专利名称：衬底处理系统,和衬底处理方法
技术领域：
本申请属于材料沉积技术领域，涉及用于在衬底上沉积材料的设备，尤其涉及一 种具有改进的材料利用率的衬底处理系统，和衬底处理方法。
背景技术：
材料沉积广泛用于窗玻璃涂布，平板显示器制造，柔性膜(比如网幅)涂布，硬盘 涂布，工业表面涂布，半导体晶片处理，光电面板，及其他应用。材料从靶源溅射或汽化并沉 积在衬底上。常规的沉积系统在材料利用率上具有多个缺点。例如，参考图1A-1E，沉积系 统100包括真空室120中衬底115上的矩形靶110。固定的磁控管130固定于靶110上。 衬底115可沿着相对于靶110和磁控管130的方向150运输，以在衬底115的顶面上均勻 沉积。电源140可在靶110和真空室120的壁之间产生电偏斜(electric bias)。磁控管130 (图1C)包括第一极性的磁极132和与第一极性相对的第二极性的磁 极135。磁控管130可在靶110的下侧在溅射表面112外产生磁通量以在溅射表面112附 近约束(confine)等离子体气体。在磁场平行于溅射表面112和磁场最强的位置附近可约 束更多电子。通过局部磁场强度最大的位置可形成封闭环以俘获电子。封闭路径可引导溅 射表面112附近被俘获的电子的迁移路径。封闭环磁场可提高溅射气体(即等离子体)的 电离效率以更有效地约束溅射表面112附近的电子。提高的电离可在溅射沉积期间使工作 电压更低，这在操作中更易实施。沉积系统100的缺点在于材料利用率低。一段时间的溅射操作后，如图ID和IE 所示，常在溅射表面112上出现不均勻的腐蚀图案115。腐蚀图案115 —般包括和磁控管 130的磁场强度匹配的封闭环状槽。最强腐蚀存在于和溅射气体提高最多的磁场强度高的 位置对应的靶位置116。在靶位置116到达靶110的顶面前须更换靶110。靶110被抛弃， 未使用的靶材料117被浪费。因此需要增大靶材料的利用率并使材料沉积中的浪费最小化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有改进的材料利用率的衬底处理系统，和衬底处理 方法。一方面，本发明涉及衬底处理系统，包括可将衬底纳入其中的处理室；处理室中的 含有溅射表面的靶，其中所述衬底可接收从溅射表面溅射的材料；放置于靶附近的磁控管， 其中所述磁控管可在溅射表面上产生两个由距离S分隔的腐蚀槽，其中两个腐蚀槽的至少 一个的特点在于腐蚀宽度W ；和可以N步沿着第一方向的行进路径移动磁控管的第一运输 装置(transportmechanism)，其中N是整数，所述磁控管可在所述N步中的每一步停止以从 溅射表面溅射材料并沉积在衬底上，所述N步具有基本(substantially)相同的步长，所述 步长近似(approximately)等于所述腐蚀宽度W。另一方面，本发明涉及衬底处理系统，包括可将衬底纳入其中的处理室；和多个沉积源，每一沉积源含有处理室中的含有溅射表面的靶，其中所述衬底可接收从溅射表面溅 射的材料；放置于靶附近的磁控管，其中所述磁控管可在溅射表面上产生两个由距离S分 隔的腐蚀槽，其中两个腐蚀槽的至少一个的特点在于腐蚀宽度W ；和可以以N步沿着第一方 向的行进路径移动磁控管的第一运输装置，其中N是整数，所述磁控管可在所述N步中的每 一步停止以从溅射表面溅射材料并沉积在衬底上，所述N步具有基本相同的步长，所述步 长近似等于所述腐蚀宽度W。所述衬底处理系统也包括可在所述多个沉积源中相对于靶移 动衬底的第二运输装置。另一方面，本发明涉及衬底处理方法。所述方法包括将衬底置于处理室中；在处理 室中安装靶的溅射表面，邻近所述靶放置磁控管；从所述溅射表面溅射材料以沉积在所述 衬底上；在所述溅射表面上产生两个由距离S分隔的腐蚀槽，其中所述两个腐蚀槽的一个 的特点在于腐蚀宽度W ；通过近似等于所述腐蚀宽度W的步长沿着第一方向的行进路径移 动所述磁控管；和所述移动磁控管的步骤后，从所述溅射表面溅射另外的材料以沉积在所 述衬底上。所述系统的实施可包括下列一种或多种。S/W比值可在约N-0. 1和N+0. 1的范围 内。步长在约0.9W和约1. IW的范围内。所述两个腐蚀槽的两个的特征在于腐蚀宽度W。 腐蚀宽度W可由两个腐蚀槽的一个中的半全深度(half-full-d印th)之间的距离界定。所 述两个腐蚀槽的每个可至少包括一基本上垂直于所述第一方向的部分。所述磁控管可在一 段时间的材料沉积后在溅射表面产生封闭环腐蚀图案，其中所述封闭环腐蚀图案含有两个 由距离S分隔的基本上平行的腐蚀槽。所述两个基本上平行的腐蚀槽基本上垂直于所述 第一方向而取向。所述衬底处理系统还可包括可相对于靶移动衬底的第二运输装置。溅 射表面可放置为朝向处理室中的衬底。磁控管可放置为邻近于和溅射表面相对的靶的背表 面。所述衬底处理系统还可包括在靶和处理室之间产生偏压(bias voltage)的电源。所 述衬底处理系统还可包括当磁控管位于所述行进路径末端的一步时减少沉积量的旁路装 置(shunting device) 0所述第一运输装置可在所述N步后沿着行进路径移动磁控管大约 MS，其中M是整数。实施方案可包括一个或多个下列优势。所述沉积系统和方法可改进靶材料的使用 效率并可因此减少靶成本并减少靶更换的工作。所述靶设置和方法适用于不同的靶和磁控
管构造。在附图和下面的描述中阐述了一个或多个实施方案的细节。本发明的其他特征， 目的，和优势将由说明书，附图，和权利要求变得显而易见。
图IA是常规沉积系统的透视图。图IB是图IA的常规沉积系统的截面图。图IC是图IA的常规沉积系统中的磁控管的底部透视图。图ID是图IA的常规沉积系统中的靶的透视图，显示靶的溅射表面上的腐蚀图案。图IE是沿着图ID A-A线的靶的截面图，显示了腐蚀图案。图2A是根据本发明的沉积系统的截面图。图2B是图2A的沉积系统中的磁控管的底部透视图。
图2C是图2A中的沉积系统的透视图。图2D是图2A的沉积系统的截面透视图。图3A是图2A的沉积系统中当磁控管处于第一位置时活动磁控管和靶的设置的截 面图。图;3B是图3A显示的设置中当磁控管处于第二位置时活动磁控管和靶的截面图。图3C是显示在图3A和;3B显示的构造中在一段时间的沉积后靶上的腐蚀图案的 透视图。图4A-4C是图2A的沉积系统中当活动磁控管处于不同位置时活动磁控管和靶的 改进设置的截面图。图4D是显示在图4A-4C显示的构造中在一段时间的沉积后靶上的腐蚀图案的截 面图。图4E是图2A的沉积系统中活动磁控管和靶的另一改进设置的截面图。图5说明磁控管和靶，以及活动磁控管的步长的尺度之间的关系。图6是沉积室中含有两个沉积源的另一改进的沉积系统的截面图。图7A是含有两个沉积室的另一改进的沉积系统的截面图，每一沉积室含有两个 沉积源，每一沉积源包括活动磁控管或步进磁控管(st印ping magnetron)。图7B是图6A的沉积系统的截面透视图。图7C是图6A的沉积系统的透视图。
具体实施例方式参考图2A-2C，沉积系统200包括具有开口 241和M2的处理室220。门(未显 示)可密封开口 241和M2以保持处理室220处于真空环境。衬底215可通过一运输装置 沿着方向250移动。衬底215可通过开口 241和242移入和移出处理室220。靶210位于 衬底215上。靶210包括背表面211和朝向衬底215的溅射表面212。溅射表面212位于 处理室220内。处理室220排气至用于沉积的真空环境。在沉积期间，靶材料在真空环境 下从溅射表面212溅射并沉积在衬底215上。活动磁控管(moveable magnetron) 230的位置邻近靶210的背表面211。磁控管 230可通过运输装置260跨过背表面211移动。靶210和衬底215之间的相对运动使靶材 料均勻沉积在衬底215上。电源240可在靶210和处理室220的壁之间产生电偏斜。所述 电偏斜可以是以DC，AC，或RF电压的形式并可在处理室220中引发等离子体气体。等离子 体中的离子被吸引到靶210并可从溅射表面212溅射靶材料。磁控管230可通过洛伦兹力 俘获溅射表面212附近的激发电子(excited electron)而增大等离子体的电离效率。磁 控管230可有利地减少沉积电压并使靶210和处理室220的壁之间的电偏压降低。关于 沉积系统的细节也公开于2007年8月30日提出的题为“Substrate processing system having improved substrate transport，，的美国专利申请 11/847，956 (ASC009)中，在此以 引用的方式将其内容并入。参考图2B，磁控管230包括极性相对的磁极232和235并由在磁极232和235之 间形成封闭环的间隙238A-238D分隔。两个长间隙238A和238C被距离“S”分隔。磁控管 230可在磁极232和235之间产生磁通量。溅射表面212附近的磁力线约束溅射表面212附近的等离子体气体。当磁场平行于溅射表面212时电子的磁场约束最强。因此更多电子 趋向于被约束于磁场平行于溅射表面212的位置。磁控管230的局部磁场强度最大的位置 可邻近于间隙238A-238D形成封闭环，它在等离子体气体中俘获最多电子。该封闭环可引 导俘获电子的活动并延长它们在溅射表面212附近的停留。所述封闭环磁场可提高等离子 体的电离效率以更有效地约束溅射表面212附近的电子。磁控管230需要适当设计以增大靶材料的使用率并减少材料浪费。图3A-3C显示 了不期望的靶使用的实例(出于清晰度的原因未显示靶和磁控管外的组分)。磁控管230 显示位于图3A中靶210的左端。一段时间的溅射沉积后，腐蚀槽315A和315B出现在溅射 表面212。腐蚀槽315A和315B之间的距离是“S”，和磁控管230中磁极232和235之间 的间隙238A和238C的间距相同。磁控管230可通过运输装置沈0 (显示于图2A)沿着方 向310移动至靶210的右端(图:3B)。在一些设置中，方向310基本上垂直于腐蚀槽315A， 315B，316A，和316B的方向。如果磁控管230的位移“P”大于“S”，在用磁控管230在此第 二位置沉积一段时间后，另一组腐蚀槽316A和316B出现在溅射表面212 (如图和3C所 示)。腐蚀槽316A和316B也通过距离“S”分隔。在槽315A-316B的凹槽(trough)到达靶 210的背表面211前靶210需要更换。未使用的靶部分317将被抛弃，造成一般低于30% 的靶利用率。磁控管230和靶210的尺度以及磁控管230的操作可经设计以使靶材料使用率最 大化并减少材料浪费。参考图4A-4C(为了观看清晰度，未显示靶和磁控管之外的组件)， 磁控管230先位于图4A中靶210的左端以在一段时间的溅射沉积后产生腐蚀槽415A和 415B。腐蚀槽415A和415B之间的距离是“S”，磁控管230中磁极232和235之间的间隙 238A和238C的间距。磁控管230通过运输装置沈0(显示于图2A)通过一步沿着方向410 移动(图4B)。步长“Q”小于“S”。在该步的溅射和沉积产生另一组腐蚀槽416A和416B。 方向410可基本垂直于腐蚀槽415A和415B (和下述腐蚀槽416A-417B)。磁控管230通过具有相同步长“Q”的另一步沿着方向410移动(图4C)。在此步 的溅射和沉积产生另一组腐蚀槽417A和417B。磁控管230在两步内从靶210的左端移动 到右端。应当说明，图4A-4C意在说明本发明原理的实例。磁控管可以以一步或多步从靶 的一端移动到另一端。腐蚀槽415A和415B，416A和416B，417A和417B彼此交错，甚至跨 过溅射表面212分布。图4A-4C显示的移动和沉积步骤可以以更小步长重复，使得腐蚀槽 重叠并可形成光滑表面。因此，如图4D所示，磁控管230在靶210的背部多次前后移动后， 在溅射表面212上形成更光滑的腐蚀表面417。当磁控管沿着方向410和逆向行进时，沉积 可在每一步进行。大的步数可得到更光滑的腐蚀表面417和靶210中更多的腐蚀。使用这 样的方法，可在靶需要更换前使用超过70%的靶材料。发现在行进路径端部的腐蚀槽(例如415A和417B)更深一些，这由在行进路径端 部的回动时较慢的磁控管移动，或在行进的端部故意减慢磁控管的速度以通过增大靶边缘 附近的腐蚀以改进沉积均勻性而引起。磁控管的减速也引起靶中心附近的腐蚀槽的过度重 叠并减少靶利用率。另外，靶中心附近的过度腐蚀降低沉积均勻性。因此，希望减少在靶的 两个端部位置因较慢的磁控管移动引起的靶表面上的沉积和腐蚀量。在一些实施方案中， 参考图4E，当磁控管230位于行进路径的端部，在背表面211附近邻近磁极232和235放置 旁路装置405。旁路装置405可由永磁材料比如400系列不锈钢制成。旁路装置405可中断并减少磁极232和235的磁力线并因此减少等离子体电离效率从而减少沉积量。因此可 在端部步骤减少腐蚀量。旁路可放置于任何存在过度腐蚀的位置。图5说明磁控管，靶，和活动磁控管的移动之间的几何关系。图5描绘图4A-4C中 显示的溅射表面212上的腐蚀图案。每一腐蚀槽415A-417B的特点在于宽度“W”。W可以 是腐蚀槽的半全深度之间的距离。如上所述，在每一固定的沉积位置的腐蚀槽之间的距离 是“S”。磁控管移动的步长是“Q”，对N步基本相同。根据本发明，溅射表面212的光滑度 可用下列关系式优化Q^ff 等式(1)即，步长“Q”选为近似所述特征“W”，或在“W” +/-10 %以内，也就是说，在约0. 9W 和约1. Iff的范围内。等式(1)保证邻近的腐蚀槽415A-417B在溅射表面212上被密集填充。另外，希望S = NQ ^ NW 等式 O)其中N是步骤的整数且N彡2。例如，N可以是10。等式⑵保证415A-417B跨 过溅射表面212均勻分布。等式(2)显示磁控管中的长间隙238A和238C之间的距离希望近似于腐蚀槽的固 有宽度“W”的整数倍。或者，S/W在整数N的0.1的范围内。此外，希望通过整数倍(即S/ W)步移动磁控管以实现均勻的腐蚀并减少靶材料浪费。此外，由等式(1)和O)，磁控管的行进距离“T”是T = (N-I)W 等式(3)行进距离“T”和磁控管230可在靶210的背表面移动的净距离有关。因此等式 (3)阐明了靶和磁控管的尺度，和磁控管步长的选择之间的约束关系。通常，行进距离可比图5显示的实例更长。磁控管在行进的第一部分移动到第N 步后，磁控管可移动另外(N+1)步进入行进的第二部分。从行进的第一到第二部分的移动 可基本上比每一部分内的移动更快，或在所述部分之间移动期间溅射电源切断以保持跨过 靶的均勻腐蚀。在行进的第二部分如图5所示重复从第2步到第N步的移动图案。磁控管 和靶可设计为具有任何整数的行进部分。因此有T = (N-I) W+MS 等式其中“M”是整数。所述的系统和方法适合其他设置。参考图6，沉积系统包括处理室220和两个沉积 源610和620，分别包括磁控管230A或230B,和靶210A或210B。靶210A和210B分别包括 溅射表面212A和212B，背表面21IA和211B。使用上述方法可使靶210A和210B的使用率 最大化。在一些实施方案中，参考图7A-7C，沉积系统700包括两个互相连接的沉积系统 600A和600B，分别包括处理室220A和220B。处理室220A包括和处理室220B的开口 MlB 对齐的开口 M2A。可开或关门以使衬底215A或215B在处理室220A和220B之间移动。应理解，在不偏离本发明实质的情况下，所公开的系统和方法适合其他设置。所公 开的处理室适合许多不同类型的处理操作比如物理气相沉积(PVD)，热蒸发，热升华，溅射， 化学气相沉积(CVD)，等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)，离子刻蚀，或溅射刻蚀。靴， 磁控管，和衬底可按上述实施例以外的相对位置放置。磁控管和衬底的运输装置可采用多种不同形式。 适合所述系统和方法的靶材料的实例包括铝(Al)、锌铝(AlZn)、氧化铝锌 (AlZnO)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、铝铜(AlCu)、铝硅(AlSi)、铝硅铜(AlCuSi)、氟化 铝(AlF)、锑(Sb)、碲化锑(SbTe)JJl (Ba)、钛酸钡(BaTiO)、氟化钡(BaF)、氧化钡(BaO)、 钛酸钡锶(BaSrTiO)、铜酸钡钙(BaCaCuO)、祕(Bi)、氧化铋(BiO)、硒化铋(BKe)、碲化铋 (BiTe)、钛酸铋(BiTiO)、硼(B)、氮化硼(BN)、碳化硼(BC)、镉(Cd)、氯化镉(CdCl)、硒化 镉(CcKe)、硫化镉(CdS)、CdS0、碲化镉(CdTe)、CdTeHg、CdTeMn、锡酸镉(CdSnO)、碳(C)、铈 (Ce)、氟化铈(CeF)、氧化铈(CeO)、铬(Cr)、氧化铬(CrO)、硅化铬(CrSi)、钴(Co)、铜(Cu)、 氧化铜(CuO)、铜嫁(CuGa)、Culn、CuInSe、CuInS、CuInGa、CuInGaSe (CIGS)、CuInGaS、Dy、 Er、ErBaCuO、Eu、Gd、Ge、GeSi、Au、Hf、HfC、HfN、Ho、In、InO, InSnO(ITO)、Ir、Fe、FeO、La、 LaAlO、LaNiO, LaB、LaO, Pb、PbO、ObTe, PbTiO3, PbZrO、PbZrTiO (PZT)、LiNbO, Mg、MgF、MgO, Mn、MnO, Mo、MoC, MoSi. MoO, MoSe, MoS, Nd、NdGaO, Ni, NiCr, NiFe, NiO、NiV、Nb、NbC, NbN, NbCKNeSeJbSLNbSruPcUNii^eMoMn(坡莫合金(permalloy))、Pt、Pr、PrCaMnO(PCMO)、Re、 Rh, Ru, Sm、SmO, Se、Si、SiO、SiN, SiC、SiGe, Ag、Sr, SrO, SrTiO(STO)、Ta, TaO, TaN, TaC, TaSe, TaSi, Te、Tb、Tl、Tm、Sn、SnO, SnOF(SnO:F)、Ti、TiB、TiC、TiO、TiSi、TiN、TiON、W、 WC、W0、WSi、WS、W—Ti、V、VC、V0、Yb、YbO、Y、YbaCuO, Y0、Zn、ZnO、ZnAlO(ZAO), ZnAl, ZnSn, ZnSnO、ZnSe, ZnS, ZnTe、Zr、ZrC, ZrN、ZrO, ZrYO(YSZ)、和其他固体元素或化合物。
权利要求
1.一种衬底处理系统，包括设置为将衬底纳入其中的处理室；处理室中的含有溅射表面的靶，其中所述衬底设置为接收从溅射表面溅射的材料；放置于靶附近的磁控管，其中所述磁控管设置为在溅射表面上产生两个由距离S分隔 的腐蚀槽，所述两个腐蚀槽的至少一个的特点在于腐蚀宽度W ；和设置为以N步沿着第一方向的行进路径移动所述磁控管的第一运输装置，其中N是 整数，所述磁控管设置为在所述N步中的每一步停止以从溅射表面溅射材料并沉积在衬底 上，所述N步具有基本相同的步长，所述步长近似等于所述腐蚀宽度W。
2.如权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于S/W比值在约N-0.1和N+0. 1的范 围内。
3.如权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于所述步长在约0.9W和约1. Iff的范 围内。
4.如权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于所述两个腐蚀槽的特点在于腐蚀宽 度W。
5.如权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于所述腐蚀宽度W通过所述两个腐蚀 槽的一个中的半全深度之间的距离界定。
6.如权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于所述两个腐蚀槽的每个至少包括一 基本上垂直于所述第一方向的部分。
7.如权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于所述磁控管设置为在一段时间的材 料沉积后在所述溅射表面产生封闭环腐蚀图案，其中所述封闭环腐蚀图案含有两个由距离 S分隔的基本上平行的腐蚀槽。
8.如权利要求7所述的衬底处理系统，其特征在于所述两个基本上平行的腐蚀槽基本 上垂直于所述第一方向取向。
9.如权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于还含有设置为相对于所述靶移动所 述衬底的第二运输装置。
10.如权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于所述溅射表面放置为朝向所述处 理室中的衬底。
11.如权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于所述磁控管放置为邻近于和所述 溅射表面相对的靶的背表面。
12.如权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于还含有设置为在所述靶和处理室 之间产生偏压的电源。
13.如权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于还含有设置为当所述磁控管位于 所述行进路径末端的一步时减少沉积量的旁路装置。
14.如权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于所述第一运输装置设置为在所述N 步后沿着行进路径移动所述磁控管近似相等的MS，其中M是整数。
15.一种衬底处理系统，包括设置为将衬底纳入其中的处理室；多个沉积源，每一沉积源含有处理室中含有溅射表面的靶，其中所述衬底设置为接收从溅射表面溅射的材料；放置于靶附近的磁控管，其中所述磁控管设置为在溅射表面上产生两个由距离S分隔 的腐蚀槽，所述两个腐蚀槽中至少一个的特点在于腐蚀宽度W ；和设置为以N步沿着第一方向的行进路径移动所述磁控管的第一运输装置，其中N是 整数，所述磁控管设置为在所述N步中的每一步停止以从溅射表面溅射材料并沉积在衬底 上，所述N步具有基本相同的步长，所述步长近似等于所述腐蚀宽度W ；和设置为在所述多个沉积源中相对于靶移动衬底的第二运输装置。
16.如权利要求15所述的衬底处理系统，其特征在于S/W比值在约N-0.1和N+0. 1的 范围内。
17.如权利要求15所述的衬底处理系统，其特征在于所述步长在约0.9W和约1. Iff的 范围内。
18.如权利要求15所述的衬底处理系统，其特征在于所述两个腐蚀槽的特点在于腐蚀 宽度W。
19.如权利要求15所述的衬底处理系统，其特征在于所述腐蚀宽度W通过所述两个腐 蚀槽的一个中的半全深度之间的距离界定。
20.一种衬底处理方法，其步骤包括将衬底置于处理室中；在处理室中安装靶的溅射表面，邻近所述靶放置磁控管；从所述溅射表面溅射材料以沉积在所述衬底上；在所述溅射表面上产生两个由距离S分隔的腐蚀槽，其中所述两个腐蚀槽中的一个的 特点在于腐蚀宽度W;通过近似等于所述腐蚀宽度W的步长沿着第一方向的行进路径移动所述磁控管；和所述移动磁控管的步骤后，从所述溅射表面溅射另外的材料以沉积在所述衬底上。
21.如权利要求20所述的方法，其特征在于还包括以N步沿着所述第一方向移动所述磁控管，其中S/W比值在约N-0. 1和N+0. 1的范围 内；和所述N步中的每一步后，从所述溅射表面溅射另外的材料以沉积在所述衬底上。
22.如权利要求20所述的方法，其特征在于所述步长在约0.9W和约1. Iff的范围内。
23.如权利要求20所述的方法，其特征在于所述两个腐蚀槽的特点在于腐蚀宽度W。
24.如权利要求20所述的方法，其特征在于所述腐蚀宽度W通过所述两个腐蚀槽的一 个中的半全深度之间的距离界定。
25.如权利要求20所述的方法，其特征在于还含有通过所述磁控管在一段时间的材料 沉积后在所述溅射表面内产生封闭环腐蚀图案，其中所述封闭环腐蚀图案含有两个由距离 S分隔的基本上平行的腐蚀槽。
26.如权利要求25所述的方法，其特征在于所述两个基本上平行的腐蚀槽基本上垂直 于所述第一方向取向。
27.如权利要求20所述的方法，其特征在于相对于所述靶移动所述衬底。
28.如权利要求20所述的方法，其特征在于将所述靶的溅射表面放置为朝向所述处理 室中的衬底。
29.如权利要求20所述的方法，其特征在于将所述磁控管放置为邻近于和所述溅射表 面相对的所述靶的背表面。
30.如权利要求20所述的方法，其特征在于在所述靶和处理室之间产生偏压。
31.如权利要求20所述的方法，其特征在于安装当所述磁控管位于所述行进路径末端 的一步时减少沉积量的旁路装置。
32.如权利要求20所述的方法，其特征在于还包括在所述N步后，沿着所述行进路径移动所述磁控管近似相等的MS，其中M是整数。
全文摘要
本发明公开了一种衬底处理系统和衬底处理方法，属于材料沉积技术领域。本发明的衬底处理系统，包括将衬底纳入其中的处理室；处理室中的含有溅射表面的靶，其中将衬底设置为接收从溅射表面溅射的材料；放置于靶附近的磁控管，其中磁控管可在溅射表面上产生两个由距离S分隔的腐蚀槽，其中所述两个腐蚀槽的至少一个的特点在于腐蚀宽度为W；和可以以N步沿着第一方向的行进路径移动磁控管的第一运输装置，N是整数。所述磁控管可在N步中的每一步停止以从溅射表面溅射材料并沉积在衬底上。所述N步具有基本相同的步长。所述步长近似等于所述腐蚀宽度W。本发明可用于平板显示器制造，工业表面涂布，半导体晶片处理等广泛的应用领域。
文档编号C23C14/35GK102122599SQ20101000029
公开日2011年7月13日 申请日期2010年1月8日 优先权日2010年1月8日
发明者王开安, 郭信生 申请人:王开安, 郭信生