一种用于低铝高锰CuAlMn低温记忆合金的复合稀土添加剂的制作方法

文档序号:3339883阅读:230来源:国知局
专利名称:一种用于低铝高锰CuAlMn低温记忆合金的复合稀土添加剂的制作方法
技术领域
本发明属于记忆合金技术领域,特指一种用于低铝高锰CuAlMn低温记忆合金的复合稀土添加剂。
背景技术
在CuAlMn记忆合金中,通过加入Mn,可以抑制高温β相在淬火时及淬火后的共析转变,降低β相的脆性,控制马氏体转变温度及有序化温度,以获得良好的低温形状记忆性能。具有良好形状记忆性能的低温CuAlMn合金(Msl50K以下),淬火后的XRD谱中除含β相的衍射峰外没有其他相的衍射峰,并且有序峰越高,合金的形状记忆性能越好。CuAlMn记忆合金的马氏体相变温度对其化学成分非常敏感,尤其对Mn和Al的含量十分敏感。随着Mn和Al含量的增加,合金的马氏体相变温度Ms降低。但在合金的制备过程及热处理过·程中Mn会挥发,这使得CuAlMn合金的成分在真空冶炼和真空热处理前后都发生很大变化,并且每次不同热处理后Mn的挥发情况也不相同,因此很难得到与设计成分一致的合金,想得到理想的具有低温马氏体相变温度的形状记忆合金则更是困难。对于低铝高锰CuAlMn低温记忆合金,除了要减少Mn的挥发以外,还要改善由于Mn的加入量增加,导致合金韧性下降的问题。本发明开发出一种用于低铝高锰CuAlMn低温记忆合金的复合稀土添加剂。

发明内容
本发明的目的是开发出一种用于低铝高锰CuAlMn低温记忆合金的复合稀土添加齐U,其特征为化学成分为Y 20 28wt%、La 8 15wt%、Ce5 12wt%、Nb +Pr + Eu+Gd +Tb +Ho +Er +Tm +Lu 为 10 18wt%, V2 6wt%、B2 5wt%, Zr2 5wt%,余为铜。所述复合稀土添加剂为块状合金,熔点范围800 1200°C,复合稀土添加剂加入量范围为
O.3 O. 8wt%0
具体实施例方式实施例I :
制备低铝高锰CuAlMn低温记忆合金,将化学成分为A114wt%,Mn8wt%,复合稀土添加剂O. 3wt%,其余为铜的材料在真空感应电炉中进行熔炼。合金熔炼后当合金液温度达到1280 1300°C时,保温静置5min,然后在真空感应电炉内浇注成直径为Φ 80X 150mm的铸锭。铸锭冷却后进行退火处理,退火处理是加热到840°C保温24小时后随炉冷却,然后车削加工去除表面2 3mm,锻打至30 X 30mm的棒材,锻打温度800 840°C,再挤压成Φ4πιπι的线材,挤压温度650 680°C,最后冷拔成ΦO. 5 2mm的丝材。然后进行真空热处理,其具体工艺为860°C保温30分钟后淬入室温油中,再进行170°C油中(保温30分钟)和100°C水中(保温15分钟)和50°C水中(保温15分钟)的三级时效处理。利用获得的低铝高锰CuAlMn低温记忆合金丝材,可用于工程技术领域,其具体尺寸可以根据使用的实际要求确定。此时低铝高锰CuAlMn低温记忆合金成分为Al 13. 992wt%,Mn7. 962wt%,复合稀土 O. 291wt%,余量为铜,马氏体转变温度为180K±3K,逆马氏体转变温度为200Κ±3Κ,合金的机械性能为=572MPa, σ 0 2 = 291MPa, δ = 18. 1%。实施例2
制备低铝高锰CuAlMn低温记忆合金,将化学成分为A115wt%,Mn8. 5wt%,复合稀土添加剂O. 8wt%,其余为铜的材料在真空感应电炉中进行熔炼。合金熔炼后当合金液温度达到1280 1300°C时,保温静置5min,然后在真空感应电炉内浇注成直径为Φ 80X 150mm的铸锭。铸锭冷却后进行退火处理,退火处理是加热到840°C保温24小时后随炉冷却,然后车削加工去除表面2 3mm,锻打至30 X 30mm的棒材,锻打温度800 840°C,再挤压成Φ4πιπι的线材,挤压温度650 680°C,最后冷拔成ΦO. 5 2mm的丝材。然后进行真空热处理,其具体工艺为860°C保温30分钟后淬入室温油中,再进行170°C油中(保温30分钟)和100°C水中(保温15分钟)和50°C水中(保温15分钟)的三级时效处理。利用获得的低铝高锰CuAlMn 低温记忆合金丝材,可用于工程技术领域,其具体尺寸可以根据使用的实际要求确定。此时低招高猛CuAlMn低温记忆合金成分为Al 14. 993wt%,Mn8. 464wt%,复合稀土 O. 792wt%,余量为铜,马氏体转变温度为140K±3K,逆马氏体转变温度为160Κ±3Κ,合金的机械性能为=574MPa, σ 0 2 = 293MPa, δ = 18. 7%。实施例3
制备低铝高锰CuAlMn低温记忆合金,将化学成分为A116wt%,Mn9wt%,复合稀土添加剂O. 6wt%,其余为铜的材料在真空感应电炉中进行熔炼。合金熔炼后当合金液温度达到1280 1300°C时,保温静置5min,然后在真空感应电炉内浇注成直径为Φ 80X 150mm的铸锭。铸锭冷却后进行退火处理,退火处理是加热到840°C保温24小时后随炉冷却,然后车削加工去除表面2 3mm,锻打至30X30mm的棒材,锻打温度800 840°C,再挤压成Φ4πιπι的线材,挤压温度650 680°C,最后冷拔成Φ0. 5 2mm的丝材。然后进行真空热处理,其具体工艺为860°C保温30分钟后淬入室温油中,再进行170°C油中(保温30分钟)和100°C水中(保温15分钟)和50°C水中(保温15分钟)的三级时效处理。利用获得的低铝高锰CuAlMn低温记忆合金丝材,可用于工程技术领域,其具体尺寸可以根据使用的实际要求确定。此时CuAlMn低温记忆合金成分为Al 15. 492wt%,Mn8. 967wt%,复合稀土 O. 592wt%,余量为铜。马氏体转变温度为100K±3K,逆马氏体转变温度为120Κ±3Κ,合金的机械性能为ob = 578MPa, Q 0 2 = 296MPa, δ = 19.5%。对比例
制备低铝高锰CuAlMn低温记忆合金,将化学成分为A116wt%,Mn9wt%,其余为铜的材料在真空感应电炉中进行熔炼。熔炼后当合金液温度达到1280 1300°C时,保温静置5min,然后在真空感应电炉内浇注成直径为Φ80Χ150πιπι的铸锭。铸锭冷却后进行退火处理,退火处理是加热到840°C保温24小时后随炉冷却,然后车削加工去除表面2 3mm,锻打至30 X 30mm的棒材,锻打温度800 840°C,再挤压成Φ4πιπι的线材,挤压温度650 680°C,最后冷拔成Φ0. 5 2mm的丝材。然后进行真空热处理,其具体工艺为860°C保温30分钟后淬入室温油中,再进行170°C油中(保温30分钟)和100°C水中(保温15分钟)和50°C水中(保温15分钟)的三级时效处理。利用获得的低铝高锰CuAlMn低温记忆合金丝材,可用于工程技术领域,其具体尺寸可以根据使用的实际要求确定。此时CuAlMn低温记忆合金成分为A115. 492wt%,Mn8. 61wt%,余量为铜。马氏体转变温度为150K±3K,逆马氏体转变温度 为 170Κ±3Κ,合金的机械性能为 ob = 563MPa,Q 0 2 = 286MPa, δ = 14.7%。
权利要求
1.一种用于低铝高锰CuAlMn低温记忆合金的复合稀土添加剂,其特征为化学成分为Y 20 28wt%、La 8 15wt%、Ce5 12wt%、Nb +Pr + Eu +Gd +Tb +Ho +Er +Tm+Lu为10 18wt%,V2 6wt%、B2 5wt%,Zr2 5wt%,余为铜;所述复合稀土添加剂为块状合金,熔点范围800 1200°C,复合稀土添加剂加入量范围为0. 3 0. 8wt%。
2.根据权利要求I所述一种用于低铝高锰CuAlMn低温记忆合金的复合稀土添加齐U,制备低铝高锰CuAlMn低温记忆合金,将化学成分为A116wt%,Mn9wt%,复合稀土添加剂0. 6wt%,其余为铜的材料在真空感应电炉中进行熔炼;合金熔炼后当合金液温度达到1280 1300°C时,保温静置5min,然后在真空感应电炉内浇注成直径为¢80X 150mm的铸锭;铸锭冷却后进行退火处理,退火处理是加热到840°C保温24小时后随炉冷却,然后车削加工去除表面2 3mm,锻打至30X30mm的棒材,锻打温度800 840°C,再挤压成04mm的线材,挤压温度650 680°C,最后冷拔成¢0.5 2mm的丝材;然后进行真空热处理,其具体工艺为860°C保温30分钟后淬入室温油中,再进行170°C油中(保温30分钟)和100°C水中(保温15分钟)和50°C水中(保温15分钟)的三级时效处理;利用获得的低铝高锰CuAlMn低温记忆合金丝材,可用于工程技术领域,其具体尺寸可以根据使用的实际要求确定;此时CuAlMn低温记忆合金成分为A115. 492wt%,Mn8. 967wt%,复合稀土 0. 592wt%,余量为铜,马氏体转变温度为100K±3K,逆马氏体转变温度为120K±3K,合金的机械性能为O b = 578MPa, o 0 2 = 296MPa, 8 = 19. 5%。
全文摘要
一种用于低铝高锰CuAlMn低温记忆合金的复合稀土添加剂,属于记忆合金技术领域,其特征为化学成分为Y20~28wt%、La8~15wt%、Ce5~12wt%、Nb+Pr+Eu+Gd+Tb+Ho+Er+Tm+Lu为10~18wt%,V2~6wt%、B2~5wt%,Zr2~5wt%,余为铜。所述复合稀土添加剂为块状合金,熔点范围800~1200℃,复合稀土添加剂加入量范围为0.3~0.8wt%。
文档编号C22C9/00GK102758114SQ20121028620
公开日2012年10月31日 申请日期2012年8月13日 优先权日2012年8月13日
发明者刘光磊, 刘海霞, 司松海, 李晓薇, 杨嵩, 齐克尧 申请人:镇江忆诺唯记忆合金有限公司
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