专利名称：一种触摸屏用防指纹膜的制备方法
技术领域：
本发明用于光电子器件制造技术领域，具体涉及电容式触摸屏用防指纹膜的制备工艺中，一种提高防指纹膜与强化玻璃基材附着力的制备方法。
背景技术：
触摸屏用防指纹防指纹膜，具有良好的疏水性和疏油性，广泛应用于手机和平板电脑等触控技术领域，增加触摸屏用防指纹膜与玻璃基材之间的镀层附着力一直是触控行业的永久性话题。在触摸屏用防指纹膜与玻璃基材之间增加一层SiO2缓冲层，可以提高触摸屏用防指纹膜与玻璃基材的镀层附着力。制备该缓冲层和触摸屏用防指纹膜常用的方法有PVD法和CVD法两种，其中PVD技术沉积速度慢且镀层附着力不足，而CVD技术的沉积温度较高(90(Γ120(ΓΟ。因此，兼具PVD和CVD技术优点的PECVD技术很快便成为了人们的研究热点。采用PECVD以传统的刻蚀、镀SW2缓冲层和镀触摸屏用防指纹膜三步工艺方法， 在玻璃基材表面镀S^2缓冲层和防指纹膜时，容易造成S^2缓冲层表面平滑度极高，从而限制了 SiOjl冲层与触摸屏用防指纹膜的镀层附着力。同时，随着触控技术的发展，对于触摸屏用防指纹膜与玻璃基材镀层附着力的要求越来越高，传统工艺在镀层附着力要求方面也面临着越来越大的挑战。因此，改善PECVD的镀膜工艺，提高强化玻璃基材与触摸屏用防指纹膜之间的镀层附着力这一重大课题已经提上日程。
发明内容
为了解决上述缺陷，本发明的目的是设计一种利用PECVD制备触摸屏用防指纹膜的方法，该工艺方法可以提高触摸屏用防指纹膜与玻璃基材的镀层附着力等问题。为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案
步骤1 将洁净的强化玻璃基材放入PECVD沉积室中，通过A和Ar辉光放电对玻璃基材进行刻蚀与活化；
其中所述的强化玻璃基材放入PECVD真空室内时，开始抽真空至压力为10_3mbar， 然后给真空室注入气体流量为500SCCm的O2和300SCCm的Ar至真空室的压力为 1. OX 10_4 2. OX 10_2mbar之间，加中频功率为6000w，然后5s内升至8000w放电启辉30s;
步骤2 利用硅氧烷高温裂解形成SiOx,在离子清洗和刻蚀后的强化玻璃基材表面沉积 SiOx缓冲层；
其中所述的离子清洗和刻蚀完成后，抽真空至压力为5. OX 10_3mbar，然后充入气体流量为500sccm的O2和IOOsccm的硅油至真空室内压力为1. 0 X 10^5. 0 X 10_1mbar之间，持续中频功率为8000w开始沉积SiOx，沉积时间为30s，得到厚度为10-20nm的SiOx缓冲层； 步骤3 通过&辉光放电，对SiOx缓冲层进行刻蚀、剥离附着力较差的SiOx和补充0形成SiOjl冲层。
其中步骤2中所述的SiOx沉积完成后，抽真空至压力为1. OX 10_2mbar，持续充入气体流量为500SCCm的&至真空室内压力为1. OX 10_4 5. OX IO-1Hibar之间，持续中频功率为SOOOw放电起辉30s，起到刻蚀SiOx表面、剥离附着力较差的SiOx和为SiOx补充0形成 SiO2缓冲层的作用；
步骤4 利用热蒸发法在&辉光放电后形成的S^2缓冲层表面沉积触摸屏用防指纹
膜；
其中步骤3中所述的刻蚀SiOx表面、剥离附着力较差的SiOx和为SiOx补充0形成SiA 缓冲层完成后，抽真空至压力为10_5mbar，30s内将灯丝电流由OA提升至270A，开始沉积触摸屏用防指纹膜，沉积时间为150s，得到厚度为10-30nm的触摸屏用防指纹膜层。本发明的有益效果
本发明的一种具有较强镀层附着力的触摸屏用防指纹膜的制备方法，解决了 PECVD在传统工艺下制备触摸屏用防指纹膜时，由于S^2表面过于光滑和含硅粒子氧化不完全而导致触摸屏用防指纹膜与SW2缓冲层镀层附着力不佳的问题，提高了触摸屏用防指纹膜与强化玻璃基材之间的镀层附着力。
图1为本发明制备触摸屏用防指纹防指纹膜的装置结构示意图。图2为本发明气体辉光放电示意图。图3为本发明O2辉光放电对SiOj^l冲层的作用示意图。
具体实施例方式为了进一步说明发明的具体技术内容，以下结合实施例及附图详细说明
如图ι所示，真空室ι内，强化玻璃基材2粘附于夹具3上，灯丝夹具4上夹有8个灯丝5，8个灯丝5中分别含有8片膜料6，7为气体管道。真空室1内压力抽至l(T3mbar，然后通过气体管道7给真空室1注入气体流量为 500sccm的O2和300sccm的Ar至压力为1. OX 1(Γ4 2. OX l(T2mbar之间，加中频功率为 6000w，然后k内升至SOOOw放电启辉30s，起到清洗和刻蚀玻璃基材表面的作用。待刻蚀完毕后，真空室1内抽真空至压力为5. OX 10_3mbar，然后通过气体管道7充入气体流量为500sccm的O2和IOOsccm的硅油至压力为1. 0 X 10^5. 0 X 10_1mbar之间，持续中频功率为8000w开始沉积SiOx，沉积时间为30s，得到厚度为10-20nm的SiOx缓冲层。待镀完SiOx后，真空室1内压力抽至1. OX 10_2mbar，由气管道7持续充入气体流量为500sccm的&至压力为1. OX 1(Γ4 5. OX KT1Hibar之间，持续中频功率为8000w放电起辉30s，起到刻蚀SiOx表面、剥离附着力较差的SiOx和为SiOx补充0的作用。待刻蚀、剥离和补0后，真空室1内压力抽至1. OX 10_5mbar，30s内通过灯丝夹具 4将8个灯丝5的总电流由OA提升至270A，开始沉积AF膜，沉积时间为150s，得到厚度为 10-30nm 的 AF 膜层。如图2所示，为真空室1内辉光放电示意图，气体通入真空室1内，通过电极板8 形成气体辉光放电等离子体，对夹具3上强化玻璃基材的缓冲层进行刻蚀、剥离附着力较差的SiOx和补充0。
如图3所示，为&辉光放电对SiOx缓冲层9的作用示意图。辉光放电形成的等离子体10对SiOx缓冲层9表面进行刻蚀，同时将附着力较差的SiA从强化玻璃基材2表面剥离和为缺少O的SiOx提供0，增加了后续AF膜与玻璃基材的镀层附着力。
权利要求
1. 一种触摸屏用防指纹膜的制备方法，其特征在于，其包括如下的步骤步骤1 将洁净的强化玻璃基材放入PECVD沉积室中，通过A和Ar辉光放电对玻璃基材进行刻蚀与活化；其中所述的强化玻璃基材放入PECVD真空室内时，开始抽真空至压力为10_3mbar， 然后给真空室注入气体流量为500SCCm的O2和300SCCm的Ar至真空室的压力为 1. OX 10_4 2. OX 10_2mbar之间，加中频功率为6000w，然后5s内升至8000w放电启辉30s;步骤2 利用硅氧烷高温裂解形成SiOx,在离子清洗和刻蚀后的强化玻璃基材表面沉积 SiOx缓冲层；其中所述的离子清洗和刻蚀完成后，抽真空至压力为5. OX 10_3mbar，然后充入气体流量为500sccm的O2和IOOsccm的硅油至真空室内压力为1. 0 X 10^5. 0 X 10_1mbar之间，持续中频功率为8000w开始沉积SiOx，沉积时间为30s，得到厚度为10-20nm的SiOx缓冲层；步骤3 通过&辉光放电，对SiOx缓冲层进行刻蚀、剥离附着力较差的SiOx和补充0形成SW2缓冲层；其中步骤2中所述的SiOjX积完成后，抽真空至压力为1.0X10_2mbar，持续充入气体流量为500SCCm的&至真空室内压力为1. OX 10_4 5. OX IO-1Hibar之间，持续中频功率为 8000w放电起辉30s，起到刻蚀SiOx表面、剥离附着力较差的SiOx和为SiOx补充0形成SW2 缓冲层的作用；步骤4 利用热蒸发法在A辉光放电后形成的SiA缓冲层表面沉积触摸屏用防指纹膜；其中步骤3中所述的刻蚀SiOx表面、剥离附着力较差的SiOx和为SiOx补充0形成SiA 缓冲层完成后，抽真空至压力为10_5mbar，30s内将灯丝电流由OA提升至270A，开始沉积触摸屏用防指纹膜，沉积时间为150s，得到厚度为10-30nm的触摸屏用防指纹膜层。
全文摘要
本发明用于光电子器件制造技术领域，具体涉及电容式触摸屏用防指纹膜的制备工艺中，一种提高防指纹膜与强化玻璃基材附着力的制备方法。其包括如下的步骤步骤1将洁净的强化玻璃基材放入PECVD沉积室中，通过O2和Ar辉光放电对玻璃基材进行刻蚀与活化;步骤2利用硅氧烷高温裂解形成SiOx，在离子清洗和刻蚀后的强化玻璃基材表面沉积SiOx缓冲层;步骤3通过O2辉光放电，对SiOx缓冲层进行刻蚀、剥离附着力较差的SiOx和补充O形成SiO2缓冲层；步骤4利用热蒸发法在O2辉光放电后形成的SiO2缓冲层表面沉积触摸屏用防指纹膜。
文档编号C23C14/02GK102352489SQ201110311330
公开日2012年2月15日 申请日期2011年10月14日 优先权日2011年10月14日
发明者于甄, 熊磊, 蔡荣军 申请人:南昌欧菲光科技有限公司