以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法及其系统的制作方法

专利名称：以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法及其系统的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种以化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)处理 一工件的方法与系统。因此，本发明涉及化学与材料科学的领域。
背景技术：
许多工业使用如化学机械抛光(CMP)装置等研磨工具来对某些工件进行抛光。详 细而言，电脑制造工业重度依赖CMP处理程序来抛光晶圆、陶瓷、硅、玻璃、石英、半导体以 及金属。此种抛光处理程序通常是令以例如聚氨酯等耐用有机材质制造的抛光垫进行旋转 并且研磨晶圆。该抛光垫搭配使用一化学浆料，该化学浆料包含有能够破坏晶圆材质的化 学特性，并且具有能物理性侵蚀晶圆表面的多个研磨粒子。持续在旋转的CMP抛光垫上添 加前述浆料，兼具化学与机械双重力施加于晶圆上以令晶圆被抛光为所想要的型态。对于能达到抛光品质的一项极为重要的因素是研磨颗粒在抛光垫上的分布状态。 抛光垫顶面通过纤维或是小孔洞来固定研磨颗粒，这些纤维或是小孔洞提供充足的摩擦力 来避免研磨颗粒因为抛光垫旋转时产生的离心力而被抛离。因此，保持抛光垫顶面尽可能 具有弹性、保持纤维尽可能呈垂直状态，并且尽可能确保有充足的开放孔洞来容纳新添入 的研磨颗粒，是非常重要的。其中一个关于保持抛光垫表面的问题在于抛光时由工件、研磨浆和修整碟等处 产生的碎屑碎屑修整器的碎屑堆积。这些堆积的碎屑造成抛光垫顶面的「釉化」或是「硬 化」，使纤维纠结倾倒，并使得抛光垫表面越来越无法固定浆料上的研磨颗粒。此效应严重 减少抛光垫的整体抛光效能。此外，抛光垫上用来固定浆料的孔洞逐渐的堵塞住，且抛光垫 抛光表面的整体粗糙度被削弱且变的纠结。可使用一 CMP抛光垫修整器，通过「结合」或 是「切割」抛光垫表面来使抛光垫表面复原。此修复方法即为俗称对CMP抛光垫进「修整 (dressing)」或是「修整(conditioning)」的方法。可使用许多类型的装置与处理程序来 达到前述的修整目的。其中一种此类装置即是具有诸如多个钻石颗粒等超研磨结晶颗粒的 碟盘，前述超研磨结晶颗粒是附加在碟盘的一金属基质表面上。

发明内容
因此，本发明提供自一种方法与系统，该方法与系统是在CMP抛光垫处理程序中， 自一 CMP抛光垫上移除污染物或是碎屑。在一方面，举例而言，本发明提供一种在CMP处理 程序中自一 CMP抛光垫表面上移除碎屑的方法。此一方法可包含旋转一具有一抛光表面 的CMP抛光垫，；以及将一 CMP抛光垫修整器压向该CMP抛光垫的抛光表面，其中该CMP抛光 垫具有耦合于CMP抛光垫上的多个超研磨颗粒，且所述多个超研磨颗粒被定向朝向该CMP抛光垫。该方法可进一步包含喷洒一具有充足力量的液体喷射注(Jet)到该CMP抛光垫 的抛光表面上来驱除该CMP抛光垫的抛光表面上的碎屑。可使用各种液体来驱除抛光垫抛光表面上的碎屑。在一方面，举例而言，该液体可 为水。应了解的是，亦可使用任何相容于该CMP处理程序的液体。此外，该一体可包含一物 质来增进驱除碎屑的处理程序。在一方面，举例而言，该液体可包含研磨颗粒。此外，该液体喷射注可在CMP抛光垫相对CMP抛光垫修整器具有各种配置或是方 向的状态下，来喷洒在该CMP抛光垫上。在一方面，举例而言，该喷射的液体可喷洒在相邻 于该CMP抛光垫修整器的CMP抛光垫的抛光面积的一区域上。可考虑CMP抛光垫与CMP抛光 垫修整器的各种相邻配置方式，包括CMP抛光垫相邻CMP抛光垫修整器的前边缘(Leading Edge)，相邻CMP抛光垫修整器的后边缘(Trailing Edge)，相邻CMP抛光垫修整器的侧边缘 (Side edge)。此外，在某些方面，该CMP修整器可具有一开口以供液体喷射注喷射穿过该 开口而喷洒接触该CMP抛光垫。举例而言，该CMP抛光垫修整器可为一环状元件而在该环 状元件上贯穿形成有一中心开口区域，该中心开放区域可供液体喷射注穿过。可使用各种方法提供该液体喷射注。在某些方面，该液体喷射注可为连续喷洒在 CMP抛光垫表面上。在另一方面，该液体喷射注可依据一脉冲图形(Pulse Pattern)进行间 歇性喷洒。本发明亦提供执行CMP处理程序的系统。此一系统可包含一 CMP抛光垫，其耦合 到一支撑表面上，该支撑表面可运作转动该CMP抛光垫，其中该CMP抛光垫具有一相对该支 撑表面的抛光表面；以及一 CMP抛光垫修整器，其上耦合有多个超研磨颗粒，且所述多个超 研磨颗粒被定向朝向该CMP抛光垫。该CMP抛光垫修整器是被定向垂直(Orthogonally) 于该支撑表面的状态，且可运作于将所述多个超研磨颗粒压迫进入该CMP抛光垫中。该系 统可进一步包含一液体喷射系统，该系统定位且可运作于喷洒一具有充足力量的液体到该 CMP抛光垫的抛光表面上以驱除该抛光表面上的碎屑。本发明另外提供一种在CMP处理程序之后移除一 CMP抛光垫表面上的碎屑的方 法。此一方法可包含使用一 CMP抛光垫修整器修整一 CMP抛光垫的一抛光表面，并且喷洒 一具有充足力量的液体喷射注到该CMP抛光垫的抛光表面上以驱除该CMP抛光垫的抛光表 面上的碎屑。在此先以较宽广方式描述勾勒本发明各项特征，以使读者能更了解之后本发明的 详细描述。本发明其余特征将通过下列的本发明详细说明与所附的申请专利范围，或者通 过实施本发明来更为清楚地呈现。


图1是本发明一实施例执行CMP处理程序的系统的剖视图。图2是本发明一实施例关于一 CMP抛光垫修整器的液体喷洒图形示意图。图3是本发明一实施例关于一 CMP抛光垫修整器的液体喷洒图形示意图。图4是本发明一实施例关于一 CMP抛光垫修整器的液体喷洒图形示意图。图5是本发明一实施例关于一 CMP抛光垫修整器的液体喷洒图形示意图。图6是本发明一实施例关于一 CMP抛光垫修整器的液体喷洒图形示意图。图7是本发明一实施例关于一 CMP抛光垫修整器的液体喷洒图形示意图。
具体实施例方式定义在描述与请求本发明时，会根据下列提出的定义来使用下列专门用语。除非文章中特定指出其他涵义，说明书以及附加的申请专利范围中所使用的冠词 「一」及「该」是包含了多个的用法。因此，举例而言，「一颗粒」包含了一个或更多这样的颗 粒，「一喷射注」包含了一个或更多这样的喷射注。文中所使用的「大致上」一词是指一作用、特征、性质、状态、结构、物品或结果之完 全或近乎完全的范围或是程度。举例而言，一物体「大致上」被包覆，其意指被完全地包覆， 或者被几乎完全地包覆。其确切可与绝对完全相比所允许之偏差程度，系可在某些例子中 取决于说明书特定内文。然而，一般而言，接近完全时所得到的结果将如同在绝对且彻底完 全时得到的全部结果一般。当「大致上」被使用于描述完全或近乎完全地缺乏一作用、特征、 性质、状态、结构、物品或结果时，该使用方式亦是如前述方式而同等地应用的。举例而言， 一「大致上不包含」颗粒的组成物，是可完全缺乏颗粒，或是近乎完全缺乏颗粒而到达如同 其完全缺乏颗粒的程度。换言之，只要一「大致上不包含」原料或元素的复合物所受到的影 响是无法被量测的，该复合物实际上仍可包含这些原料或是元素。文中所使用的「大约」一词是指给予一数值范围之端点弹性，所给予的数值可高于 该端点少许或是低于该端点少许。文中所使用的多个物品、结构元件、组成元件以及/或材料，可以一般列表方式呈 现以利方便性。然而，该等列表应被解释为该列表的各成员系被独立的视为分离且独特的 成员。因此，基于此列表的成员出现在同一群组中而没有其他反面的指示，此列表中的各成 员均不应被解释为与同列表中的任何其他成员相同。浓度、数量以及其他数值资料可以一范围形式表达或呈现。应了解的是，此范围形 式仅仅为了方便与简洁而使用，因此该范围形式应该被弹性地解释为不仅包含了被清楚描 述以作范围限制的数值，亦包含在该范围中的所有独立数值以及子范围，犹如清楚地引述 各独立数值以及子范围一般。举例而言，「大约1到大约5」的数值范围应被解释为不仅仅 包含所清楚描述的数值范围，亦应进一步解释为包含在该数值范围中的独立数值以及子范 围。因此，此数值范围内包含诸如2，3，以及4等独立数值，包含诸如1-3，2-4以及3-5以及 1，2，3，4及5等子范围。此相同的法则适用于仅引述单一数值作为下限或是上限的范围。 此外，此解释方式适用于任何幅度的范围以及任何所述的特性。本发明如上所述，发生于一 CMP抛光垫的抛光表面上的釉化现象会至少一部分因为抛光 垫对晶圆的抛光过程中产生的污染物以及其他碎屑而恶化。通过液体喷射注来驱逐与移除 该CMP抛光垫的抛光表面上的污染物以及/或是碎屑，能够减少该CMP抛光垫表面的釉化 现象，并且延长CMP抛光垫以及CMP抛光垫修整器的寿命。因此，本发明提供自CMP抛光垫移除污物以及/或是碎屑的系统与方法。在一方 面，举例而言，本发明提供一在CMP处理程序中自一 CMP抛光垫表面上移除碎屑的方法。此 一方法可包含旋转一具有一抛光表面的CMP抛光垫；将一 CMP抛光垫修整器压向该CMP抛 光垫的抛光表面，其中该CMP抛光垫修整器具有耦合到该CMP抛光垫修整器上且定向朝向该CMP抛光垫的负数超研磨颗粒；以及对该CMP抛光垫的抛光表面喷洒一具有充足力量的 液体喷射注来驱除该CMP抛光垫的抛光表面上的碎屑。本发明亦考虑到无须在抛光处理程序进行的同时完成清理该CMP抛光垫修整器。 因此，在一方面本发明提供了在CMP处理程序之后自一抛光垫的表面上移除碎屑的方法， 其包含使用一CMP抛光垫修整器修整一CMP抛光垫的一抛光表面，并且喷洒一具有充足力 量的液体喷射注到该CMP抛光垫的抛光表面上以驱除该CMP抛光垫的抛光表面上的碎屑。本发明另外提供执行CMP处理程序的系统。在一方面，如图1所示，此一系统可包 含一 CMP抛光垫12，其耦合到一支撑表面(图中未示)，该支撑表面可旋转该CMP抛光垫 12。该CMP抛光垫12具有一相对支撑表面的抛光表面14，该抛光表面14可用于抛光工件 或是晶圆。该系统另外包括一 CMP抛光垫修整器16，其具有耦合到该CMP抛光垫修整器16 且面对该CMP抛光垫12的表面上的超研磨颗粒(图中未示)。该CMP抛光垫16修整器被 定向垂直(Orthogonally)于该支撑表面的状态，且可运作而将所述多个超研磨颗粒压迫 进入该CMP抛光垫中。一液体喷射系统18定位且可运作于喷洒一具有充足力量的液体20 到该CMP抛光垫12的抛光表面14上。在某些实施例中，该液体可以充足力量发配到该CMP 抛光垫上的来驱除或是松动该抛光表面14上的碎屑。在一方面，该液体喷射系统可包含一 喷嘴22，该喷嘴22能喷洒液体到该CMP抛光垫上。在一方面，该液体喷射系统可耦合到该 CMP处理程序设备的CMP抛光垫修整器组件上。此一结构能够允许当CMP抛光垫修整器移 动时，同时令该液体喷射系统在CMP抛光垫上移动。在另一方面，该液体喷射系统可以独立 方式(incbpendent of)耦合到该CMP抛光垫修整器上。此一架结构能够使液体喷射注在 该CMP抛光垫修整器上的定位有更大的弹性，但是会需要一独立系统来移动与维持该液体 喷射系统的定位。此外，可以一朝向该CMP抛光垫修整器的角度来将液体喷洒到该CMP抛光垫上， 如图1所示，或是以一远离该CMP抛光垫的角度来将液体喷洒到该CMP抛光垫上(图中未 示)。此外，在某些方面可将该液体以垂直(Orthogonally)方式喷洒到该CMP抛光垫的抛 光表面上。该用来驱除CMP抛光垫的抛光表面上的污染物或是碎屑的液体可为任何能够执 行此相容于CMP处理程序的功能的液体。在一方面，举例而言，该液体可为水。在此例子 中，水可大致上为纯水，或是水可包各种不同的添加物来辅助清洁程序或是辅助CMP处理 程序。此添加物可包含盐、缓冲物(Buffer)、金属螯化物(Metal Chelators)等等。在某些 方面，可在水中添加研磨颗粒来辅助驱除该CMP抛光垫材质上的污染物或是碎屑。可使用其他液体，包括油、液态化学组成物以及液态聚合物等等。应注意的是，亦 可在这些液体中添加研磨料来辅助去除上述碎屑。应注意的是，可预先选择任何用来驱除 CMP抛光垫上的碎屑的液体的温度，藉此增进清洁处理程序。举例而言，在某些方面可加热 液体来改进清洁处理程序。此外，酸或性是碱性溶液、去垢剂(Detergents)等可用来辅助 该清洁处理程序。另外可以任何有用的液压在该CMP抛光垫的抛光表面上喷洒液体，且该液压是小 于会对该CMP抛光垫产生伤害的程度。因此，该液体可直接通过一液体管来喷洒，例如饮用 水管，或是液体在喷洒前可受到加压。该液体可以在相对于该CMP抛光垫修整器的任何位置被喷洒到该CMP抛光垫修整器上。举例而言，在某些方面该液体可被喷洒到该CMP抛光垫抛光表面的一区域上，该被喷 洒的区域是相邻正受到CMP抛光垫修整器所修整的区域。此可允许在该CMP抛光垫的区域 被用于抛光一晶圆之前，先行移除该区域上的碎屑，藉此减少晶圆污染或是釉化的风险。该 液体喷射注可被定为在相对于CMP抛光垫修整器的各种相邻区域上。包括相邻该CMP抛光 垫修整器的前边缘、相邻其后边缘、以及相邻其侧边缘。如图1所示，一 CMP抛光垫16沿着 箭头方向移动，该前边缘如元件符号24所示，而该后边缘如元件符号26所示。液体喷射注的方向与配置亦会影响到如何自抛光表面松动与移除碎屑的方式。在 一方面，如图2所示，该液体可以一椭圆图形32而施加于相邻CMP抛光垫修整器30的一 处。应注意的是，对于图2以及以后的图式，液体图形式相邻于CMP抛光垫修整器并沿着前 边缘。此图式显示方式是为了增进便利性，不应被视为成限制。所示的椭圆图形可为任何圆 形或是半圆形的形状，且可依据输送一体的喷嘴结构而改变。在一相似方面，如图3所示， 该液体图形34可为一椭圆环形。在某些例子中，可有效去除位于介于空气与液体之间的边 缘的碎屑，在该边缘处液体首先接触该CMP抛光垫的抛光表面。在此例子中，使用一环形图 形增加了碎屑由水过渡到空气的过渡经历，藉此增加移除碎屑的效果。在移除碎屑的程序 期间通过以脉冲(Pulsing)方式施加该液体喷射注亦可产生上述的类似效果。水的脉冲可 辅助自该CMP抛光垫的表面上移除污染物和碎屑。此外，可对该CMP抛光垫和/或是液体 导入音波震动或是超音波震动来辅助碎屑的移除。此外，当液体系以椭圆环形的方式注入 时，其将会定位于修整器周围以全面360度围绕的方式运作。在一方面，可加入一吸力装置到该系统中来增进自该CMP抛光垫的表面上移除或 是松动污染物或是碎屑的效果。此吸力装置可定位在以该CMP抛光垫修整器修整该CMP抛 光垫之前，或是定位在修整后。图2以及图3描绘了液体的图形，该图形的长度大致等同于CMP抛光垫修整器的 直径，应了解的是，本发明范畴涵盖具任何尺寸或是配置的液体图形。如图4所示，举例而 言，可使用一液体图形36来移除抛光表面(图中未示)上碎屑，其中该液体图形36的长度 大致小于该CMP抛光垫修整器30的直径。为了涵盖该CMP抛光垫上更多的面积区域，该液 体图形36可选择性地依据一相邻该CMP抛光垫修整器的图形而前后移动。如图5所示，可在相邻该CMP抛光垫修整器30处喷洒一线性液体图形38来移除 污染物与碎屑。藉由将一液体图形定向于一相对该CMP抛光垫的半径40的角度上，如图6 所示，该液体可有效地朝该CMP抛光垫的一边缘的方向上驱除以及输送碎屑。本发明亦考虑在该CMP抛光垫修整器的圆周范围内将液体喷射注喷洒到该抛光 表面上。在一方面，如图7所示，可将该液体喷射注74喷洒穿过一 CMP抛光垫修整器70的 开口 72。就本身而言，该CMP抛光垫修整器70的形状可为一环状元件，在该环状元件上形 成有一开口以在CMP抛光垫的圆周范围内传输该液体。当该液体喷射注被定位于该CMP抛光垫修整器的前边缘的前方时，该液体可用于 预先处理该CMP抛光垫并且对任何碎屑提供一初步松动效果。此效果可为液体对该碎屑的 冲击的物理力量、可为对该CMP抛光垫的软化效果、可为对该CMP抛光垫的润滑效果以及/ 或是角度，或该效果可为前述各种效果或是其他因素的组合。或者，当该液体喷射注喷嘴被 定位于该CMP抛光垫修整器的后边缘之后，且接着施加于该CMP抛光垫的液体可进一步松 动或是移动该已经先被修整器松动或是移除的碎屑，该液体可甚至被施加一充足力量来完全移除这些在CMP抛光垫上的碎屑。在另一方面，该液体可施加在该CMP抛光垫修整器的 前边缘之前或是施加在其后边缘之后。如前所述，在本发明的又一方面，可进一步使用一连接到该液体喷射注的吸力或 是真空装置(图中未示)以便能搜集液体或是松动该CMP抛光垫上碎屑。在某些方面，该 真空装置可物理性地接触该CMP抛光垫，且在其他方面，该真空装置可悬于该CMP抛光垫上 方一段距离处，该距离足以供真空装置通过真空吸力来有效地搜集材料。该真空装置可根 据需求而具有多个不同的结构以提供所要的吸力效果。此外，该真空装置可根据需求而定 位在相对应CMP抛光垫修整器以及液体喷射注喷嘴的各个位置上，但最常被设置在该修整 器以及液体喷射注喷嘴之后以便能搜集被液体与修整器所松动的碎屑。在又一实施例之中，该液体在施加在该CMP抛光垫之前，可先被加热到预设温度。 在一例子中，该液体可以是以水蒸汽方式施加到该CMP抛光垫上的水。在某些实施例中该 水蒸汽的力量可足以驱除该CMP抛光垫上的碎屑。在其他实施例中(尤其当使用该真空装 置时)，液体的力量(包括以水蒸汽形式提供)可小于能够驱除该CMP抛光垫上碎屑的力 量。在此例子中，该碎屑可以在该CMP抛光垫之中被松动或是软化，然后才以一异于液体所 施加的物理力量来驱除该碎屑，该物理力量可为真空装置的吸力、修整器接触的物理力量、 或是CMP抛光垫旋转所产的离心力。在某些实施例之中，该CMP抛光垫的旋转速度可增加 超过用于抛光时的旋转速度以便增加离心力。当然，应了解的是，上述内容仅供说明本发明原理的应用。在不违背本发明范畴及 精神的前提下，本发明所属技术领域具有通常知识者可做出多种修改及不同的配置，且依 附在后的申请专利范围则意图涵盖这些修改与不同的配置。因此，虽然本发明中目前被视 为是最实用且较佳之实施例的细节已被如上内容所揭露，对于本发明所属技术领域具有通 常知识者而言，可依据本文中所提出的概念与原则来作多种改变，其包含而不受限于尺寸、 材料、外形、形态、功能、操作方法、组装及使用上的改变。
权利要求
一种以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法，其是在CMP处理程序中自一CMP抛光垫的表面上移除碎屑，其特征在于该方法包含以下步骤旋转一CMP抛光垫，其中该抛光垫具有一抛光表面；将一CMP抛光垫修整器压向该CMP抛光垫的抛光表面，其中该CMP抛光垫具有耦合于CMP抛光垫上的多个超研磨颗粒，且所述多个超研磨颗粒被定向朝向该CMP抛光垫；以及喷洒一具有充足力量的液体喷射注到该CMP抛光垫的抛光表面上来驱除该CMP抛光垫的抛光表面上的碎屑。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的液体为水。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的液体包含研磨颗粒。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的液体喷射注是喷洒到该CMP抛 光垫上相邻该CMP抛光垫修整器的抛光表面的一区域。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于其中所述的液体喷射注是喷洒到相邻该 CMP抛光垫修整器前边缘的该CMP抛光垫的抛光表面区域上
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于其中所述的液体喷射注是喷洒相邻该CMP 抛光垫修整器后边缘的到该CMP抛光垫抛光表面区域上。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的液体喷射注是喷洒通过该CMP 抛光垫修整器中的一开口而接触该CMP抛光垫修整器圆周区域内的抛光表面的一区域。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于其中所述的CMP抛光垫修整器是一环形元 件，且该液体喷射注是通过该环状元件的一中心开口部位而喷洒在该抛光表面上。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中喷洒液体喷射注到该抛光表面的步骤 进一步包含依据一脉冲图形来喷洒该液体喷射注。
10.一种以水枪辅助执行CMP处理程序的系统，其特征在于其包含一 CMP抛光垫，其耦合到一支撑表面上，该支撑表面可运作转动该CMP抛光垫，其中该 CMP抛光垫具有一相对该支撑表面的抛光表面；一 CMP抛光垫修整器，其上耦合有多个超研磨颗粒，且所述多个超研磨颗粒被定向朝 向该CMP抛光垫，该CMP抛光垫修整器是被定向垂直于该支撑表面的状态，且可运作而将所 述多个超研磨颗粒压迫进入该CMP抛光垫中；以及一液体喷射系统，该系统定位且可运作于喷洒一具有充足力量的液体到该CMP抛光垫 的抛光表面上以驱除该抛光表面上的碎屑。
11.根据权利要求10所述的系统，其特征在于其中所述的液体喷射系统是被定位且可 运作于喷洒液体到相邻该CMP抛光垫修整器的该抛光表面一区域上。
12.根据权利要求10所述的系统，其特征在于其中所述的液体喷射系统是被定位且可 运作于喷洒液体到一相邻该CMP抛光垫修整器前边缘的该抛光表面上一区域上。
13.根据权利要求10所述的系统，其特征在于其中所述的液体喷射系统是被定位且可 运作于喷洒液体到一相邻该CMP抛光垫修整器后边缘的该抛光表面上一区域上。
14.根据权利要求10所述的系统，其特征在于其中所述的液体喷射系统是被定位且可 运作于喷洒液体通过该CMP抛光垫修整器的一开口部位后到该抛光表面的一区域上。
15.根据权利要求14所述的系统，其特征在于其中所述的CMP抛光垫修整器是一环状 元件，且该液体喷射系统是被定位且可运作于喷洒液体通过该环状元件的中心开口部位后到该抛光表面的一区域上。
16.根据权利要求10所述的系统，其特征在于其中所述的液体喷射系统可运作于依据 相邻于该CMP抛光垫修整器的前边缘处的线性图形而喷洒液体。
17.根据权利要求10所述的系统，其特征在于其中所述的液体喷射系统可运作于依据 相邻于该CMP抛光垫修整器的后边缘处的线性图形而喷洒液体。
18.根据权利要求17所述的系统，其特征在于其中所述的线性图形是被定向于相对该 CMP抛光垫的半径的角度上以使得该依据线性图形的液体可有效地朝该CMP抛光垫的一边 缘的方向上驱除以及输送碎屑.
19.根据权利要求10所述的系统，其特征在于其进一步包含一吸力系统，该吸力系统 被定向且可运作于去除该CMP抛光垫的抛光表面上已被松动的碎屑。
20.—种以水枪辅助执行CMP处理程序的方法，其是在CMP处理程序之后自一 CMP抛光 垫表面上移除碎屑，其特征在于该方法包含以下步骤使用一 CMP抛光垫修整器修整一 CMP抛光垫的一抛光表面；以及喷洒一具有充足力量的液体喷射注到该CMP抛光垫的抛光表面上以驱除该CMP抛光垫 的抛光表面上的碎屑。
全文摘要
本发明是有关于一种以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法及其系统，是在CMP处理程序期间自一CMP抛光垫的抛光表面上移除污染物以及/或是碎屑的方法与系统。在一方面，一在CMP处理程序期间自一CMP抛光垫的抛光表面上移除碎屑的方法可包含旋转一具有抛光表面的CMP抛光垫；以及将一CMP抛光垫修整器压向该CMP抛光垫的抛光表面，其中该CMP抛光垫修整器包含有多个耦合于其上的多个超研磨颗粒该多个超研磨颗粒并且被定向朝向该CMP抛光垫。该方法可进一步包含以一充足力量喷洒一液体喷射注到该CMP抛光垫的抛光表面上来驱除该CMP抛光垫的抛光表面上的碎屑。
文档编号B24B53/017GK101885163SQ20101018028
公开日2010年11月17日 申请日期2010年5月13日 优先权日2009年5月14日
发明者宋健民 申请人:宋健民