微细金属凸点的形成方法

文档序号:3249096阅读:269来源:国知局
专利名称:微细金属凸点的形成方法
技术领域
本发明涉及微细金属凸点(bump)的形成方法,更具体涉及在形成于基 板的一面侧的金属部件的规定位置形成微细的尖细状金属凸点的微细金属 凸点的形成方法。
背景技术
半导体装置等的电子元件为了与其它电子元件连接,有时在由铜形成 的布线图形的各端部形成由金等金属构成的尖细状的金属凸点,上述布线 图形形成于树脂或陶瓷等制成的基板的一面侧。例如在下述专利文献l中 提出了使用气相沉积法形成该尖细状金属凸点的形成方法。
该形成方法如

图14所示。图14所示的金属凸点的形成方法中,如图 14A所示,对被覆形成于基板200的一面侧的布线图形202, 202 ''的由 树脂构成的掩模层204施以图案化,形成在底面露出布线图形202的凹部 206后,将基板载置在移动式工作台208上。
接着,如图14A所示,将移动式工作台208在箭头X方向移动,同时 将由气相沉积装置生成的金属微粒从口径大于凹部206的开口径的大口径 喷嘴210向凹部206, 206 . *喷射。
从喷嘴210喷射的金属微粒堆积在掩模层204上,形成堆积层212,同 时堆积在凹部206, 206 * *的各底面上,形成上表面近似平坦的金属凸点 214。
然后,停止从大口径喷嘴210喷射金属微粒,如图14B所示,从口径 小于凹部206的开口径的小口径喷嘴216向形成于凹部206, 206 * *中的 规定的凹部206内的金属凸点214的上表面喷射金属微粒,该凹部206形 成于基板200的一面侧,该基板200处于静止状态。来自该小口径喷嘴216 的金属微粒呈尖细状地堆积在金属凸点218的近似平坦的上表面,可形成尖细状的金属凸点218。
专利文献1:日本专利特开平2002-184804号公报
发明的揭示
通过图14所示的金属凸点的形成方法,可以在布线图形202的规定位 置形成尖细状金属凸点218。
但是,图14所示的金属凸点的形成方法中,想要在形成于掩模层204 的各个凹部206, 206 * 形成尖细状金属凸点218时,必须从小口径喷嘴 216向各个凹部206, 206 * 喷射金属微粒。
这里,使用一根小口径喷嘴216,在形成于基板200的布线图形202, 202 * *的各个凹部206, 206 * 依次形成尖细状的金属凸点218的做法由 于极其费时,因此不适合于工业生产。
另外,如果想要使用多根小口径喷嘴216, 216' ,在多个凹部206, 206 * 内同时形成尖细状的金属凸点218,则必须要使从多根小口径喷嘴 216, 216* 喷出的金属微粒的喷出量一致,但这是极其困难的。因此, 所形成的尖细状的金属凸点218, 218* 的形状及高度往往不一致。
而且,象目前的半导体装置这样,需要形成极其微细的金属凸点的情 况下,要形成口径小于凹部206的开口径的小口径喷嘴216本身就很困难。
因此,本发明的目的是解决使用喷射金属微粒和载气堆积金属微粒的 气相沉积法的以往的微细金属凸点的形成方法难以工业化稳定地在形成于 基板的一面侧的金属部件的规定位置形成微细的金属凸点的课题,提供能 够使用气相沉积法工业化稳定地在形成于基板的一面侧的金属部件的规定 位置形成微细的金属凸点的微细金属凸点的形成方法。
本发明者进行了如下的尝试如图14所示,在基板200的形成有布线 图形202的一面侧形成掩模层204,在掩模层204形成底面露出布线图形 202的凹部206后,采用使用了一种喷嘴的气相沉积法看能否形成尖细状金 属凸点。
首先,如图15A和图15B所示,形成被覆基板IO的布线图形12,12 *咱勺 由树脂构成的掩模层30,对该掩模层30施以激光加工,形成在底面露出布线图形12的规定位置的凹部100 (图15C〕。
如图16所示,图15C所示的凹部100是布线图形12的规定位置露出 的底面面积小于开口于掩模层30的表面的开口面积的锥状的凹部。
接着,将由气相沉积装置加热蒸发金属而得的金属微粒与作为载气的 氦气一起由喷嘴25向图15C所示的基板10喷射。该喷嘴25的口径大于凹 部100的开口径。
从喷嘴25喷出的金属微粒也堆积在从凹部IOO的底面露出的布线图形 12的露出面、凹部100的内壁面及掩模层30的表面。因此,经过规定时间 后停止从喷嘴25喷射金属微粒和氦气时,金属微粒堆积于布线图形12的 规定位置而形成的突起部102和堆积于掩模层30的表面的堆积层32如图 17所示,通过金属微粒堆积于凹部IOO的内壁面而形成的堆积层103连接。 该状态下,将掩模层30从基板10剥离时,突起部102随掩模层30—起被 从布线图形12的规定位置剥离。
另一方面,如图18所示,将形成于掩模层30的凹部构成为其内壁面 与基板IO的一面侧垂直且出口角部104a为圆形的凹部104时,如果通过 气相沉积法在凹部104内形成金属凸点14,则如图18所示,堆积于掩模层 30的表面的堆积层32的前端从凹部104的开口边缘突出,同时在凹部104 内形成尖细状的金属凸点14。但是,所形成的尖细状的金属凸点14与堆积 层32的前端相接合。在该状态下,将掩模层30从基板IO剥离时,尖细状 的金属凸点14随掩模层30 —起被从布线图形12的规定位置剥离。
与此相对,如图19所示,将形成于掩模层30的凹部构成为布线图形 12的形成位置露出的底面面积大于开口于掩模层30的表面的开口面积的 倒锥状凹部106时,如果通过气相沉积法在倒锥状凹部106内形成尖细状 的金属凸点14,则如图19所示,所形成的尖细状的金属凸点14没有与堆 积层32的前端相接,而是独立形成,该堆积层32堆积于掩模层30的表面 并且从倒锥状凹部106的开口边缘突出。因此,通过将掩模层30从基板10 剥离,可以在布线图形12的规定位置形成尖细状的金属凸点14。
但是,在被覆基板10的一面侧的掩模层30工业化地形成倒锥状凹部 106是困难的。为此,本发明者进行了如下的研究能否在可通过对由光致抗蚀剂构 成的掩模层30实施曝光及显影而容易地形成的图18所示的凹部104内, 利用气相沉积法形成独立于堆积在掩模层30的表面的堆积层32的尖细状 金属凸点14。
根据该项研究,发现了在由喷嘴25将金属微粒和氦气喷射向凹部104 的底面而形成尖细状的金属凸点14时,通过将凹部104的出口角部104a 保持在有棱角的状态(以下,有时称为尖角的形状),可以在凹部104内形成 独立于堆积在掩模层30的表面的堆积层32的尖细状金属凸点14,从而完 成了本发明。
艮口,本发明涉及微细金属凸点的形成方法,该方法的特征在于,在被 覆形成有金属部件的基板的一面侧的由树脂构成的掩模层形成直形凹部, 该凹部在底面露出上述金属部件的规定位置,并且内壁面垂直于上述基板 的一面侧且出口角部有棱角,然后在上述基板的另一面侧设置冷却手段, 接着将上述基板和冷却手段放置在真空气氛中,通过气相沉积法在露出于 上述直形凹部的底面的金属部件的露出面上形成横截面从底面部向前端部 逐渐变小的尖细状的金属凸点,同时用上述冷却手段将基板冷却在低于形 成掩模的树脂的耐热温度,保持上述直形凹部的形状,上述气相沉积法是 由喷嘴喷射使金属蒸发而得的金属微粒和载气、堆积在规定位置的方法, 然后,从基板的一面侧剥离上述掩模层,在上述金属部件的规定位置形成 尖细状的金属凸点。
本发明中,以能够保持上述直形凹部的出口角部的形状的温度加热处 理掩模层,使其密合于上述基板的一面侧,藉此可以将待实施气相沉积法 的形成于基板的掩模层的直形凹部的出口角部形成尖角的形状,上述掩模 层是通过对在基板的一面侧形成的规定厚度的光致抗蚀剂层实施感光及显 影而形成了直形凹部的掩模层。该加热处理的温度优选IO(TC以下。
还有,通过使用金属制的散热片作为冷却手段,可以容易地进行基板 的冷却。
这里,尖细状的金属凸点可优选形成为圆锥状或多角锥状的金属凸点。 此外,通过在同一掩模层形成内径不同的多个直形凹部,即使是同一厚度的掩模层,也可以同时形成高度不同的尖细状的金属凸点。
另外,本发明所采用的气相沉积法较好是使用金作为蒸发的金属,并 且使用氦气作为载气。
采用本发明的微细金属凸点的形成方法,在被覆形成有金属部件的基 板的一面侧的由树脂构成的掩模层形成在底面露出金属部件的规定位置的 直形凹部,在保持该直形凹部的形状的同时,由一种喷嘴向直形凹部喷射 微细金属粒子,藉此金属微粒在掩模层的表面形成堆积层,同时也堆积在 露出于直形凹部的底面的金属部件的露出面上。
如果再继续从喷嘴喷射金属微粒,则掩模层的表面的堆积层的厚度增 加,并且堆积层的前端从直形凹部的开口边缘逐渐突出。因此,直形凹部 的开口径逐渐縮小,堆积于在直形凹部内露出的金属部件的露出面上的金 属微粒量也从直形凹部的内周缘向中心逐渐减少,形成尖细状的金属凸点。
最终,直形凹部的开口部被形成于掩模层上的堆积层完全闭塞,即使 继续由喷嘴喷射金属微粒,金属微粒也不会再堆积在直形凹部内,直形凹 部内尖细状金属凸点以独立的状态被保存。
而且,本发明中,用冷却手段冷却基板的同时,通过气相沉积法形成 尖细状的金属凸点,因此可以保持出口角部有棱角的直形凹部的形状,形 成尖细状的金属凸点。因而,可以防止象出口角部为圆形的凹部那样,从 凹部的开口边缘突出的堆积部的前端与形成于凹部内的尖细状的金属凸点 相接合的现象。
其结果是,可以不与堆积于掩模层的表面的堆积层接触而形成尖细状 的金属凸点,可以从基板的一面侧只剥离掩模层及堆积层。
附图的简单说明
图1A和图1B是说明本发明所用的基板及金属板的主视图和剖视图。 图2A 图2F是说明使用图1所示的基板及金属板的本发明的微细金 属凸点的形成方法的一例的示意图。
图3是说明形成图2所示的微细金属凸点时所用的气相沉积装置的简图。图4是用于说明堆积层的前端从形成于掩模层的直形凹部的开口边缘 突出的现象的示意图。
图5A和图5B是表示在形成于基板的一面侧的布线图形的规定位置形 成了圆锥状的金属凸点的状态的立体图和局部放大立体图。
图6A和图6B是形成于掩模层的直形凹部的形状的其它示例的电子显 微镜照片。
图7A和图7B是使用形成有图4所示形状的直形凹部的掩模层形成的 金属凸点的电子显微镜照片。
图8A和图8B是形成于掩模层的直形凹部的出口角部为圆形的凹部的 形状的电子显微镜照片。
图9A和图9B是使用形成有图6所示形状的凹部的掩模层形成的金属 凸点的电子显微镜照片。
图IOA和图10B是将后烘(post-baked)的温度设为80'C时,加热处理后 的形成于掩模层的凹部形状的电子显微镜照片。
图IIA和图IIB是将后烘的温度设为9(TC时,加热处理后的形成于掩 模层的凹部形状的电子显微镜照片。
图12A和图12B是将后烘的温度设为IO(TC时,加热处理后的形成于 掩模层的凹部形状的电子显微镜照片。
图13A 图13D是说明在同一掩模层形成内径不同的多个直形凹部, 可形成高度不同的尖细状金属凸点的示意图。
图14A和图14B是说明使用气相沉积法在基板形成尖细状的金属凸点 的现有方法的示意图。
图15A 图15C是说明在形成于基板的一面侧的掩模层形成凹部的工 序的工序图。
图16是说明在形成于基板的一面侧的、具备锥状的凹部的掩模层的表 面,由气相沉积装置的喷嘴喷射金属微粒的状态的局部剖视图。
图17是说明通过图16所示的气相沉积法,在掩模层的表面堆积了金 属微粒的状态的局部剖视图。
图18是说明在形成于基板的一面侧的、具备出口角部为圆形的凹部的掩模层的表面通过气相沉积法堆积了金属微粒时的堆积状态的局部剖视 图。
图19是说明在形成于基板的一面侧的、具备倒锥状的凹部的掩模层的 表面通过气相沉积法堆积了金属微粒时的堆积状态的局部剖视图。
实施发明的最佳方式
本发明的微细金属凸点的形成方法的一例示于图1 图2。图1A所示 的基板10如作为其横向剖视图的图1B所示,在基板10的一面侧形成有作 为金属部件的布线图形12, 12* ,布线图形12, 12* *被由树脂构成的 掩模层30被覆。在该掩模层30,以在底面露出布线图形12, 12* *的各 个规定位置的条件形成凹部34。如图1A所示,该凹部34的开口形状为圆 形。此外,凹部34的纵横比(凹部34的深度/凹部34的口径)为1。该凹部 34的深度等于掩模层30的厚度。
如图1A和图1B所示,该基板10的另一面侧载置在比基板IO面积大 且厚的由具备优良的热传导率的铝或铜制的金属板35上。该金属板35如 后所述,用作作为冷却手段的散热片来冷却基板10。
该凹部34如作为其放大剖视图的图2A所示,是在底面露出布线图形 12的规定位置,并且内壁面垂直于基板IO的一面侧且出口角部有棱角的直 形凹部(以下,有时简称为直形凹部34)。
图2A所示的在掩模层30形成有直形凹部34, 34的基板10以载 置在金属板35上的状态置于气相沉积装置的真空气氛中,在露出于直形凹 部34, 34* 的各底面的布线图形的露出面上,通过气相沉积法形成微细 的金属凸点,该气相沉积法是由喷嘴25喷射使金属蒸发而得的金属微粒和 载气、堆积于规定位置的方法。
作为该气相沉积装置可以使用图3所示的气相沉积装置。在图3所示 的气相沉积装置中,将载置在呈真空状态的室18内的坩锅20内的作为金 属22的金加热至1500°C,加热蒸发形成金属微粒,所述真空状态是通过设 有过滤器16的吸引管17抽吸而形成的。该金属微粒与被作为载气供给到 室18内的氦气一起经转移管24吸引,被输送到真空状态的室26内。如图2B所示,在室26内插入了在掩模层30形成有直形凹部34, 34 *的 基板IO,在该凹部的底面露出布线图形12。由喷嘴25将氦气和金属微粒 喷向掩模层30的表面,该喷嘴朝向上述直形凹部34, 34' 、形成于转移 管24的前端。该喷嘴25被加热至30(TC,喷嘴25的开口径大于直形凹部 34。
从喷嘴25喷入室26内的金属微粒如图2C所示,堆积在从直形凹部 34的底面露出的布线图形12的露出面上,形成金属凸点14,同时也堆积 在掩模层30的表面形成堆积层32,氦气被吸引管27抽吸排出。
从该喷嘴25喷出的金属微粒被加热至300°C以上,因此掩模层30也被 蓄积在表面的金属微粒加热。如果来自该金属微粒的热量被蓄积在掩模层 30内,则掩模层30的温度会升温至形成掩模层30的树脂的耐热温度以上, 直形凹部34的出口角部塌落,象图18所示的凹部104的出口角部那样变 圆。在该近似于图18所示的凹部104的形状的凹部内,即使继续堆积金属 微粒,也如图18所示,形成于凹部内的金属凸点14与从凹部的开口边缘 突出的堆积于掩模层30的表面的堆积层32的前端相接。在该状态下,从 基板10剥离掩模层30时,金属凸点14和掩模层30—起被从布线图形12 的规定位置剥离。
针对这一点,如图1A和图1B所示,通过将基板10的另一面侧载置 在用作作为冷却手段的散热片的比基板10面积大且厚的金属板35上,从 蓄积在表面的金属微粒传导至掩模层30的热量被金属板35迅速放热。由 此,可以使掩模层30的温度低于形成掩模层30的树脂的耐热温度,可以 在保持直形凹部34的有棱角的角部形状的同时,从喷嘴25喷射金属微粒 和载气。
这样,如果在保持直形凹部34的有棱角的角部形状的同时,继续从喷 嘴25喷射金属微粒和载气,则如图2C及图2D所示,形成堆积在从直形 凹部34的底面露出的布线图形12的露出面的金属凸点14a的同时,堆积 在掩模层30上的堆积层32的前端从凹部34的开口边缘突出,直形凹部34 的开口部也变窄。因此,堆积在从直形凹部34内露出的布线图形12的露 出面上的金属微粒量也从直形凹部34的内周缘向中心逐渐减小,形成圆锥台状的金属凸点14a。
这里,如果在保持直形凹部34的有棱角的角部形状的同时,继续从喷 嘴25喷射金属微粒和载气,则堆积在掩模层30上的堆积层32的前端从直 形凹部34的开口边缘突出的现象如下推断。
即认为如图4所示,与金属微粒一起被喷入直形凹部34内的氦气在 直形凹部34内反转至与金属微粒的喷射方向相反的方向流出,因此直形凹 部34的内压高于掩模层30的表面侧。因而,直形凹部34的开口边缘附近 的金属微粒无法进入直形凹部34内,而是附着于直形凹部34的开口边缘 附近,堆积层32的前端从直形凹部34的开口边缘突出。
如果再继续从喷嘴25喷射金属微粒和载气,则如图2E所示,直形凹 部34的开口部被堆积在掩模层30上的堆积层32的前端部完全闭塞。这时, 在从直形凹部34的底面露出的布线图形12的露出面上形成不与堆积层32 接触的独立的圆锥状的金属凸点14。
因此,停止从喷嘴25喷射金属粒子和氦气,如图2F所示,将基板IO 从气相沉积装置取出,可以在保持圆锥状的金属凸点14的形状的状态下, 从基板10的一面侧机械剥离掩模层30及堆积层32。剥离了掩模层30的布 线图形12上除了形成有金属凸点14的位置外无金属微粒附着。
其结果如图5A所示,沿基板10的外周缘形成金属凸点14, 14* 。 该金属凸点14, 14 *的局部放大立体图示于图5B。金属凸点14, 14 *在 布线图形12, 12, 的各规定位置形成为圆锥状的金属凸点14。
在形成于基板IO的多个布线图形12, 12* *的每个图形形成金属凸点 14时,如图2B所示,通过基板10或喷嘴25向左右方向(箭头A方向)移动, 可以在各配线图形12形成形状和高度一致的圆锥状的金属凸点14。
因此,通过基板10或喷嘴25沿图5A所示的基板10的外周缘移动, 如图5A所示,可以沿基板IO的外周缘同时形成金属凸点14, 14* 。这 时,从喷嘴25喷出的被加热至300°C以上的金属微粒不附着于基板10的中 心附近而是附着于基板IO的周缘部。因而,可以在不会对形成于基板10 的中心附近的半导体元件等造成热损伤的前提下形成金属凸点14, 14* 。
图1 图5所示的形成于掩模层30的直形凹部34的开口形状为圆形形状,但是通过如图6AB所示将形成于掩模层30的直形凹部34的幵口形状 构成为四角形形状,藉此可如图7A和图7B所示,形成四方锥状的金属凸 点14。图6B是图6A的放大图,图7B是图7A的放大图。
掩模层30必须密合于基板10的一面侧而形成,通常对在形成于基板 10的一面侧的规定厚度的光致抗蚀剂层施以感光及显影形成了直形凹部34 的掩模层30进行加热处理,使其密合于基板10的一面侧。
这时,如果为了充分地密合于基板IO的一面侧而提高加热处理温度, 则如图8A和图8B(图8B是图8A的放大图)所示,直形凹部34变成其出口 角部变圆的近似于图18所示的凹部104的形状的凹部。由此,如图9A和 图9B所示,在形成有图8A和图8B所示的形状的凹部的掩模层30中形成 形状不一致的金属凸点。
因此,对在形成于基板10的一面侧的规定厚度的光致抗蚀剂层施以感 光及显影形成了直形凹部34的掩模层30进行加热处理时,较好是以能够 保持直形凹部34的出口角部的形状的温度进行加热处理。该加热处理温度 特别优选IO(TC以下。
该情况示于图10 图12。各图的B为A的立体图。形成图10 图12 所示的掩模层30时,首先使用旋涂法将光致抗蚀剂(科莱恩公司(Clariant Corporation)制的AZ4903)涂布于形成基板10的晶片的一面侧而形成光致抗 蚀剂层。这时的旋涂的转数为3500rpm,旋涂时间为30秒。
为了使光致抗蚀剂层中的溶剂蒸发,提高与晶片的密合性,以IO(TC对 光致抗蚀剂层施以5分钟的前烘(pre-baked)。
接着,对光致抗蚀剂层进行照射紫外线(g线;波长437nm)的曝光和显 影,形成图6所示的尖角的直形凹部34。该曝光量设为800mJ/cm2。显影 是在室温下将曝光完成后的晶片浸渍于显影液(AZ4卯3和纯水为1: 4的稀 释液)3分钟后,用纯水冲洗。
其后,为了从形成有直形凹部34的光致抗蚀剂层除去溶剂和水分,提 高与晶片的密合性,在80 12(TC的加热处理温度下实施5分钟的后烘。
该后烘后的形成于掩模层30的凹部的形状示于图10 图12。各图的 后烘的温度是,图10为80°C、图11为90°C、图12为IO(TC。这样,后烘的温度为IO(TC以下时,可以保持直形凹部34的出口角部的形状。
另一方面,后烘的温度超过IOO'C时,直形凹部34的出口角部如图8A 和图8B所示变成圆形。
在以上的说明中,插入图3所示的气相沉积装置的室18的坩锅20内 的金属22使用金,但也可以使用其它金属,例如钯、铂、银、镍或铜。
这里,如果由2根以上的喷嘴25各自依次喷出不同金属的微细金属粒 子,则可以形成由多种金属构成的金属凸点14,例如在由镍构成的基部上 形成了由金构成的上部的金属凸点14,藉此可以调整金属凸点14的硬度 等,且可以实现金属凸点14的制造成本的降低。
另外,以载置在金属板35上的状态将插入气相沉积装置的室26内的 基板IO放置在X-Y工作台上,通过控制使得金属微粒从喷嘴25喷向规定 的直形凹部34,藉此可以提高形成于直形凹部34内的金属凸点14的形状 的均一性,还可以防止掩模层30的温度上升。
这样,通过使用X-Y工作台在基板10形成多个直形凹部34, 34 *时, 可以控制金属粒子从喷嘴25只喷向需要形成金属凸点14的直形凹部34, 从而可以縮短金属微粒的堆积时间和提高所形成的金属凸点14的形状等的 均一性。
此外,可以用冷却水等冷媒或珀尔帖(Peltier)元件等冷却手段来冷却载 置着基板10的作为散热片的金属板35。这样,通过冷却金属板35,可以 使金属微粒的堆积温度稳定化,也可以防止掩模层30的升温。
还有,掩模层30的剥离通过机械剥离进行,但也可以通过化学蚀刻除 去掩模层30。当然,必须预先确认该化学蚀刻不会对形成于凹部34内的金 属凸点14造成损伤。
形成于掩模层30的直形凹部34的内径和所能够形成的尖细状的金属 凸点14的高度相关,例如,内径5um的直形凹部34可以形成高5iim的 尖细状的金属凸点14,内径3um的直形凹部34可以形成高度3wm的尖 细状的金属凸点14。
因此,如图13所示,通过在同一掩模层内形成内径不同的多个直形凹 部,可以形成高度不同的尖细状的金属凸点。首先,如图13A所示,在形成于基板10的一面侧的同一掩模层30形 成内径不同的多个直形凹部34a, 34b, 34c(内径34a>34b>34c)。直形凹 部34a, 34b, 34c的各纵横比为l(直形凹部34a)、 2(直形凹部34b)、 3(直形 凹部34c)。
从喷嘴25向这些直形凹部34a, 34b, 34c喷射金属微粒。这时,将基 板10向左右方向移动。
如果从喷嘴25向直形凹部34a, 34b, 34c喷射金属微粒,则如图13B 所示,金属微粒堆积在从直形凹部34a, 34b, 34c的各底面露出的布线图 形12(图13中省略)的露出面上,形成圆锥台状的金属凸点14a。这时,金 属微粒也堆积在掩模层30的表面形成堆积层32,堆积层32的前端从直形 凹部34a, 34b, 34c的各开口边缘突出。
如果再继续从喷嘴25向直形凹部34a, 34b, 34c喷射金属微粒,则如 图13C所示,内径最小的直形凹部34c的开口部被闭塞,中间内径的直形 凹部34b的开口部也明显变窄。
其后,即使仍继续从喷嘴25向直形凹部34a, 34b, 34c喷射金属微粒, 如图13D所示,开口部被堆积层32闭塞的内径最小的直形凹部34c内的圆 锥状的金属凸点14也保持其形状。另一方面,开口部明显变窄的直形凹部 34b的开口部被堆积层32闭塞后,直形凹部34b内的圆锥状的金属凸点保 持其形状。
此外,内径最大的直形凹部34a内的圆锥台状的金属凸点14a的高度 一直升高至其开口部被堆积层32闭塞为止。因此,直形凹部34a的开口部 被堆积层32封闭时,形成于直形凹部34a, 34b, 34c的各个圆锥状的金属 凸点14, 14, 14可以形成为近似等于直形凹部34a, 34b, 34c的内径的高度。
权利要求
1. 微细金属凸点的形成方法,其特征在于,在被覆形成有金属部件的基板的一面侧的由树脂构成的掩模层形成直形凹部,该凹部在底面露出所述金属部件的规定位置,并且内壁面垂直于所述基板的一面侧且出口角部有棱角,然后在所述基板的另一面侧设置冷却手段,接着将所述基板和冷却手段放置在真空气氛中,通过气相沉积法在露出于所述直形凹部的底面的金属部件的露出面上形成横截面从底面部向前端部逐渐变小的尖细状的金属凸点,同时用所述冷却手段将基板冷却在低于形成掩模的树脂的耐热温度,保持所述直形凹部的形状,所述气相沉积法是由喷嘴喷射使金属蒸发而得的金属微粒和载气、堆积在规定位置的方法,然后,从基板的一面侧剥离所述掩模层,在所述金属部件的规定位置形成尖细状的金属凸点。
2. 如权利要求l所述的微细金属凸点的形成方法,其特征在于,以能 够保持直形凹部的出口角部的形状的温度,加热处理对形成于基板的一面 侧的规定厚度的光致抗蚀剂层实施感光及显影而形成了直形凹部的掩模 层,使其密合于所述基板的一面侧。
3. 如权利要求2所述的微细金属凸点的形成方法,其特征在于,将加 热处理的温度设为IOO'C以下。
4. 如权利要求l所述的微细金属凸点的形成方法,其特征在于,使用 金属制的散热片作为冷却手段。
5. 如权利要求l所述的微细金属凸点的形成方法,其特征在于,作为 尖细状的金属凸点形成圆锥状或多角锥状的金属凸点。
6. 如权利要求l所述的微细金属凸点的形成方法,其特征在于,在同 一掩模层形成内径不同的多个直形凹部,同时形成高度不同的尖细状的金 属凸点。
7. 如权利要求l所述的微细金属凸点的形成方法,其特征在于,在气 相沉积法中,蒸发的金属使用金,载气使用氦气。
全文摘要
提供能够使用气相沉积法,稳定地工业化地在形成于基板的一面侧的金属部件的规定位置形成微细的金属凸点的微细金属凸点的形成方法。该方法的特征在于,在被覆形成有布线图形(12)的基板(10)的一面侧的掩模层(30)形成直形凹部(34),该凹部在底面露出布线图形(12)的规定位置,并且内壁面垂直于基板(10)的一面侧且出口角部有棱角,然后在基板(10)的另一面侧设置面积大于基板(10)的金属板作为散热片,接着将基板(10)和金属板放置在真空气氛中,通过气相沉积法在露出于直形凹部(34)的底面的布线图形(12)的露出面上形成尖细状的金属凸点(14),同时利用作为散热片的金属板将基板冷却在低于形成掩模层(30)的树脂的耐热温度,保持直形凹部(34)的形状,上述气相沉积法是由喷嘴喷射使金属蒸发而得的金属微粒和载气、堆积在规定位置的方法,然后,从基板的一面侧剥离掩模层(30),在布线图形(12)的规定位置形成尖细状的金属凸点(14)。
文档编号C23C14/04GK101416294SQ20078001177
公开日2009年4月22日 申请日期2007年3月30日 优先权日2006年3月30日
发明者五味善宏, 仲川博, 冈田义邦, 大里启孝, 菊地克弥, 青柳昌宏 申请人:株式会社美高仁工业;独立行政法人产业技术总合研究所
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