的承载面上设有复数条用以将气流自其上导出的沟槽。
3.如权利要求2所述的晶圆片承载模组，其特征在于，其中各该环形圈盖的盖设环圈面呈一使该等环形圈盖更容易导入该等环形盘体的承载面上及导正该晶圆片的倾斜面。
4.如权利要求2所述的晶圆片承载模组，其特征在于，其中该等沟槽呈一格子状。
5.如权利要求2所述的晶圆片承载模组，其特征在于，其中该等定位部为一定位凸体。
6.如权利要求5所述的晶圆片承载模组，其特征在于，其中该等另一定位部为一定位凹槽，该定位凹槽的形状及大小恰与该定位凸体吻合，可相互嵌卡在一起。
专利摘要一种晶圆片承载模组，包括一环形盘体，其相邻间通过一连接部连接在一起，其一承载面上可供放置至少一晶圆片，其外周缘设有复数间隔一定距离的定位部；至少一环形圈盖，盖设在各该环形盘体的承载面周缘上，其相邻间通过另一连接部连接在一起，其中央呈镂空状，其一盖设环圈面内设有复数间隔一定距离的另一定位部，各另一定位部可与该等定位部嵌卡定位，盖设环圈面一端内缘环设有一凸缘，凸缘周缘上设有复数间隔一定距离的缺口；当晶圆片表面在完成沉积金属层，且各环形圈盖被拿起后，其表面周缘会留有一环形边框未被沉积该金属层，仅在环形边框部分位置处沉积有该金属层以作为该晶圆片的一电极点。
文档编号C23C14/50GK2922119SQ200620117790
公开日2007年7月11日 申请日期2006年6月27日 优先权日2006年6月27日
发明者廖本能, 谢旭明, 赵昶青 申请人:逵硕实业有限公司