专利名称：用于电容式触控屏生产的磁控溅镀方法
技术领域：
本发明涉及磁控溅镀领域，特别是涉及一种用于电容式触控屏生产的磁控溅镀方法。
背景技术：
随着科技的高速发展，电子类产品已发生了天翻地覆的变化，随着近来触控式电子产品的问世，触控产品已越来越多地受到人们的追捧，不仅其可节省空间，方便携带，而且用户通过手指或者触控笔等就可直接操作，使用舒适，非常便捷。例如，目前市场常见的个人数字处理(PDA)、触控类手机、手提式笔记本电脑等等，都已加大对触控技术的投入，所以触控式装置将来必在各个领域有更加广泛的应用。目前，电容式触控面板的结构是由导电材料的载体基材、盖板玻璃、FPC软排线构成。其中导电材料的载体玻璃又叫ITO(氧化铟锡)基材，其制造工艺很复杂，占据电容屏的成本比重较高。习知技术称为溅镀，通常指的是磁控溅镀，属于高速低温溅镀法，如图1， 采用轰击射线轰击靶材，使导电材料如细小的雪花状落在载体基材上。该工艺要求真空度在I X 10-3Torr左右，即I. 3X 10_3Pa的真空状态在一腔体的溅镀空间内充入惰性气体氩气，并在导电材料载体基材(阳极)和金属靶材(阴极)之间加上高压直流电，由于辉光放电产生的电子激发情性气体，产生等离子体，等离子体将金属靶材的原子轰出，使得靶材上的材料随机沉积在导电材料载体基材上；然后使用指定的Mask(掩膜板)光照网板覆盖在 ITO上，用化学液体蚀刻，或者激光蚀刻的方式对基材上的ITO导电材料进行线路刻蚀，刻蚀出客户需求的ITO导电材料图形。在电容屏的生产过程中，一般需要2 5层掩膜板，才能刻蚀出客户需求的ITO导电材料图形。此种溅镀方法的优点在于大批量生产快捷，但其对于设备、操作人员、操作环境的空气洁净度都有严格的要求，对于现在流行的定做样屏这样的小批量生产，工艺复杂，成本高昂。为了克服上述缺点，虽然目前业界也针对性地提出了一些解决办法，比如通过使用软性膜材料印刷导电材料的方式，但是膜材料的材料特质使得其高温可靠性，透光率都会有明显的下降，寿命会比玻璃基材短很多，小批量生产虽然有优势，但是当客户认可了样屏，转为大量生产时，这种方式的成本依然很高。因此需要为广大用户提供一种更加简便，低成本的方法来解决以上问题。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种用于电容式触控屏生产的磁控溅镀方法， 无需多层掩膜板，可一次性溅镀出客户需求的ITO导电材料图形，实现低成本打样。为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种用于电容式触摸屏生产的磁控溅镀方法，所述的方法包括提供一具有溅镀空间的腔体；令一基材设于所述腔体的溅镀空间内；
3
令一靶材设于所述腔体的溅镀空间内，并位于所述基材的一侧，在所述靶材上连接一电极；在所述祀材的正下方设置一磁场偏转线圈；令所述溅镀空间内部呈真空状态，并通入等离子体轰击所述靶材；所述靶材的原子被溅出，并受到所述磁场偏转线圈的偏转，有目标地沉积在所述基材上。在本发明一个较佳实施例中，所述磁场偏转线圈包括行偏转线圈和列偏转线圈。在本发明一个较佳实施例中，所述行偏转线圈通有由一行扫描电路提供的锯齿波电流，产生在水平方向线性变化的磁场。在本发明一个较佳实施例中，所述列偏转线圈通有由一列扫描电路提供的锯齿波电流,产生在垂直方向线性变化的磁场。在本发明一个较佳实施例中，所述真空状态的真空度保持在I. 3X l(T3Pa。本发明的有益效果是本发明通过控制靶材下落的路径，可一次性溅镀出客户需求的ITO导电材料图形，减少了掩膜板的费用，方法简便，既明显节约了材料，又显著降低了成本，可同时满足小批量的客制化产品试做需求和大批量生产需求。
图I是习知技术溅镀过程的示意图；图2是本发明用于电容式触控屏生产的磁控溅镀方法的结构示意图；图3是本发明用于电容式触控屏生产的磁控溅镀方法的流程图。附图中各部件的标记如下1、靶材，2、基材，3、等离子体，4、行偏转线圈，5、列偏转线圈，6、电极，7、腔体，8、溅镀空间。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。请参阅图2和图3，本发明实施例包括一种用于电容式触摸屏生产的磁控溅镀方法，包括以下步骤提供一具有溅镀空间8的腔体7 ；令一基材2设于所述腔体7的溅镀空间8内；令一靶材I设于所述腔体7的溅镀空间8内，并位于所述基材2的一侧，在所述靶材I上连接一电极6 ；在所述靶材I的正下方设置一磁场偏转线圈，所述磁场偏转线圈包括行偏转线圈 4和列偏转线圈5，行偏转线圈4通有由行扫描电路(图未示)提供的锯齿波电流，产生在水平方向上线性变化的磁场，使落下的靶材I作水平方向扫描；列偏转线圈5通有由列扫描电路(图未示)提供的锯齿波电流，产生在垂直方向上线性变化的磁场，使落下的靶材I作垂直方向扫描；通过控制磁偏转线圈的电流，使所述靶材I有目标地落在所述基材2上，从而形成客户需求的ITO导电材料图形，无需使用多层掩膜板；令所述溅镀空间8内部呈真空状态，所述真空状态的真空度保持在I. 3X IO-3Pa,向所述溅镀空间8内通入等离子体3，其中所述等离子体3含有带正电荷的氩离子，所述等离子体3轰击所述靶材I ;所述靶材I的原子被溅出，在所述靶材I落下的路径周围受到所述磁场偏转线圈的偏转，从而使所述靶材I有目标地沉积在所述基材2上。本发明通过控制靶材I下落的路径，可一次性溅镀出客户需求的ITO导电材料图形，减少了至少一层掩膜板的费用，方法简便，既明显节约了材料，又显著降低了成本，可同时满足小批量的客制化产品试做需求和大批量生产需求。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
权利要求
1.一种用于电容式触摸屏生产的磁控溅镀方法，其特征在于，所述的方法包括提供一具有溅镀空间的腔体；令一基材设于所述腔体的溅镀空间内；令一靶材设于所述腔体的溅镀空间内，并位于所述基材的一侧，在所述靶材上连接一电极；在所述靶材的正下方设置一磁场偏转线圈；令所述溅镀空间内部呈真空状态，并通入等离子体轰击所述靶材；所述靶材的原子被溅出，并受到所述磁场偏转线圈的偏转，有目标地沉积在所述基材上。
2.根据权利要求I所述的用于电容式触摸屏生产的磁控溅镀方法，其特征在于，所述磁场偏转线圈包括行偏转线圈和列偏转线圈。
3.根据权利要求2所述的用于电容式触摸屏生产的磁控溅镀方法，其特征在于，所述行偏转线圈通有由一行扫描电路提供的锯齿波电流，产生在水平方向线性变化的磁场。
4.根据权利要求2所述的用于电容式触摸屏生产的磁控溅镀方法，其特征在于，所述列偏转线圈通有由一列扫描电路提供的锯齿波电流，产生在垂直方向线性变化的磁场。
5.根据权利要求I所述的用于电容式触摸屏生产的磁控溅镀方法，其特征在于，所述真空状态的真空度保持在I. 3X 10_3Pa。
全文摘要
本发明公开了一种用于电容式触摸屏生产的磁控溅镀方法，包括提供一具有溅镀空间的腔体，令一基材设于所述腔体的溅镀空间内，令一靶材设于所述腔体的溅镀空间内，并位于所述基材的一侧，在所述靶材上连接一电极，在所述靶材的正下方设置一磁场偏转线圈，令所述溅镀空间内部呈真空状态，并通入等离子体轰击所述靶材，所述靶材的原子被溅出，并受到所述磁场偏转线圈的偏转，有目标地沉积在所述基材上。通过上述方式，本发明通过控制靶材下落的路径，可一次性溅镀出客户需求的ITO导电材料图形，无需使用多层掩膜板，方法简便，既明显节约了材料，又显著降低了成本，可同时满足小批量的客制化产品试做需求和大批量生产需求。
文档编号C23C14/35GK102605336SQ20121009616
公开日2012年7月25日 申请日期2012年4月5日 优先权日2012年4月5日
发明者钟钢 申请人:江苏昭阳光电科技股份有限公司